JPH05257430A - エレクトロルミネッセンス素子、イメージセンサー、液晶装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子、イメージセンサー、液晶装置Info
- Publication number
- JPH05257430A JPH05257430A JP4245966A JP24596692A JPH05257430A JP H05257430 A JPH05257430 A JP H05257430A JP 4245966 A JP4245966 A JP 4245966A JP 24596692 A JP24596692 A JP 24596692A JP H05257430 A JPH05257430 A JP H05257430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- transparent electrode
- emitting layer
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 28
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 30
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 11
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 101000849579 Arabidopsis thaliana 30S ribosomal protein S13, chloroplastic Proteins 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical compound FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
- H04N1/0316—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes illuminating the scanned image elements through the plane of the photodetector, e.g. back-light illumination
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0313—Direct contact pick-up heads, i.e. heads having no array of elements to project the scanned image elements onto the photodectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＬ素子の周囲に配設される部材にＥＬ素子
からのノイズの影響を与えないようにする。 【構成】 エレクトロルミネッセンス発光層３４を挟む
二つの電極３２，３５間に電圧を印加することで、発光
を行うエレクトロルミネッセンス素子において、前記エ
レクトロルミネッセンス発光層３４の一方の面側の電極
を透明電極３５とし、この透明電極３５を基準電圧を与
える電圧源に接続し、他方の電極３２に駆動電圧を印加
することで発光させる。
からのノイズの影響を与えないようにする。 【構成】 エレクトロルミネッセンス発光層３４を挟む
二つの電極３２，３５間に電圧を印加することで、発光
を行うエレクトロルミネッセンス素子において、前記エ
レクトロルミネッセンス発光層３４の一方の面側の電極
を透明電極３５とし、この透明電極３５を基準電圧を与
える電圧源に接続し、他方の電極３２に駆動電圧を印加
することで発光させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶装置やイメージセン
サーに用いられる照明光を発生するエレクトロルミネッ
センス素子（以下「ＥＬ素子」と称す）及び該ＥＬ素子
を採用したイメージセンサー、液晶装置に関する。
サーに用いられる照明光を発生するエレクトロルミネッ
センス素子（以下「ＥＬ素子」と称す）及び該ＥＬ素子
を採用したイメージセンサー、液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリや複写機、コンピュータの
周辺機器としてのイメージリーダー等の画像情報処理装
置には画像を読取る為のイメージセンサーや表示の為の
液晶装置が採用されている。
周辺機器としてのイメージリーダー等の画像情報処理装
置には画像を読取る為のイメージセンサーや表示の為の
液晶装置が採用されている。
【０００３】近年では、電子事務機器の普及が進み、小
型で低価格のイメージセンサーや液晶表示装置の需要が
高まっている。イメージセンサーの例を挙げて説明する
にその１つとして、原稿に直接接触できるとともに、結
像系が不要であるかまたは、結像系の光路長の短い等倍
型のイメージセンサーが注目されている。
型で低価格のイメージセンサーや液晶表示装置の需要が
高まっている。イメージセンサーの例を挙げて説明する
にその１つとして、原稿に直接接触できるとともに、結
像系が不要であるかまたは、結像系の光路長の短い等倍
型のイメージセンサーが注目されている。
【０００４】いわゆるセルフォック・レンズアレイを用
いた密着型イメージセンサーにおいても、照明系とセン
サー系とはかなり近接して配置されるが、更にこのよう
なレンズを用いない完全密着型イメージセンサーの場合
は、センサー支持ガラス基板を通して照明する為、セン
サー部と光源は程んど原稿と接触せんばかりに近い。こ
のような装置に用いられる照明系としてはＬＥＤアレイ
があるが、原稿幅で照明の一様性を保とうとすると密に
配置せねばならずコストが高くなる。粗い密度で一様性
を得ようとすれば照明系と原稿との距離を離さねばなら
ず、装置のコンパクト性が損なわれる。このような観点
から面光源であるＥＬ素子がイメージセンサー用の光源
として注目されている。
いた密着型イメージセンサーにおいても、照明系とセン
サー系とはかなり近接して配置されるが、更にこのよう
なレンズを用いない完全密着型イメージセンサーの場合
は、センサー支持ガラス基板を通して照明する為、セン
サー部と光源は程んど原稿と接触せんばかりに近い。こ
のような装置に用いられる照明系としてはＬＥＤアレイ
があるが、原稿幅で照明の一様性を保とうとすると密に
配置せねばならずコストが高くなる。粗い密度で一様性
を得ようとすれば照明系と原稿との距離を離さねばなら
ず、装置のコンパクト性が損なわれる。このような観点
から面光源であるＥＬ素子がイメージセンサー用の光源
として注目されている。
【０００５】ＥＬ素子を用いたイメージセンサーは、例
えば図９に示すように、アモルファスシリコン（以下ａ
−Ｓｉという）等を用いた薄膜受光素子アレイ１０、蓄
積容量及び薄膜トランジスタ（図示せず）を形成し、そ
の上に原稿とのスペーサを兼ねる透明絶縁層２を設けた
光電変換部を配置したガラス等の透明基板１の下部に、
ＥＬ素子部３０を配置したものである。ＥＬ素子部３０
は接着剤（不図示）等を用いて透明基板１に固定され
る、あるいは接着剤の代わりに保持部材（不図示）によ
り固定されていた。
えば図９に示すように、アモルファスシリコン（以下ａ
−Ｓｉという）等を用いた薄膜受光素子アレイ１０、蓄
積容量及び薄膜トランジスタ（図示せず）を形成し、そ
の上に原稿とのスペーサを兼ねる透明絶縁層２を設けた
光電変換部を配置したガラス等の透明基板１の下部に、
ＥＬ素子部３０を配置したものである。ＥＬ素子部３０
は接着剤（不図示）等を用いて透明基板１に固定され
る、あるいは接着剤の代わりに保持部材（不図示）によ
り固定されていた。
【０００６】ＥＬ素子部３０は、金属電極３２、絶縁層
３３、発光層３４、絶縁層３３′、透明電極３５を基板
３１上に順次積層したサンドイッチ構造で構成され、保
護膜３６により覆われている。金属電極３２と透明電極
３５との間（端子Ｏ−Ｏ′）に駆動信号を与え、両者に
挟まれた発光層３４から光が放射される。
３３、発光層３４、絶縁層３３′、透明電極３５を基板
３１上に順次積層したサンドイッチ構造で構成され、保
護膜３６により覆われている。金属電極３２と透明電極
３５との間（端子Ｏ−Ｏ′）に駆動信号を与え、両者に
挟まれた発光層３４から光が放射される。
【０００７】発光層３４から放射した光は、透明電極３
５、透明基板１、透明絶縁層２を通って原稿１００を照
射する。原稿の濃淡に応じた反射光５０が、光電変換部
の受光素子アレイ１０上に入射する。この入射した光に
応じて受光素子に光電流が流れる。
５、透明基板１、透明絶縁層２を通って原稿１００を照
射する。原稿の濃淡に応じた反射光５０が、光電変換部
の受光素子アレイ１０上に入射する。この入射した光に
応じて受光素子に光電流が流れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構造のＥＬ素子を画像読取り装置用の光源として用い
ると、ＥＬ素子部３０の駆動電極である金属電極３２と
透明電極３５とが光電変換部に近接し、しかも前記ＥＬ
素子部３０の駆動には図１０のような波形で±１００〜
２５０Ｖ、５０〜５ｋＨｚの電源を使用するので、光電
変換部とＥＬ素子部３０間に電界が生じ、受光素子を流
れる光電流や蓄積容量の電位等の信号に対しノイズ源と
なってしまう。
た構造のＥＬ素子を画像読取り装置用の光源として用い
ると、ＥＬ素子部３０の駆動電極である金属電極３２と
透明電極３５とが光電変換部に近接し、しかも前記ＥＬ
素子部３０の駆動には図１０のような波形で±１００〜
２５０Ｖ、５０〜５ｋＨｚの電源を使用するので、光電
変換部とＥＬ素子部３０間に電界が生じ、受光素子を流
れる光電流や蓄積容量の電位等の信号に対しノイズ源と
なってしまう。
【０００９】上記の光電流によって得られる信号レベル
は極めて小さい値となるので、前記ノイズは光電変換部
の出力信号に大きな影響を与え、原稿の１ラインの画情
報を正確に読取ることができないという問題点があっ
た。
は極めて小さい値となるので、前記ノイズは光電変換部
の出力信号に大きな影響を与え、原稿の１ラインの画情
報を正確に読取ることができないという問題点があっ
た。
【００１０】上記の問題点を解決するために、本発明者
らは図１１に示すようにＥＬ素子部３０と光電変換部と
の間に、透明導電層４０を形成して接地する構成を採用
してみたが、コストアップとなってしまっていた。
らは図１１に示すようにＥＬ素子部３０と光電変換部と
の間に、透明導電層４０を形成して接地する構成を採用
してみたが、コストアップとなってしまっていた。
【００１１】同じように、液晶表示装置においても、Ｅ
Ｌ素子のノイズが表示画像を乱す原因になる。
Ｌ素子のノイズが表示画像を乱す原因になる。
【００１２】上述した問題点とは別に、ＥＬ素子を用い
たイメージセンサーを設計する場合には次のような問題
点も生じることが判明した。
たイメージセンサーを設計する場合には次のような問題
点も生じることが判明した。
【００１３】図１２は、従来のＥＬ素子を駆動する為の
駆動回路を示しており、一定周波数且つ一定電圧を有す
る信号が自励式インバータよりトランス９に供給されて
ＥＬ素子が駆動されていた。
駆動回路を示しており、一定周波数且つ一定電圧を有す
る信号が自励式インバータよりトランス９に供給されて
ＥＬ素子が駆動されていた。
【００１４】またイメージセンサーとしては、ＣＣＤ型
や、非晶質シリコン等を用いた薄膜型の電荷蓄積型セン
サが一般的に用いられる。電荷蓄積型センサは、原稿面
からの散乱光など画像情報を有する光量に対応する電荷
を単位時間内で積分してコンデンサに蓄積し、この画情
報を電圧に変換して処理するものである。
や、非晶質シリコン等を用いた薄膜型の電荷蓄積型セン
サが一般的に用いられる。電荷蓄積型センサは、原稿面
からの散乱光など画像情報を有する光量に対応する電荷
を単位時間内で積分してコンデンサに蓄積し、この画情
報を電圧に変換して処理するものである。
【００１５】図１３に従来のＥＬ素子とイメージセンサ
ーを用いた光電変換装置の回路構成図を示し、また図１
４にこの光電変換装置の概略的断面図を示す。
ーを用いた光電変換装置の回路構成図を示し、また図１
４にこの光電変換装置の概略的断面図を示す。
【００１６】図１３に示したイメージセンサーは、光源
としてのＥＬ素子３０、トランス９を用いた自励式イン
バータ２０、列状に配置された複数の蓄積型読取りセン
サ３、センサ駆動装置４、出力信号処理回路５より構成
されている。
としてのＥＬ素子３０、トランス９を用いた自励式イン
バータ２０、列状に配置された複数の蓄積型読取りセン
サ３、センサ駆動装置４、出力信号処理回路５より構成
されている。
【００１７】蓄積型読取りセンサＳ1 〜Ｓn はアレー状
に並んでおり、センサの数を示すｎの値は、たとえば解
像度が８ｐｅｌ／ｍｍの場合、Ａ４版用では通常１７２
８ビット程度、Ｂ４版用では２０４８ビット程度であ
る。この読取用センサＳ1 〜Ｓn にはセンサバイアス用
電源６により電圧が印加されており、図１４に示すよう
に、ＥＬ素子３０より交流発光した光は原稿７に入射
し、原稿面の画像情報によって変化する原稿面散乱光８
が蓄積型読取りセンサ３に入射する。
に並んでおり、センサの数を示すｎの値は、たとえば解
像度が８ｐｅｌ／ｍｍの場合、Ａ４版用では通常１７２
８ビット程度、Ｂ４版用では２０４８ビット程度であ
る。この読取用センサＳ1 〜Ｓn にはセンサバイアス用
電源６により電圧が印加されており、図１４に示すよう
に、ＥＬ素子３０より交流発光した光は原稿７に入射
し、原稿面の画像情報によって変化する原稿面散乱光８
が蓄積型読取りセンサ３に入射する。
【００１８】一方、センサ駆動装置４から供給されるパ
ルスによって、蓄積型読取りセンサ３中のスイッチＳＷ
1 〜ＳＷn が同時に閉じ、その間にＳ1 〜Ｓn に入射す
る原稿面散乱光８の積分値に相当する電荷がコンデンサ
Ｃ1 〜Ｃn に蓄積され、ついで電圧に変換され、出力信
号処理回路５によって順次出力されて１ラインの読取り
動作が完了する。
ルスによって、蓄積型読取りセンサ３中のスイッチＳＷ
1 〜ＳＷn が同時に閉じ、その間にＳ1 〜Ｓn に入射す
る原稿面散乱光８の積分値に相当する電荷がコンデンサ
Ｃ1 〜Ｃn に蓄積され、ついで電圧に変換され、出力信
号処理回路５によって順次出力されて１ラインの読取り
動作が完了する。
【００１９】しかしながら上記のようにＥＬ素子、自励
式インバータ、蓄積型読取りセンサ、センサ駆動装置、
出力信号処理回路で光電変換装置を構成すると、図１５
に示すように、センサ駆動装置で与えられる蓄積タイミ
ング１１２が変化すると、原稿照明光量の積分値１１１
−１，１１１−２，１１１−３にバラつきが生じ、セン
サ感度の均一性が失われるという問題があった。
式インバータ、蓄積型読取りセンサ、センサ駆動装置、
出力信号処理回路で光電変換装置を構成すると、図１５
に示すように、センサ駆動装置で与えられる蓄積タイミ
ング１１２が変化すると、原稿照明光量の積分値１１１
−１，１１１−２，１１１−３にバラつきが生じ、セン
サ感度の均一性が失われるという問題があった。
【００２０】また図１６に示すように、原稿照明光量の
蓄積タイミング１１２′の変化による誤差が無視できる
程に高い周波数の信号１１０′でＥＬ素子を駆動させる
と、図１７にＥＬ素子の駆動周波数と光量劣化の関係が
示されるように、ＥＬ素子自身の光量劣化を促進され、
あるいは高周波ノイズが発生して画像に影響を及ぼす等
の問題があった。また一般に用いられている自励式イン
バータは容積が大きく、高価なトランスを有しているた
め、小型で低価格のイメージセンサーの実現の妨げとな
っていた。
蓄積タイミング１１２′の変化による誤差が無視できる
程に高い周波数の信号１１０′でＥＬ素子を駆動させる
と、図１７にＥＬ素子の駆動周波数と光量劣化の関係が
示されるように、ＥＬ素子自身の光量劣化を促進され、
あるいは高周波ノイズが発生して画像に影響を及ぼす等
の問題があった。また一般に用いられている自励式イン
バータは容積が大きく、高価なトランスを有しているた
め、小型で低価格のイメージセンサーの実現の妨げとな
っていた。
【００２１】本発明の第１の目的は、従来よりも高輝度
な照明光を得ることができるＥＬ素子及びイメージセン
サー及び液晶装置を提供することにある。
な照明光を得ることができるＥＬ素子及びイメージセン
サー及び液晶装置を提供することにある。
【００２２】本発明の第２の目的は、ノイズによる影響
を抑えることができるＥＬ発光素子を用いて、ＥＬ素子
と光電変換部とが近接して配置されていても、ＥＬ素子
の駆動信号により光電変換部の出力信号が影響を受ける
ことを少なくした小型で安価なイメージセンサーを提供
することにある。
を抑えることができるＥＬ発光素子を用いて、ＥＬ素子
と光電変換部とが近接して配置されていても、ＥＬ素子
の駆動信号により光電変換部の出力信号が影響を受ける
ことを少なくした小型で安価なイメージセンサーを提供
することにある。
【００２３】本発明の第３の目的は、蓄積型センサの蓄
積タイミングの変化によるセンサ感度の不均一性や、高
周波点灯によるＥＬ素子自身の光量劣化の促進を解消し
た小型、低コストのイメージセンサーを提供することに
ある。
積タイミングの変化によるセンサ感度の不均一性や、高
周波点灯によるＥＬ素子自身の光量劣化の促進を解消し
た小型、低コストのイメージセンサーを提供することに
ある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のＥＬ素子
は、エレクトロルミネッセンス発光層を挟む二つの電極
間に電圧を印加することで、発光を行うＥＬ素子におい
て、前記エレクトロルミネッセンス発光層の一方の面側
の電極を透明電極とし、この透明電極を基準電圧を与え
る電圧源に接続し、他方の電極に駆動電圧を印加するこ
とで発光させることを特徴とする。
は、エレクトロルミネッセンス発光層を挟む二つの電極
間に電圧を印加することで、発光を行うＥＬ素子におい
て、前記エレクトロルミネッセンス発光層の一方の面側
の電極を透明電極とし、この透明電極を基準電圧を与え
る電圧源に接続し、他方の電極に駆動電圧を印加するこ
とで発光させることを特徴とする。
【００２５】本発明の第２のＥＬ素子は、少なくとも第
１のエレクトロルミネッセンス発光層上に透明電極を介
して第２のエレクトロルミネッセンス発光層を形成して
なる発光領域を挟んで、少なくとも一方が透明な第１及
び第２の電極が設けられたＥＬ素子であって、前記第１
及び第２の電極を基準電圧を与える電圧源に接続し、前
記透明電極に駆動電圧を印加することで、前記第１及び
第２のエレクトロルミネッセンス発光層を発光させるこ
とを特徴とする。
１のエレクトロルミネッセンス発光層上に透明電極を介
して第２のエレクトロルミネッセンス発光層を形成して
なる発光領域を挟んで、少なくとも一方が透明な第１及
び第２の電極が設けられたＥＬ素子であって、前記第１
及び第２の電極を基準電圧を与える電圧源に接続し、前
記透明電極に駆動電圧を印加することで、前記第１及び
第２のエレクトロルミネッセンス発光層を発光させるこ
とを特徴とする。
【００２６】本発明の第１のイメージセンサーは、光源
と、該光源により照明された原稿からの反射光を受光す
る受光素子と、を有するイメージセンサーにおいて、前
記光源は、光出射側に設けられた透明電極と、対向電極
と、該透明電極と該対向電極との間に設けられたエレク
トロルミネッセンス発光層と、を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子であり、更に、前記透明電極に接続さ
れ、該透明電極に基準電圧を供給する為の電圧供給手段
と、前記対向電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手
段と、を有することを特徴とする。
と、該光源により照明された原稿からの反射光を受光す
る受光素子と、を有するイメージセンサーにおいて、前
記光源は、光出射側に設けられた透明電極と、対向電極
と、該透明電極と該対向電極との間に設けられたエレク
トロルミネッセンス発光層と、を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子であり、更に、前記透明電極に接続さ
れ、該透明電極に基準電圧を供給する為の電圧供給手段
と、前記対向電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手
段と、を有することを特徴とする。
【００２７】本発明の第２のイメージセンサーは、光源
と、該光源により照明された原稿からの反射光を受光す
る受光素子と、を有するイメージセンサーにおいて、前
記光源は、第１の電極層と該第１の電極上に設けられた
第１のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第１のエ
レクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明電極
と、該透明電極上に設けられた第２のエレクトロルミネ
ッセンス発光層と、該第２のエレクトロルミネッセンス
発光層上に設けられた透明な第２の電極と、を有し、前
記第２の電極側より照明光を発するエレクトロルミネッ
センス素子であり、前記第１及び第２の電極に接続さ
れ、該第１及び第２の電極に基準電圧を供給する為の電
圧供給手段と、前記透明電極に駆動電圧を印加する駆動
電圧印加手段と、を有することを特徴とする。
と、該光源により照明された原稿からの反射光を受光す
る受光素子と、を有するイメージセンサーにおいて、前
記光源は、第１の電極層と該第１の電極上に設けられた
第１のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第１のエ
レクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明電極
と、該透明電極上に設けられた第２のエレクトロルミネ
ッセンス発光層と、該第２のエレクトロルミネッセンス
発光層上に設けられた透明な第２の電極と、を有し、前
記第２の電極側より照明光を発するエレクトロルミネッ
センス素子であり、前記第１及び第２の電極に接続さ
れ、該第１及び第２の電極に基準電圧を供給する為の電
圧供給手段と、前記透明電極に駆動電圧を印加する駆動
電圧印加手段と、を有することを特徴とする。
【００２８】本発明の第１の液晶装置は、光源と、該光
源からの照明光を選択的に透過する液晶素子と、を有す
る液晶装置において、前記光源は、光出射側に設けられ
た透明電極と、対向電極と、該透明電極と該対向電極と
の間に設けられたエレクトロルミネッセンス発光層と、
を有するエレクトロルミネッセンス素子であり、更に、
前記透明電極に接続され、該透明電極に基準電圧を供給
する為の電圧供給手段と、前記対向電極に駆動電圧を印
加する駆動電圧印加手段と、を有することを特徴とす
る。
源からの照明光を選択的に透過する液晶素子と、を有す
る液晶装置において、前記光源は、光出射側に設けられ
た透明電極と、対向電極と、該透明電極と該対向電極と
の間に設けられたエレクトロルミネッセンス発光層と、
を有するエレクトロルミネッセンス素子であり、更に、
前記透明電極に接続され、該透明電極に基準電圧を供給
する為の電圧供給手段と、前記対向電極に駆動電圧を印
加する駆動電圧印加手段と、を有することを特徴とす
る。
【００２９】本発明の第２の液晶装置は、光源と、該光
源からの照明光を選択的に透過する液晶素子と、を有す
る液晶装置において、前記光源は、第１の電極層と該第
１の電極上に設けられた第１のエレクトロルミネッセン
ス発光層と、該第１のエレクトロルミネッセンス発光層
上に設けられた透明電極と、該透明電極上に設けられた
第２のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第２のエ
レクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明な第
２の電極と、を有し、前記第２の電極側より照明光を発
光するエレクトロルミネッセンス素子であり、前記第１
及び第２の電極に接続され、該第１及び第２の電極に基
準電圧を供給する為の電圧供給手段と、前記透明電極に
駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段と、を有すること
を特徴とする。
源からの照明光を選択的に透過する液晶素子と、を有す
る液晶装置において、前記光源は、第１の電極層と該第
１の電極上に設けられた第１のエレクトロルミネッセン
ス発光層と、該第１のエレクトロルミネッセンス発光層
上に設けられた透明電極と、該透明電極上に設けられた
第２のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第２のエ
レクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明な第
２の電極と、を有し、前記第２の電極側より照明光を発
光するエレクトロルミネッセンス素子であり、前記第１
及び第２の電極に接続され、該第１及び第２の電極に基
準電圧を供給する為の電圧供給手段と、前記透明電極に
駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段と、を有すること
を特徴とする。
【００３０】本発明の第３のイメージセンサーは、光源
と、被読取物から反射された光を受光し、光に応じた電
荷を蓄積することのできる受光素子アレイとを備えたイ
メージセンサーにおいて、前記光源は交流発光するエレ
クトロルミネッセンス素子であり、該エレクトロルミネ
ッセンス素子自身の容量成分を用いて、外部からのパル
スで同期動作可能な他励式エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路を設け、前記エレクトロルミネッセンス素子
の照明動作と前記受光素子アレイによる読取り動作とを
同期して行わせるようにしたことを特徴とする。
と、被読取物から反射された光を受光し、光に応じた電
荷を蓄積することのできる受光素子アレイとを備えたイ
メージセンサーにおいて、前記光源は交流発光するエレ
クトロルミネッセンス素子であり、該エレクトロルミネ
ッセンス素子自身の容量成分を用いて、外部からのパル
スで同期動作可能な他励式エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路を設け、前記エレクトロルミネッセンス素子
の照明動作と前記受光素子アレイによる読取り動作とを
同期して行わせるようにしたことを特徴とする。
【００３１】
【作用】本発明の第１のＥＬ素子は、ＥＬ発光層の一方
の面側の電極を透明電極とし、この透明電極を基準電圧
に設定して他方の電極に駆動電圧を印加して該ＥＬ発光
層を発光させることで、ＥＬ素子の駆動信号から発生す
るノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配
設される部材にノイズの影響を与えないようにするもの
である。
の面側の電極を透明電極とし、この透明電極を基準電圧
に設定して他方の電極に駆動電圧を印加して該ＥＬ発光
層を発光させることで、ＥＬ素子の駆動信号から発生す
るノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配
設される部材にノイズの影響を与えないようにするもの
である。
【００３２】かかる本発明の第１のＥＬ素子を光源とし
て用いた本発明の第１のイメージセンサーにおいては、
図１１の透明導電層４０のようなノイズ防止用の部材を
新たに設ける必要がなく、ＥＬ素子と光電変換部との間
に、基準電圧の電極を介在させることが容易にできるの
で、ＥＬ素子から発生するノイズを基準電圧の電極で遮
り、光電変換部から出力される信号にノイズの影響を与
えないようにすることが安価な構成で可能となる。
て用いた本発明の第１のイメージセンサーにおいては、
図１１の透明導電層４０のようなノイズ防止用の部材を
新たに設ける必要がなく、ＥＬ素子と光電変換部との間
に、基準電圧の電極を介在させることが容易にできるの
で、ＥＬ素子から発生するノイズを基準電圧の電極で遮
り、光電変換部から出力される信号にノイズの影響を与
えないようにすることが安価な構成で可能となる。
【００３３】また本発明の第１のＥＬ素子を光源として
用いた本発明の第１の液晶装置においては、上記本発明
の第１のイメージセンサーと同様に、ＥＬ素子から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、液晶素子にノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能と
なる。
用いた本発明の第１の液晶装置においては、上記本発明
の第１のイメージセンサーと同様に、ＥＬ素子から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、液晶素子にノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能と
なる。
【００３４】本発明の第２のＥＬ素子は、少なくとも第
１のＥＬ発光層上に透明電極を介して第２のＥＬ発光層
を形成してなる発光領域を挟んで、少なくとも一方が透
明な第１及び第２の電極が設けられたＥＬ素子であっ
て、前記第１及び第２の電極を基準電圧とし、前記透明
電極に駆動電圧を印加して、前記第１及び第２のＥＬ発
光層を発光させることで、ＥＬ素子の駆動信号から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に
配設される部材にノイズの影響を与えないようにすると
ともに、一方のＥＬ発光層からの発光に、透明電極を通
して他方のＥＬ発光層からの発光を加えて、従来と比較
して倍近い光量を放出することを可能とするものであ
る。
１のＥＬ発光層上に透明電極を介して第２のＥＬ発光層
を形成してなる発光領域を挟んで、少なくとも一方が透
明な第１及び第２の電極が設けられたＥＬ素子であっ
て、前記第１及び第２の電極を基準電圧とし、前記透明
電極に駆動電圧を印加して、前記第１及び第２のＥＬ発
光層を発光させることで、ＥＬ素子の駆動信号から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に
配設される部材にノイズの影響を与えないようにすると
ともに、一方のＥＬ発光層からの発光に、透明電極を通
して他方のＥＬ発光層からの発光を加えて、従来と比較
して倍近い光量を放出することを可能とするものであ
る。
【００３５】かかる本発明の第２のＥＬ素子を光源とし
て用いた本発明の第２のイメージセンサーにおいては、
図１１の透明導電層４０のようなノイズ防止用の部材を
新たに設ける必要がなく、ＥＬ素子と光電変換部との間
に、基準電圧の電極を介在させることが容易にできるの
で、ＥＬ素子から発生するノイズを基準電圧の電極で遮
り、光電変換部から出力される信号にノイズの影響を与
えないようにすることが安価な構成で可能になるととも
に、光源の高輝度化を図ることが可能となる。
て用いた本発明の第２のイメージセンサーにおいては、
図１１の透明導電層４０のようなノイズ防止用の部材を
新たに設ける必要がなく、ＥＬ素子と光電変換部との間
に、基準電圧の電極を介在させることが容易にできるの
で、ＥＬ素子から発生するノイズを基準電圧の電極で遮
り、光電変換部から出力される信号にノイズの影響を与
えないようにすることが安価な構成で可能になるととも
に、光源の高輝度化を図ることが可能となる。
【００３６】また本発明の第２のＥＬ素子を光源として
用いた本発明の第２の液晶装置においては、上記本発明
の第２のイメージセンサーと同様に、ＥＬ素子から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、液晶素子にノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能に
なるとともに、光源の高輝度化を図ることが可能とな
る。
用いた本発明の第２の液晶装置においては、上記本発明
の第２のイメージセンサーと同様に、ＥＬ素子から発生
するノイズを基準電圧の電極で遮り、液晶素子にノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能に
なるとともに、光源の高輝度化を図ることが可能とな
る。
【００３７】本発明の第３のイメージセンサーは、ＥＬ
素子自身の容量を用い、小型で容易に同期動作可能な他
励式ＥＬ駆動装置を設け、ＥＬ素子の照明動作と蓄積型
センサの読取動作を同期させることにより、蓄積時間内
の原稿照明光量の積分値を一定にすることと可能とする
ものである。
素子自身の容量を用い、小型で容易に同期動作可能な他
励式ＥＬ駆動装置を設け、ＥＬ素子の照明動作と蓄積型
センサの読取動作を同期させることにより、蓄積時間内
の原稿照明光量の積分値を一定にすることと可能とする
ものである。
【００３８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施態様例について説
明するが、本発明は以下の実施態様例に限定されること
はなく、本発明の目的が達成されるものであればよい。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例にかかるＥＬ
素子及びイメージセンサーの断面説明図であり、図９と
同様の構成をとる部分については同一符号を付してい
る。
明するが、本発明は以下の実施態様例に限定されること
はなく、本発明の目的が達成されるものであればよい。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例にかかるＥＬ
素子及びイメージセンサーの断面説明図であり、図９と
同様の構成をとる部分については同一符号を付してい
る。
【００３９】同図に示すように、受光素子１０は、照明
光の直接光の遮光を兼ねるＡｌ等の金属からなる不透明
な下部電極１１、ＳｉＯX ，ＳｉＮx 等からなる絶縁層
１２、ａ−Ｓｉ：Ｈ等の半導体層１３、オーミックコン
タクトをとるためのドーピング層１４、およびＡｌ等か
ら成る主電極１５，１６（ソース電極、ドレイン電極）
をガラス等の透明基板１上に順次積層、パターニングし
構成される。主電極１５，１６の間の半導体層１３に原
稿１００からの反射光５０を透明絶縁層２、中間樹脂層
１７を介して受けることにより、この主電極間を光電流
が流れる。
光の直接光の遮光を兼ねるＡｌ等の金属からなる不透明
な下部電極１１、ＳｉＯX ，ＳｉＮx 等からなる絶縁層
１２、ａ−Ｓｉ：Ｈ等の半導体層１３、オーミックコン
タクトをとるためのドーピング層１４、およびＡｌ等か
ら成る主電極１５，１６（ソース電極、ドレイン電極）
をガラス等の透明基板１上に順次積層、パターニングし
構成される。主電極１５，１６の間の半導体層１３に原
稿１００からの反射光５０を透明絶縁層２、中間樹脂層
１７を介して受けることにより、この主電極間を光電流
が流れる。
【００４０】ＥＬ素子部３０は、Ａｌ等の金属から成る
不透明な金属電極３２、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，ＢａＴｉ
Ｏ2 等から成る絶縁層３３、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発
光層３４、同上の絶縁層３３′、ＩＴＯ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，
ＳｎＯ2 等から成る透明電極３５を基板３１上に順次積
層したサンドイッチ構造で構成され、保護膜３６により
覆われている。
不透明な金属電極３２、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，ＢａＴｉ
Ｏ2 等から成る絶縁層３３、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発
光層３４、同上の絶縁層３３′、ＩＴＯ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，
ＳｎＯ2 等から成る透明電極３５を基板３１上に順次積
層したサンドイッチ構造で構成され、保護膜３６により
覆われている。
【００４１】図１において、ＥＬ素子部３０の透明電極
３５を基準電圧供給源ＶRef に接続して接地電位に保
ち、金属電極３２に駆動電圧印加手段としてのＥＬ駆動
用電源２０により駆動信号を与える。この透明電極３５
の接地電位は受光素子１０を含む光電変換部の接地電位
（図示せず）と同電位である。これにより、ＥＬ素子部
３０と光電変換部との間には、電気的に接地された電極
が配置されることになる。
３５を基準電圧供給源ＶRef に接続して接地電位に保
ち、金属電極３２に駆動電圧印加手段としてのＥＬ駆動
用電源２０により駆動信号を与える。この透明電極３５
の接地電位は受光素子１０を含む光電変換部の接地電位
（図示せず）と同電位である。これにより、ＥＬ素子部
３０と光電変換部との間には、電気的に接地された電極
が配置されることになる。
【００４２】このため、１００〜２５０Ｖ、５０〜５ｋ
ＨｚといったＥＬ素子部３０を駆動する信号が光電変換
部の近傍にあっても、光電変換部とＥＬ素子部３０の間
に電界が生じることなく、受光素子を流れる光電流や蓄
積容量の電位等の信号に対しノイズ源とならなくなり、
原稿の１ラインの画情報を正確に読取ることができる。
ＨｚといったＥＬ素子部３０を駆動する信号が光電変換
部の近傍にあっても、光電変換部とＥＬ素子部３０の間
に電界が生じることなく、受光素子を流れる光電流や蓄
積容量の電位等の信号に対しノイズ源とならなくなり、
原稿の１ラインの画情報を正確に読取ることができる。
【００４３】本実施例のイメージセンサーは、光源から
の光５１を直接光電変換部の透明基板１を通して原稿１
００を照明し、そこで拡散反射された信号光５０を光電
変換部の受光素子１０で電気信号に変換する構成であ
り、従って原稿１００側より近接して光電変換部次いで
光源となるＥＬ素子部３０が配置されている。
の光５１を直接光電変換部の透明基板１を通して原稿１
００を照明し、そこで拡散反射された信号光５０を光電
変換部の受光素子１０で電気信号に変換する構成であ
り、従って原稿１００側より近接して光電変換部次いで
光源となるＥＬ素子部３０が配置されている。
【００４４】ＥＬ素子部３０と光電変換部の基板１との
間は、光学的な損失を最小限にする為接着剤を介在さ
せ、ＥＬ素子部３０を所定の位置に固定している。ま
た、接着剤は、基板１と屈折率をほぼ同じくし、ＥＬ素
子部３０から発せられる照明光が基板１の界面で反射、
屈折することを少なくしている。
間は、光学的な損失を最小限にする為接着剤を介在さ
せ、ＥＬ素子部３０を所定の位置に固定している。ま
た、接着剤は、基板１と屈折率をほぼ同じくし、ＥＬ素
子部３０から発せられる照明光が基板１の界面で反射、
屈折することを少なくしている。
【００４５】受光素子の主電極１５，１６の間を流れた
光電流は、例えば、図２に示すような蓄積容量及び薄膜
トランジスタを用いた回路により電気信号として読み出
される。図２では９個の受光素子を有する光電変換部の
場合を一例として、取り上げている。
光電流は、例えば、図２に示すような蓄積容量及び薄膜
トランジスタを用いた回路により電気信号として読み出
される。図２では９個の受光素子を有する光電変換部の
場合を一例として、取り上げている。
【００４６】同図において、受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３
は、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで受光素子
アレイを構成している。受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積容量ＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイッチン
グトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。
は、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで受光素子
アレイを構成している。受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積容量ＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイッチン
グトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。
【００４７】また受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３の各ブロック
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通線１０１〜１
０３の一つに接続されている。
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通線１０１〜１
０３の一つに接続されている。
【００４８】次にこのような構成を有する光電変換部の
動作を説明する。
動作を説明する。
【００４９】まず受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に光が入射す
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる。
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる。
【００５０】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３
がオン状態となることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。
がオン状態となることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。
【００５１】続いて、シフトレジスタ２０３から出力さ
れるハイレベルがシフトして、スイッチングドランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となる。
れるハイレベルがシフトして、スイッチングドランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となる。
【００５２】これによって、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０４を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる。
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０４を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる。
【００５３】この動作により、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ
３の残留電荷が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の残留電荷が完全に放電された時点で、シフトレ
ジスタ２０１がシフトし、第２の並列端子からハイレベ
ルが出力される。これによってスイッチングトランジス
タＴ２１〜Ｔ２３がオン状態になり、第２ブロックのコ
ンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコ
ンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。同時点において
シフトレジスタ２０２の第１の並列端子からハイレベル
が出力され、スイッチングトランジスタＲ１１〜Ｒ１３
がオン状態となり、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１３の残
留電荷が完成に放電される。
３の残留電荷が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の残留電荷が完全に放電された時点で、シフトレ
ジスタ２０１がシフトし、第２の並列端子からハイレベ
ルが出力される。これによってスイッチングトランジス
タＴ２１〜Ｔ２３がオン状態になり、第２ブロックのコ
ンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコ
ンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。同時点において
シフトレジスタ２０２の第１の並列端子からハイレベル
が出力され、スイッチングトランジスタＲ１１〜Ｒ１３
がオン状態となり、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１３の残
留電荷が完成に放電される。
【００５４】このように、第１ブロックのコンデンサＣ
Ｓ１１〜ＣＳ１３の放電動作と、第２ブロックのコンデ
ンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される転送動作とが並行して
行なわれる。そして第１ブロックの場合と同様に、シフ
トレジスタ２０３のシフトより、スイッチングトランジ
スタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデンサ
ＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光情報
が順次読み出される。
Ｓ１１〜ＣＳ１３の放電動作と、第２ブロックのコンデ
ンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される転送動作とが並行して
行なわれる。そして第１ブロックの場合と同様に、シフ
トレジスタ２０３のシフトより、スイッチングトランジ
スタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデンサ
ＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光情報
が順次読み出される。
【００５５】第３ブロックの場合も同様に、転送動作と
並行して、第２ブロックのコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２
３の放電動作が行なわれ、以下同様に、上記動作がブロ
ックごとに繰り返される。
並行して、第２ブロックのコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２
３の放電動作が行なわれ、以下同様に、上記動作がブロ
ックごとに繰り返される。
【００５６】本実施例のように、結像系を不要にし、光
電変換部を原稿に直接接触させるイメージセンサーの場
合は、光源部であるＥＬ素子も光電変換部のごく近傍に
配置される場合が多い。そのため、ＥＬ素子によるノイ
ズの影響を受けやすく、本発明は特に有効である。
電変換部を原稿に直接接触させるイメージセンサーの場
合は、光源部であるＥＬ素子も光電変換部のごく近傍に
配置される場合が多い。そのため、ＥＬ素子によるノイ
ズの影響を受けやすく、本発明は特に有効である。
【００５７】なお、ここでは、結像系を不要にした画像
読取り装置を例にあげて説明したが、結像系をもった画
像読取り装置の場合でも同様の効果がある。 （第２実施例）図３は本発明の第２実施例にかかるＥＬ
素子及び画像読取り装置の断面説明図である。なお、図
１に示した第１実施例と同一構成部材については同一符
号を付する。画像読取り装置の基本構成は第１実施例と
同様なので、ここでは第１実施例と差異を生ずるＥＬ素
子部３０のみ説明を行なうものとする。
読取り装置を例にあげて説明したが、結像系をもった画
像読取り装置の場合でも同様の効果がある。 （第２実施例）図３は本発明の第２実施例にかかるＥＬ
素子及び画像読取り装置の断面説明図である。なお、図
１に示した第１実施例と同一構成部材については同一符
号を付する。画像読取り装置の基本構成は第１実施例と
同様なので、ここでは第１実施例と差異を生ずるＥＬ素
子部３０のみ説明を行なうものとする。
【００５８】本実施例のＥＬ素子部３０は、支持用基板
３１上にアルミニウムの第１の金属電極層３２、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎからなる第１のＥＬ発光層３４−１、Ｉｎ2 Ｏ
3 等からなる第３の透明電極層３７、第１のＥＬ発光層
３４−１と同じくＺｎＳ：Ｍｎからなる第２のＥＬ発光
層３４−２、そしてＩｎ2 Ｏ3 等からなる第２の透明電
極層３５が順次積層されており、更に最上層として３フ
ッ化エチレンからなる保護膜３６でカバーされている。
３１上にアルミニウムの第１の金属電極層３２、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎからなる第１のＥＬ発光層３４−１、Ｉｎ2 Ｏ
3 等からなる第３の透明電極層３７、第１のＥＬ発光層
３４−１と同じくＺｎＳ：Ｍｎからなる第２のＥＬ発光
層３４−２、そしてＩｎ2 Ｏ3 等からなる第２の透明電
極層３５が順次積層されており、更に最上層として３フ
ッ化エチレンからなる保護膜３６でカバーされている。
【００５９】この構成において両側の第１の金属電極層
３２と第２の透明電極層３５は基準電圧供給源ＶRef に
接続され接地電位に保持されており、真中に位置して、
第１及び第２のＥＬ発光層３４−１，３４−２に挟まれ
た第３の透明電極３７に、駆動電圧印加手段としてのＥ
Ｌ駆動用電源２０から１００Ｖ、１ｋＨｚの高周波の駆
動信号が印加される。この信号による電界は、それぞ
れ、第３の透明電極３７と第１の金属電極層３２との間
の第１のＥＬ発光層３４−１に印加されるとともに、第
３の透明電極３７と第２の透明電極層３５との間の第２
のＥＬ発光層３４−２に印加され、両方のＥＬ発光層３
４−１，３４−２が発光する。そして、第１のＥＬ発光
層３４−１からの光の半分は直接第３透明電極層３７、
第２のＥＬ発光層３４−２を通過して第２の透明電極層
３５より射出される。また一方、第１のＥＬ発光層３４
−１からの他の光は、アルミニウムの第１の金属電極層
３２で反射されて、同様に第２の透明電極層３５より射
出される。従って、第２の透明電極層３５からは一部Ｅ
Ｌ発光層等で吸収された光以外の第１及び第２のＥＬ発
光層３４−１，３４−２の光が合わさって射出される
為、一層の発光層の場合より倍近い明るさが得られる。
３２と第２の透明電極層３５は基準電圧供給源ＶRef に
接続され接地電位に保持されており、真中に位置して、
第１及び第２のＥＬ発光層３４−１，３４−２に挟まれ
た第３の透明電極３７に、駆動電圧印加手段としてのＥ
Ｌ駆動用電源２０から１００Ｖ、１ｋＨｚの高周波の駆
動信号が印加される。この信号による電界は、それぞ
れ、第３の透明電極３７と第１の金属電極層３２との間
の第１のＥＬ発光層３４−１に印加されるとともに、第
３の透明電極３７と第２の透明電極層３５との間の第２
のＥＬ発光層３４−２に印加され、両方のＥＬ発光層３
４−１，３４−２が発光する。そして、第１のＥＬ発光
層３４−１からの光の半分は直接第３透明電極層３７、
第２のＥＬ発光層３４−２を通過して第２の透明電極層
３５より射出される。また一方、第１のＥＬ発光層３４
−１からの他の光は、アルミニウムの第１の金属電極層
３２で反射されて、同様に第２の透明電極層３５より射
出される。従って、第２の透明電極層３５からは一部Ｅ
Ｌ発光層等で吸収された光以外の第１及び第２のＥＬ発
光層３４−１，３４−２の光が合わさって射出される
為、一層の発光層の場合より倍近い明るさが得られる。
【００６０】また、両側の第１及び第２の電極３２，３
５が接地されている為、駆動信号の電界が外部に漏れる
事はなく、従って電磁ノイズの発生はない。
５が接地されている為、駆動信号の電界が外部に漏れる
事はなく、従って電磁ノイズの発生はない。
【００６１】尚、本実施例の構造で、必要あれば、第１
実施例のように、電極とＥＬ発光層との間にＳｉ
3 Ｎ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなる絶縁膜を挟む構
成や、耐湿性を上げる為に、保護層との間に吸湿層を入
れる構成をとる事ができる。
実施例のように、電極とＥＬ発光層との間にＳｉ
3 Ｎ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなる絶縁膜を挟む構
成や、耐湿性を上げる為に、保護層との間に吸湿層を入
れる構成をとる事ができる。
【００６２】本実施例についても、図３の受光素子の主
電極１５，１６の間を流れた光電流は、図２に示すよう
な蓄積容量及び薄膜トランジスタを用いた回路により電
気信号として読み出されることは第１実施例と同様であ
る。
電極１５，１６の間を流れた光電流は、図２に示すよう
な蓄積容量及び薄膜トランジスタを用いた回路により電
気信号として読み出されることは第１実施例と同様であ
る。
【００６３】以上詳細に説明したように、実施例１，２
によれば、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを接
地電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノイ
ズの影響を与えないようにすることができる。
によれば、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを接
地電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノイ
ズの影響を与えないようにすることができる。
【００６４】かかるＥＬ素子を光源として用いたイメー
ジセンサーにおいては、光電変換部から出力される信号
にＥＬ素子からのノイズの影響を与えないようにするこ
とが安価な構成で可能となる。
ジセンサーにおいては、光電変換部から出力される信号
にＥＬ素子からのノイズの影響を与えないようにするこ
とが安価な構成で可能となる。
【００６５】また実施例１，２によれば、第１及び第２
の電極を接地し、該第３の電極に電圧を印加して、第１
のＥＬ発光層及び第２のＥＬ発光層を発光させること
で、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを接地電極
で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノイズの影
響を与えないようにするとともに、一方のＥＬ発光層か
らの発光に、第３の透明な電極を通して他方のＥＬ発光
層からの発光が加えられるため、従来と比較して倍近い
光量を放出することができる。
の電極を接地し、該第３の電極に電圧を印加して、第１
のＥＬ発光層及び第２のＥＬ発光層を発光させること
で、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを接地電極
で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノイズの影
響を与えないようにするとともに、一方のＥＬ発光層か
らの発光に、第３の透明な電極を通して他方のＥＬ発光
層からの発光が加えられるため、従来と比較して倍近い
光量を放出することができる。
【００６６】かかるＥＬ素子を光源として用いたイメー
ジセンサーにおいては、ＥＬ素子の駆動信号が外に漏れ
る事がないのでセンサー等にノイズを与える事なく、又
約２倍の光量を得る事ができる為、高い画像信号が得ら
れ、その結果、高いＳ／Ｎ比のイメージセンサーを得る
ことができる。 （第３実施例）以下に本発明の実施例について図面を参
照して説明する。
ジセンサーにおいては、ＥＬ素子の駆動信号が外に漏れ
る事がないのでセンサー等にノイズを与える事なく、又
約２倍の光量を得る事ができる為、高い画像信号が得ら
れ、その結果、高いＳ／Ｎ比のイメージセンサーを得る
ことができる。 （第３実施例）以下に本発明の実施例について図面を参
照して説明する。
【００６７】図４は本発明の一実施例によるイメージセ
ンサーを示した回路構成図である。図において、１１３
は、ＥＬ素子自身の容量成分ＣELを用いて交流を発生す
る他励式ＥＬ駆動装置、１１４および１１５はＣ，Ｒに
よって任意の長さのパルスをトリガーによって生成する
単安定マルチバイブレータ、１１６は制御回路からの制
御信号によって同期信号を発生する同期信号発生装置で
ある。また図５に各部の信号波形を示す。
ンサーを示した回路構成図である。図において、１１３
は、ＥＬ素子自身の容量成分ＣELを用いて交流を発生す
る他励式ＥＬ駆動装置、１１４および１１５はＣ，Ｒに
よって任意の長さのパルスをトリガーによって生成する
単安定マルチバイブレータ、１１６は制御回路からの制
御信号によって同期信号を発生する同期信号発生装置で
ある。また図５に各部の信号波形を示す。
【００６８】次に本実施例の光電変換装置の動作を説明
する：まず、制御回路からの制御信号により、同期信号
発生装置１１６から、図５に符号１１９で示すような同
期信号が発生する。この同期信号１１９によって図４に
示す単安定マルチバイブレータ１１４、コンデンサＣ
ext および抵抗Ｒext で構成されたパルス発生装置１１
７では、Ｃext ×Ｒext ＝Ｔ1 で表される時間を持つＥ
Ｌ駆動パルス（図５の２０に示す）が発生し、この間、
他励式ＥＬ駆動装置１１３のスイッチＳＷELが開かれ
る。
する：まず、制御回路からの制御信号により、同期信号
発生装置１１６から、図５に符号１１９で示すような同
期信号が発生する。この同期信号１１９によって図４に
示す単安定マルチバイブレータ１１４、コンデンサＣ
ext および抵抗Ｒext で構成されたパルス発生装置１１
７では、Ｃext ×Ｒext ＝Ｔ1 で表される時間を持つＥ
Ｌ駆動パルス（図５の２０に示す）が発生し、この間、
他励式ＥＬ駆動装置１１３のスイッチＳＷELが開かれ
る。
【００６９】このスイッチＳＷELの開閉に伴い、ＥＬ自
身の持つ容量成分ＣELによって、他励式ＥＬ駆動装置で
は図５に１２１で示すような交流電界が生じ、ＥＬ素子
３０は交流点灯し、原稿照明動作を行う。
身の持つ容量成分ＣELによって、他励式ＥＬ駆動装置で
は図５に１２１で示すような交流電界が生じ、ＥＬ素子
３０は交流点灯し、原稿照明動作を行う。
【００７０】同様に同期信号１１９によって、センサ駆
動装置１１８の単安定マルチバイブレータ１１５では、
電荷蓄積時間に相当する長さのパルス１２３がＴ2 ＝Ｃ
ext2×Ｒext2によって作られる。このパルス１２３によ
って、図４のスイッチＳＷ1〜ＳＷn は同時に開閉し、
原稿散乱光５０に対応する電荷がコンデンサＣ1 〜Ｃn
に蓄積される。
動装置１１８の単安定マルチバイブレータ１１５では、
電荷蓄積時間に相当する長さのパルス１２３がＴ2 ＝Ｃ
ext2×Ｒext2によって作られる。このパルス１２３によ
って、図４のスイッチＳＷ1〜ＳＷn は同時に開閉し、
原稿散乱光５０に対応する電荷がコンデンサＣ1 〜Ｃn
に蓄積される。
【００７１】コンデンサＣ1 〜Ｃn に蓄積された電荷
は、図４に符号５で示される出力信号処理回路で、図５
の波形１２４のような出力信号に変換され、１ラインの
読取動作が完了する。
は、図４に符号５で示される出力信号処理回路で、図５
の波形１２４のような出力信号に変換され、１ラインの
読取動作が完了する。
【００７２】図５の波形１２３は蓄積時間内の原稿照明
光量を示す。同期信号１１９により各ラインの読取動作
と原稿照明動作を同期させて行うことにより、常に一定
の積分光量１２２−１，１２２−２を得ることが可能で
ある。
光量を示す。同期信号１１９により各ラインの読取動作
と原稿照明動作を同期させて行うことにより、常に一定
の積分光量１２２−１，１２２−２を得ることが可能で
ある。
【００７３】上述のとおり、図４に示すようなＥＬ自身
の容量成分ＣELを用いた他励式ＥＬ駆動装置１１３は、
同期動作を行わせるのに適している。
の容量成分ＣELを用いた他励式ＥＬ駆動装置１１３は、
同期動作を行わせるのに適している。
【００７４】また上記のような同期動作を行わせれば、
ＥＬ素子３０を不必要に高周波で駆動することがないた
めに、いたずらにＥＬの光量劣化を促進することがな
い。
ＥＬ素子３０を不必要に高周波で駆動することがないた
めに、いたずらにＥＬの光量劣化を促進することがな
い。
【００７５】なお上記の例では、蓄積型読取りセンサ３
を光によって抵抗値の変化する光導電素子とコンデンサ
で構成したが、フォトダイオードなどのような光起電力
素子とコンデンサとを組み合わせて、蓄積型読取りセン
サを構成することも可能である。 （第４実施例）図６は、本発明の他の実施例によるイメ
ージセンサーを示した回路構成図である。また図７およ
び図８は図６の回路の各部の信号波形を示す。この実施
例では、列状に配置されたｎ個の読取り用センサは、ａ
個ずつｂ個のブロックに分割されており、ｎ＝ａ×ｂの
関係がある。ｂ個のブロックは、各々異ったタイミング
で読取動作すなわち電荷の蓄積を行う。
を光によって抵抗値の変化する光導電素子とコンデンサ
で構成したが、フォトダイオードなどのような光起電力
素子とコンデンサとを組み合わせて、蓄積型読取りセン
サを構成することも可能である。 （第４実施例）図６は、本発明の他の実施例によるイメ
ージセンサーを示した回路構成図である。また図７およ
び図８は図６の回路の各部の信号波形を示す。この実施
例では、列状に配置されたｎ個の読取り用センサは、ａ
個ずつｂ個のブロックに分割されており、ｎ＝ａ×ｂの
関係がある。ｂ個のブロックは、各々異ったタイミング
で読取動作すなわち電荷の蓄積を行う。
【００７６】前述の実施例と同様に、同期信号発生装置
１１６から発生する同期信号１１９′によって、パルス
発生装置１１７から任意の長さのパルスが他励式ＥＬ駆
動装置１１３に与えられる。またセンサ駆動装置１１８
では、同期信号１１９′によって、波形１２３′のよう
なパルスが各ブロックに対して与えられる。
１１６から発生する同期信号１１９′によって、パルス
発生装置１１７から任意の長さのパルスが他励式ＥＬ駆
動装置１１３に与えられる。またセンサ駆動装置１１８
では、同期信号１１９′によって、波形１２３′のよう
なパルスが各ブロックに対して与えられる。
【００７７】このように同期を行うことによって、１ラ
インの読取りセンサが複数のブロックに分割され、各々
異なったタイミングで読取り動作を行うバースト駆動の
光電変換装置においても、各ブロックの積分光量１２
２′−１，１２２′−２，１２２′−３，１２２′−４
を一定とすることができる。
インの読取りセンサが複数のブロックに分割され、各々
異なったタイミングで読取り動作を行うバースト駆動の
光電変換装置においても、各ブロックの積分光量１２
２′−１，１２２′−２，１２２′−３，１２２′−４
を一定とすることができる。
【００７８】またバースト駆動の光電変換装置におい
て、各ブロックが図８の１２５のような蓄積タイミング
を持つ場合、ＥＬ１を波形１２６のようにブロック蓄積
時間の整数分の１の周期で点灯させることにより（図８
では１／５周期）各ブロックの積分光量を一定にするこ
とができる。
て、各ブロックが図８の１２５のような蓄積タイミング
を持つ場合、ＥＬ１を波形１２６のようにブロック蓄積
時間の整数分の１の周期で点灯させることにより（図８
では１／５周期）各ブロックの積分光量を一定にするこ
とができる。
【００７９】以上に説明したように実施例３，４によれ
ば、簡単な回路で蓄積型読取センサの蓄積タイミングに
よる照明光量の差をなくし、画像をより忠実に再現でき
るという効果がある。
ば、簡単な回路で蓄積型読取センサの蓄積タイミングに
よる照明光量の差をなくし、画像をより忠実に再現でき
るという効果がある。
【００８０】また従来のように大きくて高価な駆動回路
を持つことがなく、ＥＬ素子の光量劣化を促進すること
もないため、小型で高品位の画像入力装置を実現するこ
とができる。又、図１や図３に示す構成のうち、符号
１，２，１０にて示される部分を周知の液晶表示装置や
液晶シャッター等に置換すれば液晶装置となることは明
らかである。
を持つことがなく、ＥＬ素子の光量劣化を促進すること
もないため、小型で高品位の画像入力装置を実現するこ
とができる。又、図１や図３に示す構成のうち、符号
１，２，１０にて示される部分を周知の液晶表示装置や
液晶シャッター等に置換すれば液晶装置となることは明
らかである。
【００８１】更に、実施例１，２のＥＬ素子及び受光素
子の駆動方法として、実施例３，４に示した方法を作用
すれば各々の効果を同時に奏するイメージセンサーとな
ることは明らかである。
子の駆動方法として、実施例３，４に示した方法を作用
すれば各々の効果を同時に奏するイメージセンサーとな
ることは明らかである。
【００８２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の第
１のＥＬ素子によれば、ＥＬ素子の駆動信号から発生す
るノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配
設される部材にノイズの影響を与えないようにすること
ができる。
１のＥＬ素子によれば、ＥＬ素子の駆動信号から発生す
るノイズを基準電圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配
設される部材にノイズの影響を与えないようにすること
ができる。
【００８３】かかる本発明の第１のＥＬ素子を光源とし
て用いた本発明の第１のイメージセンサーにおいては、
光電変換部から出力される信号にＥＬ素子からのノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能と
なる。
て用いた本発明の第１のイメージセンサーにおいては、
光電変換部から出力される信号にＥＬ素子からのノイズ
の影響を与えないようにすることが安価な構成で可能と
なる。
【００８４】本発明の第１のＥＬ素子を光源として用い
た本発明の第１の液晶装置においては、上記第１のイメ
ージセンサーと同様に、液晶素子にＥＬ素子からのノイ
ズの影響を与えないようにすることが安価な構成で可能
となる。
た本発明の第１の液晶装置においては、上記第１のイメ
ージセンサーと同様に、液晶素子にＥＬ素子からのノイ
ズの影響を与えないようにすることが安価な構成で可能
となる。
【００８５】また本発明の第２のＥＬ素子によれば、第
１及び第２の電極を基準電圧とし、透明電極に駆動電圧
を印加して、第１及び第２のＥＬ発光層を発光させるこ
とで、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを基準電
圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノ
イズの影響を与えないようにするとともに、一方のＥＬ
発光層からの発光に、透明電極を通して他方のＥＬ発光
層からの発光が加えられるため、従来と比較して倍近い
光量を放出することができる。
１及び第２の電極を基準電圧とし、透明電極に駆動電圧
を印加して、第１及び第２のＥＬ発光層を発光させるこ
とで、ＥＬ素子の駆動信号から発生するノイズを基準電
圧の電極で遮り、ＥＬ素子の周囲に配設される部材にノ
イズの影響を与えないようにするとともに、一方のＥＬ
発光層からの発光に、透明電極を通して他方のＥＬ発光
層からの発光が加えられるため、従来と比較して倍近い
光量を放出することができる。
【００８６】かかるＥＬ素子を光源として用いた本発明
の第２のイメージセンサーにおいては、ＥＬ素子の駆動
信号が外に漏れる事がないのでセンサー等にノイズを与
えることなく、又約２倍の光量を得る事ができる為、高
い画像信号が得られ、その結果、高いＳ／Ｎ比のイメー
ジセンサーを得ることができる。
の第２のイメージセンサーにおいては、ＥＬ素子の駆動
信号が外に漏れる事がないのでセンサー等にノイズを与
えることなく、又約２倍の光量を得る事ができる為、高
い画像信号が得られ、その結果、高いＳ／Ｎ比のイメー
ジセンサーを得ることができる。
【００８７】また本発明の第２のＥＬ素子を光源として
用いた本発明の第２の液晶装置においては、上記第２の
イメージセンサーと同様に、液晶素子にノイズの影響を
与えないようにすることが安価な構成で可能になるとと
もに、光源の高輝度化を図ることが可能となる。
用いた本発明の第２の液晶装置においては、上記第２の
イメージセンサーと同様に、液晶素子にノイズの影響を
与えないようにすることが安価な構成で可能になるとと
もに、光源の高輝度化を図ることが可能となる。
【００８８】また本発明の第３のイメージセンサーによ
れば、簡単な回路で蓄積型読取センサの蓄積タイミング
による照明光量の差をなくし、画像をより忠実に再現で
きるという効果がある。
れば、簡単な回路で蓄積型読取センサの蓄積タイミング
による照明光量の差をなくし、画像をより忠実に再現で
きるという効果がある。
【００８９】また従来のように大きくて高価な駆動回路
を持つことがなく、ＥＬ素子の光量劣化を促進すること
もないため、小型で高品位の画像入力装置を実現するこ
とができる。
を持つことがなく、ＥＬ素子の光量劣化を促進すること
もないため、小型で高品位の画像入力装置を実現するこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例にかかるＥＬ素子を有する
イメージセンサーの模式的断面図である。
イメージセンサーの模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施例におけるイメージセンサーの
回路構成図である。
回路構成図である。
【図３】本発明の第２実施例にかかるＥＬ素子を有する
イメージセンサーの模式的断面図である。
イメージセンサーの模式的断面図である。
【図４】本発明の第３実施例によるイメージセンサーを
説明する為の模式図である。
説明する為の模式図である。
【図５】図４に示すイメージセンサーの動作を説明する
為のタイミングチャートである。
為のタイミングチャートである。
【図６】本発明の第４実施例によるイメージセンサーを
説明する為の模式図である。
説明する為の模式図である。
【図７】図６に示すイメージセンサーの動作を説明する
為のタイミングチャートである。
為のタイミングチャートである。
【図８】図６に示すイメージセンサーの他の動作を説明
する為のタイミングチャートである。
する為のタイミングチャートである。
【図９】従来のイメージセンサーの模式的断面図であ
る。
る。
【図１０】図９に示すＥＬ素子の駆動信号を示す波形図
である。
である。
【図１１】イメージセンサーの一例を示す模式的断面図
である。
である。
【図１２】従来のＥＬ素子駆動回路における自励式イン
バータを示す回路図である。
バータを示す回路図である。
【図１３】従来のＥＬ素子を有するイメージセンサーを
説明する為の模式図である。
説明する為の模式図である。
【図１４】従来のＥＬ素子を有するイメージセンサーの
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図１５】従来のイメージセンサーにおける蓄積タイミ
ングと原稿照明光量との関係を示すタイミングチャート
である。
ングと原稿照明光量との関係を示すタイミングチャート
である。
【図１６】周波数が高い自励式インバータを有するイメ
ージセンサーの蓄積タイミングと原稿照明光量との関係
を示すタイミングチャートである。
ージセンサーの蓄積タイミングと原稿照明光量との関係
を示すタイミングチャートである。
【図１７】図１６のイメージセンサーにおけるＥＬ素子
の駆動周波数と光量劣化の関係を示すグラフである。
の駆動周波数と光量劣化の関係を示すグラフである。
１ 透明基板 ２ 透明絶縁層 １０ 受光素子 １７ 中間樹脂層 ２０ ＥＬ駆動用電源 ３０ ＥＬ素子部 ３１ 支持基板 ３２ 金属電極（第１アルミニウム金属電極層） ３３ 絶縁層 ３４ 発光層 ３４−１ 第１ＥＬ発光層 ３４−２ 第２ＥＬ発光層 ３５ 透明電極（第３透明電極層） ３６ 保護膜 ３７ 第３透明電極層 １００ 原稿 １１３ 他励式ＥＬ駆動装置 １１４，１１５ 単安定マルチバイブレータ １１６ 同期信号発生装置 １１７ パルス発生装置 １１９ 同期信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 33/26 (72)発明者 水谷 英正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス発光層を挟む
二つの電極間に電圧を印加することで、発光を行うエレ
クトロルミネッセンス素子において、 前記エレクトロルミネッセンス発光層の一方の面側の電
極を透明電極とし、この透明電極を基準電圧を与える電
圧源に接続し、他方の電極に駆動電圧を印加することで
発光させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項２】 少なくとも第１のエレクトロルミネッセ
ンス発光層上に透明電極を介して第２のエレクトロルミ
ネッセンス発光層を形成してなる発光領域を挟んで、少
なくとも一方が透明な第１及び第２の電極が設けられた
エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記第１及び第２の電極を基準電圧を与える電圧源に接
続し、前記透明電極に駆動電圧を印加することで、前記
第１及び第２のエレクトロルミネッセンス発光層を発光
させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項３】 光源と、該光源により照明された原稿か
らの反射光を受光する受光素子と、を有するイメージセ
ンサーにおいて、 前記光源は、光出射側に設けられた透明電極と、対向電
極と、該透明電極と該対向電極との間に設けられたエレ
クトロルミネッセンス発光層と、を有するエレクトロル
ミネッセンス素子であり、更に、 前記透明電極に接続され、該透明電極に基準電圧を供給
する為の電圧供給手段と、 前記対向電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段
と、 を有するイメージセンサー。 - 【請求項４】 光源と、該光源により照明された原稿か
らの反射光を受光する受光素子と、を有するイメージセ
ンサーにおいて、 前記光源は、第１の電極層と該第１の電極上に設けられ
た第１のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第１の
エレクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明電
極と、該透明電極上に設けられた第２のエレクトロルミ
ネッセンス発光層と、該第２のエレクトロルミネッセン
ス発光層上に設けられた透明な第２の電極と、を有し、
前記第２の電極側より照明光を発するエレクトロルミネ
ッセンス素子であり、 前記第１及び第２の電極に接続され、該第１及び第２の
電極に基準電圧を供給する為の電圧供給手段と、 前記透明電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段
と、を有するイメージセンサー。 - 【請求項５】 光源と、該光源からの照明光を選択的に
透過する液晶素子と、を有する液晶装置において、 前記光源は、光出射側に設けられた透明電極と、対向電
極と、該透明電極と該対向電極との間に設けられたエレ
クトロルミネッセンス発光層と、を有するエレクトロル
ミネッセンス素子であり、更に、 前記透明電極に接続され、該透明電極に基準電圧を供給
する為の電圧供給手段と、 前記対向電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段
と、を有する液晶装置。 - 【請求項６】 光源と、該光源からの照明光を選択的に
透過する液晶素子と、を有する液晶装置において、 前記光源は、第１の電極層と該第１の電極上に設けられ
た第１のエレクトロルミネッセンス発光層と、該第１の
エレクトロルミネッセンス発光層上に設けられた透明電
極と、該透明電極上に設けられた第２のエレクトロルミ
ネッセンス発光層と、該第２のエレクトロルミネッセン
ス発光層上に設けられた透明な第２の電極と、を有し、
前記第２の電極側より照明光を発光するエレクトロルミ
ネッセンス素子であり、 前記第１及び第２の電極に接続され、該第１及び第２の
電極に基準電圧を供給する為の電圧供給手段と、 前記透明電極に駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段
と、を有する液晶装置。 - 【請求項７】 光源と、被読取物から反射された光を受
光し、光に応じた電荷を蓄積することのできる受光素子
アレイとを備えたイメージセンサーにおいて、 前記光源は交流発光するエレクトロルミネッセンス素子
であり、該エレクトロルミネッセンス素子自身の容量成
分を用いて、外部からのパルスで同期動作可能な他励式
エレクトロルミネッセンス素子駆動回路を設け、前記エ
レクトロルミネッセンス素子の照明動作と前記受光素子
アレイによる読取り動作とを同期して行わせるようにし
たことを特徴とするイメージセンサー。 - 【請求項８】 前記受光素子アレイは、蓄積タイミング
の異なる複数のブロックに分割されて構成されており、
前記各ブロックに対して照明動作と読取動作とを同期し
て行わせることを特徴とする請求項７に記載のイメージ
センサー。 - 【請求項９】 各ブロックの前記受光素子は、前記光源
の照明動作の周期の整数倍の蓄積時間を持つことを特徴
とする請求項８に記載のイメージセンサー。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24246191 | 1991-08-29 | ||
| JP3-242461 | 1991-08-29 | ||
| JP3-244159 | 1991-08-30 | ||
| JP24415991 | 1991-08-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257430A true JPH05257430A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=26535764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245966A Pending JPH05257430A (ja) | 1991-08-29 | 1992-08-24 | エレクトロルミネッセンス素子、イメージセンサー、液晶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5384456A (ja) |
| JP (1) | JPH05257430A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004096736A (ja) * | 2003-08-04 | 2004-03-25 | Tdk Corp | 光源付きイメージセンサ |
| WO2006046553A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
| CN112425266A (zh) * | 2018-07-05 | 2021-02-26 | 阿弗拉科技有限责任公司 | 开路电致发光系统 |
| US11892404B2 (en) | 2018-07-05 | 2024-02-06 | AhuraTech LLC | Electroluminescent methods and devices for characterization of biological specimens |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1263084B (it) * | 1993-04-20 | 1996-07-24 | Luciano Abbatemaggio | Documento di riconoscimento ad effetto di elettroluminescenza ed il procedimento per la sua realizzazione. |
| US5754064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-05-19 | Chien; Tseng Lu | Driver/control circuit for a electro-luminescent element |
| US6642991B2 (en) * | 1999-09-30 | 2003-11-04 | Honeywell International Inc. | Method of utilizing absorbing means in coupling substrate |
| JP3448534B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | 密着形イメージセンサユニット |
| KR100652037B1 (ko) * | 2000-08-26 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 제조방법 |
| JP4073162B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2008-04-09 | ウシオ電機株式会社 | 画像読取装置 |
| US6836260B2 (en) * | 2001-07-31 | 2004-12-28 | Eastman Kodak Company | Light emitting flat-panel display |
| US8421755B2 (en) * | 2006-01-17 | 2013-04-16 | World Properties, Inc. | Capacitive touch sensor with integral EL backlight |
| US20080238881A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | N-Trig Ltd. | Shield for a digitizer sensor |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3604938A (en) * | 1969-04-29 | 1971-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for operating electroluminescence display device |
| US3699374A (en) * | 1971-07-15 | 1972-10-17 | Hughes Aircraft Co | Light activated, high resolution, field sustained conductivity image storage and display device |
| JPS5437800B2 (ja) * | 1973-06-19 | 1979-11-16 | ||
| US4027192A (en) * | 1975-07-18 | 1977-05-31 | Rca Corporation | Electroluminescent device comprising electroluminescent layer containing indium oxide and/or tin oxide |
| CH609521B (fr) * | 1976-05-13 | Ebauches Sa | Dispositif electro-optique d'affichage passif. | |
| US4208869A (en) * | 1976-07-31 | 1980-06-24 | Citizen Watch Co., Ltd. | Illumination device for electronic timepiece |
| US4126384A (en) * | 1976-08-13 | 1978-11-21 | Rca Corporation | Self-illuminated liquid crystal display device |
| US4238793A (en) * | 1979-03-29 | 1980-12-09 | Timex Corporation | Electroluminescent backlight for electrooptic displays |
| JPS5810481U (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS5937530A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6252533A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶カラ−表示パネル |
| JPS62200326A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Komatsu Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6310493A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-18 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
| JPH01188894A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JP2752665B2 (ja) * | 1988-11-09 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 表示付携帯無線機 |
| JPH0437065A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光源一体型イメージセンサ |
| JPH0440413A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5121234A (en) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Honeywell Incorporated | Dichroic liquid crystal display with integral electroluminescent backlighting |
| JPH05186561A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-07-27 | Dow Chem Nippon Kk | ポリウレタンフォ−ムの製法 |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP4245966A patent/JPH05257430A/ja active Pending
- 1992-08-25 US US07/934,326 patent/US5384456A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-23 US US08/294,361 patent/US5486738A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-08-08 US US08/512,697 patent/US5703666A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004096736A (ja) * | 2003-08-04 | 2004-03-25 | Tdk Corp | 光源付きイメージセンサ |
| WO2006046553A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
| US7973747B2 (en) | 2004-10-28 | 2011-07-05 | Panasonic Corporation | Display and display driving method |
| CN112425266A (zh) * | 2018-07-05 | 2021-02-26 | 阿弗拉科技有限责任公司 | 开路电致发光系统 |
| CN112425266B (zh) * | 2018-07-05 | 2023-06-23 | 阿弗拉科技有限责任公司 | 开路电致发光系统 |
| US11892404B2 (en) | 2018-07-05 | 2024-02-06 | AhuraTech LLC | Electroluminescent methods and devices for characterization of biological specimens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5486738A (en) | 1996-01-23 |
| US5703666A (en) | 1997-12-30 |
| US5384456A (en) | 1995-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100255988B1 (ko) | 화상판독장치 | |
| US5313055A (en) | Two-dimensional image read/display device | |
| JPH05257430A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子、イメージセンサー、液晶装置 | |
| US4908718A (en) | Image reading apparatus having a light shielding layer arranged on the sides of the substrate and protective layers of a photo sensor | |
| EP0569090B1 (en) | Image sensor | |
| US8519912B2 (en) | Liquid-crystal display apparatus | |
| EP0177275A2 (en) | Photosensor suited for image sensor | |
| US4660095A (en) | Contact-type document scanner and method | |
| JP3847889B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| CN108022559B (zh) | 一种光敏检测模块、光源模组与电泳显示装置 | |
| JPH02265362A (ja) | 密着型イメージセンサ装置 | |
| KR100434005B1 (ko) | 영상 감지기 | |
| US5525866A (en) | Edge emitter as a directional line source | |
| JPH0563914A (ja) | 画像読取装置及びそれを用いた情報処理装置 | |
| CN113380186A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| KR100973817B1 (ko) | 광 감지 액정 표시 장치 | |
| JPH0748786B2 (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0541775A (ja) | 画像読取り装置 | |
| KR100705622B1 (ko) | 광감지 소자를 구비하는 액정표시장치 | |
| US5717502A (en) | Image reading device and information processor having the image reading device | |
| JPS6217877B2 (ja) | ||
| JP2830177B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0563915A (ja) | 画像読取り装置 | |
| GB2161952A (en) | Optical processors | |
| JP2958484B2 (ja) | 光源一体型画像読取装置におけるｅｌ発光素子の駆動方法 |