JP2000253313A - Ｘ線撮像パネルおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線撮像パネルおよびその製造方法Info
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- JP2000253313A JP2000253313A JP11051962A JP5196299A JP2000253313A JP 2000253313 A JP2000253313 A JP 2000253313A JP 11051962 A JP11051962 A JP 11051962A JP 5196299 A JP5196299 A JP 5196299A JP 2000253313 A JP2000253313 A JP 2000253313A
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- ray imaging
- photoconductive layer
- ray
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｘ線画像信号のＳ／Ｎを改善する。
【解決手段】人体等の被写体を透過したＸ線が投影され
るＸ線撮像パネル１２であって、この撮像パネルはそれ
ぞれ光導電層６２，６２′を有する第１および第２のＸ
線撮像部１３，１３′を有する。それぞれの光導電層に
Ｘ線を照射することによって生成された電荷が第１およ
び第２のＸ線撮像部によってＸ線画像信号に変換され、
変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得る。光導電層を２層構造とするこ
とによって、電荷生成層を厚くできる。その結果、Ｘ線
画像信号のＳ／Ｎを改善できる。
るＸ線撮像パネル１２であって、この撮像パネルはそれ
ぞれ光導電層６２，６２′を有する第１および第２のＸ
線撮像部１３，１３′を有する。それぞれの光導電層に
Ｘ線を照射することによって生成された電荷が第１およ
び第２のＸ線撮像部によってＸ線画像信号に変換され、
変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得る。光導電層を２層構造とするこ
とによって、電荷生成層を厚くできる。その結果、Ｘ線
画像信号のＳ／Ｎを改善できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線撮像装置に
適用して好適なＸ線撮像パネルに関する。詳しくは、Ｘ
線撮像パネルを構成するＸ線撮像部を２層構造とし、２
層分の光導電層による電荷生成を行うことによって、得
られる電気信号のＳ／Ｎを改善したものである。
適用して好適なＸ線撮像パネルに関する。詳しくは、Ｘ
線撮像パネルを構成するＸ線撮像部を２層構造とし、２
層分の光導電層による電荷生成を行うことによって、得
られる電気信号のＳ／Ｎを改善したものである。
【０００２】
【従来の技術】人体などの組織をＸ線撮像するＸ線撮像
装置として、近年Ｘ線用の感光フィルムを使用する代わ
りに、Ｘ線像を２次元のＸ線撮像パネルに導き、Ｘ線像
（潜像）を電気信号（画像信号）として得るようにした
Ｘ線撮像装置が開発されている。このＸ線撮像装置に
は、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、変換した光信号を電
気信号に変換するいわゆる間接方式の他に、Ｘ線像を直
接電気信号に変換できるいわゆる直接方式のＸ線撮像装
置が知られている。
装置として、近年Ｘ線用の感光フィルムを使用する代わ
りに、Ｘ線像を２次元のＸ線撮像パネルに導き、Ｘ線像
（潜像）を電気信号（画像信号）として得るようにした
Ｘ線撮像装置が開発されている。このＸ線撮像装置に
は、Ｘ線像を一旦光信号に変換し、変換した光信号を電
気信号に変換するいわゆる間接方式の他に、Ｘ線像を直
接電気信号に変換できるいわゆる直接方式のＸ線撮像装
置が知られている。
【０００３】Ｘ線像を電気信号に変換するにあたって
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。
は、直接方式は間接方式と違ってＸ線像を一旦光信号に
変換する必要がないので、鮮鋭性に優れた画像を得るこ
とができる。
【０００４】この直接方式によるＸ線撮像装置に使用さ
れるＸ線撮像パネルとしては図８に示すような構成が知
られている。図８において、撮像パネル１２には複数の
ゲート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチを
もってマトリックス状に配列され、それらが交差する内
部が画素として機能する変換セル２０となる。
れるＸ線撮像パネルとしては図８に示すような構成が知
られている。図８において、撮像パネル１２には複数の
ゲート線１４と信号線１６とがそれぞれ所定のピッチを
もってマトリックス状に配列され、それらが交差する内
部が画素として機能する変換セル２０となる。
【０００５】変換セル２０は照射されたＸ線の強さに基
づいた電荷を生成する電荷生成部２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。
づいた電荷を生成する電荷生成部２２と、生成された電
荷を蓄積する蓄積用コンデンサ２４と、このコンデンサ
２４に蓄積された電荷を電気信号（画像信号）として信
号線１６に導くスイッチング素子２６とで構成されてい
る。スイッチング素子２６としては図示するように、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが使用される。
【０００６】図示する例では電荷生成部２２が変換セル
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図９に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成部２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。
２０の半分程度の領域を占めるように描かれているが、
実際には図９に示すように変換セル２０の上部（Ｘ線照
射面）が電荷生成部２２となり、その下部にコンデンサ
２４およびスイッチング素子２６が設けられている。
【０００７】Ｘ線撮像パネル１２には電源部２８より所
