JPH11211832A - Ｘ線撮像パネル及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線撮像パネル及びその製造方法Info
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- JPH11211832A JPH11211832A JP10019593A JP1959398A JPH11211832A JP H11211832 A JPH11211832 A JP H11211832A JP 10019593 A JP10019593 A JP 10019593A JP 1959398 A JP1959398 A JP 1959398A JP H11211832 A JPH11211832 A JP H11211832A
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Landscapes
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｘ線吸収率がよく、製造も容易なＸ線撮像パネ
ルを提供する。 【解決手段】Ｘ線撮像パネル１２は基板４０上に形成さ
れた光導電性を有する光導電層６２と、この光導電層と
基板との間であって、２次元的に配列された蓄積用コン
デンサ２４とスイッチング素子２６とで構成される。こ
の蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれらの
上面に位置する光導電層とによって、Ｘ線像を電気信号
に変換する変換セル２０が構成される。光導電層は基板
上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗布層である。
光導電層としては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｐｂ
Ｏ，ＨｇＩ2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，Ｔｌ
Ｉ2，Ｂｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などのようにＸ
線吸収率の高い光導電性無機化合物で構成されている。
光導電層がＸ線吸収率の高い光導電性物質であるために
Ｘ線画像信号のＳ／Ｎがよい。光導電層は塗布工程で形
成されるため、その製造が容易で、製造時間も短縮され
るためコストダウンを図れる。
ルを提供する。 【解決手段】Ｘ線撮像パネル１２は基板４０上に形成さ
れた光導電性を有する光導電層６２と、この光導電層と
基板との間であって、２次元的に配列された蓄積用コン
デンサ２４とスイッチング素子２６とで構成される。こ
の蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれらの
上面に位置する光導電層とによって、Ｘ線像を電気信号
に変換する変換セル２０が構成される。光導電層は基板
上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗布層である。
光導電層としては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｐｂ
Ｏ，ＨｇＩ2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，Ｔｌ
Ｉ2，Ｂｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などのようにＸ
線吸収率の高い光導電性無機化合物で構成されている。
光導電層がＸ線吸収率の高い光導電性物質であるために
Ｘ線画像信号のＳ／Ｎがよい。光導電層は塗布工程で形
成されるため、その製造が容易で、製造時間も短縮され
るためコストダウンを図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線撮像装置に
適用して好適なＸ線撮像パネルに関する。詳しくは、Ｘ
線撮像パネルを構成する光導電層としてＸ線吸収率の高
い無機化合物が使用されると共に、この光導電層を基板
上に塗布して形成することによって、安価にこの種Ｘ線
撮像パネルを製造できるようにしたものである。
適用して好適なＸ線撮像パネルに関する。詳しくは、Ｘ
線撮像パネルを構成する光導電層としてＸ線吸収率の高
い無機化合物が使用されると共に、この光導電層を基板
上に塗布して形成することによって、安価にこの種Ｘ線
撮像パネルを製造できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】人体などの組織をＸ線撮像するＸ線撮像
装置として、近年Ｘ線用の感光フィルムを使用する代わ
りに、Ｘ線像を２次元のＸ線撮像パネルに導き、Ｘ線像
（潜像）を電気信号（画像信号）として得るようにした
Ｘ線撮像装置が開発されている。このＸ線撮像装置に
は、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、変換した光信号を電
気信号に変換するいわゆる間接方式の他に、Ｘ線像を直
接電気信号に変換できるいわゆる直接方式のＸ線撮像装
置が知られている。
装置として、近年Ｘ線用の感光フィルムを使用する代わ
りに、Ｘ線像を２次元のＸ線撮像パネルに導き、Ｘ線像
（潜像）を電気信号（画像信号）として得るようにした
Ｘ線撮像装置が開発されている。このＸ線撮像装置に
は、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、変換した光信号を電
気信号に変換するいわゆる間接方式の他に、Ｘ線像を直
接電気信号に変換できるいわゆる直接方式のＸ線撮像装
置が知られている。
【０００３】Ｘ線像を電気信号に変換するにあたって
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。
【０００４】この直接方式によるＸ線撮像装置に使用さ
れるＸ線撮像パネルとしては図４に示すような構成が知
られている。図４において、撮像パネル１２は複数のゲ
ート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチをも
ってマトリックス状に配列され、それらが交差する内部
が画素として機能する変換セル２０となる。
れるＸ線撮像パネルとしては図４に示すような構成が知
られている。図４において、撮像パネル１２は複数のゲ
ート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチをも
ってマトリックス状に配列され、それらが交差する内部
が画素として機能する変換セル２０となる。
【０００５】変換セル２０は照射されたＸ線の強さに基
づいた電荷を生成する電荷生成部２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。
づいた電荷を生成する電荷生成部２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。
【０００６】図示する例では電荷生成部２２が変換セル
