JPH11237478A

JPH11237478A - 放射線撮像パネル

Info

Publication number: JPH11237478A
Application number: JP10039224A
Authority: JP
Inventors: Fumio Shimada; 文生島田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1998-02-20
Filing date: 1998-02-20
Publication date: 1999-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ線吸収率がよく、絶縁耐性が高い、製造も容
易なＸ線撮像パネルを提供する。【解決手段】Ｘ線撮像パネル１２は基板４０上に形成さ
れた光導電層、すなわち電荷生成層２２と、この光導電
層と基板との間であって、２次元的に配列された蓄積用
コンデンサ２４とスイッチング素子２６とで構成され
る。電荷生成層はＸ線吸収率のよい無機化合物を主成分
とする電荷発生層６４と、電荷輸送層６２とで構成され
ている。電荷発生層がＸ線吸収率の高い光導電性物質で
あるためにＸ線画像信号のＳ／Ｎがよい。電荷発生層は
塗布工程で形成されるため、その製造が容易で、製造時
間も短縮されるためコストダウンを図れる。電荷輸送層
があるため絶縁耐性が優れいている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＸ線などの放射線
撮像装置に適用して好適な放射線撮像パネルに関する。
詳しくは、放射線撮像パネルを構成する光導電層として
放射線吸収率の高い無機化合物を主成分とした電荷発生
層と、生成された電荷を輸送する電荷輸送層との２層構
造とすることによって、製造が容易で、画像信号の解像
度が優れ、しかも絶縁破壊が起こりにくくした放射線撮
像パネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】人体などの組織を放射線例えばＸ線で撮
像するＸ線撮像装置（放射線撮像装置）として、近年Ｘ
線用の感光フィルムを使用する代わりに、Ｘ線像を２次
元のＸ線撮像パネルに導き、Ｘ線像（潜像）を画像信号
として得るようにしたＸ線撮像装置が開発されている。
このＸ線撮像装置には、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、
変換した光信号を電気信号に変換するいわゆる間接方式
の他に、Ｘ線像を直接電気信号に変換できるいわゆる直
接方式のＸ線撮像装置が知られている。

【０００３】Ｘ線像を電気信号に変換するにあたって
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。

【０００４】この直接方式によるＸ線撮像装置に使用さ
れるＸ線撮像パネルとしては図４に示すような構成が知
られている。図４において、撮像パネル１２は複数のゲ
ート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチをも
ってマトリックス状に配列され、それらが交差する内部
が画素として機能する変換セル２０となる。

【０００５】変換セル２０は照射されたＸ線の強さに基
づいた電荷を生成する電荷生成層２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。

【０００６】図示する例では電荷生成層２２が変換セル
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図５に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成層２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。

【０００７】Ｘ線撮像パネル１２には電源部２８より所
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成層２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。

【０００８】そして、垂直走査部３０から供給される垂
直操作用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチングトランジスタ２６がオンして、オンしたスイッ
チングトランジスタ２６に接続されたコンデンサ２４に
蓄積された電荷が対応する信号線１６を介して水平走査
部３２に導かれる。

【０００９】水平走査部３２では各信号線１６から導か
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けてブロック毎で並列
処理的に行ってもよく、この場合はＸ線画像信号の読み
取り時間を短縮できる。

【００１０】信号処理回路３４においては、このＸ線画
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。

【００１１】図５はＸ線撮像パネル１２の一部断面構成
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
ガラスなどの基板４０上には蓄積用コンデンサ２４とな
る一方の電極４２が被着形成されると共に、絶縁層４４
を介して対極となる電極４６が被着形成されて所定容量
のコンデンサ２４が形成される。

【００１２】コンデンサ２４に隣接してスイッチング素
子として機能するＴＦＴ２６が形成される。このＴＦＴ
２６の構成も周知であって、ゲートＧとなるゲート電極
５０がガラス基板４０上に形成され、このゲート電極５
０を覆うように絶縁層５２が被着形成され、その上の所
定位置にドレインＤとなるドレイン電極５４とソースＳ
となるソース電極５６がそれぞれ被着形成される。ソー
ス電極５６とコンデンサ２４用の電極４６とは一体形成
される。ドレイン電極５４は信号線１６としても使用さ
れる。

【００１３】基板４０上に形成されたこれらコンデンサ
２４およびＴＦＴ２６のさらに上面には電荷生成層２２
として機能する光導電層５７が所定の厚みとなるように
形成される。光導電層５７はアモルファスセレン（ａ−
Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導電層５７は通
常蒸着によって形成される。光導電層５７の上面には共
通電極６０が被着形成されて、変換セル２０が得られ
る。