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成部２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。
定の高電圧（５０００ボルト程度）が印加され、これに
よって電荷生成部２２において生成された電荷（電子と
正孔）が分離されて、この電子または正孔がコンデンサ
２４に蓄積される。
【０００８】そして、垂直走査部３０から供給される垂
直操作用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチング素子２６がオンして、オンしたスイッチング素
子２６に接続されたコンデンサ２４に蓄積された電荷が
対応する信号線１６を介して水平走査部３２に導かれ
る。
直操作用のゲート信号が対応するゲート線１４に加えら
れることによって、そのゲート線１４に接続されたスイ
ッチング素子２６がオンして、オンしたスイッチング素
子２６に接続されたコンデンサ２４に蓄積された電荷が
対応する信号線１６を介して水平走査部３２に導かれ
る。
【０００９】水平走査部３２では各信号線１６から導か
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けてブロック毎で並列
処理的に行ってもよく、この場合はＸ線画像信号の読み
取り時間を短縮できる。
れた画像信号が変換セル２０ごとに順次水平方向に走査
されて１ライン分のＸ線用画像信号が得られ、これが後
段の信号処理回路３４に導かれる。水平方向の走査は、
信号線をいくつかのブロックに分けてブロック毎で並列
処理的に行ってもよく、この場合はＸ線画像信号の読み
取り時間を短縮できる。
【００１０】信号処理回路３４においては、このＸ線画
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。
像信号がディジタル信号に変換されたり、ノイズ除去処
理、感度ムラや画素欠陥の補正、階調処理や周波数処理
などの各種信号処理や画像処理が施される。Ｘ線画像信
号はモニタに表示したり、メモリ手段に保存したり、感
光フィルム等の記録材料に現像したり、遠隔地に伝送し
たりすることができる。
【００１１】図９はＸ線撮像パネル１２の一部断面構成
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
ガラスなどの基板４０上には蓄積用コンデンサ２４とな
る一方の電極４２が被着形成されると共に、絶縁層４４
を介して対極となる電極４６が被着形成されて所定容量
のコンデンサ２４が形成される。
を示すもので、変換セル２０を中心に図示されている。
ガラスなどの基板４０上には蓄積用コンデンサ２４とな
る一方の電極４２が被着形成されると共に、絶縁層４４
を介して対極となる電極４６が被着形成されて所定容量
のコンデンサ２４が形成される。
【００１２】コンデンサ２４に隣接してスイッチング素
子として機能するＴＦＴ２６が形成される。このＴＦＴ
２６の構成も周知であって、ゲートＧとなるゲート電極
５０がガラス基板４０上に形成され、このゲート電極５
０を覆うように絶縁層５２が被着形成され、その上の所
定位置にドレインＤとなるドレイン電極５４とソースＳ
となるソース電極５６がそれぞれ被着形成される。ソー
ス電極５６とコンデンサ２４用の電極４６とは一体形成
される。ドレイン電極５４は信号線１６としても使用さ
れる。
子として機能するＴＦＴ２６が形成される。このＴＦＴ
２６の構成も周知であって、ゲートＧとなるゲート電極
５０がガラス基板４０上に形成され、このゲート電極５
０を覆うように絶縁層５２が被着形成され、その上の所
定位置にドレインＤとなるドレイン電極５４とソースＳ
となるソース電極５６がそれぞれ被着形成される。ソー
ス電極５６とコンデンサ２４用の電極４６とは一体形成
される。ドレイン電極５４は信号線１６としても使用さ
れる。
【００１３】基板４０上に形成されたこれらコンデンサ
２４およびＴＦＴ２６のさらに上面には電荷生成部２２
として機能する光導電層６２が所定の厚みとなるように
形成される。光導電層６２はアモルファスセレン（ａ−
Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導電層６２は通
常蒸着によって形成される。光導電層６２の上面には共
通電極６０が被着形成されて、変換セル２０が得られ
る。
２４およびＴＦＴ２６のさらに上面には電荷生成部２２
として機能する光導電層６２が所定の厚みとなるように
形成される。光導電層６２はアモルファスセレン（ａ−
Ｓｅ）などが使用されると共に、この光導電層６２は通
常蒸着によって形成される。光導電層６２の上面には共
通電極６０が被着形成されて、変換セル２０が得られ
る。
【００１４】電極４２と６０との間には上述したような
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層６２内に
入射したＸ線によって光導電層６２の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積されること
になる。コンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴ２６
がオンすることによってドレイン電極５４に接続された
信号線１６を介して水平走査部３２に導かれる。
高電圧が電源部２８より印加され、この高電界の印加状
態にあるとき、例えばパネル正面１２ａ側から人体等の
被写体を透過したＸ線が照射される。光導電層６２内に
入射したＸ線によって光導電層６２の内部にはＸ線エネ
ルギーの強さに応じた電荷が生成される。この電荷は電
極４２、６０間に印加された高電圧（高電界）によって
分離されて、マイナス電荷の電子とプラス電荷の正孔は
電極６０側または電極４６、５６側に引き寄せられる。
電極４６、５６側に引き寄せられた電荷はコンデンサ２
４によって捕集されて、Ｘ線エネルギーに対応した電荷
がコンデンサ２４の両極４２、４６内に蓄積されること
になる。コンデンサ２４に蓄積された電荷はＴＦＴ２６
がオンすることによってドレイン電極５４に接続された
信号線１６を介して水平走査部３２に導かれる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに電荷生成部２２として機能する光導電層６２でのＸ
線吸収率を高くするためには、この光導電層６２を厚
く、例えば５００μｍ以上に形成すればよい。しかし、
従来周知の光導電層形成法である蒸着法によってこのよ
うな厚みとなるまで光導電層６２を成長させるには相当
な時間もかかり、またその管理も大変である。このこと