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図５に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成部２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図５に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成部２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。
【０００７】Ｘ線撮像パネル１２には電源部２８より所
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成部２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成部２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。
【０００８】そして、垂直走査部３０から供給される垂
直操作用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチングトランジスタ２６がオンして、オンしたスイッ
チングトランジスタ２６に接続されたコンデンサ２４に
蓄積された電荷が対応する信号線１６を介して水平走査
部３２に導かれる。
直操作用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチングトランジスタ２６がオンして、オンしたスイッ
チングトランジスタ２６に接続されたコンデンサ２４に
蓄積された電荷が対応する信号線１６を介して水平走査
部３２に導かれる。
【０００９】水平走査部３２では各信号線１６から導か
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けてブロック毎で並列
処理的に行ってもよく、この場合はＸ線画像信号の読み
取り時間を短縮できる。
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けてブロック毎で並列
処理的に行ってもよく、この場合はＸ線画像信号の読み
取り時間を短縮できる。
【００１０】信号処理回路３４においては、このＸ線画
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。
【００１１】図５はＸ線撮像パネル１２の一部断面構成
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
ガラスなどの基板４０上には蓄積用コンデンサ２４とな
る一方の電極４２が被着形成されると共に、絶縁層４４
を介して対極となる電極４６が被着形成されて所定容量
のコンデンサ２４が形成される。
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
ガラスなどの基板４０上には蓄積用コンデンサ２４とな
る一方の電極４２が被着形成されると共に、絶縁層４４
を介して対極となる電極４６が被着形成されて所定容量
のコンデンサ２４が形成される。
【００１２】コンデンサ２４に隣接してスイッチング素
子として機能するＴＦＴ２６が形成される。このＴＦＴ
２６の構成も周知であって、ゲートＧとなるゲート電極
５０がガラス基板４０上に形成され、このゲート電極５
０を覆うように絶縁層５２が被着形成され、その上の所
定位置にドレインＤとなるドレイン電極５４とソースＳ
となるソース電極５６がそれぞれ被着形成される。ソー
ス電極５６とコンデンサ２４用の電極４６とは一体形成
される。ドレイン電極５４は信号線１６としても使用さ
れる。
子として機能するＴＦＴ２６が形成される。このＴＦＴ
２６の構成も周知であって、ゲートＧとなるゲート電極
５０がガラス基板４０上に形成され、このゲート電極５
０を覆うように絶縁層５２が被着形成され、その上の所
定位置にドレインＤとなるドレイン電極５４とソースＳ
となるソース電極５６がそれぞれ被着形成される。ソー
ス電極５６とコンデンサ２４用の電極４６とは一体形成
される。ドレイン電極５４は信号線１６としても使用さ
れる。
【００１３】基板４０上に形成されたこれらコンデンサ
２４およびＴＦＴ２６のさらに上面には電荷生成部２２
として機能する光導電層６２が所定の厚みとなるように
形成される。光導電層６２はアモルファスセレン（ａ−
Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導電層６２は通
常蒸着によって形成される。光導電層６２の上面には共
通電極６０が被着形成されて、変換セル２０が得られ
る。
２４およびＴＦＴ２６のさらに上面には電荷生成部２２
として機能する光導電層６２が所定の厚みとなるように
形成される。光導電層６２はアモルファスセレン（ａ−
Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導電層６２は通
常蒸着によって形成される。光導電層６２の上面には共
通電極６０が被着形成されて、変換セル２０が得られ
る。
【００１４】電極４２と６０との間には上述したような
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層６２内に
入射したＸ線によって光導電層６２の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積されること
になる。コンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴ２６
がオンすることによってドレイン電極５４に接続された
信号線１６を介して水平走査部３２に導かれる。
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層６２内に
入射したＸ線によって光導電層６２の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積されること
になる。コンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴ２６
がオンすることによってドレイン電極５４に接続された
信号線１６を介して水平走査部３２に導かれる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに電荷生成部２２として機能する光導電層６２は通常
蒸着によって形成されるが、Ｘ線吸収率を高くする意味
で光導電層６２の厚みは一般的に厚い方がよいが（例え
ば５００μｍ以上）、蒸着法によってこのような厚みと
なるまで光導電層６２を成長させるには相当な時間もか
かり、またその管理も大変である。このことは結局のと
ころ製造コストの上昇となり、Ｘ線撮像パネル１２のコ
ストアップを招来することになっている。また生成電荷
を増やすためにこの光導電層６２をさらに厚くしようと
すると、一層のコストアップを招来することになる。
うに電荷生成部２２として機能する光導電層６２は通常
蒸着によって形成されるが、Ｘ線吸収率を高くする意味
で光導電層６２の厚みは一般的に厚い方がよいが（例え
ば５００μｍ以上）、蒸着法によってこのような厚みと
なるまで光導電層６２を成長させるには相当な時間もか
かり、またその管理も大変である。このことは結局のと
ころ製造コストの上昇となり、Ｘ線撮像パネル１２のコ
ストアップを招来することになっている。また生成電荷
