JPH0126547B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126547B2 JPH0126547B2 JP8404883A JP8404883A JPH0126547B2 JP H0126547 B2 JPH0126547 B2 JP H0126547B2 JP 8404883 A JP8404883 A JP 8404883A JP 8404883 A JP8404883 A JP 8404883A JP H0126547 B2 JPH0126547 B2 JP H0126547B2
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- Japan
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- light
- thin film
- film
- receiving element
- substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はフアクシミリや光学文字読取装置等に
用いられる長尺密着型イメージセンサに関するも
のである。
用いられる長尺密着型イメージセンサに関するも
のである。
従来技術と問題点
従来よりフアクシミリや光学文字読取装置等の
画像入力装置には原稿からの情報を光電変換する
多数の受光素子を１列に配置した長尺密着型イメ
ージセンサが用いられている。
画像入力装置には原稿からの情報を光電変換する
多数の受光素子を１列に配置した長尺密着型イメ
ージセンサが用いられている。
第１図はこの長尺密着型イメージセンサの構造
を示す図であり、同図において、１は光源、２は
導光系、３は受光素子アレイをそれぞれ示してい
る。
を示す図であり、同図において、１は光源、２は
導光系、３は受光素子アレイをそれぞれ示してい
る。
このイメージセンサは、光源１から出た光で原
稿４を照射すると、原稿４からは白黒の模様を含
んだ情報として反射され、この光はライトフオー
カシングロツドレンズアレイと呼ばれる導光系２
で受光素子アレイ３上に正立同倍の像を結び、受
光素子アレイ３は受光した光量の大小を光電流の
大小に光電変換して原稿の読み取りを行なうよう
になつている。
稿４を照射すると、原稿４からは白黒の模様を含
んだ情報として反射され、この光はライトフオー
カシングロツドレンズアレイと呼ばれる導光系２
で受光素子アレイ３上に正立同倍の像を結び、受
光素子アレイ３は受光した光量の大小を光電流の
大小に光電変換して原稿の読み取りを行なうよう
になつている。
このような、ライトフオーカシングロツドレン
ズアレイを導光系として用いた長尺密着形イメー
ジセンサは、ライトフオーカシングロツドレンズ
アレイが光フアイバを用いているため高価とな
り、かつ光の使用効率が高々３％と少ないという
欠点があつた。
ズアレイを導光系として用いた長尺密着形イメー
ジセンサは、ライトフオーカシングロツドレンズ
アレイが光フアイバを用いているため高価とな
り、かつ光の使用効率が高々３％と少ないという
欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、ライトフオー
カシングロツドレンズを用いずに光の使用効率が
高い長尺密着型イメージセンサを提供することを
目的とするものである。
カシングロツドレンズを用いずに光の使用効率が
高い長尺密着型イメージセンサを提供することを
目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板に薄膜
型受光素子と、透明絶縁膜と、薄膜EL素子とを
順次積層して構成され、前記薄膜EL素子は、基
板に近い側の電極としてEL発光を乱反射するよ
うに発光層側の表面を粗面にし、且つ前記薄膜型
受光素子の受光開口部に対向する部分に穴を設け
た不透明金属膜を用い、反対側の電極として透明
導電膜を用い、前記薄膜EL素子のEL発光を原稿
面に照射し、その反射光を前記薄膜型受光素子で
受光することを特徴とする長尺密着型イメージセ
ンサを提供することによつて達成される。
型受光素子と、透明絶縁膜と、薄膜EL素子とを
順次積層して構成され、前記薄膜EL素子は、基
板に近い側の電極としてEL発光を乱反射するよ
うに発光層側の表面を粗面にし、且つ前記薄膜型
受光素子の受光開口部に対向する部分に穴を設け
た不透明金属膜を用い、反対側の電極として透明
導電膜を用い、前記薄膜EL素子のEL発光を原稿
面に照射し、その反射光を前記薄膜型受光素子で
受光することを特徴とする長尺密着型イメージセ
ンサを提供することによつて達成される。
発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第２図は本発明による長尺密着形イメージセン
サを説明するための図である。同図において、１
０は基板、１１は薄膜受光素子アレイ、１２はそ
