JPS61188964A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS61188964A JPS61188964A JP60029558A JP2955885A JPS61188964A JP S61188964 A JPS61188964 A JP S61188964A JP 60029558 A JP60029558 A JP 60029558A JP 2955885 A JP2955885 A JP 2955885A JP S61188964 A JPS61188964 A JP S61188964A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリや光デイスク用入力装置に用い
る、原稿面に密着させて画像情報を光学的に読み取る一
次元イメージセンサに関するものである。
る、原稿面に密着させて画像情報を光学的に読み取る一
次元イメージセンサに関するものである。
従来の技術
従来例のＣｄ８Ｓｅ光導電素子を用いた完全密着型ライ
ンセンナの構造断面図を第３図に示す。厚み１−の耐熱
性ガラス基板１の上に透光窓２を持つ蒸着Ｏｒの遮光膜
３と５１０２の透明絶縁膜４を積層し、この上に多結晶
Ｃｄ５Ｓｅの光導電膜６を・真空蒸着後パターニングし
て約ｅｏｏ’ｃの温度で活性化処理をする工程を用い４
本／順〜１６鳥層のピッチで複数個形成する。この厚み
約６０００人の光導電膜６にオーミック接触するＮ ｉ
Ｃｒの個別電極６と透光窓７を持つＮｉＣｒの共通電
極８で受光素子アレイを形成しその上に厚みが２６０μ
〜６０μのマイクロシートガラス９を透明樹脂１０を用
いて接着する。紙送りロール１１で原稿１２をマイクロ
シートガラス９に接触させて送り、ＬＥＤチップ１３の
光をセラミックケース１４で保持した円筒状のレンズ１
５で集光し透光窓２゜７を通して原稿１２を第３図の点
線で示す様に照射し原稿面の反射画像を近接した受光素
子アレイで読み取る。基板１の上に取りつけたチイッチ
ング素子等のＩＣチップ１６と個別電極６の配線部１７
および端子部１８をそれぞれワイヤーボンド１９ 、２
０で接続し、樹脂モールド２１で保護する。
ンセンナの構造断面図を第３図に示す。厚み１−の耐熱
性ガラス基板１の上に透光窓２を持つ蒸着Ｏｒの遮光膜
３と５１０２の透明絶縁膜４を積層し、この上に多結晶
Ｃｄ５Ｓｅの光導電膜６を・真空蒸着後パターニングし
て約ｅｏｏ’ｃの温度で活性化処理をする工程を用い４
本／順〜１６鳥層のピッチで複数個形成する。この厚み
約６０００人の光導電膜６にオーミック接触するＮ ｉ
Ｃｒの個別電極６と透光窓７を持つＮｉＣｒの共通電
極８で受光素子アレイを形成しその上に厚みが２６０μ
〜６０μのマイクロシートガラス９を透明樹脂１０を用
いて接着する。紙送りロール１１で原稿１２をマイクロ
シートガラス９に接触させて送り、ＬＥＤチップ１３の
光をセラミックケース１４で保持した円筒状のレンズ１
５で集光し透光窓２゜７を通して原稿１２を第３図の点
線で示す様に照射し原稿面の反射画像を近接した受光素
子アレイで読み取る。基板１の上に取りつけたチイッチ
ング素子等のＩＣチップ１６と個別電極６の配線部１７
および端子部１８をそれぞれワイヤーボンド１９ 、２
０で接続し、樹脂モールド２１で保護する。
発明が解決しようとする問題点
従来例は４つの欠点がある。第１の欠点は構造が複雑で
ある。す彦わち、基板１の外にマイクロシートガラス９
や遮光膜３、透明絶縁膜４が受光素子以外の構成部材と
して必要である。第２の欠点は基板１の厚みのためＬＥ
Ｄチップ１３を原稿１２に近接することができずレンズ
１６が必要であり、しかも基板１での光の拡散により光
の利用効率が悪く照度が低くなる。第３の欠点はマイク
ロシートガラス９の原稿１２と接触する面にキズがつき
やすく読み取りの画像がポケてくる。第４の欠点はノイ
ズを減らすためＩＣチップ１６を基板上に実装し樹脂モ
ールド２１で保護するとその高さは基板１よシ１．５ｍ
ｍ〜２ｍ盛シ上がるため、原稿１２を１枚ずつ曲げて送
る機構が必要であり本の様な原稿を読み取ることができ
ない。
ある。す彦わち、基板１の外にマイクロシートガラス９
や遮光膜３、透明絶縁膜４が受光素子以外の構成部材と
して必要である。第２の欠点は基板１の厚みのためＬＥ
Ｄチップ１３を原稿１２に近接することができずレンズ
１６が必要であり、しかも基板１での光の拡散により光