は結局のところ製造コストの上昇となり、Ｘ線撮像パネ
ル１２のコストアップを招来することになっている。
うに電荷生成部２２として機能する光導電層６２でのＸ
線吸収率を高くするためには、この光導電層６２を厚
く、例えば５００μｍ以上に形成すればよい。しかし、
従来周知の光導電層形成法である蒸着法によってこのよ
うな厚みとなるまで光導電層６２を成長させるには相当
な時間もかかり、またその管理も大変である。このこと
は結局のところ製造コストの上昇となり、Ｘ線撮像パネ
ル１２のコストアップを招来することになっている。
【００１６】したがって生成電荷を多くして、電気信号
のＳ／Ｎを改善するには蒸着法に代わる層形成方法を採
用する必要がある上、できるだけ光導電層６２を厚くで
きるように工夫する必要がある。光導電層６２を単層で
厚くすることは、層形成方法を変更したとしても限界が
ある。
のＳ／Ｎを改善するには蒸着法に代わる層形成方法を採
用する必要がある上、できるだけ光導電層６２を厚くで
きるように工夫する必要がある。光導電層６２を単層で
厚くすることは、層形成方法を変更したとしても限界が
ある。
【００１７】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、Ｘ線撮像部を２層構造にして
光導電層の厚みを従来よりも大幅に高めることによっ
て、製造コストを高めることなく、電気信号のＳ／Ｎを
改善できるようにしたものである。
を解決したものであって、Ｘ線撮像部を２層構造にして
光導電層の厚みを従来よりも大幅に高めることによっ
て、製造コストを高めることなく、電気信号のＳ／Ｎを
改善できるようにしたものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係るＸ線撮像パネル
は、人体等の被写体を透過したＸ線が投影されるＸ線撮
像パネルであって、この撮像パネルはそれぞれ光導電層
を有する第１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光
導電層にＸ線を照射することによって生成された電荷が
上記第１および第２のＸ線撮像部によって電気信号に変
換され、変換された電気信号を合成することによってＳ
／Ｎの改善された電気信号を得るようにしたことを特徴
とする。
め、請求項１に記載したこの発明に係るＸ線撮像パネル
は、人体等の被写体を透過したＸ線が投影されるＸ線撮
像パネルであって、この撮像パネルはそれぞれ光導電層
を有する第１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光
導電層にＸ線を照射することによって生成された電荷が
上記第１および第２のＸ線撮像部によって電気信号に変
換され、変換された電気信号を合成することによってＳ
／Ｎの改善された電気信号を得るようにしたことを特徴
とする。
【００１９】請求項１０に記載したこの発明に係るＸ線
撮像パネル製造方法では、それぞれ光導電層を有する第
１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光導電層にＸ
線を照射することによって生成された電荷が上記第１お
よび第２のＸ線撮像部によって電気信号に変換され、変
換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改善
された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生成
するにあたって、ガラス基板の第１主面上に第１のＸ線
撮像部を構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素
子が形成されると共に、これらコンデンサおよびスイッ
チング素子の上面に塗布によって光導電層が形成され、
その後、上記ガラス基板の第２主面上に第２のＸ線撮像
部を構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素子が
形成されると共に、これらコンデンサおよびスイッチン
グ素子の上面に塗布によって光導電層が形成されことを
特徴とする。
撮像パネル製造方法では、それぞれ光導電層を有する第
１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光導電層にＸ
線を照射することによって生成された電荷が上記第１お
よび第２のＸ線撮像部によって電気信号に変換され、変
換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改善
された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生成
するにあたって、ガラス基板の第１主面上に第１のＸ線
撮像部を構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素
子が形成されると共に、これらコンデンサおよびスイッ
チング素子の上面に塗布によって光導電層が形成され、
その後、上記ガラス基板の第２主面上に第２のＸ線撮像
部を構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素子が
形成されると共に、これらコンデンサおよびスイッチン
グ素子の上面に塗布によって光導電層が形成されことを
特徴とする。
【００２０】請求項１１に記載したこの発明に係るＸ線
撮像パネルの製造方法では、それぞれ光導電層を有する
第１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光導電層に
Ｘ線を照射することによって生成された電荷が上記第１
および第２のＸ線撮像部によって電気信号に変換され、
変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生
成するにあたって、第１および第２のガラス基板上にそ
れぞれＸ線撮像部を構成する蓄積用のコンデンサとスイ
ッチング素子が形成されると共に、これらコンデンサお
よびスイッチング素子の上面に塗布によって光導電層が
形成され、その後、上記ガラス基板同士を貼着するよう
にしたことを特徴とする。
撮像パネルの製造方法では、それぞれ光導電層を有する
第１および第２のＸ線撮像部を有し、これら光導電層に
Ｘ線を照射することによって生成された電荷が上記第１
および第２のＸ線撮像部によって電気信号に変換され、
変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生