【００１４】電極４２と６０との間には上述したような
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層５７内に
入射したＸ線によって光導電層５７の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積される。コ
ンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴ２６がオンする
ことによってドレイン電極５４に接続された信号線１６
を介して水平走査部３２に導かれる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＸ
線撮像パネル１２は、この撮像パネル内に設けられた電
荷生成層２２にＸ線を照射することによって、Ｘ線エネ
ルギーに相当する電荷を生成し、生成した電荷を電気信
号として読み出すようにしたものである。Ｘ線吸収率を
高くする意味で電荷生成層２２として機能する光導電層
５７の厚みは一般的に厚い方がよいが（例えば５００μ
ｍ以上）、この光導電層５７は通常蒸着法によって形成
されるため、上述したような厚みとなるまで光導電層５
７を成長させるには相当な時間がかかり、またその管理
も大変である。このことは結局のところ製造コストの上
昇となり、Ｘ線撮像パネル１２のコストアップを招来す
ることになっている。また生成電荷を増やすためにこの
光導電層５７をさらに厚くしようとすると、一層のコス
トアップを招来することになる。

【００１６】光導電層５７として蒸着によるのではな
く、塗布などの分散工程を採用できれば、所定厚みの光
導電層５７を短時間で形成できるようになるので、製造
時間の短縮と製造コストを削減できる。しかもこの光導
電層５７としてＸ線が照射されていないときは誘電体層
として働くようなＸ線吸収率の高い物質を使用すれば、
それだけ画像信号のＳ／Ｎが改善されると共に、絶縁破
壊なども免れることができる。

【００１７】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、Ｓ／Ｎのよい画像信号が得ら
れるようにすると共に、絶縁破壊の起きにくい放射線撮
像パネルを提案するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係る放射線撮像パネ
ルは、人体等の被写体を透過した放射線が投影される放
射線撮像パネルであって、この放射線撮像パネルは、放
射線の入射によって電荷を生成し、輸送する光導電層
と、生成された電荷を捕集、蓄積する電荷蓄積用コンデ
ンサと、蓄積された電荷を画像信号として取り出すスイ
ッチング素子とが設けられると共に、上記光導電層は、
上記放射線のエネルギーに相当する電荷を発生する電荷
発生層と、生成された電荷を輸送する電荷輸送層とで構
成されたことを特徴とする。

【００１９】この発明では、光導電層が２層構造となさ
れている。つまり電荷発生層と電荷輸送層とで構成され
る。電荷発生層としてＸ線吸収率の高い光導電性を有す
る化合物、具体的には酸化ビスマス系複合化合物を使用
する。この化合物はバインダによって混成された状態
で、基板上に所定の厚みとなるまで分散、塗布される。
電荷輸送層としては複写機用感光体ドラムなどにおいて
使用されている物質を使用することができる。

【００２０】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、電荷生成層に入
射したＸ線を効率よく電荷に変換でき、生成された電荷
は電荷輸送層を利用して効率よく捕集されるので、Ｘ線
画像信号のＳＮ比が向上する。また、電荷発生層を蒸着
ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚みとなるま
での形成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも短
縮できる。また、直流電界が印加される光導電層には電
荷輸送層が形成されているので、これによって撮像パネ
ルに印加される電場が均一となり、それだけ光導電層の
絶縁破壊が起こりにくい構造となっている。

【００２１】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る放射線撮
像パネルをＸ線撮像パネルに適用した場合についてその
一実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。

【００２２】この発明においても、人体などの被写体を
透過した放射線例えばＸ線はこの発明に係るＸ線撮像パ
ネル（ＦＰＤ；Flat Panel Detector）に投影され、こ
の撮像パネル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線画像信
号）に変換されて出力される。

【００２３】Ｘ線撮像パネル１２自身の基本的な構成も
従来と同様であって、その基本単位である変換セル２０
は、電荷生成層２２の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサ２４および蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッ
チングトランジスタ２６を有する。そしてその断面構成
は図１の通りである。

【００２４】この断面構成もその基本構成は従来と同様
であって、基板例えばガラス基板４０の上にマトリック
ス状に複数の変換セル２０が形成される。そのため、ガ
ラス基板４０上には電極４２、４６および絶縁層｛（Ｓ
ｉＯ₂）などの誘電体層｝４４がそれぞれ被着形成され
てコンデンサ２４が構成される。

