JPS61245761A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ等の送信側等に用いられる原稿
幅と１：１に対応する大きさを有し、原稿に密着して読
み取りを行なう密着型イメージセンサに関する〇 従来の技術 近年ファクシミリ等の送信側の読み取り装置として、原
稿幅と１：１の大きさを有し、原稿と密着させるように
して読みとる密着型イメージセンサの開発が活発に行な
われている。

かかる密着型イメージセンサに関しては例えば特開昭５
７−７８２６３号公報に記載されている。

かかる密着型イメージセンサについて第３図および第４
図を参照して説明する。

第３図は従来の密着型イメージセンサの要部を示す平面
図であり、第４図は第３図のＡ　−Ａ’線でとった要部
断面図である。

第３図および第４図において、１はガラス等の透光性絶
縁基板であり、その上にＳｉ　、　Ｃｒ　。

？ａ　、　ＷまたはＴ１等の高融点でかつ不透明な物質
を蒸着法等で付着させた遮光層２が形成してある。上記
遮光層２にはフォトリングラフィ法でエツチングするこ
とにより、主走査方向（第３図にＸ→で示す）に沿って
複数の照明窓３をあけである。上記遮光層２が導電性物
質からなる場合には後述するその上に設ける光電変換素
子との絶縁性を保つため例えば５ｉ０２　、５ｉｓＮ４
　、　Ａｌ！ＯｎまたはＳｉＣ等の一層または多層の透
光性絶縁層４を形成する。次に上記透光性絶縁層４を設
けたときにはその上に、また設けない場合には上記遮光
層２の上で、かつ上記照明窓の近傍に、周期表第「族〜
第■族の化合物、代表的にはＣｄＳ　−Ｃｄ’ｓ等の光
導電性材料からなる光電変換素子５をそれぞれ形成しで
ある。通常この光電変換素子５は４００〜６００℃の温
度で活性化熱処理されている。第４図には一部図示して
ないが、第３図に示す如く、各光電変換素子５の一端か
ら引き出され、一定単位数毎にまとめた共通電極６と、
各光電変換素子５の他端から引き出された個別電極７と
を副走査方向（第３図にＹ→で示す）においては平行し
、かつ一定の間隔で対向させて設け、更にその上に薄板
ガラス等の透明保護層８を設けて従来の密着型イメージ
センサは構成しである。

上述した従来の密着型イメージセンサを用いて原稿を読
み取るときには、第４図に示す如く、透光性絶縁基板１
の裏面からＬＥＤ等の光源９からの照明窓３を通って入
射する光１０が原稿面１１を照射し、その反射光１２が
光電変換素子５で電気信号に変換される。

発明が解決しようとする問題点 上述した従来の密着型イメージセンサでは、光源９と照
明窓３の距離が少なくとも透光性絶縁基板１の厚さ例え
ば１．２　ｍより大となること、しかも照明窓３の寸法
は例えば８本／ｍ、１２５７ＩｔｒＬピッチの場合、解
像度等を考慮して９０ｐｍＸ６０声風であるので、原稿
面１１を照射する入射光１０は平行光と考えられ、従っ
て照明窓３の寸法により原稿面１１を照射する光量が決
定され、光源９から放射される光はその全部が利用され
ないことになり、光の利用効率が悪いという欠点を有す
る。このため必要な原稿面照射光量を得るためには不必
要な光源９の放射光の消費があり、光源９の消費電力の
増加をもたらし、また光源９の発熱等が光電変換素子５
への悪影響を与えたりし、ひいては光源９自体の寿命低
下を招くなどの問題点を有していた。

従って本発明の目的は、上述した従来の問題点を解決す
ることにあり、ファクシミリ等の送信側に用いられ、光
源からの放射光の利用効率を飛躍的に向上させることの
できる原稿幅と１＝１に対応する大きさを有し、原稿に
密着して読み取る密着型イメージセンサを提供すること
にある。

問題点を解決するための手段 本発明は、透光性絶縁基板上に主走査方向に沿って複数
の照明窓をあけて設けた遮光層と、上記遮光層上で上記
各照明窓の近傍にそれぞれ形成された光電変換素子と、
上記光電変換素子上で主走査方向で対向してその両側よ
り引き出された電極と、透明保護層とからなり、上記透
光性絶縁基板裏面から上記照明窓に光源からの光を入射
し、上記透明保護層上に置いた原稿からの反射光を上記
光電変換素子で読み取る密着型イメージセンサにおいて
、上記透光性絶縁基板裏面にレンズを設け、入射光を上
記原稿面に集光させた密着型イメージセンサにある０上
述した本発明による密着型イメージセンサにおいて、透
光性絶縁基板、遮光層、照明窓、光電変換素子、電極、
透明保護層等は従来の密着型イメージセンサに用いられ
ている材料詔よび構成と同じであることができる。