成するにあたって、第１および第２のガラス基板上にそ
れぞれＸ線撮像部を構成する蓄積用のコンデンサとスイ
ッチング素子が形成されると共に、これらコンデンサお
よびスイッチング素子の上面に塗布によって光導電層が
形成され、その後、上記ガラス基板同士を貼着するよう
にしたことを特徴とする。
【００２１】この発明では、Ｘ線撮像部を２層構造にし
て、光導電層の厚みを従来よりも厚くする。原理的には
従来と同一の手法を用いた場合でも２倍の厚みとするこ
とができる。
て、光導電層の厚みを従来よりも厚くする。原理的には
従来と同一の手法を用いた場合でも２倍の厚みとするこ
とができる。
【００２２】光導電層としてはＸ線吸収率の高い光導電
性を有する化合物を使用する。この化合物はバインダー
によって混成された状態で、ガラス基板上に塗布され
る。所定の厚みとなるまで光吸収材料が塗布される。
性を有する化合物を使用する。この化合物はバインダー
によって混成された状態で、ガラス基板上に塗布され
る。所定の厚みとなるまで光吸収材料が塗布される。
【００２３】このようにＸ線吸収率が高く、光導電性を
有する化合物を使用することによって、Ｘ線撮像部に入
射したＸ線をさらに効率よく電荷に変換できるので、２
層構造と相まってＸ線画像信号のＳＮ比が向上する。ま
た、光導電層を蒸着ではなく塗布工程で形成すれば、所
定の厚みとなるまでの形成時間を蒸着工程によって生成
する場合よりも短縮できる。これによってＸ線撮像パネ
ルの製造コストを低減できる。
有する化合物を使用することによって、Ｘ線撮像部に入
射したＸ線をさらに効率よく電荷に変換できるので、２
層構造と相まってＸ線画像信号のＳＮ比が向上する。ま
た、光導電層を蒸着ではなく塗布工程で形成すれば、所
定の厚みとなるまでの形成時間を蒸着工程によって生成
する場合よりも短縮できる。これによってＸ線撮像パネ
ルの製造コストを低減できる。
【００２４】ガラス基板を共通化しないときには、ガラ
ス基板同士を貼り合わせたり、光導電層を貼り合わせた
りすることによって、２層構造のＸ線撮像パネルを形成
できる。
ス基板同士を貼り合わせたり、光導電層を貼り合わせた
りすることによって、２層構造のＸ線撮像パネルを形成
できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】続いて、この発明に係るＸ線撮像
パネルおよびその製造方法の一実施形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
パネルおよびその製造方法の一実施形態を図面を参照し
て詳細に説明する。
【００２６】この発明においても、人体などの被写体を
透過したＸ線はこの発明に係るＸ線撮像パネル（ＦＰ
Ｄ；Flat Panel Detector）に投影され、この撮像パネ
ル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線画像信号）に変換
されて出力される。
透過したＸ線はこの発明に係るＸ線撮像パネル（ＦＰ
Ｄ；Flat Panel Detector）に投影され、この撮像パネ
ル内ではＸ線像が直接電気信号（Ｘ線画像信号）に変換
されて出力される。
【００２７】Ｘ線撮像パネル１２自身の基本的な構成も
従来と同様であって、Ｘ線撮像部の基本単位である変換
セルは、電荷生成部の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサおよび蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッチン
グトランジスタを有する。
従来と同様であって、Ｘ線撮像部の基本単位である変換
セルは、電荷生成部の他に、生成電荷を蓄積するコンデ
ンサおよび蓄積電荷を取り出すＴＦＴ構成のスイッチン
グトランジスタを有する。
【００２８】この発明ではＸ線撮像パネル１２を２層構
造とする。その一実施形態を図１に示す。この発明では
Ｘ線撮像パネル１２が第１と第２のＸ線撮像部１３，１
３′で構成される。
造とする。その一実施形態を図１に示す。この発明では
Ｘ線撮像パネル１２が第１と第２のＸ線撮像部１３，１
３′で構成される。
【００２９】図１の実施形態は基板例えばガラス基板４
０を共通に使用して、その第１主面（図では上面）４０
ａに第１のＸ線撮像部１３が形成され、ガラス基板４０
の第２主面（下面）４０ｂであって、第１のＸ線撮像部
１３と対称となる位置に、第２のＸ線撮像部１３′が形
成される。第１と第２のＸ線撮像部１３，１３′は全く
同じ構成である。
０を共通に使用して、その第１主面（図では上面）４０
ａに第１のＸ線撮像部１３が形成され、ガラス基板４０
の第２主面（下面）４０ｂであって、第１のＸ線撮像部
１３と対称となる位置に、第２のＸ線撮像部１３′が形
成される。第１と第２のＸ線撮像部１３，１３′は全く
同じ構成である。
【００３０】第１の電荷生成部１３の断面構成の基本構
成は従来と同様であって、ガラス基板４０の第１主面４
０ａ上にマトリックス状に複数の変換セル２０が形成さ
れる。そのため、ガラス基板４０上には電極４２、４６
および絶縁層｛（ＳｉＯ2）などの誘電体層｝４４がそ
れぞれ被着形成されてコンデンサ２４が構成される。
成は従来と同様であって、ガラス基板４０の第１主面４
０ａ上にマトリックス状に複数の変換セル２０が形成さ
れる。そのため、ガラス基板４０上には電極４２、４６
および絶縁層｛（ＳｉＯ2）などの誘電体層｝４４がそ
れぞれ被着形成されてコンデンサ２４が構成される。
【００３１】またコンデンサ２４に隣接してＴＦＴ２６
が設けられるのも従来と同じである。このＴＦＴ２６は
図示するようにゲート電極５０、ドレイン電極５４およ
びソース電極５６がそれぞれ被着形成されて構成される
ものであり、ソース電極５６はコンデンサ用電極５６と
連結される。
が設けられるのも従来と同じである。このＴＦＴ２６は
図示するようにゲート電極５０、ドレイン電極５４およ
びソース電極５６がそれぞれ被着形成されて構成される
ものであり、ソース電極５６はコンデンサ用電極５６と
連結される。
【００３２】コンデンサ２４およびＴＦＴ２６の上面に
は所定の厚みＬを有する電荷生成部２２が設けられる。
この電荷生成部２２を構成する光導電層６２としてこの
実施形態では、Ｘ線吸収率が高く、光導電性を有する無
機化合物が用いられる。
は所定の厚みＬを有する電荷生成部２２が設けられる。
この電荷生成部２２を構成する光導電層６２としてこの
実施形態では、Ｘ線吸収率が高く、光導電性を有する無
機化合物が用いられる。