【００２５】またコンデンサ２４に隣接してＴＦＴ２６
が設けられるのも従来と同じである。このＴＦＴ２６は
図示するようにゲート電極５０、ドレイン電極５４およ
びソース電極５６がそれぞれ被着形成されて構成される
ものであり、ソース電極５６はコンデンサ用電極４６と
連結される。

【００２６】コンデンサ２４およびスイッチング用トラ
ンジスタ２６の上面には所定の厚みＬを有する電荷生成
層２２が設けられる。この電荷生成層２２としてこの発
明では２層構造を採用する。図１の例では、上層に設け
られた電荷発生層（carriergeneration layer：ＣＧＬ
層）６４と、下層に設けられた電荷輸送層（carriertra
nsfer layer：ＣＴＬ層）６２とで光導電層すなわち電
荷生成層２２が構成される。

【００２７】電荷発生層６４としてこの発明では、Ｘ線
吸収率が高く、光導電性を有すると共に分散、塗布でき
るような無機化合物が用いられる。このような化合物を
使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善することと、
電荷発生層の製造を容易にするためである。

【００２８】電荷発生層６４はＸ線エネルギーを効率よ
く電荷に変換する関係で、５０〜２０００μｍ程度の厚
みＬｂに選定される。５０μｍ以下では充分なＸ線光吸
収効果が得られず、２０００μｍ以上の厚みになると、
ひび割れなどを起こし易くなるから、上述のような範囲
内で使用した方が好適である。

【００２９】電荷発生層６４としては、図２に示すよう
に無機化合物６４ａをバインダ６４ｂ中に混成したもの
が使用され、粒状をなすこの無機化合物６４ａを混成し
たバインダ６４ｂが基板４０上に所定の厚みＬｂとなる
まで塗布される。つまり、分散型の電荷発生層６４とし
て形成するのがこの発明の大きな特徴となる。バインダ
６４ｂとしては高電界に耐えられるような高誘電体物質
が使用される。

【００３０】電荷輸送層６２は生成電荷を効率よく電
極、この例では電極４６側に輸送するために設けられた
もので、この電荷輸送層６２を設けることによって電荷
の捕集効果が改善される。このように電荷捕集効果を高
めるために電荷輸送層６２が設けられている関係で、そ
の厚みＬａは余り厚くする必要がない。この例では１〜
１００μｍ、好ましくは１〜１０μｍ程度の厚みに選定
されている。

【００３１】また、このように電荷発生層６４とガラス
基板４０との間に、電荷輸送層６２を設けると、電荷輸
送層６２が電荷発生層６４よりも均一に塗布できること
から、撮像パネル１２に印加される直流高電圧が電荷輸
送層６２の面全体に均一に加わるようになり、これに伴
って光導電層全体の絶縁耐性が向上する。その結果、撮
像パネル１２に比較的高い電圧（４０００ボルト以上）
を加えても特に絶縁破壊を引き起こすようなことはな
い。印加電圧が高いと電荷捕集効率が改善される。

【００３２】電荷発生層６４の上面には従来と同じく共
通電極６０が被着形成されてＸ線撮像パネル１２が構成
される。

【００３３】図１に示すようなＸ線撮像パネル１２を製
造するには、所定の大きさと厚みを有するガラス基板４
０を用いる。ガラス基板４０の上面に蓄積用コンデンサ
２４とスイッチング素子として機能する薄膜電界効果ト
ランジスタ（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来
と同様な手法で形成される。コンデンサ２４およびＴＦ
Ｔ２６を形成することによって、ゲート線１４（＝５
０）および信号線１６が同時にガラス基板４０上に形成
されたことになる。

【００３４】続いて、コンデンサ２４およびＴＦＴ２６
の上面を覆うように電荷輸送層６２が所定の厚みＬｂと
なるように分散、塗布される。分散、塗布の代わりに電
荷輸送物質が溶融したディップ槽（図示はしない）を用
い、ここにガラス基板４０を浸して所定厚みの電荷輸送
層６２を形成することもできる。

【００３５】電荷輸送層６２の上面に電荷発生層６４が
所定の厚みＬｂとなるまで分散塗布される。電荷発生層
６４は上述したようにバインダ６４ｂに、Ｘ線吸収率が
高く、光導電性のよい無機化合物６４ａが所定量混成さ
れたものである。

【００３６】電荷発生層６４が所定の厚みＬｂとなるま
で塗布した後、その上面に共通電極６０が従来手法によ
って被着形成されて、Ｘ線撮像パネル１２が完成する。

【００３７】図３はこの発明の他の実施形態を示すＸ線
撮像パネル１２の要部断面図である。この図からも明ら
かなように、この実施形態では電荷生成層２２を構成す
る電荷発生層６４が下層に位置し、電荷輸送層６２が上
層に位置するようにした場合である。その他は図１と全
く同じである。

【００３８】ところで、上述したような性質を満足する
無機化合物としては酸化ビスマス系複合酸化物（その組
成式は、ＢｉｘＭＯｙ）を使用することができる。

【００３９】組成式が（ＢｉｘＭＯｙ）で表現される酸
化ビスマス系複合酸化物にあって、ＭはＧｅ、Ｓｉ，Ｔ
ｉ，ＧａおよびＡｌの中の少なくとも１種であり、ｘは
１０≦ｘ≦１４の条件を満たす数であり、ｙは上記Ｍお
よびｘにより化学量論的に酸素原子数である。

【００４０】この酸化ビスマス系複合酸化物としては、
薄板状γ型結晶体構造のものが使用される。分散、塗布
する酸化ビスマス系複合酸化物としては、ビスマスＢｉ
およびＭの金属アルコキシドを加水分解して得られたゾ
ル若しくはゲルを焼結処理したものが使用される。

【００４１】また、上記組成式のＭとしては、Ｇｅおよ
びＳｉが好適であって、そのうちの何れか一方が含まれ
ることはもちろんのこと、その双方が含まれる複合酸化
物であってもよい。例えば組成式のＭとしてＧｅを選ん
だときには、上記ｘが１２、ｙが２０である酸化ビスマ
ス系複合酸化物（Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀）が好適である。

【００４２】組成式のＭとしてＳｉを選んだときには、
上記ｘが１２、ｙが２０である酸化ビスマス系複合酸化
物（Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀）が好適である。

【００４３】電荷輸送層６２を構成する物質（ＣＴＭ）
としては、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導
体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導
体、イミダゾリン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、
スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ベンジジン化合
物、ピラゾリン誘導体、スチルベン化合物、アミン誘導
体、オキサゾロン誘導体、ベンゾジアゾール誘導体、ベ
ンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフ
ラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、ア
ミノスチルベン誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアント
ラセンなどを用いることができる。

【００４４】これらの中で特に好ましい電荷輸送物質と
して下記の化合物を挙げることができる。

【００４５】

【化１】

【００４６】

【化２】

【００４７】

【化３】

【００４８】

【化４】

【００４９】

【化５】

【００５０】

【化６】

【００５１】上述したバインダ６４ｂとして使用できる
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、
メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、
ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ス
チレン−ブタジエン樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体樹脂、塩化ビニル−無水マレイン酸共重
合体樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹
脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、ポリ
シラン樹脂、ポリビニルカルバゾール樹脂などがある。

【００５２】図２に示す溶液に含まれる溶媒若しくは分
散剤としては、上述したポリカービネート樹脂の溶媒若
しくは分散剤として使用されるものが好適である。

【００５３】電荷輸送層６２も電荷輸送物質の他にバイ
ンダ樹脂が使用され、このバインダ樹脂を適当な溶剤で
溶解させその溶液がガラス基板４０上に塗布される。電
荷輸送物質とバインダ樹脂とはその重量比が３：１〜
１：３となるように混合した方がよい。

【００５４】電荷輸送層６２を構成する物質としては上
述した他に、「特開平９−３１９１０２号公報」などに
開示されている電荷輸送物質（電荷輸送物質）を使用す
ることができる。

【００５５】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用した電荷発生層６４と、電荷輸送効
果を高める電荷輸送層６２とによって光導電層、すなわ
ち電荷生成層２２を構成することによって、電荷生成層
２２に入射したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、
Ｘ線画像信号のＳＮ比が向上する。また、電荷発生層６
４を蒸着ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚み
となるまでの形成時間を蒸着工程によって生成する場合
よりも短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの製造
コストを安くできる。電荷発生層６４とガラス基板４０
との間に電荷輸送層６２を設けたので、印加された電圧
による電場が光導電層全体に対して均一になるから、撮
像パネル１２の絶縁破壊が起こりにくくなる。放射線と
してはγ線などのようにＸ線以外の放射線でもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明では放射線
吸収率が高く、光導電性を有する化合物を使用した光導
電層と、電荷輸送効果を高める電荷輸送層とによって電
荷生成層を構成したものである。

【００５７】これによれば、電荷生成層に入射したＸ線
などの放射線を効率よく電荷に変換できるので、放射線
画像信号のＳＮ比が向上する。また、光導電層を蒸着で
はなく塗布工程で形成したので、所定の厚みとなるまで
の形成時間を蒸着工程によって生成する場合よりも短縮
できる。これによって放射線撮像パネルの製造コストを
安くできる。

【００５８】電荷発生層と基板との間若しくは共通電極
と電荷発生層との間に電荷輸送層を設けたので、印加さ
れた電圧による電場が光導電層全体に対して均一になっ
て、光導電層の絶縁耐性が向上するなどといった特徴を
有する。

【００５９】したがってこの発明はＸ線撮像装置などの
撮像パネルに適用して極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る放射線撮像パネルをＸ線撮像パ
ネルに適用したときの一実施形態を示す一部の断面構成
図である。

【図２】電荷発生層の組成内容を示す図である。

【図３】この発明に係る放射線撮像パネルをＸ線撮像パ
ネルに適用したときの他の実施形態を示す一部の断面構
成図である。

【図４】Ｘ線撮像装置の一部の構成を示す図である。

【図５】Ｘ線撮像パネルの一部断面図である。

【符号の説明】

１２Ｘ線撮像パネル１４ゲート線１６信号線２０変換セル２２電荷生成層２４蓄積用コンデンサ２６スイッチング素子（ＴＦＴ）２８電源部４０ガラス基板６２電荷輸送層６４電荷発生層６４ａ酸化ビスマス系複合酸化物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０４Ｎ 5/32 Ｈ０４Ｎ 5/32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】人体等の被写体を透過した放射線が投影
される放射線撮像パネルであって、この放射線撮像パネルは、放射線の入射によって電荷を
生成し、輸送する光導電層と、生成された電荷を捕集、
蓄積する電荷蓄積用コンデンサと、蓄積された電荷を画
像信号として取り出すスイッチング素子とが設けられる
と共に、上記光導電層は、上記放射線のエネルギーに相当する電
荷を生成する電荷発生層と、生成された電荷を輸送する
電荷輸送層とで構成されたことを特徴とする放射線撮像
パネル。
【請求項２】上記電荷発生層は、５０〜２０００μｍ
の厚みとなされたことを特徴とする請求項１記載の放射
線撮像パネル。
【請求項３】上記電荷輸送層は、１〜１００μｍ、好
ましくは１〜１０μｍの厚みとなされたことを特徴とす
る請求項１記載の放射線撮像パネル。
【請求項４】上記電荷発生層は、Ｘ線吸収率が高く、
光導電性が良好な無機化合物であることを特徴とする請
求項１記載の放射線撮像パネル。
【請求項５】上記無機化合物として、組成式ＢｉｘＭＯｙ（ただし、ＭはＧｅ、Ｓｉ，Ｔｉ，ＧａおよびＡｌの中
の少なくとも１種であり、ｘは１０≦ｘ≦１４の条件を
満たす数であり、ｙは上記Ｍおよびｘにより化学量論的
に酸素原子数を表す。）で表される酸化ビスマス系複合
酸化物が使用されることを特徴とする請求項４記載の放
射線撮像パネル。
【請求項６】上記酸化ビスマス系複合酸化物が薄板状
γ型結晶体であることを特徴とする請求項５記載の放射
線撮像パネル。
【請求項７】上記組成式のＭがＧｅおよびＳｉのうち
の何れか一方若しくはその双方であることを特徴とする
請求項５記載の放射線撮像パネル。
【請求項８】上記組成式のＭがＧｅであり、上記ｘが
１２、ｙが２０であることを特徴とする請求項５記載の
放射線撮像パネル。
【請求項９】上記組成式のＭがＳｉであり、上記ｘが
１２、ｙが２０であることを特徴とする請求項５記載の
放射線撮像パネル。
【請求項１０】上記酸化ビスマス系複合酸化物は、ビ
スマスおよびＭの金属アルコキシドを加水分解して得ら
れたゾル若しくはゲルを焼結処理したものであることを
特徴とする請求項５記載の放射線撮像パネル。
【請求項１１】上記コンデンサ及びスイッチング用ト
ランジスタ上に電荷輸送層と電荷発生層を順次積層して
なることを特徴とする請求項１記載の放射線撮像パネ
ル。