のリード線、１３はIC、１４は透明絶縁膜、１
５はEL発光素子、１６及び１７はその電極、１
８及び１９は絶縁層、２０は発光層、２１はEL
発光素子電極のリード線、２２は配線パターン、
２３は原稿面をそれぞれ示している。
サを説明するための図である。同図において、１
０は基板、１１は薄膜受光素子アレイ、１２はそ
のリード線、１３はIC、１４は透明絶縁膜、１
５はEL発光素子、１６及び１７はその電極、１
８及び１９は絶縁層、２０は発光層、２１はEL
発光素子電極のリード線、２２は配線パターン、
２３は原稿面をそれぞれ示している。
本実施例は、基板１０にガラス、エポキシ、セ
ラミツク等のプリント板を用い、その上にアモル
フアスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ１１
を形成し、その上に透明絶縁膜１４（SiO2、
SiN4等）を成膜し、その上にEL発光素子１５を
形成したものである。そしてEL発光素子１５の
基板１０に近い側の電極１６は表面をEL発光が
乱反射するように（例えばAlを300℃程度で5000
Å以上蒸着し結晶性を生長させる）荒らし、且つ
受光素子１１の受光開口部に対向する部分に穴を
明けた金属電極を用いる。また基板１０から遠い
側の電極１７はEL発光を原稿面２３に照射する
ため、及び原稿面２３からの反射光を通過させ受
光素子１１の受光を可能とするために例えば
I2O3、SnO2、ITO等の透明導電膜を用いる。な
おEL発光素子１５の発光層２０にはZnSiMn等
を、絶縁層１８及び１９にはY2O3、Al2O3、
Si3N4等が用いられる。
ラミツク等のプリント板を用い、その上にアモル
フアスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ１１
を形成し、その上に透明絶縁膜１４（SiO2、
SiN4等）を成膜し、その上にEL発光素子１５を
形成したものである。そしてEL発光素子１５の
基板１０に近い側の電極１６は表面をEL発光が
乱反射するように（例えばAlを300℃程度で5000
Å以上蒸着し結晶性を生長させる）荒らし、且つ
受光素子１１の受光開口部に対向する部分に穴を
明けた金属電極を用いる。また基板１０から遠い
側の電極１７はEL発光を原稿面２３に照射する
ため、及び原稿面２３からの反射光を通過させ受
光素子１１の受光を可能とするために例えば
I2O3、SnO2、ITO等の透明導電膜を用いる。な
おEL発光素子１５の発光層２０にはZnSiMn等
を、絶縁層１８及び１９にはY2O3、Al2O3、
Si3N4等が用いられる。
このように構成された本実施例は、EL発光素
子１５の透明電極１７が原稿面２３に接するよう
にして用いられ、このようにすることにより、
EL発光素子１５の発光層２０で発光した光は直
接及び金属電極１６の粗面で乱反射され受光素子
１１の開口部の直下の原稿面２３を照射する。原
稿面２３で反射された光は透明電極１７、絶縁層
１９、発光層２０、絶縁層１８を順次透過し、更
に金属電極１６の穴及び透明絶縁膜１４を通過し
て受光素子１１に達し、ここで電気信号に変換さ
れ原稿の読取りが行なわれる。なお受光素子開口
部に対向した部分には金属電極１６に形成された
穴によつて電界が印加されず発光しないので、
EL発光が直接受光されることはなく、従つてコ
ントラストが低下することはない。
子１５の透明電極１７が原稿面２３に接するよう
にして用いられ、このようにすることにより、
EL発光素子１５の発光層２０で発光した光は直
接及び金属電極１６の粗面で乱反射され受光素子
１１の開口部の直下の原稿面２３を照射する。原
稿面２３で反射された光は透明電極１７、絶縁層
１９、発光層２０、絶縁層１８を順次透過し、更
に金属電極１６の穴及び透明絶縁膜１４を通過し
て受光素子１１に達し、ここで電気信号に変換さ
れ原稿の読取りが行なわれる。なお受光素子開口
部に対向した部分には金属電極１６に形成された
穴によつて電界が印加されず発光しないので、
EL発光が直接受光されることはなく、従つてコ
ントラストが低下することはない。
以上の如く構成、作動する本実施例は光源とセ
ンサを薄膜成膜技術、ホトリソグラフイ技術とい
つた簡便な技術のみを用いて積層一体化構造に組
み込むことができるので導光系のライトフオーカ
シングロツドレンズアレイが不要となり、安価に
製造することができる。また原稿面と受光素子間
の光路長が短かく且つ原稿面と完全に密着させる
ことができるので光の使用効率が20％程度に向上
される。
ンサを薄膜成膜技術、ホトリソグラフイ技術とい
つた簡便な技術のみを用いて積層一体化構造に組
み込むことができるので導光系のライトフオーカ
シングロツドレンズアレイが不要となり、安価に
製造することができる。また原稿面と受光素子間
の光路長が短かく且つ原稿面と完全に密着させる
ことができるので光の使用効率が20％程度に向上