なお、上記光電変換素子と遮光層の間には、両者の絶縁
性を確実にするため透光性絶縁層を設けるのが好ましい
。

本発明によれば透光性絶縁基板の裏面にレンズ好ましく
は半円筒形レンズを設けるのである。

作用 本発明により、透光性絶縁基板の裏面に光源からの入射
光を照明窓を通して原稿面上に集光させるレンズを設け
ることにより、従来は照明窓に入射する殆ど平行な光だ
けが原稿面を照射した光のみならず、照明窓に入らず、
遮光層で反射された余分の光もレンズ集光させるため、
同じ光源からの光の利用効率は増大し、原稿面上の照度
向上を生ぜしめる０また従来と同じ照度を原稿面上に得
る場合、使用する光源の消費電力を低く抑制でき、結果
として光源１０発熱も低く抑制できる０更にＳ　／　Ｎ
比の向上、光応答速度の向上が非常に容易となる。

実施例 以下に第１図および第２図を参照して本発明の密着型イ
メージセンサを更に具体的に説明する。

第１図は本発明による密着型イメージセンサの要部を示
す断面図であり、第２図は本発明で使用する集光レンズ
の斜視図である。

第１図において、１はガラス製透光性絶縁基板であり、
この基板１上にＣｒ　、　Ｔａ　、　ＷまたはＴ１の高
融点を有する材料を蒸着法で蒸着させて不透明で可視光
を遮光する厚さ８（ＩＱ〜４０００ズの遮光層２を形成
する。次にこの遮光層２をリングラフィ法でエツチング
して主走査方向（第３図参照）に沿って必要な数だけの
照明窓３を形成する。次にスパッタリング法で上記遮光
層２および照明窓３の上に全面的に５ｉＯ１、５ｉｓＮ
ａ。

Ｔａｄｏｓ　、　ＳｉＣまたは硼珪酸ガラス（例えばコ
ーニング７０５９）を５００〜５０００Ａの厚さで付着
させて透光性絶縁層４を形成する。次にＣｄＳ　−Ｃｄ
Ｓｅの光導電性薄膜を蒸着法で付着させ、フォトリング
ラフィ法で主走査方向で各照明窓の近くにそれぞれ島状
に並んだ光電変換素子５を形成する。次に全体をＣｄＣ
１，雰囲気中で４００〜６００℃の温度で加熱し、光電
変換素子５の活性化を行なう。

次に第１図では省略し、図示してないが、第３図に関し
て説明した如く、共通電極６詔よび個別電極７をＮｉＣ
ｒ　−Ａｕを蒸着させ、リングラフィ法で形成し、次に
全表面を薄板ガラスまたはＳｉｎ、　、　Ｓｉ、Ｎ４ま
たはＡｌ、Ｏ，の層を設けて保護層８を形成する。

本発明によれば、第１図に示す如く、光源９からの光１
０を照明窓３を通して原稿面１１に集光するためのレン
ズ１３を透光性絶縁基板１の裏面に固定する０ 上記レンズ１３は第２図に示す如く半円筒形レンズとし
、主走査方向にその長手方向が一致するように固定する
のが好ましい。

発明の効果 上述した本発明による密着型イメージセンサにおいては
、光源９の放射光１０がレンズ１３により、照明窓３を
とおり、原稿面１１上に集光せしめられるので、従来照
明窓３に入射する平行な光のみが原稿面１１を照射し、
他の光は反射せしめられていた場合に比して、放射光全
部が原稿面１１上に集光でき、光量を大幅に増大させる
ことができるので、同一原稿面光量を得るのに要する光
源９の消費電力を低く抑制でき、また発熱も低く抑制で
きる。更にＳ　／　Ｎ比の向上、光応答速度の向上も容
易に達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による密着型イメージセンサの要部を示
す断面図であり１第２図は本発明で使用する集光レンズ
の斜視図であり、第３図は従来の密着型イメージセンサ
の要部を示す平面図であり・第４図は第３図のＡ　−Ａ
’線でとった要部断面図である。 １は透光性絶縁基板、２は遮光層、３は照明窓、４は透
光性絶縁層、５は光電変換素子、６は共通電極、７は個
別電極、８は透明保護層、９は光源、１１は原画、１３
は集光レンズ。 第１図 第２図 第３図 ｘ−−−一−−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透光性絶縁基板上に主走査方向に沿って複数の照明
   窓をあけて設けた遮光層と、上記遮光層上で上記各照明
   窓の近傍にそれぞれ形成された光電変換素子と、上記光
   電変換素子上で主走査方向で対向してその両側より引き
   出された電極と、透明保護層とからなり、上記透光性絶
   縁基板裏面から上記照明窓に光源からの光を入射し、上
   記透明保護層上に置いた原稿からの反射光を上記光電変
   換素子で読み取る密着型イメージセンサにおいて、上記
   透光性絶縁基板裏面にレンズを設け、入射光を上記原稿
   面に集光させることを特徴とする密着型イメージセンサ
   。 ２、レンズが半円筒形レンズである特許請求の範囲第１
   項記載の密着型イメージセンサ。