の利用効率が悪く照度が低くなる。第３の欠点はマイク
ロシートガラス９の原稿１２と接触する面にキズがつき
やすく読み取りの画像がポケてくる。第４の欠点はノイ
ズを減らすためＩＣチップ１６を基板上に実装し樹脂モ
ールド２１で保護するとその高さは基板１よシ１．５ｍ
ｍ〜２ｍ盛シ上がるため、原稿１２を１枚ずつ曲げて送
る機構が必要であり本の様な原稿を読み取ることができ
ない。
問題点を解決するための手段
本発明は、４本／Ｗｒｌｎ以上の分解能で原稿を読み取
るため受光素子のピッチ２６０μより小さい厚みの透明
無機材料基板を用いその片面に透明耐摩耗性保護膜を形
成し、反対の面に直接非晶質半導体薄膜で構成したＰＩ
Ｎ７オトダイオードや光導電素子の受光素子を形成する
ものである。
るため受光素子のピッチ２６０μより小さい厚みの透明
無機材料基板を用いその片面に透明耐摩耗性保護膜を形
成し、反対の面に直接非晶質半導体薄膜で構成したＰＩ
Ｎ７オトダイオードや光導電素子の受光素子を形成する
ものである。
作用
硬くてキズのつかない透明耐摩耗性保護膜に接する原稿
面に透明無機材料基板を通して光を入射し、その反射光
を厚みの薄い透明無機材料基板の裏面に設けた受光素子
で直接検知できる。
面に透明無機材料基板を通して光を入射し、その反射光
を厚みの薄い透明無機材料基板の裏面に設けた受光素子
で直接検知できる。
実施例
第１図が本発明による代表的実施例である。ホウグイ酸
ガラスや透光性セラミックスあるいはこれらに５ＩＱ２
等の透光性薄膜を積層した厚み２６０μ以下の透明無機
材料基板２２に、プラズマＣＶＤ 。
ガラスや透光性セラミックスあるいはこれらに５ＩＱ２
等の透光性薄膜を積層した厚み２６０μ以下の透明無機
材料基板２２に、プラズマＣＶＤ 。
マグネトロンスノ（ツタ、イオンプレーテインク等で形
成した厚み１０μ〜０．１μ程度のＢＮ、ＢＮＣ。
成した厚み１０μ〜０．１μ程度のＢＮ、ＢＮＣ。
水素化ＢＮ、ダイヤモンド状炭素、ＳｉＣ等の透明耐摩
耗性保護膜２３を密着して形成し、反対の面にＩＴＯ，
ＳｎＯ□等の透明電極２４を複数個−次元的に配列して
設け、この上にプラズマＣＶＤによりＰＩＮ接合を持つ
水素化非晶質シ１ノコン等の非晶質半導体薄膜２５を形
成してエツチングで複数個に分離しＮ層とオーミック接
触し透光窓２６を持つ金属電極２７を設けて受光素子と
なる７オトダイオードアレイを構成する。透明電極２４
と接続するＡｄ等の配線部２７はスイッチング素子等の
ＩＣテップ２８とワイヤーボンド２９で接続し更にワイ
ヤーボンド３０で接続された端子３１にフォトダイオー
ドの出力信号が選択されて出力される。支持体３２の凹
部の内面の反射膜３３に固定したＬＥＤチップ３４を透
光窓２６に２１１１ＩＩＩ〜０．２ｍまで近接して保持
し、基板への接着剤を兼ねる透明エポキシ樹脂を充填し
た透光路３５を設けて光の屈折率変化による反射を少な
くすると共にＬＥＤチップの保護の効果を果たす。反射
膜３３は光の利用効率の向上と原稿３７の面上で一次元
方向の照度分布を均一にする樹脂モールド３６は着色し
たエポキシ樹脂やシリコン樹脂でフォトダイオードとＩ
Ｃチップ２８およびワイヤーボンド２９．３０を機械的
および化学的に保護しまた遮光の働きをする。原稿３７
は透明耐摩耗性保護膜２３と直接接触して移動し、透明
無機材料基板２２が２６０μ以下の厚みであるのでＬＥ
Ｄチップ３４から出た光は拡散が少なく原稿３７の読み
取り部の照度を向上させ、受光素子の感度が高くなり応
答速度が速くなる。原稿３アで反射した光は近接した受
光素子に入射しレンズなしで原稿３７の濃淡を読み取れ
る。透明無機材料基板２２は１６木層の読み取シ分解能
に対し約５０μ〜６０μ以下の厚みにする必要があシ割
れやすいので、フォトエツチング等の工程において外周
部に枠をはさみ込んで固定するか接着して補強する。受
光素子は第１図の実施例のＰＩＮフォトダイオードのほ
か不純物を微量ドープして光感度を向上させた非晶質シ
リコン光導電素子やショットキー接合およびＭＩＳ構造
のフォトダイオードも可能である。
耗性保護膜２３を密着して形成し、反対の面にＩＴＯ，
ＳｎＯ□等の透明電極２４を複数個−次元的に配列して
設け、この上にプラズマＣＶＤによりＰＩＮ接合を持つ
水素化非晶質シ１ノコン等の非晶質半導体薄膜２５を形
成してエツチングで複数個に分離しＮ層とオーミック接
触し透光窓２６を持つ金属電極２７を設けて受光素子と
なる７オトダイオードアレイを構成する。透明電極２４