【００３３】従来ではこの光導電層６２としてアモルフ
ァスセレンなどが使用されているが、この実施形態では
このようなＸ線吸収材料ではなく、特にＸ線吸収率や光
導電性を考慮した化合物が使用される。このような化合
物を使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善すること
と、光導電層の製造を容易にするためである。
ァスセレンなどが使用されているが、この実施形態では
このようなＸ線吸収材料ではなく、特にＸ線吸収率や光
導電性を考慮した化合物が使用される。このような化合
物を使用するのは、Ｘ線の電荷変換効率を改善すること
と、光導電層の製造を容易にするためである。
【００３４】このような性質を満足する無機化合物とし
ては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，
ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12Ｇ
ｅＯ2 0，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などがある。これらは何れも
Ｘ線吸収率が高く、光導電性が良好な物質であるからで
ある。光導電層６２としてはこれらの無機化合物を図２
に示すバインダー６４中に混成したものが使用され、粒
状をなすこの無機化合物６６を混成したバインダー６４
が基板４０ａ上に所定の厚みＬ（図１）となるまで塗布
される。つまり、分散型の光導電層６２として形成す
る。
ては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，
ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12Ｇ
ｅＯ2 0，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などがある。これらは何れも
Ｘ線吸収率が高く、光導電性が良好な物質であるからで
ある。光導電層６２としてはこれらの無機化合物を図２
に示すバインダー６４中に混成したものが使用され、粒
状をなすこの無機化合物６６を混成したバインダー６４
が基板４０ａ上に所定の厚みＬ（図１）となるまで塗布
される。つまり、分散型の光導電層６２として形成す
る。
【００３５】厚みＬは従来と同じ厚み（５００μｍ程
度）とすることもできれば、これよりも薄く例えば３０
０μｍ程度にしたり、あるいは従来よりも厚く例えば７
００μｍ以上１０００μｍ程度とすることもできる。従
来よりも薄くしたのは、単体では薄くても２層構造とす
ることによって厚みを増すことができるためである。ま
た従来よりも厚くできるのは、分散塗布工程によって光
導電層６２を形成できるためである。バインダー６４と
しては高電界に耐えられるような高誘電体物質が使用さ
れる。
度）とすることもできれば、これよりも薄く例えば３０
０μｍ程度にしたり、あるいは従来よりも厚く例えば７
００μｍ以上１０００μｍ程度とすることもできる。従
来よりも薄くしたのは、単体では薄くても２層構造とす
ることによって厚みを増すことができるためである。ま
た従来よりも厚くできるのは、分散塗布工程によって光
導電層６２を形成できるためである。バインダー６４と
しては高電界に耐えられるような高誘電体物質が使用さ
れる。
【００３６】光導電層６２の上面にはさらに従来と同じ
く共通電極６０が被着形成されて第１のＸ線撮像部１３
が完成する。
く共通電極６０が被着形成されて第１のＸ線撮像部１３
が完成する。
【００３７】ガラス基板４０の第２主面４０ｂ側にも第
１のＸ線撮像部１３と同じ構造である第２のＸ線撮像部
１３′が、第１のＸ線撮像部１３と対称となる位置に形
成される。対応する部分には「′」を付す。その説明は
省略する。こうして図１に示すような２層構造のＸ線撮
像パネル１２が得られる。
１のＸ線撮像部１３と同じ構造である第２のＸ線撮像部
１３′が、第１のＸ線撮像部１３と対称となる位置に形
成される。対応する部分には「′」を付す。その説明は
省略する。こうして図１に示すような２層構造のＸ線撮
像パネル１２が得られる。
【００３８】第１のＸ線撮像部１３の上面側よりＸ線が
照射された場合、このＸ線はガラス基板４０を透過し
て、第２のＸ線撮像部１３′側まで到達する。その結
果、第１の光導電層６２内をＸ線が透過することによっ
てそのＸ線エネルギーに対応する電荷が生成され、また
第２のＸ線撮像部１３′まで到達したＸ線は、第２の光
導電層６２′内でそのＸ線エネルギーに対応した電荷が
生成される。
照射された場合、このＸ線はガラス基板４０を透過し
て、第２のＸ線撮像部１３′側まで到達する。その結
果、第１の光導電層６２内をＸ線が透過することによっ
てそのＸ線エネルギーに対応する電荷が生成され、また
第２のＸ線撮像部１３′まで到達したＸ線は、第２の光
導電層６２′内でそのＸ線エネルギーに対応した電荷が
生成される。
【００３９】それぞれの光導電層６２，６２′内で生成
された電荷は図３のようにそれぞれのＸ線画像信号Ｓ
ａ、Ｓａ′として出力され、後段の画像信号合成回路６
４において、同じ変換セル同士の画像信号が合成されて
最終的なＸ線画像信号Ｓｘが得られる。
された電荷は図３のようにそれぞれのＸ線画像信号Ｓ
ａ、Ｓａ′として出力され、後段の画像信号合成回路６
４において、同じ変換セル同士の画像信号が合成されて
最終的なＸ線画像信号Ｓｘが得られる。
【００４０】このように光導電層単一の厚みが従来と同
じであったとしても光導電層６２，６２′全体の厚みは
２倍となり、それだけ照射されたＸ線エネルギーを効率
よくそれぞれの光導電層６２，６２′での電荷生成を可
能にするから、Ｘ線画像信号のＳ／Ｎを従来よりも大幅
に改善することができる。
じであったとしても光導電層６２，６２′全体の厚みは
２倍となり、それだけ照射されたＸ線エネルギーを効率
よくそれぞれの光導電層６２，６２′での電荷生成を可
能にするから、Ｘ線画像信号のＳ／Ｎを従来よりも大幅
に改善することができる。
【００４１】続いて、図１に示すこの発明に係るＸ線撮
像パネル１２の製造方法の一実施形態を図４および図５
に示す。
像パネル１２の製造方法の一実施形態を図４および図５
に示す。
【００４２】まず第１のＸ線撮像部１３を形成するた
め、図４Ａのように所定の大きさと厚みを有するガラス
基板４０が用意され、その上面に蓄積用コンデンサ２４
とスイッチング素子として機能する薄膜電界効果トラン
ジスタ（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来と同
様な手法で形成される。これらコンデンサ２４およびＴ
ＦＴ２６を形成することによって、ゲート線１４（＝５
０）および信号線１６が同時にガラス基板４０上に形成
されたことになる。
め、図４Ａのように所定の大きさと厚みを有するガラス
基板４０が用意され、その上面に蓄積用コンデンサ２４
とスイッチング素子として機能する薄膜電界効果トラン
ジスタ（ＴＦＴ）２６が所定のピッチをもって従来と同
様な手法で形成される。これらコンデンサ２４およびＴ
ＦＴ２６を形成することによって、ゲート線１４（＝５
０）および信号線１６が同時にガラス基板４０上に形成
されたことになる。
【００４３】続いて、図４Ｂのようにコンデンサ２４お
よびトランジスタ２６の上面を覆うように光導電層６２
が所定の厚みＬとなるように塗布される。光導電層６２
は上述したようにバインダー６４に、Ｘ線吸収率が高
く、光導電性のよい無機化合物が所定量混成されたもの
である。
よびトランジスタ２６の上面を覆うように光導電層６２
が所定の厚みＬとなるように塗布される。光導電層６２
は上述したようにバインダー６４に、Ｘ線吸収率が高
く、光導電性のよい無機化合物が所定量混成されたもの
である。
【００４４】光導電層６２が所定の厚みＬとなるまで塗
布されると、図４Ｃに示すようにその上面に共通電極６
０が従来手法によって被着形成されて、第１のＸ線撮像
部１３が完成する。
布されると、図４Ｃに示すようにその上面に共通電極６
０が従来手法によって被着形成されて、第１のＸ線撮像
部１３が完成する。
【００４５】続いて、ガラス基板４０の第２主面４０ｂ
側に第２のＸ線撮像部１３′が形成される。まず図５Ｄ
のように第２主面４０ｂ側にＴＦＴ２６′と蓄積コンデ
ンサ２４′がそれぞれ形成され、その後図５Ｅのように
光導電物質が分散塗布されて所定厚みＬの第２の光導電
層６２′が生成される。第２の光導電層６２′の表面に
は電極６０′が被着形成されて第２のＸ線撮像部１３′
が完成し、これによって２層構造のＸ線撮像パネル１２
が完成する。
側に第２のＸ線撮像部１３′が形成される。まず図５Ｄ
のように第２主面４０ｂ側にＴＦＴ２６′と蓄積コンデ
ンサ２４′がそれぞれ形成され、その後図５Ｅのように
光導電物質が分散塗布されて所定厚みＬの第２の光導電
層６２′が生成される。第２の光導電層６２′の表面に
は電極６０′が被着形成されて第２のＸ線撮像部１３′
が完成し、これによって２層構造のＸ線撮像パネル１２
が完成する。
【００４６】図６はこの発明に係るＸ線撮像パネル１２
の他の実施形態を示す要部の断面図であって、同図の場
合はガラス基板４０を共通化するのではなく、それぞれ
２枚のガラス基板４０，４０′の第１主面４０ａ、４０
ａ′側にＸ線撮像部１３，１３′を形成した後、ガラス
基板４０，４０′の第２主面４０ｂ、４０ｂ′同士を貼
り合わせて、Ｘ線撮像パネル１２を構成した場合であ
る。
の他の実施形態を示す要部の断面図であって、同図の場
合はガラス基板４０を共通化するのではなく、それぞれ
２枚のガラス基板４０，４０′の第１主面４０ａ、４０
ａ′側にＸ線撮像部１３，１３′を形成した後、ガラス
基板４０，４０′の第２主面４０ｂ、４０ｂ′同士を貼
り合わせて、Ｘ線撮像パネル１２を構成した場合であ
る。
【００４７】また、図７はこの発明に係るＸ線撮像パネ
ル１２のさらに他の実施形態を示す要部の断面図であっ
て、同図の場合も図６と同様にガラス基板４０を共通化
するのではなく、それぞれ２枚のガラス基板４０，４
０′の第１主面４０ａ、４０ａ′側にＸ線撮像部１３，
１３′を形成した後、この例では電極６０，６０′側同
士を貼り合わせて、Ｘ線撮像パネル１２を構成した場合
である。図６および図７の何れの場合でも所期の目的を
達成できる。
ル１２のさらに他の実施形態を示す要部の断面図であっ
て、同図の場合も図６と同様にガラス基板４０を共通化
するのではなく、それぞれ２枚のガラス基板４０，４
０′の第１主面４０ａ、４０ａ′側にＸ線撮像部１３，
１３′を形成した後、この例では電極６０，６０′側同
士を貼り合わせて、Ｘ線撮像パネル１２を構成した場合
である。図６および図７の何れの場合でも所期の目的を
達成できる。
【００４８】上述した何れの実施形態の場合でも、光導
電層を２層構造とすると共に、この例ではＸ線吸収率が
高く、光導電性を有する化合物を光導電物質として使用
することによって、電荷生成部２２および２２′に入射
したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線画像信
号のＳ／Ｎ比が向上する。また、光導電層６２、６２′
を蒸着ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚みと
なるまでの形成時間を蒸着工程によって生成する場合よ
りも短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの製造コ
ストを安くできる。
電層を２層構造とすると共に、この例ではＸ線吸収率が
高く、光導電性を有する化合物を光導電物質として使用
することによって、電荷生成部２２および２２′に入射
したＸ線を効率よく電荷に変換できるので、Ｘ線画像信
号のＳ／Ｎ比が向上する。また、光導電層６２、６２′
を蒸着ではなく塗布工程で形成したので、所定の厚みと
なるまでの形成時間を蒸着工程によって生成する場合よ
りも短縮できる。これによってＸ線撮像パネルの製造コ
ストを安くできる。
【００４９】上述した実施形態では、Ｘ線撮像部の蓄積
部である上下のコンデンサ２４，２４′が上下でほぼ完
全に重なるように配置したが、同一ピッチで形成された
これら上下のコンデンサ２４，２４′が重ならないよう
に形成することもできる。例えば、上下何れかを左右方
向に１／２だけシフトし、上側のコンデンサ２４と２４
の間に下側のコンデンサ２４′，２４′が位置するよう
に構成することもできる。
部である上下のコンデンサ２４，２４′が上下でほぼ完
全に重なるように配置したが、同一ピッチで形成された
これら上下のコンデンサ２４，２４′が重ならないよう
に形成することもできる。例えば、上下何れかを左右方
向に１／２だけシフトし、上側のコンデンサ２４と２４
の間に下側のコンデンサ２４′，２４′が位置するよう
に構成することもできる。
【００５０】こうすることによって、Ｘ線情報を利用で
きないデッドスペースが低減されるので、Ｘ線利用効率
や画像の粒状性が向上する。さらに上下のＴＦＴ同士を
１／２ピッチだけシフトして形成した場合には、デッド
スペース分を画像補間できるのでその分解像度を高める
ことができる。Ｘ線撮像部を上下方向の他に左右方向に
対しても１／２ピッチずらせば、最も効率よくＸ線を利
用でき、解像度も向上させることができることは容易に
理解できる。
きないデッドスペースが低減されるので、Ｘ線利用効率
や画像の粒状性が向上する。さらに上下のＴＦＴ同士を
１／２ピッチだけシフトして形成した場合には、デッド
スペース分を画像補間できるのでその分解像度を高める
ことができる。Ｘ線撮像部を上下方向の他に左右方向に
対しても１／２ピッチずらせば、最も効率よくＸ線を利
用でき、解像度も向上させることができることは容易に
理解できる。
【００５１】コンデンサのピッチをＰTとしたとき、下
側のＴＦＴは上側のＴＦＴに対し、０．２ＰT〜０．８
ＰTの重なりとすることもできる。
側のＴＦＴは上側のＴＦＴに対し、０．２ＰT〜０．８
ＰTの重なりとすることもできる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明ではＸ線撮
像部を構成する光導電層を２層構造としたものである。
像部を構成する光導電層を２層構造としたものである。
【００５３】これによれば、それぞれの光導電層におい
て入射したＸ線から電荷を生成できるため、照射された
Ｘ線エネルギーを効率よく電荷に変換できるようになる
から、従来よりもＳ／ＮのよいＸ線画像信号を得ること
ができる。またＸ線吸収率が高く、光導電性を有する化
合物を光導電物質として使用する場合には、入射したＸ
線を一層効率よく電荷に変換できる。
て入射したＸ線から電荷を生成できるため、照射された
Ｘ線エネルギーを効率よく電荷に変換できるようになる
から、従来よりもＳ／ＮのよいＸ線画像信号を得ること
ができる。またＸ線吸収率が高く、光導電性を有する化
合物を光導電物質として使用する場合には、入射したＸ
線を一層効率よく電荷に変換できる。
【００５４】また塗布によって所定厚みの光導電層を形
成する場合には、所定厚みの光導電層の製造が容易にな
り、その時間も短縮できるから、それに伴ってＸ線撮像
パネルの製造コストを低減できる特徴を有する。したが
ってこの発明はＸ線撮像装置などに適用して極めて好適
である。
成する場合には、所定厚みの光導電層の製造が容易にな
り、その時間も短縮できるから、それに伴ってＸ線撮像
パネルの製造コストを低減できる特徴を有する。したが
ってこの発明はＸ線撮像装置などに適用して極めて好適
である。
【図１】この発明に係るＸ線撮像パネルの一実施形態を
示す一部の断面構成図である。
示す一部の断面構成図である。
【図２】光導電層の組成内容を示す図である。
【図３】電荷合成回路例を示す系統図である。
【図４】この発明に係るＸ線撮像パネルの製造方法の一
実施形態を示す製造工程図（その１）である。
実施形態を示す製造工程図（その１）である。
【図５】この発明に係るＸ線撮像パネルの製造方法の一
実施形態を示す製造工程図（その２）である。
実施形態を示す製造工程図（その２）である。
【図６】この発明に係るＸ線撮像パネルの他の実施形態
を示す一部の断面構成図である。
を示す一部の断面構成図である。
【図７】この発明に係るＸ線撮像パネルの他の実施形態
を示す一部の断面構成図である。
を示す一部の断面構成図である。
【図８】Ｘ線撮像装置の一部の構成を示す図である。
【図９】Ｘ線撮像パネルの一部断面図である。
１２ Ｘ線撮像パネル １３，１３′ Ｘ線撮像部 １４ ゲート線 １６ 信号線 ２０ 変換セル ２２ 電荷生成部 ２４ 蓄積用コンデンサ ２６ スイッチング素子（ＴＦＴ） ２８ 電源部 ４０，４０′ ガラス基板 ４０ａ，４０ａ′ 第１主面 ４０ｂ，４０ｂ′ 第２主面 ６２，６２′ 光導電層 ６４ バインダー ６６ 無機化合物
Claims (12)
- 【請求項１】 人体等の被写体を透過したＸ線が投影さ
れるＸ線撮像パネルであって、 この撮像パネルはそれぞれ光導電層を有する第１および
第２のＸ線撮像部を有し、 これら光導電層にＸ線を照射することによって生成され
た電荷が上記第１および第２のＸ線撮像部によって電気
信号に変換され、 変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得るようにしたことを特徴とするＸ
線撮像パネル。 - 【請求項２】 上記第１と第２のＸ線撮像部は、入射し
たＸ線に対して上下対称となる位置に形成されたことを
特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パネル。 - 【請求項３】 上記第１と第２のＸ線撮像部の形成ピッ
チが同じであると共に、 それぞれのＸ線撮像部が互いに一致しないように配置さ
れたことを特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パネル。 - 【請求項４】 ガラス基板を共通にしてその第１主面上
に光導電層を有する第１のＸ線撮像部が形成され、 上記ガラス基板の第２主面上に光導電層を有する第２の
Ｘ線撮像部が形成されたことを特徴とする請求項１記載
のＸ線撮像パネル。 - 【請求項５】 上記第１のＸ線撮像部は第１のガラス基
板上に形成され、 上記第２のＸ線撮像部は第２のガラス基板上に形成さ
れ、 上記第１と第２のガラス基板同士が貼り合わされて構成
されたことを特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パネ
ル。 - 【請求項６】 上記第１のＸ線撮像部は第１のガラス基
板上に形成され、 上記第２のＸ線撮像部は第２のガラス基板上に形成さ
れ、 上記第１と第２のＸ線撮像部に形成された光導電層同士
が貼り合わされて構成されたことを特徴とする請求項１
記載のＸ線撮像パネル。 - 【請求項７】 上記第１および第２のＸ線撮像部は、 基板上に形成されたＸ線吸収率が高く、光導電性を有す
る光導電層と、 この光導電層と上記基板との間であって、２次元的に配
列された蓄積用コンデンサとスイッチング素子とで構成
され、 この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれら
の上面に位置する上記光導電層とによって、Ｘ線像を電
気信号に変換する変換セルが構成され、 上記光導電層は上記基板上に塗布しながら所定の厚みと
なされた塗布層であることを特徴とする請求項１記載の
Ｘ線撮像パネル。 - 【請求項８】 上記光導電層は、ＺｎＯ，ＣｄＳ，Ｃｄ
Ｓｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，Ｐ
ｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 な
どのようにＸ線吸収率の高い光導電性無機化合物で構成
されていることを特徴とする請求項７記載のＸ線撮像パ
ネル。 - 【請求項９】 上記光導電層は、Ｘ線吸収率を高めるた
め、その厚みが３００〜１０００μｍに選定されたこと
を特徴とする請求項１記載のＸ線撮像パネル。 - 【請求項１０】 それぞれ光導電層を有する第１および
第２のＸ線撮像部を有し、 これら光導電層にＸ線を照射することによって生成され
た電荷が上記第１および第２のＸ線撮像部によって電気
信号に変換され、 変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生
成するにあたって、 ガラス基板の第１主面上に第１のＸ線撮像部を構成する
蓄積用のコンデンサとスイッチング素子が形成されると
共に、 これらコンデンサおよびスイッチング素子の上面に塗布
によって光導電層が形成され、 その後、上記ガラス基板の第２主面上に第２のＸ線撮像
部を構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素子が
形成されると共に、 これらコンデンサおよびスイッチング素子の上面に塗布
によって光導電層が形成されたことを特徴とするＸ線撮
像パネルの製造方法。 - 【請求項１１】 それぞれ光導電層を有する第１および
第２のＸ線撮像部を有し、 これら光導電層にＸ線を照射することによって生成され
た電荷が上記第１および第２のＸ線撮像部によって電気
信号に変換され、 変換された電気信号を合成することによってＳ／Ｎの改
善された電気信号を得るようにしたＸ線撮像パネルを生
成するにあたって、 第１および第２のガラス基板上にそれぞれＸ線撮像部を
構成する蓄積用のコンデンサとスイッチング素子が形成
されると共に、 これらコンデンサおよびスイッチング素子の上面に塗布
によって光導電層が形成され、 その後、上記ガラス基板同士を貼着するようにしたこと
を特徴とするＸ線撮像パネルの製造方法。 - 【請求項１２】 上記光導電層は、バインダーとＸ線吸
収率の高い光導電性無機化合物とで組成され、上記無機
化合物としてＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，Ｈｇ
Ｉ2，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2，ＴｌＩ2，Ｂ
ｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20 などが用いられること
を特徴とする請求項１０〜１１記載のＸ線撮像パネルの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051962A JP2000253313A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Ｘ線撮像パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051962A JP2000253313A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Ｘ線撮像パネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000253313A true JP2000253313A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12901500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11051962A Pending JP2000253313A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Ｘ線撮像パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000253313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089209A2 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Sony Corporation | Image pickup panel and image pickup processing system |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11051962A patent/JP2000253313A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089209A2 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Sony Corporation | Image pickup panel and image pickup processing system |
| KR20140113638A (ko) | 2011-12-15 | 2014-09-24 | 소니 주식회사 | 촬상 패널 및 촬상 처리 시스템 |
| US9164182B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-10-20 | Sony Corporation | Image pickup panel and image pickup processing system |
| US9651683B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-05-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image pickup panel and image pickup processing system |
| US10663604B2 (en) | 2011-12-15 | 2020-05-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image pickup panel and image pickup processing system |
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