JP2003234460A - 積層型光導電膜および固体撮像装置 - Google Patents

積層型光導電膜および固体撮像装置

Info

Publication number
JP2003234460A
JP2003234460A JP2002034175A JP2002034175A JP2003234460A JP 2003234460 A JP2003234460 A JP 2003234460A JP 2002034175 A JP2002034175 A JP 2002034175A JP 2002034175 A JP2002034175 A JP 2002034175A JP 2003234460 A JP2003234460 A JP 2003234460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoconductive film
light
function
wavelength
absorbing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002034175A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Aihara
聡 相原
Nobuo Saito
信雄 斎藤
Masahide Abe
正英 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Broadcasting Corp
Original Assignee
Nippon Hoso Kyokai NHK
Japan Broadcasting Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Hoso Kyokai NHK, Japan Broadcasting Corp filed Critical Nippon Hoso Kyokai NHK
Priority to JP2002034175A priority Critical patent/JP2003234460A/ja
Publication of JP2003234460A publication Critical patent/JP2003234460A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い解像度および高い光の利用効率を有する
固体撮像装置を実現することができる積層型光導電膜お
よび固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 積層型光導電膜24は、光の三原色のう
ち相互に異なる色の波長の光を吸収機能を有する3つの
光導電膜26、28、30が積層された構成を有する。
光導電膜26および光導電膜28はそれぞれ吸収した特
定波長領域の光の吸収特性に応じた光電流を生成すると
ともに、同時にそれぞれの下側の光導電膜に対するフィ
ルタの機能を有する。光導電膜30は、光導電膜26お
よび光導電膜28のいずれにも吸収されなかった波長領
域の光を吸収し、光電流を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導電膜および光
導電膜を有する固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光導電膜は、例えば光センサ等に広く利
用され、特に、テレビカメラ等の撮像装置(固体撮像装
置)の受光素子(固体撮像素子)として好適に用いられ
ている。撮像装置の受光素子として用いられる光導電膜
の材料としては、Si膜やa−Se膜等の無機材料の膜
が主に用いられている。
【0003】これら無機材料の膜を用いた従来の光導電
膜は、光導電特性に対して急峻な波長依存性を持たな
い。このため、光導電膜を用いた撮像装置は、入射光を
赤、緑、青の三原色に分解するプリズムと、プリズムの
後段に配置される3枚の光導電膜とを備えた3板構造の
ものが主流となっている。
【0004】しかしながら、この3板式構造の撮像装置
は、構造上、寸法および重量がともに大きくなることを
避けることができない。
【0005】撮像装置の小型軽量化を実現するには、分