と接続するＡｄ等の配線部２７はスイッチング素子等の
ＩＣテップ２８とワイヤーボンド２９で接続し更にワイ
ヤーボンド３０で接続された端子３１にフォトダイオー
ドの出力信号が選択されて出力される。支持体３２の凹
部の内面の反射膜３３に固定したＬＥＤチップ３４を透
光窓２６に２１１１ＩＩＩ〜０．２ｍまで近接して保持
し、基板への接着剤を兼ねる透明エポキシ樹脂を充填し
た透光路３５を設けて光の屈折率変化による反射を少な
くすると共にＬＥＤチップの保護の効果を果たす。反射
膜３３は光の利用効率の向上と原稿３７の面上で一次元
方向の照度分布を均一にする樹脂モールド３６は着色し
たエポキシ樹脂やシリコン樹脂でフォトダイオードとＩ
Ｃチップ２８およびワイヤーボンド２９．３０を機械的
および化学的に保護しまた遮光の働きをする。原稿３７
は透明耐摩耗性保護膜２３と直接接触して移動し、透明
無機材料基板２２が２６０μ以下の厚みであるのでＬＥ
Ｄチップ３４から出た光は拡散が少なく原稿３７の読み
取り部の照度を向上させ、受光素子の感度が高くなり応
答速度が速くなる。原稿３アで反射した光は近接した受
光素子に入射しレンズなしで原稿３７の濃淡を読み取れ
る。透明無機材料基板２２は１６木層の読み取シ分解能
に対し約５０μ〜６０μ以下の厚みにする必要があシ割
れやすいので、フォトエツチング等の工程において外周
部に枠をはさみ込んで固定するか接着して補強する。受
光素子は第１図の実施例のＰＩＮフォトダイオードのほ
か不純物を微量ドープして光感度を向上させた非晶質シ
リコン光導電素子やショットキー接合およびＭＩＳ構造
のフォトダイオードも可能である。
発明の効果
本発明によれば、単純な構造でありＬＥＤ用レンズおよ
び受光素子に結像するためのセルフォックレンズが不用
である。また原稿面の照度が高くなって高感度で高速応
答であり、ＬＥＤが一体化されて小型である。さらに原
稿接触面が硬くキズがつかず、原稿接触面が平坦である
ため本を読み取ることのできる完全密着型イメージセン
サが実現できる。
び受光素子に結像するためのセルフォックレンズが不用
である。また原稿面の照度が高くなって高感度で高速応
答であり、ＬＥＤが一体化されて小型である。さらに原
稿接触面が硬くキズがつかず、原稿接触面が平坦である
ため本を読み取ることのできる完全密着型イメージセン
サが実現できる。
第１図は本発明による完全密着型−次元イメージセンサ
の一実施例における断面図、第２図は第１図の実施例の
部分平面図、第３図は従来例の完全密着型−次元イメー
ジセンサと光源の配置を示す断面図である。 ２２・・・・・・透明無機材料基板、２３・・・・・・
透明耐摩耗性保護膜、２４・・・・・・透明電極、２５
・・・・・・非晶質半導体薄膜、３３・・・・・・反射
膜、３４・・・・・・ＬＥＤチップＯ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２／
ＴＣヂッフ０ ？？ ワイヤーボ′ンド ３０− ゆ ３１・・端子 ３？ 支７Ｎ林 ２、？ 第２図
の一実施例における断面図、第２図は第１図の実施例の
部分平面図、第３図は従来例の完全密着型−次元イメー
ジセンサと光源の配置を示す断面図である。 ２２・・・・・・透明無機材料基板、２３・・・・・・
透明耐摩耗性保護膜、２４・・・・・・透明電極、２５
・・・・・・非晶質半導体薄膜、３３・・・・・・反射
膜、３４・・・・・・ＬＥＤチップＯ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２／
ＴＣヂッフ０ ？？ ワイヤーボ′ンド ３０− ゆ ３１・・端子 ３？ 支７Ｎ林 ２、？ 第２図
Claims (3)
- （１）厚み２６０μ以下の透明無機材料基板の一方の面
に非晶質半導体薄膜から成る受光素子アレイを前記基板
側が受光面となるよう形成し、前記基板のもう一方の面
に透明耐摩耗性薄膜をコーティングし、前記受光素子を
形成した基板面側から入射した光が前記耐摩耗性薄膜に
接する原稿面で反射して前記受光素子に画像情報を伝え
ることを特徴とする密着型イメージセンサ。 - （２）受光素子アレイの金属電極に設けた複数の透光窓
に近接して複数の発光ダイオードを保持したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の密着型イメージセン
サ。 - （３）受光素子アレイと同一面にスイッチング用あるい
は信号処理用のＩＣチップを取りつけ前記受光素子アレ
イと接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029558A JPH0658950B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029558A JPH0658950B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188964A true JPS61188964A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH0658950B2 JPH0658950B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=12279466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029558A Expired - Lifetime JPH0658950B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658950B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0298458A2 (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus |
| JPS6436166A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Kyocera Corp | Reader |
| JPS6482774A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Ricoh Kk | Contact type image sensor |
| JPH02107053A (ja) * | 1988-10-15 | 1990-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的原稿読取り装置 |
| JPH04207255A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサー及びイメージセンサユニット |
| EP0655855A2 (en) * | 1993-11-29 | 1995-05-31 | Xerox Corporation | Wedge scanner utilizing two dimensional sensing arrays |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5658361A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Fujitsu Ltd | Reader for optical information |
| JPS6020675A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Ricoh Co Ltd | 画像入力装置 |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP60029558A patent/JPH0658950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
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| EP0655855A2 (en) * | 1993-11-29 | 1995-05-31 | Xerox Corporation | Wedge scanner utilizing two dimensional sensing arrays |
| EP0655855A3 (en) * | 1993-11-29 | 1996-01-17 | Xerox Corp | Cuneiform scanner using two-dimensional sensor arrays. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658950B2 (ja) | 1994-08-03 |
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