JPS61161868A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61161868A JPS61161868A JP60003514A JP351485A JPS61161868A JP S61161868 A JPS61161868 A JP S61161868A JP 60003514 A JP60003514 A JP 60003514A JP 351485 A JP351485 A JP 351485A JP S61161868 A JPS61161868 A JP S61161868A
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- Japan
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- insulating substrate
- light
- original
- substrate
- transparent protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は原稿等を読み取る光学レンズ系を用いない完全
密着型イメージセンサに関するものである。
密着型イメージセンサに関するものである。
従来の技術
代表的従来例の断面図を第４図に示す。耐熱性のガラス
基板１４の上にＯｒの遮光金属膜１６を透光窓２１を除
いて形成しその上１ｃ Ｓｉｎ、の透明絶縁膜１６を形
成し、更にその上に０４８−Ｃａｓｅ光導電膜を用いた
プレナー型の受光素子１７と配線部１８を形成する。配
線部１８は０４Ｓ−８ｓとオーミック接触するＭｉｏｒ
の対向電極と同時に形成する。
基板１４の上にＯｒの遮光金属膜１６を透光窓２１を除
いて形成しその上１ｃ Ｓｉｎ、の透明絶縁膜１６を形
成し、更にその上に０４８−Ｃａｓｅ光導電膜を用いた
プレナー型の受光素子１７と配線部１８を形成する。配
線部１８は０４Ｓ−８ｓとオーミック接触するＭｉｏｒ
の対向電極と同時に形成する。
また透光窓２ｏを受光素子１アに対応して複数個設ける
。移動する原稿６と受光素子１７の間に厚み約１００μ
のマイクロシートガラス１９を配置して受光素子１７を
保護する。ＬＩＤアレイ等の“光源６の光をガラス基板
１４の裏面より透光窓２１゜２０を通して原稿面に照射
し原稿面の乱反射による黒白の画像を受光素子１７で感
知する。
。移動する原稿６と受光素子１７の間に厚み約１００μ
のマイクロシートガラス１９を配置して受光素子１７を
保護する。ＬＩＤアレイ等の“光源６の光をガラス基板
１４の裏面より透光窓２１゜２０を通して原稿面に照射
し原稿面の乱反射による黒白の画像を受光素子１７で感
知する。
発明が解決しようとする問題点
従来例は基板の裏面から光を入れるため受光素子に直接
光が入らないよう遮光金属膜１６の蒸着工程と６０μ×
９０μ程度の複数の透光窓２１のフォトエツチング工程
および透明絶縁膜１６の蒸着工程の３工程が必要である
。また受光素子１７に用いるＣｄ５−ＣｄＳｅは活性化
のため５５０’（：〜６６０℃の熱処理が必要であり、
ガラス基板１７は耐熱性のホウケイ酸ガラスを用い基板
コストが高いのが第２の欠点である。マイクロシートガ
ラス１９は厚み約１００μで高価で破損し易く原稿面と
の摩擦でキズがつき易いのが第３の欠点である。第４の
欠点はマイクロシートガラス１９の厚みが約１００μと
大きいため線状に分割して配置した複数の受光素子間の
分解能が８本／薗従って１２６μピッチ以上細かくする
ことはできない。
光が入らないよう遮光金属膜１６の蒸着工程と６０μ×
９０μ程度の複数の透光窓２１のフォトエツチング工程
および透明絶縁膜１６の蒸着工程の３工程が必要である
。また受光素子１７に用いるＣｄ５−ＣｄＳｅは活性化
のため５５０’（：〜６６０℃の熱処理が必要であり、
ガラス基板１７は耐熱性のホウケイ酸ガラスを用い基板
コストが高いのが第２の欠点である。マイクロシートガ
ラス１９は厚み約１００μで高価で破損し易く原稿面と
の摩擦でキズがつき易いのが第３の欠点である。第４の
欠点はマイクロシートガラス１９の厚みが約１００μと
大きいため線状に分割して配置した複数の受光素子間の
分解能が８本／薗従って１２６μピッチ以上細かくする
ことはできない。
分解能を上げるため１０μ程度の硬質透明保護層のみを
受光素子１７の上に設はマイクロシートガラス１９を除
く構造も考えられるが、面積の小さい透光窓２１．２０
から入った光は原稿と受光素子が接近すると受光素子に
入る光量が著しく小さくなる。本発明は従来例の４つの
欠点をすべて解決するものである。