光プリズムを設ける必要がなく、受光素子が1枚である
単板構造のものが望まれ、例えば、単板受光素子に赤、
緑、青の色フィルタを縞状に配置した構造の撮像装置が
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
単板受光素子を有する撮像装置は、所定の面積を占める
色フィルタに対応して赤、緑、青の受光素子で1画素を
構成しているため、解像度を高くとることができない。
また、画素単位でみると、所望の色以外の波長の入射光
は色フィルタに吸収され有効に利用されていない。
【0007】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、高い解像度および光の利用効率を有する固体
撮像装置を実現することができる積層型光導電膜および
この積層型光導電膜を備えた固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型光導
電膜は、光の三原色のうちの所定の色の波長の光を吸収
する機能を有する第1の光導電膜と、該所定の色以外の
他の1色の波長の光を吸収する機能を有する第2の光導
電膜とを積層してなることを特徴とする。
【0009】ここで、第1の光導電膜における所定の色
とは、光三原色のうちの1色であってもよく、また、2
色であってもよい。なお、周知事項として、各光導電膜
はそれぞれ1組の電極を光導電膜の両面に有し、光導電
膜が吸収した光によって光電流を生成する。また、異な
る光導電膜の電極間は絶縁層によって絶縁される。
【0010】本発明の上記の構成より、白色光が2つの
光導電膜によってそれぞれ異なる色の波長の光を順次吸
収されるため、光導電膜の光の利用効率が高く、高い感
度を得ることができる。また、異なる色の波長の光を吸
収する2つの光導電膜が積層配置されているため、光導
電膜を高密度に集積配置することができ、高い解像度を
得ることができる。
【0011】この場合、前記第2の光導電膜は、前記所
定の色の波長の光をさらに吸収する機能を有するもので
あると、材料の選択範囲に自由度が増し、また、容易な
形成条件で高い感度の第2の光導電膜を得ることでき
る。このとき、第1の光導電膜が第2の光導電膜のフィ
ルタとして作用し、第2の導電膜では目的とする所定の
色の波長の光のみが吸収される。
【0012】また、本発明に係る積層型光導電膜は、光
の三原色のうちのいずれか1色の波長の光を吸収する機
能を有する光導電膜と、他の1色の波長の光を吸収する
機能を有する光導電膜と、残りの1色の光を吸収する機
能を有する光導電膜とを積層してなると、高い感度およ
び解像度を有するカラー画像を得ることができる。
【0013】また、本発明に係る積層型光導電膜は、光
の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか1色で
ある第1の色の波長の光を吸収する機能を有するととも
に該第1の色以外の他の色の波長の光を一部吸収する機
能を有する前側光導電膜と、該他の色のうちのいずれか
1色である第2の色の波長の光を吸収する機能を有する
とともに該第2の色以外の他の色の波長の光を一部吸収
する機能を有する中間光導電膜と、該他の色のうちの残
り1色である第3の色の波長の光を少なくとも吸収する
機能を有する後側光導電膜とを積層してなることを特徴
とする。
【0014】これにより、材料の選択範囲に自由度が増
し、また、容易な形成条件で高い感度の各光導電膜を得
ることできる。また、後側光導電膜では、残り1色の波
長の光のみを好適に吸収することができる。
【0015】また、本発明に係る積層型光導電膜は、光
の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか1色の
波長の光を吸収する機能を有するとともに他の1色の波
長の光を一部吸収する機能を有する前面光導電膜と、該
他の1色の波長の光を吸収する機能を有するとともに該
前側光導電膜が吸収する機能を有する1色の波長の光を
一部吸収する機能を有する中央光導電膜と、該前面光導
電膜および該中央光導電膜が吸収する機能を有しない残
り1色の波長の光を少なくとも吸収する機能を有する後
面光導電膜とを積層してなると、より好適である。
【0016】また、本発明に係る積層型光導電膜は、光