される。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の長尺密着
形イメージセンサは、基板上に受光素子アレイ、
透明絶縁膜とEL発光素子を積層構成することに
より、安価に製造でき且つ光使用効率の向上が得
られるといつた効果大なるものである。
形イメージセンサは、基板上に受光素子アレイ、
透明絶縁膜とEL発光素子を積層構成することに
より、安価に製造でき且つ光使用効率の向上が得
られるといつた効果大なるものである。
第１図は従来の長尺密着形イメージセンサを説
明するための図、第２図は本発明による長尺密着
形イメージセンサを説明するための図である。 図面において、１０は基板、１１は受光素子ア
レイ、１４は透明絶縁膜、１５はEL発光素子、
１６，１７は電極、１８，１９は絶縁層、２０は
発光層、２３は原稿面をそれぞれ示す。
明するための図、第２図は本発明による長尺密着
形イメージセンサを説明するための図である。 図面において、１０は基板、１１は受光素子ア
レイ、１４は透明絶縁膜、１５はEL発光素子、
１６，１７は電極、１８，１９は絶縁層、２０は
発光層、２３は原稿面をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 基板に薄膜型受光素子と、透明絶縁膜と、薄
膜EL素子とを順次積層して構成され、前記薄膜
EL素子は、基板に近い側の電極としてEL発光を
乱反射するように発光層側の表面を粗面にし、且
つ前記薄膜型受光素子の受光開口部に対向する部
分に穴を設けた不透明金属膜を用い、反対側の電
極として透明導電膜を用い、前記薄膜EL素子の
EL発光を原稿面に照射し、その反射光を前記薄
膜型受光素子で受光することを特徴とする長尺密
着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084048A JPS59210664A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084048A JPS59210664A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210664A JPS59210664A (ja) | 1984-11-29 |
| JPH0126547B2 true JPH0126547B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=13819612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084048A Granted JPS59210664A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210664A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2769812B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1998-06-25 | 株式会社小松製作所 | 原稿読み取り装置 |
| JPH01184964A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子・受光素子一体型イメージセンサ |
| JPH0255763U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-23 | ||
| JPH0268454U (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-24 | ||
| JPH02104649U (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-20 | ||
| JPH0437065A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光源一体型イメージセンサ |
| US5101099A (en) * | 1990-06-15 | 1992-03-31 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading device with different reflectivity coefficients in a transparent layer and a substrate |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58084048A patent/JPS59210664A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59210664A (ja) | 1984-11-29 |
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