を増やすためにこの光導電層６２をさらに厚くしようと
すると、一層のコストアップを招来することになる。
【００１６】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、光導電層を蒸着によるのでは
なく、塗布などの分散工程を採用することによって、所
定厚みの光導電層を短時間で形成できるようにして、コ
ストダウンを図ったＸ線撮像パネルを提案するものであ
る。
を解決したものであって、光導電層を蒸着によるのでは
なく、塗布などの分散工程を採用することによって、所
定厚みの光導電層を短時間で形成できるようにして、コ
ストダウンを図ったＸ線撮像パネルを提案するものであ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係るＸ線撮像パネル
は、人体等の被写体を透過したＸ線が投影されるＸ線撮
像パネルであって、この撮像パネルは基板上に形成され
たＸ線吸収率が高く、光導電性を有する光導電層と、こ
の光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配列
された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成さ
れ、この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこ
れらの上面に位置する上記光導電層とによって、Ｘ線像
を電気信号に変換する変換セルが構成され、上記光導電
層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗
布層であることを特徴とする。
め、請求項１に記載したこの発明に係るＸ線撮像パネル
は、人体等の被写体を透過したＸ線が投影されるＸ線撮
像パネルであって、この撮像パネルは基板上に形成され
たＸ線吸収率が高く、光導電性を有する光導電層と、こ
の光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配列
された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成さ
れ、この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこ
れらの上面に位置する上記光導電層とによって、Ｘ線像
を電気信号に変換する変換セルが構成され、上記光導電
層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗
布層であることを特徴とする。
【００１８】請求項４に記載したこの発明に係るＸ線撮
像パネル製造方法では、基板上に蓄積用のコンデンサと
スイッチング素子が形成されると共に、これらコンデン
サおよびスイッチング素子の上面に塗布によって光導電
層が形成されたことを特徴とする。
像パネル製造方法では、基板上に蓄積用のコンデンサと
スイッチング素子が形成されると共に、これらコンデン
サおよびスイッチング素子の上面に塗布によって光導電
層が形成されたことを特徴とする。
【００１９】この発明では、光導電層としてＸ線吸収率
の高い光導電性を有する化合物を使用する。この化合物
はバインダーによって混成された状態で、ガラス基板上
に塗布される。所定の厚みとなるまで光吸収材料が塗布
される。
の高い光導電性を有する化合物を使用する。この化合物
はバインダーによって混成された状態で、ガラス基板上
に塗布される。所定の厚みとなるまで光吸収材料が塗布
される。
【００２０】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、電荷生成部に入
射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線画像
信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層を蒸着ではな
く塗布工程で形成したので、所定の厚みとなるまでの形
成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも短縮でき
る。これによってＸ線撮像パネルの製造コストを低減で
きる。
有する化合物を使用することによって、電荷生成部に入
射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線画像
信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層を蒸着ではな
く塗布工程で形成したので、所定の厚みとなるまでの形
成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも短縮でき
る。これによってＸ線撮像パネルの製造コストを低減で
きる。
【００２１】
【発明の実施の形態】続いて、この発明に係るＸ線撮像
パネルおよびその製造方法の一実施形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
パネルおよびその製造方法の一実施形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
【００２２】この発明においても、人体などの被写体を
透過したＸ線はこの発明に係るＸ線撮像パネル（ＦＰ
Ｄ；Flat Panel Detector）に投影され、この撮像パネ
ル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線画像信号）に変換
されて出力される。
透過したＸ線はこの発明に係るＸ線撮像パネル（ＦＰ
Ｄ；Flat Panel Detector）に投影され、この撮像パネ
ル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線画像信号）に変換
されて出力される。
【００２３】Ｘ線撮像パネル１２自身の基本的な構成も
従来と同様であって、その基本単位である変換セル２０
は、電荷生成部２２の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサ２４および蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッ
チングトランジスタ２６を有する。そしてその断面構成
は図１の通りである。
従来と同様であって、その基本単位である変換セル２０
は、電荷生成部２２の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサ２４および蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッ
チングトランジスタ２６を有する。そしてその断面構成
は図１の通りである。
【００２４】この断面構成もその基本構成は従来と同様
であって、基板例えばガラス基板４０の上にマトリック
ス状に複数の変換セル２０が形成される。そのため、ガ
ラス基板４０上には電極４２、４６および絶縁層｛（Ｓ
ｉＯ2）などの誘電体層｝４４がそれぞれ被着形成され
てコンデンサ２４が構成される。
であって、基板例えばガラス基板４０の上にマトリック
ス状に複数の変換セル２０が形成される。そのため、ガ
ラス基板４０上には電極４２、４６および絶縁層｛（Ｓ