受光素子１７の上に設はマイクロシートガラス１９を除
く構造も考えられるが、面積の小さい透光窓２１．２０
から入った光は原稿と受光素子が接近すると受光素子に
入る光量が著しく小さくなる。本発明は従来例の４つの
欠点をすべて解決するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は曲面を持つ絶縁性基板と原稿面との接線の近傍
に沿って透明保護膜を介して受光素子を配列した完全密
着型イメージセンサであり、基板と原稿の間にできたす
き間すなわち受光素子アレイの側面より読み取り用の光
を入射する構成である。絶縁性基板は透明でも不透明で
も良いが反射 −性の表面を持つ方が光の利用
効率は高（Ｓｉｎ、コートしたアルミニウム、ステンレ
ス、ポリエステルやポリイミドフィルム等の可撓性基板
を曲げて凸面を形成しても良いし、また円筒や端部が曲
面を持つセラミック、ガラス、ＳｉＯ□ コートした金
属等の凸面を用いても良い。受光素子は、プラズマＯｖ
Ｄで２００℃〜３００℃の低温で製膜した水素化アモル
ファスシリコン、水素化アモルファスゲルマニウム、あ
るいはそれらの混合系材料を用イフレナー型の光導電素
子や、サンドイッチ型のＰＩＮ接合光起電力素子、ショ
ットキー接合光起電力素子、ＭＩ８構造光起篭力素子を
形成してレーティングにより１０μ以下の厚みで蒸着し
、耐摩耗性保護膜として機能する。
に沿って透明保護膜を介して受光素子を配列した完全密
着型イメージセンサであり、基板と原稿の間にできたす
き間すなわち受光素子アレイの側面より読み取り用の光
を入射する構成である。絶縁性基板は透明でも不透明で
も良いが反射 −性の表面を持つ方が光の利用
効率は高（Ｓｉｎ、コートしたアルミニウム、ステンレ
ス、ポリエステルやポリイミドフィルム等の可撓性基板
を曲げて凸面を形成しても良いし、また円筒や端部が曲
面を持つセラミック、ガラス、ＳｉＯ□ コートした金
属等の凸面を用いても良い。受光素子は、プラズマＯｖ
Ｄで２００℃〜３００℃の低温で製膜した水素化アモル
ファスシリコン、水素化アモルファスゲルマニウム、あ
るいはそれらの混合系材料を用イフレナー型の光導電素
子や、サンドイッチ型のＰＩＮ接合光起電力素子、ショ
ットキー接合光起電力素子、ＭＩ８構造光起篭力素子を
形成してレーティングにより１０μ以下の厚みで蒸着し
、耐摩耗性保護膜として機能する。
作用
受光素子の側面より入射した大部分の光は原稿面と絶縁
性基板の間で反射をくり返しながら受光素子の近傍に集
まっていくため読み取りの照度が大きくなり、透明保護
膜の１０μ以下の厚みで受光素子と原稿が近接しても十
分な照度が得られる。
性基板の間で反射をくり返しながら受光素子の近傍に集
まっていくため読み取りの照度が大きくなり、透明保護
膜の１０μ以下の厚みで受光素子と原稿が近接しても十
分な照度が得られる。
実施例
第１図は本発明による実施例の断面図である。
可撓性の絶縁性基板１の上に３００’Ｃ以下でプラズマ
ｃｖｎにより形成した非晶質半導体薄膜からなる光導電
素子を２４＆／ｌＩｍすなわち４６μのピッチで１次元
に配列した対向電極を持つ受光素子２を設け、この上に
透明保護膜４を蒸着して積層一体化した。透明保護膜４
を省略した基板上の受光素子部の平面図は第２図である
。絶縁性基板１を曲げることによりスイッチング素子等
の集積回路１・２と配線部３を一つの基板上に設けて接
続することができる。ＬＲＤアレイ等の光源６を受光素
子の側面部に第１図の様に配置し、原稿面に光を照射す
る。透明保護膜４は硬質で原稿面との接触面積が小さく
滑りが良いしまた厚みが１０μ以下であるため、原稿と
受光素子が接近し分解能が１０μ程度まで向上すること
ができる。
ｃｖｎにより形成した非晶質半導体薄膜からなる光導電
素子を２４＆／ｌＩｍすなわち４６μのピッチで１次元
に配列した対向電極を持つ受光素子２を設け、この上に
透明保護膜４を蒸着して積層一体化した。透明保護膜４
を省略した基板上の受光素子部の平面図は第２図である
。絶縁性基板１を曲げることによりスイッチング素子等
の集積回路１・２と配線部３を一つの基板上に設けて接
続することができる。ＬＲＤアレイ等の光源６を受光素
子の側面部に第１図の様に配置し、原稿面に光を照射す
る。透明保護膜４は硬質で原稿面との接触面積が小さく
滑りが良いしまた厚みが１０μ以下であるため、原稿と
受光素子が接近し分解能が１０μ程度まで向上すること
ができる。
１８３図は本発明による別の実施例であり、セラミック
、ガラス等の基板２７の端部に曲面を設けて受光素子２
を形成し、光源２３、スイッチング素子等の集積回路２
！５．２６を同じ基板２７の上に固定し接続したもので
ある。２４は光源の支持体である。
、ガラス等の基板２７の端部に曲面を設けて受光素子２
を形成し、光源２３、スイッチング素子等の集積回路２
！５．２６を同じ基板２７の上に固定し接続したもので
ある。２４は光源の支持体である。
一般に耐熱性の劣る可撓性基板１を用いた第１・図の実
施例は、非晶質半導体薄膜を低温でプラズマＣＶＤによ
り連続蒸着ができ平面状にできるためフォトエツチング
も容易である。
施例は、非晶質半導体薄膜を低温でプラズマＣＶＤによ
り連続蒸着ができ平面状にできるためフォトエツチング
も容易である。
発明の効果
本発明によれば、従来例の４つの欠点をすべて解決し遮
光膜等の工程無しに完全密着型イメージセンサが可能で
あり、原稿面の照度を低下させずに受光素子を接近させ
て分解能が向上でき、耐熱ガラスやマイクロシートガラ
ス等のコストや破損の心配もない。更に可撓性基板を曲
げる構造の場合、量産的であるほか曲面が弾性体の働き
をし原稿送りに対する密着性を確保できる効果も発揮す
ることができる。
光膜等の工程無しに完全密着型イメージセンサが可能で
あり、原稿面の照度を低下させずに受光素子を接近させ
て分解能が向上でき、耐熱ガラスやマイクロシートガラ
ス等のコストや破損の心配もない。更に可撓性基板を曲
げる構造の場合、量産的であるほか曲面が弾性体の働き
をし原稿送りに対する密着性を確保できる効果も発揮す
ることができる。
第１図は本発明による一実施例のセンナの断面図、第２
図は第１図の受光素子部の概略平面図、第３図は本発明
による別の実施例のセンサの断面図、第４図は従来のセ
ンサの断面図である。 １・・・・・・絶縁性基板、２・・・・・・受光素子、
４・・・・・・透明保護膜、５．２３・・・・・・光源
、６・・・・・・原稿。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
図は第１図の受光素子部の概略平面図、第３図は本発明
による別の実施例のセンサの断面図、第４図は従来のセ
ンサの断面図である。 １・・・・・・絶縁性基板、２・・・・・・受光素子、
４・・・・・・透明保護膜、５．２３・・・・・・光源
、６・・・・・・原稿。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
Claims (2)
- （１）絶縁性基板の凸面に複数の薄膜受光素子と透明保
護膜を積層し、この透明保護膜を介して、前記薄膜受光
素子の近傍と接する原稿面と前記基板の凸面で形成され
るすき間より読み取り用の光を前記原稿面に入射するこ
とを特徴とする密着型イメージセンサ。 - （２）基板として可撓性基板を用いこの上に非晶質半導
体から成る薄膜受光素子を設け、前記基板を曲げて凸面
を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003514A JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003514A JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161868A true JPS61161868A (ja) | 1986-07-22 |
| JPH051665B2 JPH051665B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=11559467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003514A Granted JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245562A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコートされた光電変換装置の作製方法 |
| JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003514A patent/JPS61161868A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245562A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコートされた光電変換装置の作製方法 |
| JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051665B2 (ja) | 1993-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |