JPH05130327A - イメージセンサー - Google Patents
イメージセンサーInfo
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- JPH05130327A JPH05130327A JP3293135A JP29313591A JPH05130327A JP H05130327 A JPH05130327 A JP H05130327A JP 3293135 A JP3293135 A JP 3293135A JP 29313591 A JP29313591 A JP 29313591A JP H05130327 A JPH05130327 A JP H05130327A
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- JP
- Japan
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- original
- image
- light source
- image sensor
- sensor
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】有機光導電体層及び該有機光導電体層を介して
設けられた電極対を備えた画素であって画像情報を電気
信号に変換する画素を集積してなる画像読み取り素子を
用いたイメージセンサーにおいて、原稿読み取り期間中
に周期的に点滅するセンサー光源を有するイメージセン
サー。 【効果】従来になかった大面積に成膜可能であって安定
で且つ高い感度、速い応答速度を兼ね備えたイメージセ
ンサーを作り上げることが可能となり、本発明は工業的
に極めて有用なイメージセンサーを提供することができ
る。
設けられた電極対を備えた画素であって画像情報を電気
信号に変換する画素を集積してなる画像読み取り素子を
用いたイメージセンサーにおいて、原稿読み取り期間中
に周期的に点滅するセンサー光源を有するイメージセン
サー。 【効果】従来になかった大面積に成膜可能であって安定
で且つ高い感度、速い応答速度を兼ね備えたイメージセ
ンサーを作り上げることが可能となり、本発明は工業的
に極めて有用なイメージセンサーを提供することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は画像信号を電気信号に変
換し、電気信号として取り出すイメージセンサーの光源
操作に関するものであり、有機系の光導電材料を光電変
換材料として使用したセンサーに関するものである。
換し、電気信号として取り出すイメージセンサーの光源
操作に関するものであり、有機系の光導電材料を光電変
換材料として使用したセンサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光センサーは光強度の計測に、またロボ
ット、各種オートメーションシステムにおける位置セン
サーとして、また情報通信、情報処理における画像情報
の読み取りなどに広く用いられている。特に画像情報の
処理技術、能力の進歩した今日、高性能な画像情報の入
力装置としてのイメージセンサーの進歩が強く望まれて
いる。ファクシミリ、ワードプロセッサ、電子ファイル
システムなどは画像入力装置を必要とする代表的な装置
である。
ット、各種オートメーションシステムにおける位置セン
サーとして、また情報通信、情報処理における画像情報
の読み取りなどに広く用いられている。特に画像情報の
処理技術、能力の進歩した今日、高性能な画像情報の入
力装置としてのイメージセンサーの進歩が強く望まれて
いる。ファクシミリ、ワードプロセッサ、電子ファイル
システムなどは画像入力装置を必要とする代表的な装置
である。
【０００３】このような入力装置としては、ビデオカメ
ラのような二次元情報を取り出すものと、ラインセンサ
ーを使用して画像をスキャンして読み出すイメージスキ
ャナーが考えられるが、通常十分な解像力（画素数）を
得るためにラインセンサーを使用したイメージスキャナ
ーが使用されている。ラインセンサーとしては、結晶シ
リコンを使用した電荷結合素子が代表的であるが、素子
の大きさに限界があって、大きな面積の画像を読み取る
には縮小光学系を使用するか、素子を多数高精度に並べ
る必要がある。それに対して硫化カドミウム、アモルフ
ァスシリコンを光導電面としたセンサーは比較的大きな
面積が可能でああり、ロッドレンズアレイを併用して等
倍密着型のラインセンサーが一部実用化されている。