ｉＯ2）などの誘電体層｝４４がそれぞれ被着形成され
てコンデンサ２４が構成される。
【００２５】またコンデンサ２４に隣接してＴＦＴ２６
が設けられるのも従来と同じである。このＴＦＴ２６は
図示するようにゲート電極５０、ドレイン電極５４およ
びソース電極５６がそれぞれ被着形成されて構成される
ものであり、ソース電極５６はコンデンサ用電極５６と
連結される。
が設けられるのも従来と同じである。このＴＦＴ２６は
図示するようにゲート電極５０、ドレイン電極５４およ
びソース電極５６がそれぞれ被着形成されて構成される
ものであり、ソース電極５６はコンデンサ用電極５６と
連結される。
【００２６】コンデンサ２４およびスイッチング用トラ
ンジスタ２６の上面には所定の厚みＬを有する電荷生成
部２２が設けられる。この電荷生成部２２を構成する光
導電層６２としてこの発明では、Ｘ線吸収率が高く、光
導電性を有する無機化合物が用いられる。
ンジスタ２６の上面には所定の厚みＬを有する電荷生成
部２２が設けられる。この電荷生成部２２を構成する光
導電層６２としてこの発明では、Ｘ線吸収率が高く、光
導電性を有する無機化合物が用いられる。
【００２７】つまり、従来ではこの光導電層６２として
アモルファスセレンなどが使用されているが、この発明
ではこのようなＸ線吸収材料ではなく、特にＸ線吸収率
や光導電性を考慮した化合物が使用される。このような
化合物を使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善する
ことと、光導電層の製造を容易にするためである。
アモルファスセレンなどが使用されているが、この発明
ではこのようなＸ線吸収材料ではなく、特にＸ線吸収率
や光導電性を考慮した化合物が使用される。このような
化合物を使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善する
ことと、光導電層の製造を容易にするためである。
【００２８】このような性質を満足する無機化合物とし
ては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，
ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12Ｇ
ｅＯ2 0，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などがある。これらは何れも
Ｘ線吸収率が高く、光導電性が良好な物質であるからで
ある。光導電層６２としてはこれらの無機化合物を図２
に示すバインダー６４中に混成したものが使用され、粒
状をなすこの無機化合物６６を混成したバインダー６４
が基板４０上に所定の厚みＬ（図１）となるまで塗布さ
れる。つまり、分散型の光導電層６２として形成するの
がこの発明の大きな特徴となる。
ては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，
ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12Ｇ
ｅＯ2 0，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などがある。これらは何れも
Ｘ線吸収率が高く、光導電性が良好な物質であるからで
ある。光導電層６２としてはこれらの無機化合物を図２
に示すバインダー６４中に混成したものが使用され、粒
状をなすこの無機化合物６６を混成したバインダー６４
が基板４０上に所定の厚みＬ（図１）となるまで塗布さ
れる。つまり、分散型の光導電層６２として形成するの
がこの発明の大きな特徴となる。
【００２９】厚みＬは７００〜３０００μｍ程度であ
る。７００μｍ以下では充分なＸ線光吸収効果が得られ
ず、３０００μｍ以上の厚みになると、ひび割れなどを
起こし易くなるなどの理由で、上述のような範囲内で使
用した方が好適である。バインダー６４としては高電界
に耐えられるような高誘電体物質が使用される。
る。７００μｍ以下では充分なＸ線光吸収効果が得られ
ず、３０００μｍ以上の厚みになると、ひび割れなどを
起こし易くなるなどの理由で、上述のような範囲内で使
用した方が好適である。バインダー６４としては高電界
に耐えられるような高誘電体物質が使用される。
【００３０】光導電層６２の上面にはさらに従来と同じ
く共通電極６０が被着形成されてＸ線撮像パネル１２が
構成される。
く共通電極６０が被着形成されてＸ線撮像パネル１２が
構成される。
【００３１】続いて、図１に示すこの発明に係るＸ線撮
像パネル１２の製造方法の一実施形態を図３に示す。同
図Ａのように所定の大きさと厚みを有するガラス基板４
０が用意され、その上面に蓄積用コンデンサ２４とスイ
ッチング素子として機能する薄膜電界効果トランジスタ
（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来と同様な手
法で形成される。これらコンデンサ２４およびＴＦＴ２
６を形成することによって、ゲート線１４（＝５０）お
よび信号線１６が同時にガラス基板４０上に形成された
ことになる。
像パネル１２の製造方法の一実施形態を図３に示す。同
図Ａのように所定の大きさと厚みを有するガラス基板４
０が用意され、その上面に蓄積用コンデンサ２４とスイ
ッチング素子として機能する薄膜電界効果トランジスタ
（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来と同様な手
法で形成される。これらコンデンサ２４およびＴＦＴ２
６を形成することによって、ゲート線１４（＝５０）お
よび信号線１６が同時にガラス基板４０上に形成された
ことになる。
【００３２】続いて、同図Ｂのようにコンデンサ２４お
よびトランジスタ２６の上面を覆うように光導電層６２
が所定の厚みＬとなるように塗布される。光導電層６２
は上述したようにバインダー６４に、Ｘ線吸収率が高
く、光導電性のよい無機化合物が所定量混成されたもの
である。
よびトランジスタ２６の上面を覆うように光導電層６２
が所定の厚みＬとなるように塗布される。光導電層６２
は上述したようにバインダー６４に、Ｘ線吸収率が高
く、光導電性のよい無機化合物が所定量混成されたもの
である。
【００３３】光導電層６２が所定の厚みＬとなるまで塗
布されると、同図Ｃに示すようにその上面に共通電極６
０が従来手法によって被着形成されて、Ｘ線撮像パネル
１２が完成する。
布されると、同図Ｃに示すようにその上面に共通電極６
０が従来手法によって被着形成されて、Ｘ線撮像パネル
１２が完成する。
【００３４】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、電荷生成部２２
に入射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線
画像信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層６２を蒸
着ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚みとなる
までの形成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも
短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの製造コスト
