JPH0437065A - 光源一体型イメージセンサ - Google Patents
光源一体型イメージセンサInfo
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
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-
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- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリやスキャナ等に用いられる画像読
取装置に係り、特に装置の小型化を図るため受光素子と
ＥＬ発光素子とを一体化した光源一体型イメージセンサ
において焦点深度を深く確保できる構造に関するもので
ある。
取装置に係り、特に装置の小型化を図るため受光素子と
ＥＬ発光素子とを一体化した光源一体型イメージセンサ
において焦点深度を深く確保できる構造に関するもので
ある。
（従来の技術）
従来、ファクシミリやスキャナ等には、蛍光灯光源とイ
メージセンサと原稿からの反射光をイメージセンサに結
像させる等倍光学系とから成る画像読取装置が用いられ
ている。この画像読取装置によれば、等倍光学系として
ロッドレンズアレイ等を使用するので装置の小型化が困
難であるという欠点があった。
メージセンサと原稿からの反射光をイメージセンサに結
像させる等倍光学系とから成る画像読取装置が用いられ
ている。この画像読取装置によれば、等倍光学系として
ロッドレンズアレイ等を使用するので装置の小型化が困
難であるという欠点があった。
そこで、光源としてＥＬ発光素子を用い、ＥＬ発光素子
と密着型イメージセンサとを一体化した超小型の光源一
体型イメージセンサが提案されている。
と密着型イメージセンサとを一体化した超小型の光源一
体型イメージセンサが提案されている。
この光源一体型イメージセンサは、例えば第５図及び第
６図に示すように、ガラス等で形成された絶縁基板１０
上にアモルファスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ
１１を形成し、その上に透明絶縁層１２を形成し、更に
ＥＬ発光素子１３を形成したものである。ＥＬ発光素子
１３は、金属電極１４．絶縁層１５１発光層１６．絶縁
層１５゜透明電極１７を順次積層したサンドイッチ構造
で構成され、第６図に示すように、金属電極１４には前
記受光素子アレイ１１の各受光部１１ａに対応するよう
に複数の光入射窓１４ａを開口している。そして、発光
層１６から発光した光が透明電極１７側に配置された原
稿１００で反射して光入射窓１４ａから受光素子アレイ
１１の受光部分に導かれるようになっている（特開昭５
９−２１０６６４号公報参照）。
６図に示すように、ガラス等で形成された絶縁基板１０
上にアモルファスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ
１１を形成し、その上に透明絶縁層１２を形成し、更に
ＥＬ発光素子１３を形成したものである。ＥＬ発光素子
１３は、金属電極１４．絶縁層１５１発光層１６．絶縁
層１５゜透明電極１７を順次積層したサンドイッチ構造
で構成され、第６図に示すように、金属電極１４には前
記受光素子アレイ１１の各受光部１１ａに対応するよう
に複数の光入射窓１４ａを開口している。そして、発光
層１６から発光した光が透明電極１７側に配置された原
稿１００で反射して光入射窓１４ａから受光素子アレイ
１１の受光部分に導かれるようになっている（特開昭５
９−２１０６６４号公報参照）。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような構造の光源一体型イメージセンサによれば
、ＥＬ発光素子１３からの発光光が原稿面１００を照射
し、その反射光が受光素子アレイ１１に入射するように
しているので、イメージセンサの焦点深度は、金属電極
１４の光入射窓１４ａの面積が一定範囲内であれば、金
属電極１４の光入射窓１４ａと原稿１００間の距離ｄｌ
＋受光素子アレイ１１と金属電極１４の光入射窓１４ａ
間の距離ｄ２に大きく依存する。
、ＥＬ発光素子１３からの発光光が原稿面１００を照射
し、その反射光が受光素子アレイ１１に入射するように
しているので、イメージセンサの焦点深度は、金属電極
１４の光入射窓１４ａの面積が一定範囲内であれば、金
属電極１４の光入射窓１４ａと原稿１００間の距離ｄｌ
＋受光素子アレイ１１と金属電極１４の光入射窓１４ａ
間の距離ｄ２に大きく依存する。
焦点深度が浅いと、所定の位置から原稿が浮いたような
場合、原稿自体に凹凸がある場合（トナーが厚くついた
ＰＰＣ原稿等）、薄い原稿を透明フィルムで形成される
ドキュメントキャリアに挿入して前記原稿を読み取るよ
うな場合、等にイメージセンサの分解能（ＭＴＦ）が著
しく低下し、画像読み取りに不都合があるという問題点
があった。
場合、原稿自体に凹凸がある場合（トナーが厚くついた
ＰＰＣ原稿等）、薄い原稿を透明フィルムで形成される
ドキュメントキャリアに挿入して前記原稿を読み取るよ
うな場合、等にイメージセンサの分解能（ＭＴＦ）が著
しく低下し、画像読み取りに不都合があるという問題点
があった。
しかしながら、上記従来の画像読取装置では、光入射窓
１４ａから原稿１００までの距離ｄ、と透明絶縁層１２
の厚さｄ、とを任意に調整することが困難であり、焦点
深度の向上を図る光源一体型イメージセンサを得ること
が困難であった。
１４ａから原稿１００までの距離ｄ、と透明絶縁層１２
の厚さｄ、とを任意に調整することが困難であり、焦点
深度の向上を図る光源一体型イメージセンサを得ること
が困難であった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、光源一体型
イメージセンサにおいて焦点深度の調整が可能な構成を
とるとともに、該構成において実用上問題のない程度の
焦点深度を得ることができる構造を提供することを目的
とする。
イメージセンサにおいて焦点深度の調整が可能な構成を
とるとともに、該構成において実用上問題のない程度の
焦点深度を得ることができる構造を提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解決するため本発明の光源一体型
イメージセンサは、絶縁基板上に形成された受光素子と
、透明基板上に形成されたＥＬ発光素子とを透光層を挾
んで相対向するように配置して構成し、前記透明基板の
厚さｄｌと前記透光層の厚さｄ２とが、ｄ、＜ｄ、の関
係を満足することを特徴としている。
イメージセンサは、絶縁基板上に形成された受光素子と
、透明基板上に形成されたＥＬ発光素子とを透光層を挾
んで相対向するように配置して構成し、前記透明基板の
厚さｄｌと前記透光層の厚さｄ２とが、ｄ、＜ｄ、の関
係を満足することを特徴としている。
（作用）
本発明の光源一体型イメージセンサによれば、ＥＬ発光
素子からの光が透明基板の反ＥＬ発光素子側に配置した
原稿面を照射し、その反射光が受光素子に入射する。こ
の光源一体型イメージセンサにおいて、透明基板の厚さ
ｄ、と透光層の厚さｄ、とが、ｄ、＜ｄ２の関係を満足
するようにしたので、透明基板から原稿面が離れてもＭ
ＴＦが大幅に低下せず、実質的に必要十分な焦点深度を
得ることができる。
素子からの光が透明基板の反ＥＬ発光素子側に配置した
原稿面を照射し、その反射光が受光素子に入射する。こ
の光源一体型イメージセンサにおいて、透明基板の厚さ
ｄ、と透光層の厚さｄ、とが、ｄ、＜ｄ２の関係を満足
するようにしたので、透明基板から原稿面が離れてもＭ
ＴＦが大幅に低下せず、実質的に必要十分な焦点深度を
得ることができる。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は実施例に係る光源一体型イメージセンサの断面
説明図であり、第５図及び第６図と同様の構成をとる部
分については同一符号を付している。
説明図であり、第５図及び第６図と同様の構成をとる部
分については同一符号を付している。
受光素子アレイ１１は、図の表裏方向に複数個配設する
個別電極（クロムパターン）ｌｌａ、アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ） １ ｌ ｂ、帯状の透明電極（ＩＴ
Ｏ）ｌｌｃを基板１０上に順次積層したサンドイッチ構
造のセンサから構成されている。
個別電極（クロムパターン）ｌｌａ、アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ） １ ｌ ｂ、帯状の透明電極（ＩＴ
Ｏ）ｌｌｃを基板１０上に順次積層したサンドイッチ構
造のセンサから構成されている。
ＥＬ発光素子１３は、透明基板２０上にＩＴＯ。
Ｉｎ、Ｏ，，５ｎ０２等から成る透明電極１７゜Ｙ、０
．、Ｓ ｉ、Ｎ、、ＢａＴｉ０．等から成る絶縁層１５
．ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発光層１６゜同上の絶縁層１
５．アルミニウム等の金属から成る不透明な金属電極１
４を順次積層して構成される。
．、Ｓ ｉ、Ｎ、、ＢａＴｉ０．等から成る絶縁層１５
．ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発光層１６゜同上の絶縁層１
５．アルミニウム等の金属から成る不透明な金属電極１
４を順次積層して構成される。
金属電極１４には、発光層１６から発光した光が原稿面
１００で反射し、反射光が前記受光素子アレイ１１に照
射するように、受光素子アレイ１１の各受光部１１ａ上
に方形状の光入射窓１４ａが開口されている。この光入
射窓１４ａは、アルミニウム等の金属から成る不透明な
金属電極１４を積層した後、この金属電極１４をフォト
リソ法によりエツチングして形成する。
１００で反射し、反射光が前記受光素子アレイ１１に照
射するように、受光素子アレイ１１の各受光部１１ａ上
に方形状の光入射窓１４ａが開口されている。この光入
射窓１４ａは、アルミニウム等の金属から成る不透明な
金属電極１４を積層した後、この金属電極１４をフォト
リソ法によりエツチングして形成する。
受光素子アレイ１１とＥＬ発光素子１３との間には、両
者間を絶縁し、両者の間隔を一定にするようガラス板等
で形成された透明絶縁性平板３０が介在されている。ま
た、この透明絶縁性平板３０には受光素子アレイ１１に
沿うように図の表裏方向に長尺状の窓部３１が開口され
ている。従って、透明絶縁性平板３０の一側に接着剤４
０を塗布して基板１０を接合し、他側に接着剤４０を塗
布して透明基板２０を接合し、ＥＬ発光素子１３の光入
射窓１４ａと受光素子アレイ１１の受光部１１ａとが相
対応するように配置した場合、受光素子アレイ１１上に
空気層７０が介在するようになっている。また、この空
気層７０を薄い層とするため、長尺状の窓部３１にも接
着剤４１を充填し、この部分を透光層としている。空気
層７０を介在させるのは、発光層１６から原稿面１００
側に発光した光が透明基板２０と原稿面１００との界面
で全反射し、更にこの反射光が透明基板２０と空気層７
０との界面で再び全反射して、受光素子アレイ１１へ入
射させないようにするためである。また、空気層７０を
薄くするのは、接着剤４１で光を屈折させて光が遠くま
で届かないようにするためである。その結果、数画素離
れた所からの光の入射により注目画素以外からの光の入
射が多くなることを防ぎ、ＭＴＦの低下を防止すること
ができる。
者間を絶縁し、両者の間隔を一定にするようガラス板等
で形成された透明絶縁性平板３０が介在されている。ま
た、この透明絶縁性平板３０には受光素子アレイ１１に
沿うように図の表裏方向に長尺状の窓部３１が開口され
ている。従って、透明絶縁性平板３０の一側に接着剤４
０を塗布して基板１０を接合し、他側に接着剤４０を塗
布して透明基板２０を接合し、ＥＬ発光素子１３の光入
射窓１４ａと受光素子アレイ１１の受光部１１ａとが相
対応するように配置した場合、受光素子アレイ１１上に
空気層７０が介在するようになっている。また、この空
気層７０を薄い層とするため、長尺状の窓部３１にも接
着剤４１を充填し、この部分を透光層としている。空気
層７０を介在させるのは、発光層１６から原稿面１００
側に発光した光が透明基板２０と原稿面１００との界面
で全反射し、更にこの反射光が透明基板２０と空気層７
０との界面で再び全反射して、受光素子アレイ１１へ入
射させないようにするためである。また、空気層７０を
薄くするのは、接着剤４１で光を屈折させて光が遠くま
で届かないようにするためである。その結果、数画素離
れた所からの光の入射により注目画素以外からの光の入
射が多くなることを防ぎ、ＭＴＦの低下を防止すること
ができる。
接合に際しては、受光素子アレイ１１が形成された絶縁
基板１０上に、両側面に接着剤４０を塗布した透明絶縁
性平板３０及び透明基板２０を配置させ、更に窓部３１
に接着剤４１を充填して透明基板２０上に均一な圧力を
与えて行なう。
基板１０上に、両側面に接着剤４０を塗布した透明絶縁
性平板３０及び透明基板２０を配置させ、更に窓部３１
に接着剤４１を充填して透明基板２０上に均一な圧力を
与えて行なう。
本実施例によれば、ＥＬ発光素子１３と受光素子アレイ
１１との間に透明絶縁性平板３０を介在させたので、Ｅ
Ｌ発光素子１３の防湿対策を図ることができ、ＥＬ発光
素子１３においてその長寿命化を図るとともに、発光む
らのない一定の輝度を持続することができる。
１１との間に透明絶縁性平板３０を介在させたので、Ｅ
Ｌ発光素子１３の防湿対策を図ることができ、ＥＬ発光
素子１３においてその長寿命化を図るとともに、発光む
らのない一定の輝度を持続することができる。
また、ＥＬ発光素子１３と透明絶縁性平板３０との間に
シリコンオイルやエポキシ樹脂等を封入すれば、更に防
湿を強化することができる。
シリコンオイルやエポキシ樹脂等を封入すれば、更に防
湿を強化することができる。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、透明絶縁性
平板３０の代わりに透明の球状スペーサ５０を用いる。
平板３０の代わりに透明の球状スペーサ５０を用いる。
すなわち、ＥＬ発光素子１３を形成した透明基板２０と
受光素子アレイ１１を形成した絶縁基板１０とを接合す
る際、一方の基板上に大きさが同一の球状スペーサ５０
を散布し、受光素子アレイ１１上以外の部分に透明の接
着剤６０を塗布した後、ＥＬ発光素子１３の光入射窓１
４ａと受光素子アレイ１１の受光部１１ａとが対応する
ように前記実施例と同様に均一に加圧して両者を接合し
、受光素子アレイ１１上に透光層となる空気層７１を介
在させている。
受光素子アレイ１１を形成した絶縁基板１０とを接合す
る際、一方の基板上に大きさが同一の球状スペーサ５０
を散布し、受光素子アレイ１１上以外の部分に透明の接
着剤６０を塗布した後、ＥＬ発光素子１３の光入射窓１
４ａと受光素子アレイ１１の受光部１１ａとが対応する
ように前記実施例と同様に均一に加圧して両者を接合し
、受光素子アレイ１１上に透光層となる空気層７１を介
在させている。
前記球状スペーサ５０（種水ファインケミカル（株）製
ミクロパール ＳＰ）は、真球形硬質プラスチック微
粒子から成り、耐熱性、絶縁性を有している。
ミクロパール ＳＰ）は、真球形硬質プラスチック微
粒子から成り、耐熱性、絶縁性を有している。
以上のような構造の光源一体型イメージセンサによれば
、ＥＬ発光素子１３及び受光素子アレイ１１の厚さは、
透明基板２０．透光層（空気層７０＋接着剤４１または
空気層７１）の厚さ及び球状スペーサの直径に比較して
薄いので、ＥＬ発光素子１３の金属電極１４の光入射窓
１４ａと原稿面１００間の間隔ｄ、は、ＥＬ発光素子１
３を形成する透明基板２０の厚さで決まり、受光素子ア
レイ１１と金属電極１４の光入射窓１４との間隔ｄ２
は、透明絶縁性平板３０の厚さ若しくは球状スペーサ５
０の直径で決まる。従って、厚さの異なる透明基板２０
．透明絶縁性平板３０等を選択することにより焦点深度
の調整することができる。
、ＥＬ発光素子１３及び受光素子アレイ１１の厚さは、
透明基板２０．透光層（空気層７０＋接着剤４１または
空気層７１）の厚さ及び球状スペーサの直径に比較して
薄いので、ＥＬ発光素子１３の金属電極１４の光入射窓
１４ａと原稿面１００間の間隔ｄ、は、ＥＬ発光素子１
３を形成する透明基板２０の厚さで決まり、受光素子ア
レイ１１と金属電極１４の光入射窓１４との間隔ｄ２
は、透明絶縁性平板３０の厚さ若しくは球状スペーサ５
０の直径で決まる。従って、厚さの異なる透明基板２０
．透明絶縁性平板３０等を選択することにより焦点深度
の調整することができる。
前記間隔ｄ、とｄ２ がどのような関係にあるとき焦点
深度の向上を図ることができるのかを確めるため、計算
機によるシミュレーションを行なった。
深度の向上を図ることができるのかを確めるため、計算
機によるシミュレーションを行なった。
光源での微小面積ｄＳによる受光素子アレイ１１の受光
部１１ａの一点Ｐでの照度ｄＥは、第３図（この図にお
いては屈折率を考慮していない）で説明すると、ＥＬ発
光素子１３の発光部１３′からの光を反射する原稿面を
仮想光源とし、仮想光源の輝度をＢ、仮想光源からの距
離をｒ、仮想光源と照度観測点Ｐを結ぶ方向と仮想光源
の法線方向とのなす角をθとすると、 ｄＥ＝Ｂ （ｃｏｓ” θ／ｒ”）ｄＳとして計算し
た。
部１１ａの一点Ｐでの照度ｄＥは、第３図（この図にお
いては屈折率を考慮していない）で説明すると、ＥＬ発
光素子１３の発光部１３′からの光を反射する原稿面を
仮想光源とし、仮想光源の輝度をＢ、仮想光源からの距
離をｒ、仮想光源と照度観測点Ｐを結ぶ方向と仮想光源
の法線方向とのなす角をθとすると、 ｄＥ＝Ｂ （ｃｏｓ” θ／ｒ”）ｄＳとして計算し
た。
そして、光学系の分解能（ＭＦＴ）は、受光素子アレイ
１１の受光部１１ａの直上の原稿面が白のときにこの原
稿面から受光部１１ａに照射する照度の平均値をＬｗ、
直上の原稿面が黒のときに受光部１１ＪＩに照射する照
度の平均値をＬｂとした場合、 ＭＴＦ＝（（Ｌｗ−Ｌｂ）／ （Ｌｗ＋Ｌｂ））Ｘ１０
０であられされる。
１１の受光部１１ａの直上の原稿面が白のときにこの原
稿面から受光部１１ａに照射する照度の平均値をＬｗ、
直上の原稿面が黒のときに受光部１１ＪＩに照射する照
度の平均値をＬｂとした場合、 ＭＴＦ＝（（Ｌｗ−Ｌｂ）／ （Ｌｗ＋Ｌｂ））Ｘ１０
０であられされる。
焦点深度の深さを測定するため、１２５μｍ幅の白黒線
を交互に形成したチャート（４ラインベア／ ｍ ｍ
）を厚さの異なるドキュメントキャリアに挿入し、ドキ
ュメントキャリアの厚さ分だけ前記チャートが透明基板
２０から浮く場合のＭＴＦを計算する。
を交互に形成したチャート（４ラインベア／ ｍ ｍ
）を厚さの異なるドキュメントキャリアに挿入し、ドキ
ュメントキャリアの厚さ分だけ前記チャートが透明基板
２０から浮く場合のＭＴＦを計算する。
また、光源一体型イメージセンサは、透明基板２０の厚
さ５０ｕｍ （ｄ、） 、透明基板２０の屈折率１．４
９、ＥＬ発光素子１３を構成する透明電極１７（ＩＴＯ
）の厚さ０．１４．ｃｚｍ、透明電極１７の屈・折率１
．７０、絶縁層１５（ａ−３ｔＮｘ）の厚さ０．３０ａ
ｍ、絶縁層１５の屈折率１．８０、発光層１６ （Ｚｎ
Ｓ ：Ｍｎ、ＴｂＦ、）の厚さ０．５０．発光層１６の
屈折率２６４５、空気層７０の厚さ２μｍ、空気層７０
の屈折率１゜００とし、光入射窓１４ａが５５μｍＸ５
５μｍとして計算した。一つの受光部１１ａには直上の
光入射窓からの入射光の他に、主走査方向に隣接する光
入射窓を含む合計１１個の光入射窓からの入射光を考慮
して計算した。なお、原稿面は完全拡散面とし、−様に
照明されているとして計算した。更に、ＭＴＦは受光部
１１ａ面での光量を用いて計算し、副走査方向について
は考慮していない。
さ５０ｕｍ （ｄ、） 、透明基板２０の屈折率１．４
９、ＥＬ発光素子１３を構成する透明電極１７（ＩＴＯ
）の厚さ０．１４．ｃｚｍ、透明電極１７の屈・折率１
．７０、絶縁層１５（ａ−３ｔＮｘ）の厚さ０．３０ａ
ｍ、絶縁層１５の屈折率１．８０、発光層１６ （Ｚｎ
Ｓ ：Ｍｎ、ＴｂＦ、）の厚さ０．５０．発光層１６の
屈折率２６４５、空気層７０の厚さ２μｍ、空気層７０
の屈折率１゜００とし、光入射窓１４ａが５５μｍＸ５
５μｍとして計算した。一つの受光部１１ａには直上の
光入射窓からの入射光の他に、主走査方向に隣接する光
入射窓を含む合計１１個の光入射窓からの入射光を考慮
して計算した。なお、原稿面は完全拡散面とし、−様に
照明されているとして計算した。更に、ＭＴＦは受光部
１１ａ面での光量を用いて計算し、副走査方向について
は考慮していない。
計算結果を第４図に示す。受光素子アレイ１１の画素ピ
ッチを１２５μｍ （２００５ＰＩ）と設定し、画素サ
イズが１００ｕｍ１００ｕμｍ１透光層１００ ｕｍ
（ｄａ ） （空気層７０が２ μｍ ｓ接着剤４１
が９８μｍ）とした場合にドキュメントキャリアの厚さ
を変化させたときのＭＴＦの値を黒丸点で示す。
ッチを１２５μｍ （２００５ＰＩ）と設定し、画素サ
イズが１００ｕｍ１００ｕμｍ１透光層１００ ｕｍ
（ｄａ ） （空気層７０が２ μｍ ｓ接着剤４１
が９８μｍ）とした場合にドキュメントキャリアの厚さ
を変化させたときのＭＴＦの値を黒丸点で示す。
同様に、画素サイズが５０μｍＸ５０μｍの場合を、黒
三角点で示す。
三角点で示す。
次に、画素サイズが１００μｍＸ１００μｍ１透光層５
０．ｃｚｍ （ｄ、 ） （空気層７０が２μｍ。
０．ｃｚｍ （ｄ、 ） （空気層７０が２μｍ。
接着剤４１が４８μｍ）とした場合にドキュメントキャ
リアの厚さを変化させたときのＭＴＦの値を白丸点で示
す。
リアの厚さを変化させたときのＭＴＦの値を白丸点で示
す。
同様に、画素サイズが５０μｍＸ５０μｍの場合を、白
玉角点で示す。
玉角点で示す。
以上の結果から、光入射窓１４ａの面積を受光部１１ｇ
と同等の大きさから１／４（面積比）程度とした場合、
ｃＬ −ｄｚ （ｄｔ ＝５０μｍ）のときよりｃＬ
＜ｃｉ、（ｃＬ −１００ｕｍ）のときのほうが、ド
キュメントキャリアの厚さの変化に対してＭＴＦの減少
の傾斜が緩やかである。すなわち、ｄ、＜ｄ２としたほ
うが焦点深度を深く設定することができる。
と同等の大きさから１／４（面積比）程度とした場合、
ｃＬ −ｄｚ （ｄｔ ＝５０μｍ）のときよりｃＬ
＜ｃｉ、（ｃＬ −１００ｕｍ）のときのほうが、ド
キュメントキャリアの厚さの変化に対してＭＴＦの減少
の傾斜が緩やかである。すなわち、ｄ、＜ｄ２としたほ
うが焦点深度を深く設定することができる。
従って上述の実施例によれば、透明絶縁性平板３０や球
状スペーサ５０を用いることにより透明基板２０の厚さ
（ＥＬ発光素子１３と原稿１００間の間隔ｄ、）に対し
て受光素子アレイ１１とＥＬ発光素子１３間の間隔ｄ２
を容易に調節することができ、ｄ、＜ｄ２とした場合に
焦点深度を汀く設定することができる。
状スペーサ５０を用いることにより透明基板２０の厚さ
（ＥＬ発光素子１３と原稿１００間の間隔ｄ、）に対し
て受光素子アレイ１１とＥＬ発光素子１３間の間隔ｄ２
を容易に調節することができ、ｄ、＜ｄ２とした場合に
焦点深度を汀く設定することができる。
（発明の効果）
本発明によれば、ＥＬ発光素子と受光素子アレイとをそ
れぞれ別々の基板に形成して接合したので、透明基板の
厚さｄ、と透光層の厚さｄ、とを自由に設定することが
でき、また、光源一体型イメージセンサにおいて、透明
基板の厚さｄ、と透光層の厚さｄ２ とが、ｄ、＜ｄ、
の関係を満足するようにしたので、透明基板から原稿面
が離れてもＭＴＦが大幅に低下せず、実質的に必要十分
な焦点深度を得ることができる。
れぞれ別々の基板に形成して接合したので、透明基板の
厚さｄ、と透光層の厚さｄ、とを自由に設定することが
でき、また、光源一体型イメージセンサにおいて、透明
基板の厚さｄ、と透光層の厚さｄ２ とが、ｄ、＜ｄ、
の関係を満足するようにしたので、透明基板から原稿面
が離れてもＭＴＦが大幅に低下せず、実質的に必要十分
な焦点深度を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面説明図、第２図は
他の実施例を示す断面説明図、第３図は光源一体型イメ
ージセンサの主走査方向における構成説明図、第４図は
ドキュメントキャリアの厚さを変化させた場合の分解能
（ＭＦＴ）を求めた計算機によるシミュレーション結果
を示すグラフ、第５図は従来の画像読取装置の断面説明
図、第６図は第５図のＶＩ−ＶＩ’線断面において受光
素子の受光部とＥＬ発光素子の光入射窓との位置関係を
示した説明図である。 １０・・・・・・絶縁基板 １１・・・・・・受光素子 １１ａ・・・受光部 ２０・・・・・・透明基板 １３・・・・・・ＥＬ発光素子 １４ａ・・・光入射窓 ３０・・・・・・透明絶縁性平板 ４０．４１・・・・・・接着剤 ５０・・・・・・球状スペーサ ６０・・・・・・接着剤 ７０・・・・・・空気層 １００・・・・・・原稿 第２図 第３図 （％） 第１図 第４図 ドキユメノ１キヤリー１′の厚さ （、ｉｔｍ）
他の実施例を示す断面説明図、第３図は光源一体型イメ
ージセンサの主走査方向における構成説明図、第４図は
ドキュメントキャリアの厚さを変化させた場合の分解能
（ＭＦＴ）を求めた計算機によるシミュレーション結果
を示すグラフ、第５図は従来の画像読取装置の断面説明
図、第６図は第５図のＶＩ−ＶＩ’線断面において受光
素子の受光部とＥＬ発光素子の光入射窓との位置関係を
示した説明図である。 １０・・・・・・絶縁基板 １１・・・・・・受光素子 １１ａ・・・受光部 ２０・・・・・・透明基板 １３・・・・・・ＥＬ発光素子 １４ａ・・・光入射窓 ３０・・・・・・透明絶縁性平板 ４０．４１・・・・・・接着剤 ５０・・・・・・球状スペーサ ６０・・・・・・接着剤 ７０・・・・・・空気層 １００・・・・・・原稿 第２図 第３図 （％） 第１図 第４図 ドキユメノ１キヤリー１′の厚さ （、ｉｔｍ）
Claims (1)
- 絶縁基板上に形成された受光素子と、透明基板上に形
成されたＥＬ発光素子とを透光層を挟んで相対向するよ
うに配置して構成し、前記透明基板の厚さｄ＿１と前記
透光層の厚さｄ＿２とが、ｄ＿１＜ｄ＿２の関係を満足
することを特徴とする光源一体型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141298A JPH0437065A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 光源一体型イメージセンサ |
| US07/708,713 US5164580A (en) | 1990-06-01 | 1991-05-31 | Electroluminescent light-source-incorporated image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141298A JPH0437065A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 光源一体型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437065A true JPH0437065A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15288633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2141298A Pending JPH0437065A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 光源一体型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164580A (ja) |
| JP (1) | JPH0437065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006234653A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ueno Seiki Kk | テストコンタクト |
| JP2018088307A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2838735B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1998-12-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| JP2998326B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-01-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| JPH05257430A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-10-08 | Canon Inc | エレクトロルミネッセンス素子、イメージセンサー、液晶装置 |
| JP2696025B2 (ja) * | 1991-11-18 | 1998-01-14 | 沖電気工業株式会社 | 読取りヘッド |
| US5583328A (en) * | 1992-07-02 | 1996-12-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High voltage switch including U-shaped, slitted stationary contact assembly with arc extinguishing/magnetic blowout features |
| US5872355A (en) * | 1997-04-09 | 1999-02-16 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system |
| JP2018157296A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | Ｍｔｆ測定方法及びｍｔｆ調整方法 |
| JP7119486B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210664A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Fujitsu Ltd | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
| JP2702131B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び該装置を有する画像情報読取装置 |
| US4970381A (en) * | 1989-04-28 | 1990-11-13 | At&T Bell Laboratories | Integrated optics facsimile apparatus |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2141298A patent/JPH0437065A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-31 US US07/708,713 patent/US5164580A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006234653A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ueno Seiki Kk | テストコンタクト |
| JP2018088307A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5164580A (en) | 1992-11-17 |
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