の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか1色の
波長の光のみを吸収する機能を有する上層光導電膜と、
該いずれか1色の波長の光および他の1色の波長の光の
みを吸収する機能を有する中層光導電膜と、該上層光導
電膜および該中層光導電膜が吸収する機能を有しない残
り1色の波長の光を少なくとも吸収する機能を有する下
層光導電膜とを積層してなると、さらに好適である。
【0017】また、本発明に係る固体撮像装置は、上記
の積層型光導電膜を備えることを特徴とする。
【0018】これにより、上記した本発明に係る積層型
光導電膜の効果を好適に得ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明に係る積層型光導電膜およ
び固体撮像装置の好適な実施の形態(以下、本実施の形
態例という。)について、図を参照して、以下に説明す
る。
【0020】まず、本実施の形態の第1の例に係る積層
型光導電膜について、図1および図2を参照して説明す
る。
【0021】本実施の形態の第1の例に係る積層型光導
電膜10は、図1に示すように、2つの光導電膜(第1
および第2の光導電膜)12、14が積層された構成を
有する。
【0022】積層型光導電膜10の各光導電膜12、1
4は、それぞれ両面に1組の電極16aおよび16b、
16cおよび16dが配置される。電極16bおよび電
極16cは絶縁層20により絶縁される。積層型光導電
膜10は、基板22上に配置される。
【0023】白色光の入射側に配置される光導電膜12
は、例えば青色および緑色の2色の波長の光を吸収する
機能を有する光吸収層である。一方、光導電膜14は、
例えば青色、緑色および赤色の3色の波長の光、すなわ
ち、白色光を吸収する機能を有する光吸収層である。
【0024】上記のように構成した本実施の形態の第1
の例に係る積層型光導電膜10は、各光導電膜12、1
4の電極16aおよび16b、16cおよび16dの間
にそれぞれ電圧を印加した状態において、光導電膜12
で吸収した青色および緑色の波長の光により電荷が生成
され、これにより光電流が生成される。また、光導電膜
12は光導電膜14のフィルタとして機能する。光導電
膜12を透過した赤色の波長の光は光導電膜14で吸収
され、これにより光電流が生成される。
【0025】光導電膜12の光吸収特性を図2(a)
に、また、光導電膜14の光吸収特性を図2(b)に、
それぞれ示す。各図中、実線は、光導電膜が実際に吸収
する光の吸収スペクトルパターンであり、破線は、光導
電膜が吸収機能を有する全範囲を示したものである。図
2(a)では、光導電膜12が吸収機能を有する全範囲
と実際に吸収する範囲とが一致している。一方、図2
(b)では、光導電膜14は、破線で示す吸収機能を有
する白色光の全範囲のうち赤色領域のみに実際に吸収す
る光の吸収スペクトルを有する。
【0026】本実施の形態の第1の例に係る積層型光導
電膜10は、入射した白色光が2つの光導電膜12、1
4によってそれぞれ異なる色の波長の光を順次吸収され
るため、光導電膜12、14の光の利用効率が高く、高
い感度を得ることができる。また、異なる色の波長の光
を吸収する2つの光導電膜12、14が積層配置されて
いるため、光導電膜12、14を高密度に集積配置する
ことができ、高い解像度を得ることができる。
【0027】また、積層型光導電膜10は、光導電膜1
4として白色光を吸収する機能を有する吸収層を用いる
ことができるため、材料の選択範囲に自由度が増し、ま
た、容易な形成条件で高い感度の光導電膜14を得るこ
とできる。また、光導電膜12についても材料の選択範
囲の自由度あるいは形成条件の容易性が比較的大きい。
【0028】なお、積層型光導電膜10において、光導
電膜12は、青色または緑色のいずれか1色の波長の光
のみを吸収する機能を有するように設けてもよい。
【0029】つぎに、本実施の形態の第2の例に係る積
層型光導電膜について、図3および図4を参照して説明
する。
【0030】本実施の形態の第2の例に係る積層型光導
電膜24は、図3に示すように、上記積層型光導電膜の
2つの光導電膜からさらに光電膜が1つ増え、3つの光
導電膜26、28、30が積層された構成を有する。な
お、これに対応して、電極16a〜16fおよび絶縁層
20、20aが設けられる。
【0031】白色光の入射側に配置される光導電膜26
は、例えば青色の波長の光を吸収する機能を有する光吸
収層である。光導電膜28は、例えば緑色の波長の光を
吸収する機能を有する光吸収層である。光導電膜30
は、例えば白色光を吸収する機能を有する光吸収層であ
る。
【0032】ここで、積層型光導電膜24を構成する各
部材の材料について説明する。
【0033】各光導電膜26、28、30は、上記の光
吸収機能を有する限り、材料を特に限定するものではな
く、例えば、Si系材料、GaAs系材料、Ge系材
料、InAs系材料または有機系材料等を用いることが
できる。また、適宜選択した材料に上記の光吸収機能を
有する色素を添加した構成としてもよい。
【0034】なお、電極16a〜16fは、透明電極が
好ましく、このような電極の材料としては、例えばイン
ジウムスズ酸化物、インジウム酸化物または酸化スズ等
を挙げることができる。あるいは、アルミニウム、バナ
ジウム、金、銀、白金、鉄、コバルト、炭素、ニッケ
ル、タングステン、パラジウム、マグネシウム、カルシ
ウム、スズ、鉛、チタン、イットリウム、リチウム、ル
テニウム、マンガン等の金属およびそれらの合金を用い
て膜厚が20〜80nm程度の半透明電極を形成しても
よい。さらにまた、ポリアセチレン系、ポリアニリン
系、ポリピロール系、あるいはポリチオフェン系に代表
される導電性高分子を用いて電極を形成してもよい。
【0035】また、絶縁層20、20aは、ガラス、ポ
リエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテ
ルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性絶縁材料を用
いて形成することができる。
【0036】また、基板22は、基板22の側から光の
照射を行うときは、透明性の高い、ガラス、ポリエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリプロピレン等の材料を用いて形成することが
好ましい。一方、図3のように基板22の側から光を照
射しないときは、上記の各材料のほかさらにSi、G
e、GaAs等の材料を用いて形成することもできる。
【0037】上記のように構成した本実施の形態の第2
の例に係る積層型光導電膜24は、各光導電膜26、2
8、30の電極16aおよび16b、16cおよび16
d、16eおよび16fのそれぞれの間に電圧を印加し
た状態において、光導電膜26で吸収した青色の波長の
光により電荷が生成され、これにより光電流が生成され
る。また、光導電膜26は光導電膜28および光導電膜
30のフィルタとして機能する。光導電膜26を透過し
た緑色および赤色の波長の光のうち緑色の波長の光は光
導電膜28で吸収され、これにより光電流が生成され
る。また、光導電膜28は、光導電膜26とともに光導
電膜30のフィルタとして機能する。光導電膜28を透
過した赤色の波長の光は光導電膜30で吸収され、これ
により光電流が生成される。光導電膜26の光吸収特性
を図4(a)に、また、光導電膜28の光吸収特性を図
4(b)に、また、光導電膜30の光吸収特性を図4
(c)に、それぞれ示す。各図中、光導電膜26、28
が実際に吸収する光の吸収スペクトルパターンと光導電
膜26、28が吸収機能を有する全範囲といずれも一致
している。一方、光導電膜30は、破線で示す吸収機能
を有する白色光の全範囲のうち赤色領域のみに実際に吸
収する光の吸収スペクトルを有する。
【0038】本実施の形態の第2の例に係る積層型光導
電膜24は、本実施の形態の第1の例に係る積層型光導
電膜10と同様の効果を奏するとともに、特に、固体撮
像装置に用いるとき、高い感度および解像度を有するカ
ラー画像を実現することができる。
【0039】なお、本実施の形態の第2の例に係る積層
型光導電膜24において、光導電膜26および光導電膜
28は積層順を変えてもよい。また、光導電膜30は、
白色光を吸収する機能を有する吸収層に変えて、赤色の
波長の光のみを吸収する機能を有する吸収層を用いても
よく、また、赤色とともに他の色の波長の光を一部吸収
する機能を有する吸収層を用いてもよい。
【0040】また、本実施の形態の第2の例に係る積層
型光導電膜24において、光導電膜26および光導電膜
28は、青色の波長の光を吸収する機能を有する吸収層
と赤色の波長の光を吸収する機能を有する吸収層との組
み合わせでもよく、あるいは緑色の波長の光を吸収する
機能を有する吸収層と赤色の波長の光を吸収する機能を
有する吸収層との組み合わせでもよい。これらの場合に
おいて、光導電膜30は光導電膜26および光導電膜2
8のいずれにおいても吸収されない色の波長の光を吸収
する機能を有する吸収層を用いる。
【0041】また、本実施の形態の第2の例に係る積層
型光導電膜24において、光導電膜26は青色の波長の
光を吸収するとともに例えば緑色の波長の光の一部を吸
収する機能を有する吸収層を用いてもよく(前面光導電
膜)、さらにまた、赤色の波長の光の一部をも吸収する
機能を有する吸収層を用いてもよい(前側光導電膜)。
同様に、光導電膜28は緑色の波長の光を吸収するとと
もに青色の波長の光の一部を吸収する機能を有する吸収
層を用いてもよく(中央光導電膜)、さらにまた、赤色
の波長の光の一部をも吸収する機能を有する吸収層を用
いてもよい(中間光導電膜)。これらの場合、光導電膜
30では、赤色の波長の光のみを好適に吸収することが
できる(後面光導電膜、後側光導電膜)。
【0042】また、本実施の形態の第2の例に係る積層
型光導電膜24において、光導電膜26として青色の波
長の光のみを吸収する機能を有する吸収層を用い(上層
光導電膜)、光導電膜28として青色の波長の光および
緑色の波長の光のみを吸収する機能を有する吸収層を用
いてもよい(中層光導電膜)。この場合、光導電膜30
では、赤色の波長の光のみを好適に吸収することができ
る(下層光導電膜)。
【0043】なお、本実施の形態の第2の例に係る積層
型光導電膜24は、基板22から最も遠い位置に積層さ
れた光導電膜26を白色光の受光側(入射側)としてい
るが、これに変えて、基板22の側から白色光を受光し
てもよい。この場合、各光導電膜の積層順は、本実施の
形態の第2の例に係る積層型光導電膜24の各光導電膜
26、28、30の積層順とは逆にすることになる。
【0044】つぎに、本実施の形態の第3の例に係る固
体撮像装置について説明する。
【0045】本実施の形態の第3の例に係る固体撮像装
置は、例えば、本実施の形態の第2の例に係る積層型光
導電膜24を有する。そして、固体撮像装置の固体撮像
素子は、走査回路部の上に積層型光導電膜24が設けら
れる(図示せず。)。
【0046】走査回路部は、半導体基板上にMOSトラ
ンジスタが各画素単位に形成された構成や、あるいは、
撮像素子としてCCDを有する構成を適宜採用すること
ができる。
【0047】例えばMOSトランジスタを用いた固体撮
像素子の場合、電極を透過した入射光によって光導電膜
の中に電荷が発生し、電極に電圧を印加することにより
電極と電極との間に生じる電界によって電荷が光導電膜
の中を電極まで走行し、さらにMOSトランジスタの電
荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積される。
電荷蓄積部に蓄積された電荷は、MOSトランジスタの
スイッチングにより電荷読出し部に移動し、さらに電気
信号として出力される(図示せず。)。これにより、フ
ルカラーの画像信号が、図示しない信号処理部を含む固
体撮像装置に入力される。
【0048】本実施の形態の第3の例に係る固体撮像装
置は、光導電膜が単板構造であり、また、分光プリズム
を設ける必要がないため、小型軽量な装置で、高い感度
と高い解像度を有するフルカラー画像を得ることができ
る。
【0049】なお、本実施の形態の各例の積層型光導電
膜は、好適には固体撮像装置に適用することを前提とし
て、光の三原色を吸収する吸収層を光導電膜に用いるも
のについて説明したが、本発明の積層型光導電膜は、固
体撮像装置以外の他の用途に適用してもよく、この場
合、光導電膜は可視光以外の紫外光や赤外光等を吸収す
る吸収層であってもよい。
【0050】
【実施例】積層型光導電膜について、実施例および比較
例を挙げて、本発明をさらに説明する。なお、本発明
は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【0051】まず、実施例の積層型光導電膜の作製方法
について説明する。積層型光導電膜は2つの光導電膜を
有する。
【0052】光が直接に照射されない側の光導電膜を以
下の方法で形成した。
【0053】赤色吸収色素として亜鉛フタロシアニン
(以下、ZnPcと表記する。)を選択し、35mm×
25mmのインジウムスズ酸化物薄膜(以下、ITOと
表記する。)電極付き石英ガラス基板上に、真空蒸着法
を用いて、膜厚が100nmのZnPc層を形成した。
引き続き、電荷輸送層として機能するとともに青色領域
に光吸収を持つトリスー8−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム(以下。Alq3と表記する。)を選択し、Zn
Pc層上に、同じく真空蒸着法を用いて膜厚が100n
mのAlq3層を形成した。さらに、Alq3層上に1
00nmの膜厚の不透明のアルミニウム電極を形成し
た。これにより、光が直接に照射されない側の光導電膜
(以下、ZnPc/Alq3膜と表記する。)を得た。
【0054】つぎに、光が照射される側の光導電膜を以
下の方法で形成した。
【0055】青色吸収色素としてクマリン6を選択し、
透明導電性高分子であるポリシランにクマリン6を分散
させた膜(以下、クマリン6/ポリシラン膜と表記す
る。)をITO電極付きガラス基板上に回転塗布法によ
り1.0μmの膜厚に形成した。さらに、クマリン6/
ポリシラン膜上に50nmの膜厚の半透明のアルミニウ
ム電極を形成し、光が照射される側の光導電膜であるク
マリン6/ポリシラン膜を得た。
【0056】さらに、クマリン6/ポリシラン膜のアル
ミニウム電極側とZnPc/Alq3膜のガラス基板側
とを接着して、光入射側から順に、ガラス基板、ITO
電極、クマリン6/ポリシラン膜、半透明アルミニウム
電極、ガラス基板、ITO電極、ZnPc/Alq3
膜、不透明アルミニウム電極の積層構造の実施例の積層
型光導電膜を得た。
【0057】なお、比較例として、クマリン6/ポリシ
ラン膜およびそれに付随する電極等を有せず、ZnPc
/Alq3膜およびそれに付随する電極等のみを有する
光導電膜を作製した。
【0058】得られた実施例の積層型導電膜の各光導電
膜および比較例の光導電膜のそれぞれについて、各電極
間に1.0×10V/cmの電界を印加し、50μW
/cmの白色光を照射した。このとき、実施例の積層
型導電膜については、クマリン6/ポリシラン膜の側か
ら白色光を照射した。
【0059】光導電膜の分光感度特性、すなわち、光吸
収特性に対応して得られる光電流の生成パターンを図5
に示した。図5中、実施例のクマリン6/ポリシラン膜
およびZnPc/Alq3膜のそれぞれについて、クマ
リン6/ポリシラン膜の特性曲線を実線で表し、ZnP
c/Alq3膜の特性曲線を黒丸の群で表し、また、比
較例のZnPc/Alq3膜の特性曲線を二重白丸の群
で表した。
【0060】図5より、実施例の場合、クマリン6/ポ
リシラン膜が500nm以下の青色領域全般に光感度を
有するとともに、赤色領域とともに青色領域にも吸収領
域を有するZnPc/Alq3膜が、クマリン6/ポリ
シラン膜のフィルタ機能により、600〜700nmを
中心とする略赤色領域全般のみに光感度を有することが
わかる。
【0061】一方、比較例の場合、ZnPc/Alq3
膜は600〜700nmを中心とする略赤色領域全般に
光感度を有するが、同時に450nm以下の青色領域に
も急峻な光感度を有しており、比較例の光導電膜を赤色
吸収層として使用できないことがわかる。
【0062】
【発明の効果】本発明に係る積層型光導電膜によれば、
光の三原色のうちの所定の色の波長の光を吸収する機能
を有する第1の光導電膜と、所定の色以外の他の1色の
波長の光を吸収する機能を有する第2の光導電膜とを積
層してなるため、光導電膜の光の利用効率が高く、高い
感度を得ることができ、また、光導電膜を高密度に集積
配置することができ、高い解像度を得ることができる。
【0063】また、本発明に係る積層型光導電膜によれ
ば、第2の光導電膜は、所定の色の波長の光をさらに吸
収する機能を有するものであるため、材料の選択範囲に