を安くできる。
有する化合物を使用することによって、電荷生成部２２
に入射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線
画像信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層６２を蒸
着ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚みとなる
までの形成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも
短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの製造コスト
を安くできる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明では光導電
性の良好な光導電層を選択すると共に、塗布による分散
法によってこの光導電層をパネル基板上に形成するよう
にしたものである。
性の良好な光導電層を選択すると共に、塗布による分散
法によってこの光導電層をパネル基板上に形成するよう
にしたものである。
【００３６】これによれば、Ｘ線吸収率が高く、光導電
性が良好な光導電層であるために、照射されたＸ線エネ
ルギーによって効率よく対応する量の電荷を生成できる
ようになるから、Ｓ／ＮのよいＸ線画像信号を得ること
ができる。
性が良好な光導電層であるために、照射されたＸ線エネ
ルギーによって効率よく対応する量の電荷を生成できる
ようになるから、Ｓ／ＮのよいＸ線画像信号を得ること
ができる。
【００３７】またこの発明では塗布によって所定厚みの
光導電層を形成したので、所定厚みの光導電層の製造が
容易になり、その時間も短縮できるから、それに伴って
Ｘ線撮像パネルの製造コストを低減できる特徴を有す
る。したがってこの発明はＸ線撮像装置などに適用して
極めて好適である。
光導電層を形成したので、所定厚みの光導電層の製造が
容易になり、その時間も短縮できるから、それに伴って
Ｘ線撮像パネルの製造コストを低減できる特徴を有す
る。したがってこの発明はＸ線撮像装置などに適用して
極めて好適である。
【図１】この発明に係るＸ線撮像パネルの一実施形態を
示す一部の断面構成図である。
示す一部の断面構成図である。
【図２】光導電層の組成内容を示す図である。
【図３】この発明に係るＸ線撮像パネルの製造方法の一
実施形態を示す製造工程図である。
実施形態を示す製造工程図である。
【図４】Ｘ線撮像装置の一部の構成を示す図である。
【図５】Ｘ線撮像パネルの一部断面図である。
１２・・・Ｘ線撮像パネル １４・・・ゲート線 １６・・・信号線 ２０・・・変換セル ２２・・・電荷生成部 ２４・・・蓄積用コンデンサ ２６・・・スイッチング素子（ＴＦＴ） ２８・・・電源部 ４０・・・ガラス基板 ６２・・・光導電層 ６４・・・バインダー ６６・・・無機化合物
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年２月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 Ｘ線撮像パネル及びその製造方法
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０４Ｎ 5/32
Claims (5)
- 【請求項１】 人体等の被写体を透過したＸ線が投影さ
れるＸ線撮像パネルであって、 この撮像パネルは基板
上に形成されたＸ線吸収率が高く、光導電性を有する光
導電層と、 この光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配
列された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成
され、 この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれら
の上面に位置する上記光導電層とによって、Ｘ線像を電
気信号に変換する変換セルが構成され、 上記光導電層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みと
なされた塗布層であることを特徴とするＸ線撮像パネ
ル。 - 【請求項２】 上記光導電層は、ＺｎＯ，ＣｄＳ，Ｃｄ
Ｓｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，Ｐ
ｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 な
どのようにＸ線吸収率の高い光導電性無機化合物で構成
されていることを特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パ
ネル。 - 【請求項３】 上記光導電層は、Ｘ線吸収率を高めるた
め、その厚みが７００〜３０００μｍに選定されたこと
を特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パネル。 - 【請求項４】 基板上に蓄積用のコンデンサとスイッチ
ング素子が形成されると共に、 これらコンデンサおよびスイッチング素子の上面に塗布
によって光導電層が形成されたことを特徴とするＸ線撮
像パネルの製造方法。 - 【請求項５】 上記光導電層は、バインダーとＸ線吸収
率の高い光導電性無機化合物とで組成され、上記無機化
合物としてＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ
2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ
12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などが用いられることを
特徴とする請求項４記載のＸ線撮像パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019593A JPH11211832A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｘ線撮像パネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019593A JPH11211832A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｘ線撮像パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211832A true JPH11211832A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12003553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10019593A Pending JPH11211832A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｘ線撮像パネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11211832A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063340A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Kyoto Semiconductor Corporation | Radiametre et element de detection de radiations |
| US6472666B2 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-dimensional image detector and fabrication method of the same |
| US6603106B2 (en) | 2000-01-27 | 2003-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-dimensional image detector and fabrication method of the same |
| WO2006083109A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Sang Hee Nam | Digital x-ray image detector using an fed device |
| US7382006B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-06-03 | Fujifilm Corporation | Photo-conductive layer for constituting a radiation imaging panel |
| US7566880B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-07-28 | Fujifilm Corporation | Photo-conductor layer for constituting radiation imaging panels |
| US9077288B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-07-07 | Nlt Technologies, Ltd. | Amplifier circuit and image sensor using amplifier circuit |
| US9698184B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-07-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and driving method thereof |
| US9712770B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-07-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| JP2020513536A (ja) * | 2016-11-30 | 2020-05-14 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・フォー・ザ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | ハイブリッド・アクティブマトリクス・フラットパネル検出器システムおよび方法 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10019593A patent/JPH11211832A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472666B2 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-dimensional image detector and fabrication method of the same |
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| US7132666B2 (en) | 2001-02-07 | 2006-11-07 | Tomoji Takamasa | Radiation detector and radiation detecting element |
| JPWO2002063340A1 (ja) * | 2001-02-07 | 2004-06-10 | 京セミ株式会社 | 放射線検出器および放射線検出素子 |
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| US7781738B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-08-24 | Sang Hee Nam | Digital X-ray image detector using an FED device |
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| US9698184B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-07-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and driving method thereof |
| US9865644B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-01-09 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| US9712770B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-07-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| JP2020513536A (ja) * | 2016-11-30 | 2020-05-14 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・フォー・ザ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | ハイブリッド・アクティブマトリクス・フラットパネル検出器システムおよび方法 |
| US11504079B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-11-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hybrid active matrix flat panel detector system and method |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050330 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |