JPH0563915A - 画像読取り装置 - Google Patents
画像読取り装置Info
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- JPH0563915A JPH0563915A JP3244157A JP24415791A JPH0563915A JP H0563915 A JPH0563915 A JP H0563915A JP 3244157 A JP3244157 A JP 3244157A JP 24415791 A JP24415791 A JP 24415791A JP H0563915 A JPH0563915 A JP H0563915A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明電極による電圧降下を低減し、開口部下
の発光層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の発光
効率を増加させる。 【構成】 ＥＬ発光素子の発光照射面側にあたる電極
が、開口部を有する高導電性電極３６と、少なくとも前
記開口部に有する透明電極３５とで形成されている。
の発光層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の発光
効率を増加させる。 【構成】 ＥＬ発光素子の発光照射面側にあたる電極
が、開口部を有する高導電性電極３６と、少なくとも前
記開口部に有する透明電極３５とで形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置、デ
ジタル複写機等に好適に用いられる画像読取り装置に関
する。
ジタル複写機等に好適に用いられる画像読取り装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ファクシミリやデジタル複写機等
のいわゆる電子事務機の普及に伴い、小型で低コストの
画像読取り装置の需要が高まっている。そこで、原稿に
直接接触できるとともに、結像系が不要であるか、また
は、結像系の光路長の短い等倍型の画像読取り装置が注
目されている。
のいわゆる電子事務機の普及に伴い、小型で低コストの
画像読取り装置の需要が高まっている。そこで、原稿に
直接接触できるとともに、結像系が不要であるか、また
は、結像系の光路長の短い等倍型の画像読取り装置が注
目されている。
【０００３】このような小型の等倍型画像読取り装置の
光源として、ＥＬ発光素子を用いて更なる小型化を図っ
たものが提案されている。
光源として、ＥＬ発光素子を用いて更なる小型化を図っ
たものが提案されている。
【０００４】この画像読取り装置は、例えば図４に示す
ように、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉという）
等を用いた薄膜受光素子アレイ１０、蓄積容量及び薄膜
トランジスタ（図示せず）を形成し、その上に原稿との
スペーサを兼ねる透明絶縁層２を設けた光電変換部を配
置したガラス等の透明基板１の下部に、ＥＬ発光素子部
３０を配置したものである。ＥＬ発光素子部３０は接着
剤等を用いて透明基板１に固定される、あるいは接着剤
等を用いずに保持部材により固定されている。
ように、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉという）
等を用いた薄膜受光素子アレイ１０、蓄積容量及び薄膜
トランジスタ（図示せず）を形成し、その上に原稿との
スペーサを兼ねる透明絶縁層２を設けた光電変換部を配
置したガラス等の透明基板１の下部に、ＥＬ発光素子部
３０を配置したものである。ＥＬ発光素子部３０は接着
剤等を用いて透明基板１に固定される、あるいは接着剤
等を用いずに保持部材により固定されている。
【０００５】ＥＬ発光素子部３０は、金属電極３２、絶
縁層３３、発光層３４、絶縁層３８、透明電極３５を基
板３１上に順次積層したサンドイッチ構造で構成され、
保護膜３７により覆われている。金属電極３２と透明電
極３５との間に駆動信号を与え、両者に挟まれた発光層
３４から光が放射される。
縁層３３、発光層３４、絶縁層３８、透明電極３５を基
板３１上に順次積層したサンドイッチ構造で構成され、
保護膜３７により覆われている。金属電極３２と透明電
極３５との間に駆動信号を与え、両者に挟まれた発光層
３４から光が放射される。
【０００６】発光層３４から放射した光は、透明電極３
５、透明基板１、透明絶縁層２を通って原稿１００を照
射する。原稿の濃淡に応じた反射光５０が、光電変換部
の受光素子アレイ１０上に入射する。この入射した光に
応じて受光素子に光電流が流れる。
５、透明基板１、透明絶縁層２を通って原稿１００を照
射する。原稿の濃淡に応じた反射光５０が、光電変換部
の受光素子アレイ１０上に入射する。この入射した光に
応じて受光素子に光電流が流れる。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
述した画像読取り装置の構造によると、ＥＬ発光素子部
３０における透明電極３５の材料はＩＴＯ，ＳｎＯ2 等
で構成され、金属に比べて比抵抗が大きく、かつ、高透
過性を必要とする為、厚膜化が困難なことからシート抵
抗値が大きい。よって透明電極３５により電圧降下が生
じ、発光層３４に印加される電圧が低下し、ＥＬ発光素
子の発光効率の低下を招いていた。
述した画像読取り装置の構造によると、ＥＬ発光素子部
３０における透明電極３５の材料はＩＴＯ，ＳｎＯ2 等
で構成され、金属に比べて比抵抗が大きく、かつ、高透
過性を必要とする為、厚膜化が困難なことからシート抵
抗値が大きい。よって透明電極３５により電圧降下が生
じ、発光層３４に印加される電圧が低下し、ＥＬ発光素
子の発光効率の低下を招いていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の問題点を解決する
ために、本発明は、原稿を照射するＥＬ発光素子と、前
記原稿からの反射光を読み取る受光素子を含む光電変換
部とを具備する画像読取り装置において、前記ＥＬ発光
素子の発光照射面側にあたる電極が、開口部を有する高
導電性電極と、少なくとも前記開口部に有する透明電極
とで形成されていることを特徴とする。
ために、本発明は、原稿を照射するＥＬ発光素子と、前
記原稿からの反射光を読み取る受光素子を含む光電変換
部とを具備する画像読取り装置において、前記ＥＬ発光
素子の発光照射面側にあたる電極が、開口部を有する高
導電性電極と、少なくとも前記開口部に有する透明電極
とで形成されていることを特徴とする。
【０００９】なお、ここで高導電性電極とは、前記透明
電極よりも導電率の高い電極をいい、例えばＡｌ等から
成る金属、導電性樹脂等からなる電極を示す。
電極よりも導電率の高い電極をいい、例えばＡｌ等から
成る金属、導電性樹脂等からなる電極を示す。
【００１０】
【作用】本発明は、ＥＬ発光素子の発光照射面側にあた
る電極を、開口部を有する金属等の高導電性電極と、少
なくとも前記開口部に有する透明電極とで形成すること
により、前記開口部、すなわち発光照射面以外を高導電
性電極として、透明電極による電圧降下を低減し、開口
部下の発光層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の
発光効率を増加させることで、画像読取り装置の原稿面
照度を高めることを可能とするものである。
る電極を、開口部を有する金属等の高導電性電極と、少
なくとも前記開口部に有する透明電極とで形成すること
により、前記開口部、すなわち発光照射面以外を高導電
性電極として、透明電極による電圧降下を低減し、開口
部下の発光層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の
発光効率を増加させることで、画像読取り装置の原稿面
照度を高めることを可能とするものである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例にもとづき説明する。 〔第１の実施例〕図１は本発明の第１の実施例にかかる
画像読取り装置の断面説明図であり、従来例における、
図４と同様の構成をとる部分については同一符号を付し
ている。受光素子１０は、照明光の直接光の遮光を兼ね
るＡｌ等の金属からなる不透明な下部電極１１、ＳｉＯ
x ，ＳｉＮx 等からなる絶縁層１２、ａ−Ｓｉ：Ｈ等の
半導体層１３、オーミックコンタクトをとるためのドー
ピング層１４、およびＡｌ等から成る主電極１５（ソー
ス電極、ドレイン電極）をガラス等の透明基板１上に順
次積層、パターニングし構成される。主電極の間の半導
体層１３に原稿からの反射光を受けることにより、この
電極間を光電流が流れる。
画像読取り装置の断面説明図であり、従来例における、
図４と同様の構成をとる部分については同一符号を付し
ている。受光素子１０は、照明光の直接光の遮光を兼ね
るＡｌ等の金属からなる不透明な下部電極１１、ＳｉＯ
x ，ＳｉＮx 等からなる絶縁層１２、ａ−Ｓｉ：Ｈ等の
半導体層１３、オーミックコンタクトをとるためのドー
ピング層１４、およびＡｌ等から成る主電極１５（ソー
ス電極、ドレイン電極）をガラス等の透明基板１上に順
次積層、パターニングし構成される。主電極の間の半導
体層１３に原稿からの反射光を受けることにより、この
電極間を光電流が流れる。
【００１２】ＥＬ発光素子部３０は、Ａｌ等の金属から
成る不透明な金属電極３２、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，Ｂａ
ＴｉＯ2 等から成る絶縁層３３、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成
る発光層３４、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，ＢａＴｉＯ2 等か
ら成る絶縁層３８、ＩＴＯ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 等か
ら成る透明電極３５を基板３１上に順次積層し、更にＡ
ｌ等の金属から成る不透明な金属電極（高導電性電極と
なる）３６を積層、パターニングによって、開口部２０
が形成されている。更に保護膜３７により下層は覆われ
ている。なお、透明電極３５と金属電極３６とで上部電
極を構成し、かかる上部電極はＥＬ発光素子の発光照射
面側にあたる電極となる。
成る不透明な金属電極３２、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，Ｂａ
ＴｉＯ2 等から成る絶縁層３３、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成
る発光層３４、Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＮx ，ＢａＴｉＯ2 等か
ら成る絶縁層３８、ＩＴＯ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 等か
ら成る透明電極３５を基板３１上に順次積層し、更にＡ
ｌ等の金属から成る不透明な金属電極（高導電性電極と
なる）３６を積層、パターニングによって、開口部２０
が形成されている。更に保護膜３７により下層は覆われ
ている。なお、透明電極３５と金属電極３６とで上部電
極を構成し、かかる上部電極はＥＬ発光素子の発光照射
面側にあたる電極となる。
【００１３】又、ＥＬ発光素子部３０と光電変換部の基
板１との間は、光学的な損失を最小限にする為接着剤を
介在させ、ＥＬ発光素子を所定の位置に固定している。
また、接着剤は、基板１と屈折率をほぼ同じくし、ＥＬ
発光素子３０から発せられる照明光が基板１の界面で反
射、屈折することを少なくしている。
板１との間は、光学的な損失を最小限にする為接着剤を
介在させ、ＥＬ発光素子を所定の位置に固定している。
また、接着剤は、基板１と屈折率をほぼ同じくし、ＥＬ
発光素子３０から発せられる照明光が基板１の界面で反
射、屈折することを少なくしている。
【００１４】なお、ＥＬ発光素子部３０の透明電極３５
上に設けられる不透明な金属電極３６の開口部２０は、
図４に示した従来例における、透明電極３５で形成され
る発光部と同一の大きさとなるように形成した。このよ
うな構成の本実施例の画像読取り装置は、従来例に比べ
開口部２０下部の発光層に印加される電圧が高められ、
ＥＬ発光素子の発光効率が増加し、原稿面照度の高い画
像読取り装置が得られた。
上に設けられる不透明な金属電極３６の開口部２０は、
図４に示した従来例における、透明電極３５で形成され
る発光部と同一の大きさとなるように形成した。このよ
うな構成の本実施例の画像読取り装置は、従来例に比べ
開口部２０下部の発光層に印加される電圧が高められ、
ＥＬ発光素子の発光効率が増加し、原稿面照度の高い画
像読取り装置が得られた。
【００１５】本実施例では、高導電性電極として発光素
子部の開口部２０を有する金属電極３６をＡｌ等の金属
を堆積、パターニングすることにより形成したが、導電
性樹脂（カーボンやＡｇ等の金属粉体をフィラーとした
塗料又は接着剤等）をスクリーン印刷等で塗布、焼成す
ることによっても、容易に形成でき同様の効果を得るこ
とができる。
子部の開口部２０を有する金属電極３６をＡｌ等の金属
を堆積、パターニングすることにより形成したが、導電
性樹脂（カーボンやＡｇ等の金属粉体をフィラーとした
塗料又は接着剤等）をスクリーン印刷等で塗布、焼成す
ることによっても、容易に形成でき同様の効果を得るこ
とができる。
【００１６】又、無論、開口部２０を有する金属電極３
６は、原稿面を照明するにあたり、不要な光を遮光する
機能を持ち、開口部２０下以外の発光層の不要な散乱光
を防止している。更に、本実施例では不図示であるが、
発光層３４より下層を絶縁層３８及び金属電極３６で覆
う様に形成し、開口部２０を設けることにより発光層３
４の側面からの不要な散乱光をも遮光することが可能で
ある。
６は、原稿面を照明するにあたり、不要な光を遮光する
機能を持ち、開口部２０下以外の発光層の不要な散乱光
を防止している。更に、本実施例では不図示であるが、
発光層３４より下層を絶縁層３８及び金属電極３６で覆
う様に形成し、開口部２０を設けることにより発光層３
４の側面からの不要な散乱光をも遮光することが可能で
ある。
【００１７】尚、本実施例において、ＥＬ発光素子３０
における絶縁膜３８上の上部電極は、透明電極３５上に
開口部２０を有する金属電極３６を設ける構成をなして
いるが、かならずしもこの構成のみに限定されるもので
はなく、例えば、絶縁膜３８上に、先に開口部２０を有
する金属電極３６を設けてから、開口部２０を覆う様に
透明電極３５を設ける構成とすることもできる。又、金
属電極３６の開口部２０以外の透明電極３５をパターニ
ング等により設けない構成とすることも可能であり、本
発明の画像読取り装置のＥＬ発光素子における上部電極
は、開口部を有する金属電極と、少なくとも、前記開口
部に有する透明電極とで形成されていれば、同様の効果
が得られる。
における絶縁膜３８上の上部電極は、透明電極３５上に
開口部２０を有する金属電極３６を設ける構成をなして
いるが、かならずしもこの構成のみに限定されるもので
はなく、例えば、絶縁膜３８上に、先に開口部２０を有
する金属電極３６を設けてから、開口部２０を覆う様に
透明電極３５を設ける構成とすることもできる。又、金
属電極３６の開口部２０以外の透明電極３５をパターニ
ング等により設けない構成とすることも可能であり、本
発明の画像読取り装置のＥＬ発光素子における上部電極
は、開口部を有する金属電極と、少なくとも、前記開口
部に有する透明電極とで形成されていれば、同様の効果
が得られる。
【００１８】次に、本実施例を用いた回路構成及び動作
の一例を説明する。
の一例を説明する。
【００１９】受光素子の主電極１５の間を流れた光電流
は、例えば、図２に示すような蓄積容量及び薄膜トラン
ジスタを用いた回路により電気信号として読み出され
る。図２では９個の受光素子を有する光電変換部の場合
を一例として、取り上げている。
は、例えば、図２に示すような蓄積容量及び薄膜トラン
ジスタを用いた回路により電気信号として読み出され
る。図２では９個の受光素子を有する光電変換部の場合
を一例として、取り上げている。
【００２０】同図において、受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３
は、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで受光素子
アレイを構成している。受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積容量ＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイッチン
グトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。
は、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで受光素子
アレイを構成している。受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積容量ＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイッチン
グトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。
【００２１】また受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３の各ブロック
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通線１０１〜１
０３の一つに接続されている。
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通線１０１〜１
０３の一つに接続されている。
【００２２】次にこのような構成を有する光電変換部の
動作を説明する。
動作を説明する。
【００２３】まず受光素子Ｓ１１〜Ｓ３３に光が入射す
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる。
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる。
【００２４】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３
がオン状態となることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。
がオン状態となることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。
【００２５】続いて、シフトレジスタ２０３から出力さ
れるハイレベルがシフトして、スイッチングトランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となる。
れるハイレベルがシフトして、スイッチングトランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となる。
【００２６】これによって、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０４を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる。
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０４を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる。
【００２７】この動作により、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ
３の残留電荷が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の残留電荷が完全に放電された時点で、シフトレ
ジスタ２０１がシフトし、第２の並列端子からハイレベ
ルが出力される。これによってスイッチングトランジス
タＴ２１〜Ｔ２３がオン状態になり、第２ブロックのコ
ンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコ
ンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。同時点において
シフトレジスタ２０２の第１の並列端子からハイレベル
が出力され、スイッチングトランジスタＲ１１〜Ｒ１３
がオン状態となり、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１３の残
留電荷が完全に放電される。
３の残留電荷が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の残留電荷が完全に放電された時点で、シフトレ
ジスタ２０１がシフトし、第２の並列端子からハイレベ
ルが出力される。これによってスイッチングトランジス
タＴ２１〜Ｔ２３がオン状態になり、第２ブロックのコ
ンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコ
ンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。同時点において
シフトレジスタ２０２の第１の並列端子からハイレベル
が出力され、スイッチングトランジスタＲ１１〜Ｒ１３
がオン状態となり、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１３の残
留電荷が完全に放電される。
【００２８】このように、第１ブロックのコンデンサＣ
Ｓ１１〜ＣＳ１３の放電動作と、第２ブロックのコンデ
ンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される転送動作とが並行して
行なわれる。そして第１ブロックの場合と同様に、シフ
トレジスタ２０３のシフトより、スイッチングトランジ
スタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデンサ
ＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光情報
が順次読み出される。
Ｓ１１〜ＣＳ１３の放電動作と、第２ブロックのコンデ
ンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される転送動作とが並行して
行なわれる。そして第１ブロックの場合と同様に、シフ
トレジスタ２０３のシフトより、スイッチングトランジ
スタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデンサ
ＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光情報
が順次読み出される。
【００２９】第３ブロックの場合も同様に、転送動作と
並行して、第２ブロックのコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２
３の放電動作が行なわれ、以下同様に、上記動作がブロ
ックごとに繰り返される。
並行して、第２ブロックのコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２
３の放電動作が行なわれ、以下同様に、上記動作がブロ
ックごとに繰り返される。
【００３０】なお、ここでは、結像系を不要にした画像
読取り装置を例にあげて説明したが、結像系をもった画
像読取り装置の場合でも同様の効果がある。 〔第２の実施例〕図３は、本発明の第２の実施例にかか
る画像読取り装置の断面説明図であり、従来例における
図４及び本発明の第１の実施例における図１と同様の構
成をとる部分については、同一符号を付している。
読取り装置を例にあげて説明したが、結像系をもった画
像読取り装置の場合でも同様の効果がある。 〔第２の実施例〕図３は、本発明の第２の実施例にかか
る画像読取り装置の断面説明図であり、従来例における
図４及び本発明の第１の実施例における図１と同様の構
成をとる部分については、同一符号を付している。
【００３１】図３に示す様に、本実施例は、受光素子１
０とＥＬ発光素子部３０の間にレンズ４０が設けられて
おり、受光素子１０及びＥＬ発光素子部３０の構成は、
第１の実施例と同様の構成である。
０とＥＬ発光素子部３０の間にレンズ４０が設けられて
おり、受光素子１０及びＥＬ発光素子部３０の構成は、
第１の実施例と同様の構成である。
【００３２】よって、本実施例においても、第１の実施
例と同様にＥＬ発光素子部３０の透明電極３５上に設け
られた開口部２０を有する金属電極３６によって開口部
２０下部の発光層３４に印加される電圧を高めることが
でき、発光素子の発光効率を増加する効果が得られる。
例と同様にＥＬ発光素子部３０の透明電極３５上に設け
られた開口部２０を有する金属電極３６によって開口部
２０下部の発光層３４に印加される電圧を高めることが
でき、発光素子の発光効率を増加する効果が得られる。
【００３３】更に、本実施例の様にレンズ４０を設ける
事により、ＥＬ発光光束を原稿照明領域に集光させ照明
効率を上げると共に原稿面の照明領域を制限することが
でき、解像度の向上が図れた画像読取り装置が得られ
る。
事により、ＥＬ発光光束を原稿照明領域に集光させ照明
効率を上げると共に原稿面の照明領域を制限することが
でき、解像度の向上が図れた画像読取り装置が得られ
る。
【００３４】尚、本実施例において、ＥＬ発光素子部３
０と受光素子１０との間にレンズ４０を別体として配置
したが、ＥＬ発光素子部３０における保護膜３７や、受
光素子１０の透明基板に同様のレンズ機能を持たせ、一
体化することも可能である。
０と受光素子１０との間にレンズ４０を別体として配置
したが、ＥＬ発光素子部３０における保護膜３７や、受
光素子１０の透明基板に同様のレンズ機能を持たせ、一
体化することも可能である。
【００３５】又、本実施例の画像読取り装置も図２で説
明した一例の回路構成・動作を第１の実施例と同様に行
うことができる。
明した一例の回路構成・動作を第１の実施例と同様に行
うことができる。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
画像読取り装置によれば、ＥＬ発光素子における発光照
射面側にあたる電極を、開口部を有する金属電極と少な
くとも開口部に有する透明電極とで形成することによ
り、透明電極による電圧降下を低減し、開口部下の発光
層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の発光効率を
増加させることができ、原稿面照度の増加が図れ、Ｓ／
Ｎ比の改善された小型で安価な画像読取り装置を提供す
ることが可能である。
画像読取り装置によれば、ＥＬ発光素子における発光照
射面側にあたる電極を、開口部を有する金属電極と少な
くとも開口部に有する透明電極とで形成することによ
り、透明電極による電圧降下を低減し、開口部下の発光
層に印加される電圧を高め、ＥＬ発光素子の発光効率を
増加させることができ、原稿面照度の増加が図れ、Ｓ／
Ｎ比の改善された小型で安価な画像読取り装置を提供す
ることが可能である。
【図１】本発明の第１の実施例における画像読取り装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図２】本発明の一実施例における画像読取り装置の等
価回路である。
価回路である。
【図３】本発明の第２の実施例における画像読取り装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図４】従来の画像読取り装置の断面説明図である。
１ 透明基板 ２ 透明絶縁層 １０ 受光素子 ２０ 開口部 ３０ ＥＬ発光素子部 ３１ 支持基板 ３２ 金属電極 ３３ 絶縁層 ３４ 発光層 ３５ 透明電極 ３６ 金属電極 ３７ 保護膜 ３８ 絶縁層 ４０ レンズ １００ 原稿
Claims (2)
- 【請求項１】 原稿を照射するＥＬ発光素子と、前記原
稿からの反射光を読み取る受光素子を含む光電変換部と
を具備する画像読取り装置において、 前記ＥＬ発光素子の発光照射面側にあたる電極が、開口
部を有する高導電性電極と、少なくとも前記開口部に有
する透明電極とで形成されていることを特徴とする画像
読取り装置。 - 【請求項２】 前記ＥＬ発光素子からの発光が光電変換
部の基板を通して原稿を照明することを特徴とする請求
項１記載の画像読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244157A JPH0563915A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244157A JPH0563915A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 画像読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563915A true JPH0563915A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17114615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3244157A Pending JPH0563915A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 画像読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563915A (ja) |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3244157A patent/JPH0563915A/ja active Pending
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