ラのような二次元情報を取り出すものと、ラインセンサ
ーを使用して画像をスキャンして読み出すイメージスキ
ャナーが考えられるが、通常十分な解像力（画素数）を
得るためにラインセンサーを使用したイメージスキャナ
ーが使用されている。ラインセンサーとしては、結晶シ
リコンを使用した電荷結合素子が代表的であるが、素子
の大きさに限界があって、大きな面積の画像を読み取る
には縮小光学系を使用するか、素子を多数高精度に並べ
る必要がある。それに対して硫化カドミウム、アモルフ
ァスシリコンを光導電面としたセンサーは比較的大きな
面積が可能でああり、ロッドレンズアレイを併用して等
倍密着型のラインセンサーが一部実用化されている。
【０００４】しかし、従来のこのような光導電材料は成
膜の方法に制約があって量産性が低く、実質的には大面
積の画像をスキャンする長いラインセンサーを作ること
は困難であった。一方光導電材料として有機系の材料を
使用したセンサーは、成膜が塗布液から塗布によって行
なうことができ容易であり、生産性に優れていること、
大面積化が容易であること、暗導電性が低くシグナル／
ノイズ比（以下「Ｓ／Ｎ比」と略す）を大きく取れるこ
となどいくつかの有利な点を有している。そのため有機
材料を光導電面に使用したイメージセンサーの例がいく
つか知られている（例えば特開昭６１−２８５２６２
号、特開昭６１−２９１６５７号、特開平１−１８４９
６１号公報等参照）。
膜の方法に制約があって量産性が低く、実質的には大面
積の画像をスキャンする長いラインセンサーを作ること
は困難であった。一方光導電材料として有機系の材料を
使用したセンサーは、成膜が塗布液から塗布によって行
なうことができ容易であり、生産性に優れていること、
大面積化が容易であること、暗導電性が低くシグナル／
ノイズ比（以下「Ｓ／Ｎ比」と略す）を大きく取れるこ
となどいくつかの有利な点を有している。そのため有機
材料を光導電面に使用したイメージセンサーの例がいく
つか知られている（例えば特開昭６１−２８５２６２
号、特開昭６１−２９１６５７号、特開平１−１８４９
６１号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら有機系の
材料を使用したセンサーにおいては、該有機光導電体層
への露光時間の増加とともに光電流値が変動し、その結
果として信号の二値化における判別値が変化したり、あ
るいは信号の多値化において階調性が低下するという問
題があり、特にセンサーに印加する電界強度が低い場合
にはこの現象が顕著であった。このような課題を解決す
る手段として、センサーへの印加電圧を増大し、光電流
値の変動幅を小さくする方法がある。しかしながらセン
サー印加電圧の増加はセンサー駆動回路電圧の増大を招
くとともに画像読み取り素子の電気的な破壊を生じやす
いという欠点があり、安定で信頼性の高いセンサーの実
用化は困難であった。
材料を使用したセンサーにおいては、該有機光導電体層
への露光時間の増加とともに光電流値が変動し、その結
果として信号の二値化における判別値が変化したり、あ
るいは信号の多値化において階調性が低下するという問
題があり、特にセンサーに印加する電界強度が低い場合
にはこの現象が顕著であった。このような課題を解決す
る手段として、センサーへの印加電圧を増大し、光電流
値の変動幅を小さくする方法がある。しかしながらセン
サー印加電圧の増加はセンサー駆動回路電圧の増大を招
くとともに画像読み取り素子の電気的な破壊を生じやす
いという欠点があり、安定で信頼性の高いセンサーの実
用化は困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは有機光導電
材料を用いたイメージセンサーに関する上記課題につい
て鋭意検討した結果、画像読み取りの為に原稿に照射す
る光源を該原稿の読み取り期間中周期的に点滅すること
により、光電流値・暗電流値ともに変動が極めて小さく
なり、高感度で応答性が速く信頼性に優れたイメージセ
ンサーが得られることを見い出し本発明を完成した。即
ち本発明の要旨は、有機光導電体層及び該有機光導電体
層を介して設けられた電極対を備えた画素であって画像
情報を電気信号に変換する画素を集積してなる画像読み
取り素子を用いたイメージセンサーにおいて、原稿読み
取り期間中に周期的に点滅するセンサー光源を有するこ
とを特徴とするイメージセンサーに存する。
材料を用いたイメージセンサーに関する上記課題につい
て鋭意検討した結果、画像読み取りの為に原稿に照射す
る光源を該原稿の読み取り期間中周期的に点滅すること
により、光電流値・暗電流値ともに変動が極めて小さく
なり、高感度で応答性が速く信頼性に優れたイメージセ
ンサーが得られることを見い出し本発明を完成した。即
ち本発明の要旨は、有機光導電体層及び該有機光導電体
層を介して設けられた電極対を備えた画素であって画像
情報を電気信号に変換する画素を集積してなる画像読み
取り素子を用いたイメージセンサーにおいて、原稿読み
取り期間中に周期的に点滅するセンサー光源を有するこ
とを特徴とするイメージセンサーに存する。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明の画像読み取り素子を用いたセンサーの全体構成の
一例を図１に示す。この例ではいわゆる密着型のライン
センサーの例が示されている。原稿（４）面にＬＥＤア
レイ（３）よりなる光源から照射、反射した光はロッド
レンズアレイ（２）によってラインセンサーの画像読み
取り素子（１）に照射され、個々の画素で光電変換され
た信号は個別電極につながったスイッチング素子を介し
て逐次時系列信号として読み出されていく。原稿面がイ
メージセンサー部に対し相対的に移動し原稿面全体が電
気信号として読み出されていく。光電変換により各画素
に生じた光電流は、その電荷をコンデンサーに蓄積し読
み出す電荷蓄積型と、光電流そのものを読み出す光電流
型とがあるが、感度を要求する場合は電荷蓄積型が好ま
しい。このように光導電体層と電極からなる画素は一次
元に並べられラインセンサーとして、また二次元上に並
べられ撮像素子として使用される。
発明の画像読み取り素子を用いたセンサーの全体構成の
一例を図１に示す。この例ではいわゆる密着型のライン
センサーの例が示されている。原稿（４）面にＬＥＤア
レイ（３）よりなる光源から照射、反射した光はロッド
レンズアレイ（２）によってラインセンサーの画像読み
取り素子（１）に照射され、個々の画素で光電変換され
た信号は個別電極につながったスイッチング素子を介し
て逐次時系列信号として読み出されていく。原稿面がイ
メージセンサー部に対し相対的に移動し原稿面全体が電
気信号として読み出されていく。光電変換により各画素
に生じた光電流は、その電荷をコンデンサーに蓄積し読
み出す電荷蓄積型と、光電流そのものを読み出す光電流
型とがあるが、感度を要求する場合は電荷蓄積型が好ま
しい。このように光導電体層と電極からなる画素は一次
元に並べられラインセンサーとして、また二次元上に並
べられ撮像素子として使用される。
【０００８】センサー中の画像読み取り素子のうちいわ
ゆるサンドイッチ型素子の構成例を図２に示す。この場
合、個別電極（５）を設けた支持体（９）上に光導電体
層（７）が形成され、更にその上に共通電極（８）が設
けられる。この場合、正電極となる個別電極（５）と光
導電体層（７）との間にブロッキング層（６）が設けら
れても良い。個別電極のひとつ及びこれに対向する電極
対、並びに電極対の間に介在する光導電体層とブロッキ
ング層とでひとつの画素が構成され、個別の画素の光に
応じた信号を取りだせる。電極対の一方及び光導電体層
並びにブロッキング層は各画素共通でよい。また少なく
とも一方の電極は入射通路になり十分光を透過する透明
電極であることが必要である。透明電極としては酸化イ
ンジュウム、酸化スズ、インジウム・スズ酸化物膜など
の金属酸化物、また金、アルミニウムなどの金属の薄い
膜が挙げられる。もう一方の対向する電極には種々の金
属が使用でき、例えばアルミニウム、チタン、金、銀、
銅、ニッケル、クロム、モリブデン、タンタル、タング
ステンなどが挙げられる。支持体側から露光を行なう場
合、支持体も十分光を透過することが必要である。画像
読み取り素子の構成は図３に一例を示すいわゆるプレー
ナー型の場合であってもよい。この場合、個別電極
（５）とブロッキング層（６）におおわれた共通電極
（８）は支持体上（９）に設けられており、その上に光
導電体層（７）が設けられている。
ゆるサンドイッチ型素子の構成例を図２に示す。この場
合、個別電極（５）を設けた支持体（９）上に光導電体
層（７）が形成され、更にその上に共通電極（８）が設
けられる。この場合、正電極となる個別電極（５）と光
導電体層（７）との間にブロッキング層（６）が設けら
れても良い。個別電極のひとつ及びこれに対向する電極
対、並びに電極対の間に介在する光導電体層とブロッキ
ング層とでひとつの画素が構成され、個別の画素の光に
応じた信号を取りだせる。電極対の一方及び光導電体層
並びにブロッキング層は各画素共通でよい。また少なく
とも一方の電極は入射通路になり十分光を透過する透明
電極であることが必要である。透明電極としては酸化イ
ンジュウム、酸化スズ、インジウム・スズ酸化物膜など
の金属酸化物、また金、アルミニウムなどの金属の薄い
膜が挙げられる。もう一方の対向する電極には種々の金
属が使用でき、例えばアルミニウム、チタン、金、銀、
銅、ニッケル、クロム、モリブデン、タンタル、タング
ステンなどが挙げられる。支持体側から露光を行なう場
合、支持体も十分光を透過することが必要である。画像
読み取り素子の構成は図３に一例を示すいわゆるプレー
ナー型の場合であってもよい。この場合、個別電極
（５）とブロッキング層（６）におおわれた共通電極
（８）は支持体上（９）に設けられており、その上に光
導電体層（７）が設けられている。
【０００９】この場合、共通電極ではなくて、個別電極
のそれぞれをブロッキング層でおおうこともできる。あ
るいは、個別電極と共通電極を支持体上に設けられた光
導電体層の上部に設けることもできるし、個別電極ある
いは共通電極のいずれかはブロッキング層でおおわれて
いてもよい。電極としては前記のものを使用することが
できる。本発明における有機光導電体層としてはアゾ顔
料、フタロシアニン顔料、多環キノン顔料、ペリレン顔
料、メロシアニン顔料、スクウエアリウム顔料等、電荷
発生物質をバインダー樹脂に分散させた層構成、あるい
は真空蒸着した層構成が挙げられる。また、該電荷発生
物質および電荷移動物質を有効成分として含有し、両物
質をバインダー樹脂に分散した層構成、また電荷発生
層、電荷移動層を積層した層構成が挙げられる。
のそれぞれをブロッキング層でおおうこともできる。あ
るいは、個別電極と共通電極を支持体上に設けられた光
導電体層の上部に設けることもできるし、個別電極ある
いは共通電極のいずれかはブロッキング層でおおわれて
いてもよい。電極としては前記のものを使用することが
できる。本発明における有機光導電体層としてはアゾ顔
料、フタロシアニン顔料、多環キノン顔料、ペリレン顔
料、メロシアニン顔料、スクウエアリウム顔料等、電荷
発生物質をバインダー樹脂に分散させた層構成、あるい
は真空蒸着した層構成が挙げられる。また、該電荷発生
物質および電荷移動物質を有効成分として含有し、両物
質をバインダー樹脂に分散した層構成、また電荷発生
層、電荷移動層を積層した層構成が挙げられる。
【００１０】本発明のイメージセンサーは原稿読み取り
期間中に、原稿照明のための光源が周期的に点滅され
る。図４ａ）ｃ）に光源点滅の経時的なパターンを示
す。本発明における原稿読み取り期間は１画素が１画像
情報の読み取りに必要とする時間であり、ラインセンサ
ーの例では一次元上の画像読み取り素子が１行の画像情
報を読み取る時間に相当し、本発明ではこの時間を以
下、原稿読み取り周期Ｔ0と表現する。光源の照射時間
Ｔlは短過ぎると光電流がＴl内に完全に立ち上がらず、
光電流は小さい値になりＳ／Ｎ比が低下し読み取りが困
難になる。一方、照射時間Ｔlが長く非照射時間Ｔdが短
いと光源を照射し続けた場合と異ならなくなり光電流値
の変動が生じる。光源点滅のパターンは図４ａ）のよう
に原稿読み取り周期Ｔ0内で一回だけ照射してもよい
し、図４ｃ）のように原稿読み取り周期Ｔ0内で複数回
照射してもよい。原稿読み取り周期Ｔ0内の光源照射時
間Ｔlの合計時間は望ましくは原稿読み取り周期Ｔ0の３
／４以下が望ましく、より望ましくはＴ0の１／２以下
が望ましい。本発明をラインセンサーに用いた例におい
ては原稿読み取り周期Ｔ0は１ｍｓｅｃから１５ｍｓｅ
ｃの範囲が望ましく、光源照射時間Ｔlは０．１ｍｓｅ
ｃから１１ｍｓｅｃの範囲が望ましい値である。
期間中に、原稿照明のための光源が周期的に点滅され
る。図４ａ）ｃ）に光源点滅の経時的なパターンを示
す。本発明における原稿読み取り期間は１画素が１画像
情報の読み取りに必要とする時間であり、ラインセンサ
ーの例では一次元上の画像読み取り素子が１行の画像情
報を読み取る時間に相当し、本発明ではこの時間を以
下、原稿読み取り周期Ｔ0と表現する。光源の照射時間
Ｔlは短過ぎると光電流がＴl内に完全に立ち上がらず、
光電流は小さい値になりＳ／Ｎ比が低下し読み取りが困
難になる。一方、照射時間Ｔlが長く非照射時間Ｔdが短
いと光源を照射し続けた場合と異ならなくなり光電流値
の変動が生じる。光源点滅のパターンは図４ａ）のよう
に原稿読み取り周期Ｔ0内で一回だけ照射してもよい
し、図４ｃ）のように原稿読み取り周期Ｔ0内で複数回
照射してもよい。原稿読み取り周期Ｔ0内の光源照射時
間Ｔlの合計時間は望ましくは原稿読み取り周期Ｔ0の３
／４以下が望ましく、より望ましくはＴ0の１／２以下
が望ましい。本発明をラインセンサーに用いた例におい
ては原稿読み取り周期Ｔ0は１ｍｓｅｃから１５ｍｓｅ
ｃの範囲が望ましく、光源照射時間Ｔlは０．１ｍｓｅ
ｃから１１ｍｓｅｃの範囲が望ましい値である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した本発明の構成によって、従
来になかった大面積に成膜可能であって安定で且つ高い
感度、速い応答速度を兼ね備えたイメージセンサーを作
り上げることが可能となり、本発明は工業的に極めて有
用なイメージセンサーを提供することができる。
来になかった大面積に成膜可能であって安定で且つ高い
感度、速い応答速度を兼ね備えたイメージセンサーを作
り上げることが可能となり、本発明は工業的に極めて有
用なイメージセンサーを提供することができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明をより詳細に説明するため、実
施例、比較例をあげ説明するが、本発明はこれらの例に
限定されるものではない。
施例、比較例をあげ説明するが、本発明はこれらの例に
限定されるものではない。
【００１３】
【実施例１】インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）の透明
電極を設けたガラス板上に、純度９９．９９％以上の一
酸化珪素を蒸着源とし、真空度５×１０-5Ｔｏｒｒ、基
板温度２０℃、蒸着速度毎分２０ｎｍの条件で、膜厚１
００ｎｍの酸化珪素膜をブロッキング層として成膜し
た。次に電荷発生物質のフタロシアニンとしてＸ線回折
において、図５に典型的なパターンをしめしたように、
ブラック角（２θ±０．２°）が９．７°、２４．１
°、２７．３°などにピークを有し、とくに２７．３°
に最大のピークを示すことを特徴とする結晶型を有する
オキシチタニウムフタロシアニン１０ｇをｎ−プロパノ
ール中でサンドグラインダーによって分散処理し、ポリ
ビニルブチラール樹脂（積水化学（株）製エスレックＢ
Ｈ−３）５ｇをｎ−プロパノールに溶解した液と混合し
塗布液を得た。この液を浸漬法によって上記酸化珪素か
らなるブロッキング層上に塗布乾燥し、０．３μｍの電
荷発生層を設けた。次にポリカーボネート（商品名ノバ
レックス７０２５Ａ、三菱化成（株）製）１００ｇ、下
記の式（１）に示される化合物１６０ｇ、下記の式
（２）で表される化合物４０ｇをジオキサン中に溶解
し、上記電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後０．５μｍ
の電荷移動層を設けた。更にこの上にアルミニウムを真
空蒸着し対向電極を設けた。この素子をサンプルとしイ
メージセンサーの評価を行なった。
電極を設けたガラス板上に、純度９９．９９％以上の一
酸化珪素を蒸着源とし、真空度５×１０-5Ｔｏｒｒ、基
板温度２０℃、蒸着速度毎分２０ｎｍの条件で、膜厚１
００ｎｍの酸化珪素膜をブロッキング層として成膜し
た。次に電荷発生物質のフタロシアニンとしてＸ線回折
において、図５に典型的なパターンをしめしたように、
ブラック角（２θ±０．２°）が９．７°、２４．１
°、２７．３°などにピークを有し、とくに２７．３°
に最大のピークを示すことを特徴とする結晶型を有する
オキシチタニウムフタロシアニン１０ｇをｎ−プロパノ
ール中でサンドグラインダーによって分散処理し、ポリ
ビニルブチラール樹脂（積水化学（株）製エスレックＢ
Ｈ−３）５ｇをｎ−プロパノールに溶解した液と混合し
塗布液を得た。この液を浸漬法によって上記酸化珪素か
らなるブロッキング層上に塗布乾燥し、０．３μｍの電
荷発生層を設けた。次にポリカーボネート（商品名ノバ
レックス７０２５Ａ、三菱化成（株）製）１００ｇ、下
記の式（１）に示される化合物１６０ｇ、下記の式
（２）で表される化合物４０ｇをジオキサン中に溶解
し、上記電荷発生層上に浸漬塗布し、乾燥後０．５μｍ
の電荷移動層を設けた。更にこの上にアルミニウムを真
空蒸着し対向電極を設けた。この素子をサンプルとしイ
メージセンサーの評価を行なった。
【００１４】
【化１】
【００１５】画素の評価は素子に１２Ｖ／μｍの電界強
度を印加し透明電極側より５７０ｎｍをピーク波長とす
る黄色発光ダイオードを光源として一定時間点滅露光
し、露光終了直前における光源照射時の光電流値Ｉωお
よび露光が終了して４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbで評価し
た。発光ダイオードの点滅方法としては、読み取り周期
Ｔ0＝４ｍｓｅｃ、照射時間Ｔl＝２ｍｓｅｃ、非照射時
間Ｔｄ＝２ｍｓｅｃのパターンで１秒間画素に露光し
た。その結果、露光終了直前における光源照射時の光電
流値Ｉωは１．４×１０-6Ａ／ｃｍ2、露光が終了して
４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbは３．２×１０-7Ａ／ｃｍ2で
あった。点滅露光時間を１０秒、１００秒に変化させた
場合、露光終了直前における光源照射時の光電流値Ｉω
および露光終了４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbは露光時間が
１秒の場合の結果と同一であった。さらに露光時間を８
時間にした場合も、１秒間の露光の場合の結果と同一で
あった。
度を印加し透明電極側より５７０ｎｍをピーク波長とす
る黄色発光ダイオードを光源として一定時間点滅露光
し、露光終了直前における光源照射時の光電流値Ｉωお
よび露光が終了して４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbで評価し
た。発光ダイオードの点滅方法としては、読み取り周期
Ｔ0＝４ｍｓｅｃ、照射時間Ｔl＝２ｍｓｅｃ、非照射時
間Ｔｄ＝２ｍｓｅｃのパターンで１秒間画素に露光し
た。その結果、露光終了直前における光源照射時の光電
流値Ｉωは１．４×１０-6Ａ／ｃｍ2、露光が終了して
４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbは３．２×１０-7Ａ／ｃｍ2で
あった。点滅露光時間を１０秒、１００秒に変化させた
場合、露光終了直前における光源照射時の光電流値Ｉω
および露光終了４ｍｓｅｃ後の電流値Ｉbは露光時間が
１秒の場合の結果と同一であった。さらに露光時間を８
時間にした場合も、１秒間の露光の場合の結果と同一で
あった。
【００１６】
【比較例１】発光ダイオードの照射方法として、露光時
間内に光源を点滅させず照射し続けたことを除いては実
施例１と同様に評価を行った。表１にその結果を示す。
露光時間の増加とともに光源照射時の光電流値Ｉωが減
少していくことがわかる。
間内に光源を点滅させず照射し続けたことを除いては実
施例１と同様に評価を行った。表１にその結果を示す。
露光時間の増加とともに光源照射時の光電流値Ｉωが減
少していくことがわかる。
【００１７】
【実施例２】実施例１の構成の素子を１ｍｍあたり８素
子、全体４００素子を一次元上に並べ、図２のサンドイ
ッチ型素子を作製し、電荷蓄積型の基本回路で、アナロ
グスイッチ、アンプで増幅、２値化の回路を接続し受光
部を形成した。さらに、ロッドレンズアレイ、ＬＥＤ照
明系を取り付け、ラインイメージセンサーを作製した。
スイッチングのクロックは２００ＫＨＺ、ライン走査時
間（繰り返し時間）は５ｍｓｅｃである。光源を点滅周
期Ｔ0＝２ｍｓｅｃ、照射時間Ｔl＝２ｍｓｅｃ、非照射
時間Ｔd＝３ｍｓｅｃのパターンで点滅しこのイメージ
センサーにより、原稿を走査したところ、白黒二値の信
号が誤りなく得られた。この信号をコンピュータに送
り、ＣＲＴディスプレー上にえがいたところ、明瞭な原
稿のパターンが得られた。
子、全体４００素子を一次元上に並べ、図２のサンドイ
ッチ型素子を作製し、電荷蓄積型の基本回路で、アナロ
グスイッチ、アンプで増幅、２値化の回路を接続し受光
部を形成した。さらに、ロッドレンズアレイ、ＬＥＤ照
明系を取り付け、ラインイメージセンサーを作製した。
スイッチングのクロックは２００ＫＨＺ、ライン走査時
間（繰り返し時間）は５ｍｓｅｃである。光源を点滅周
期Ｔ0＝２ｍｓｅｃ、照射時間Ｔl＝２ｍｓｅｃ、非照射
時間Ｔd＝３ｍｓｅｃのパターンで点滅しこのイメージ
センサーにより、原稿を走査したところ、白黒二値の信
号が誤りなく得られた。この信号をコンピュータに送
り、ＣＲＴディスプレー上にえがいたところ、明瞭な原
稿のパターンが得られた。
【００１８】
【表１】 実施例 露光時間 Ｉω Ｉb （ｓｅｃ） （Ａ／ｃｍ2） （Ａ／ｃｍ2） 実施例１ １．０ １．４×１０-6 ３．２×１０-7 １０．０ １．４×１０-6 ３．２×１０-7 １００．０ １．４×１０-6 ３．２×１０-7 比較例２ １．０ １．４×１０-6 ３．３×１０-7 １０．０ １．２×１０-6 ２．６×１０-7 １００．０ １．０×１０-6 １．７×１０-7
【図１】本発明イメージセンサーの全体構成概念図
【図２】本発明イメージセンサーを構成する画像読み取
り素子の具体例であって、サンドインッチ型の画像読み
とり素子の一例を説明する図面。図２ａ）は上面説明
図、図２ｂ）は図２ａ）中のＡ‐Ａ’線に沿った断面説
明図
り素子の具体例であって、サンドインッチ型の画像読み
とり素子の一例を説明する図面。図２ａ）は上面説明
図、図２ｂ）は図２ａ）中のＡ‐Ａ’線に沿った断面説
明図
【図３】本発明イメージセンサーを構成する画像読み取
り素子の具体例であって、プレーナー型の画像読み取り
素子の一例を説明する図画。図３ａ）は上面説明図、図
３ｂ）は図３ａ）中のＢ−Ｂ’線に沿った断面説明図。
り素子の具体例であって、プレーナー型の画像読み取り
素子の一例を説明する図画。図３ａ）は上面説明図、図
３ｂ）は図３ａ）中のＢ−Ｂ’線に沿った断面説明図。
【図４】原稿を照明するための光源操作方法を説明する
図面。図４ａ）及びｃ）は原稿面照度の経時的変化を示
す。図４ｂ）及びｄ）は光を受けた画像読み取り素子に
流れる電流の経時的変化を示す。
図面。図４ａ）及びｃ）は原稿面照度の経時的変化を示
す。図４ｂ）及びｄ）は光を受けた画像読み取り素子に
流れる電流の経時的変化を示す。
【図５】本発明イメージセンサーを構成する画像読み取
り素子において電荷発生材料として用いるオキシチタニ
ウムフタロシアニンの結晶のＸ線回折スペクトル。
り素子において電荷発生材料として用いるオキシチタニ
ウムフタロシアニンの結晶のＸ線回折スペクトル。
１．．．センサー、 ２．．．ロッドレンズアレイ、 ３．．．ＬＥＤアレイ、 ４．．．原稿、 ５．．．個別電極、 ６．．．ブロッキング層、 ７．．．光導電体層、 ８．．．共通電極、 ９．．．支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 啓 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 有機光導電体層及び該有機光導電体層
を介して設けられた電極対を備えた画素であって画像情
報を電気信号に変換する画素を集積してなる画像読み取
り素子を用いたイメージセンサーにおいて、原稿読み取
り期間中に周期的に点滅するセンサー光源を有すること
を特徴とするイメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293135A JPH05130327A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293135A JPH05130327A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05130327A true JPH05130327A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17790875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293135A Pending JPH05130327A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05130327A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260798A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置 |
| JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
| JP2009054794A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293135A patent/JPH05130327A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260798A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置 |
| JP2008252004A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法 |
| JP2009054794A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法 |
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