JPS61181158A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS61181158A JPS61181158A JP60021110A JP2111085A JPS61181158A JP S61181158 A JPS61181158 A JP S61181158A JP 60021110 A JP60021110 A JP 60021110A JP 2111085 A JP2111085 A JP 2111085A JP S61181158 A JPS61181158 A JP S61181158A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン（以下ａ−８１という）
を受光素子として用いる密着型イメージセンナに関する
。
を受光素子として用いる密着型イメージセンナに関する
。
ａ−８ｉを受光素子として用いる密着型イメージセンナ
はファクシミリ・■トイメージスキャナなどの読取部と
して従来より使用されている７従央の上記ａ−８ｉを用
いた密着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラ
スあるいはセラミック基板上に、基板側から順に個別電
極、ａ−８ｔ、透明電極、遮光膜が重層される構造とな
っていた。このような従来の受光素子の構造においては
、耐環境性を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を
厚く形成する必要があった。
はファクシミリ・■トイメージスキャナなどの読取部と
して従来より使用されている７従央の上記ａ−８ｉを用
いた密着型イメージセンサの受光素子は、一般に、ガラ
スあるいはセラミック基板上に、基板側から順に個別電
極、ａ−８ｔ、透明電極、遮光膜が重層される構造とな
っていた。このような従来の受光素子の構造においては
、耐環境性を保持するために受光素子上に絶縁保護膜を
厚く形成する必要があった。
上記従来の構造の受光素子においては耐環境用を保持す
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
るための厚く形成した絶縁保護膜が必要であり、読みと
るべき光信号がその絶縁保護膜を通って入射するためこ
の保護膜は透明である必要があった。
また個別電極の素材により受光素子の特性が大きく影響
を受けるため個別電極：：用いることができる金属は数
が少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極とし
て用いることができないため、前記のような素子構造を
とった場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、
電極、配線をフォトエツチングによりパターン化した後
、さらに受光素子部：：相当する個別電極の金を除去す
る工程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造
工程が複雑になるといづ問題点があった。
を受けるため個別電極：：用いることができる金属は数
が少ない。配線の素材として一般的な金は個別電極とし
て用いることができないため、前記のような素子構造を
とった場合は基板上にクロム・金の三層薄膜を形成し、
電極、配線をフォトエツチングによりパターン化した後
、さらに受光素子部：：相当する個別電極の金を除去す
る工程が必要となり、この工程が途中に入るため、製造
工程が複雑になるといづ問題点があった。
そこで、受光素子の構造を基板側から遮光膜、透明電極
、ａ−８ｔ、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解
決されるかというと、この場合、透明電極を形成した後
にａ−８ｔを形成することとなり、ａ−８ｔ成膜中 透
明電極中のインジウムがａ−８ｔ中に拡散して、受光素
子の良好な特性が得られないという欠点があった。
、ａ−８ｔ、個別電極の順に積層すれば上記問題点は解
決されるかというと、この場合、透明電極を形成した後
にａ−８ｔを形成することとなり、ａ−８ｔ成膜中 透
明電極中のインジウムがａ−８ｔ中に拡散して、受光素
子の良好な特性が得られないという欠点があった。
本発明は、上記欠点を解消し、受光素子の積層構造を独
特なものとし、ａ−８ｔ中へのインジウムの拡散（＝よ
る特性の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型
イメージセンサを提供すること目的とする。
特なものとし、ａ−８ｔ中へのインジウムの拡散（＝よ
る特性の悪化を防止すると共に製造工程の簡便な密着型
イメージセンサを提供すること目的とする。
上記問題点を解決する本発明の手段は、ガラス基板と、
該ガラス基板上に該ガラス基板側から遮光膜、透明電極
、Ｐ型アモルファスシリコン、アンドープアモルファス
シリコン、個別電極の順に積層された受光素子を有し、
前記遮光膜に光信号入射のための開口を設け、前記ガラ
ス基板側から読取るべき光信号を入射させるようにした
ことを特徴とする密着型イメージセンナである。
該ガラス基板上に該ガラス基板側から遮光膜、透明電極
、Ｐ型アモルファスシリコン、アンドープアモルファス
シリコン、個別電極の順に積層された受光素子を有し、
前記遮光膜に光信号入射のための開口を設け、前記ガラ
ス基板側から読取るべき光信号を入射させるようにした
ことを特徴とする密着型イメージセンナである。
つぎに、本発明を、冥力例により、図面を参照して説明
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのトに断面図である。これらの図において、ガラス基
板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパック
法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射さ
せるための開口部５ａがフォトエツチングにより設けら
れる。遮光１１８５上にＩＴＯあるいはＳｎＯ，の透明
電極４が形成される。透明電極４上にボロンをドーピン
グしたｐ６アモルファスシリコン３（以下Ｐ−ａ−８１
という）の膜を５００〜１０００λ、さら（：その上に
アンドープアモルファスシリコン２（以下１−ａ−８ｉ
という）の層を１〜２μ票シランのグロー放電分解など
により形成する。この１−ａ−８ｉ２の上に個別電極１
および配Ｈをフォトエツチングプロセスにより形成して
受光素子部が完成される。その後必要に応じて受光素子
部を絶縁保護膜で被覆すればよい。
する。第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図はこ
れのトに断面図である。これらの図において、ガラス基
板６上にクロムの遮光膜が５が蒸着法あるいはスパック
法により形成されている。遮光膜５には光信号を入射さ
せるための開口部５ａがフォトエツチングにより設けら
れる。遮光１１８５上にＩＴＯあるいはＳｎＯ，の透明
電極４が形成される。透明電極４上にボロンをドーピン
グしたｐ６アモルファスシリコン３（以下Ｐ−ａ−８１
という）の膜を５００〜１０００λ、さら（：その上に
アンドープアモルファスシリコン２（以下１−ａ−８ｉ
という）の層を１〜２μ票シランのグロー放電分解など
により形成する。この１−ａ−８ｉ２の上に個別電極１
および配Ｈをフォトエツチングプロセスにより形成して
受光素子部が完成される。その後必要に応じて受光素子
部を絶縁保護膜で被覆すればよい。
このような構造になっているため、製造工程中１ｓａ−
８ｔ中へのインジウムの拡散がおこっても、ｐ−ａ−８
ｉ層までで１−ａ−８ｉ層までは及ばない。したがって
特性が拡散による影響を受けることはない。
８ｔ中へのインジウムの拡散がおこっても、ｐ−ａ−８
ｉ層までで１−ａ−８ｉ層までは及ばない。したがって
特性が拡散による影響を受けることはない。
以上説明したような構造であるため本発明の密着イメー
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上（−形成す
る絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその
素材や色も広く選択できる。さらに個別電極の１−ａ−
８１と接する部分が基板側となるため、受光素子部の金
を取り除く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であ
るなどの利点を有する。
ジセンサは読みとるべき光信号をガラス基板側から入射
させることができる。したがって受光素子上（−形成す
る絶縁保護膜を従来より薄くすることができ、またその
素材や色も広く選択できる。さらに個別電極の１−ａ−
８１と接する部分が基板側となるため、受光素子部の金
を取り除く必要がなくなり製造工程が従来より簡便であ
るなどの利点を有する。
第１図は本発明の１実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’断面図である。
Ａ−Ａ’断面図である。
Claims (1)
- ガラス基板と、該ガラス基板上に該ガラス基板側から
遮光膜、透明電極、Ｐ型アモルファスシリコン、アンド
ープアモルファスシリコン、個別電極の順に積層された
受光素子を有し、前記遮光膜に光信号入射のための開口
を設け、前記ガラス基板側から読取るべき光信号を入射
させるようにしたことを特徴とする密着型イメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021110A JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181158A true JPS61181158A (ja) | 1986-08-13 |
| JPH0712076B2 JPH0712076B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12045740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021110A Expired - Lifetime JPH0712076B2 (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712076B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721875A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS5961079A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子とその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021110A patent/JPH0712076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721875A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS5961079A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子とその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712076B2 (ja) | 1995-02-08 |
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