自由度が増し、また、容易な形成条件で高い感度の第2
の光導電膜を得ることできる。
【0064】また、本発明に係る積層型光導電膜によれ
ば、光の三原色のうちのいずれか1色の波長の光を吸収
する機能を有する光導電膜と、他の1色の波長の光を吸
収する機能を有する光導電膜と、残りの1色の光を吸収
する機能を有する光導電膜とを積層してなるため、高い
感度および解像度を有するカラー画像を得ることができ
る。
【0065】また、本発明に係る積層型光導電膜によれ
ば、光の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか
1色である第1の色の波長の光を吸収する機能を有する
とともに第1の色以外の他の色の波長の光を一部吸収す
る機能を有する前側光導電膜と、他の色のうちのいずれ
か1色である第2の色の波長の光を吸収する機能を有す
るとともに第2の色以外の他の色の波長の光を一部吸収
する機能を有する中間光導電膜と、他の色のうちの残り
1色である第3の色の波長の光を少なくとも吸収する機
能を有する後側光導電膜とを積層してなるため、材料の
選択範囲に自由度が増し、また、容易な形成条件で高い
感度の各光導電膜を得ることできる。また、後側光導電
膜では、残り1色の波長の光のみを好適に吸収すること
ができる。
【0066】また、本発明に係る積層型光導電膜によれ
ば、光の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか
1色の波長の光を吸収する機能を有するとともに他の1
色の波長の光を一部吸収する機能を有する前面光導電膜
と、他の1色の波長の光を吸収する機能を有するととも
に前側光導電膜が吸収する機能を有する1色の波長の光
を一部吸収する機能を有する中央光導電膜と、前面光導
電膜および中央光導電膜が吸収する機能を有しない残り
1色の波長の光を少なくとも吸収する機能を有する後面
光導電膜とを積層してなるため、好適である。
【0067】また、本発明に係る積層型光導電膜によれ
ば、光の入射側から順に、光の三原色のうちのいずれか
1色の波長の光のみを吸収する機能を有する上層光導電
膜と、いずれか1色の波長の光および他の1色の波長の
光のみを吸収する機能を有する中層光導電膜と、上層光
導電膜および中層光導電膜が吸収する機能を有しない残
り1色の波長の光を少なくとも吸収する機能を有する下
層光導電膜とを積層してなるため、好適である。
【0068】また、本発明に係る固体撮像装置によれ
ば、上記の積層型光導電膜を備えるため、上記した本発
明に係る積層型光導電膜の効果を好適に得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態の第1の例に係る積層型光導電膜
の概略構成を示す図である。
【図2】本実施の形態の第1の例に係る積層型光導電膜
の光吸収特性を説明するためのものであり、図2(a)
は光が照射される側の光導電膜の光吸収特性を示す図で
あり、図2(b)は光が照射される側とは反対側の光導
電膜の光吸収特性を示す図である。
【図3】本実施の形態の第2の例に係る積層型光導電膜
の概略構成を示す図である。
【図4】本実施の形態の第2の例に係る積層型光導電膜
の光吸収特性を説明するためのものであり、図4(a)
は光が照射される側である前側光導電膜の光吸収特性を
示す図であり、図4(b)は中間光導電膜の光吸収特性
を示す図であり、図4(c)は光が照射される側とは反
対側の後側光導電膜の光吸収特性を示す図である。
【図5】実施例および比較例の光導電膜の分光感度特性
を説明するための図である。
【符号の説明】
10、24 積層型光導電膜 12、14、26、28、30 光導電膜 16a〜16f 電極 20、20a 絶縁層 22 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 正英 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 Fターム(参考) 4M118 BA07 BA14 CA15 FA06 GC07 5C024 CX37 GX07

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光の三原色のうちの所定の色の波長の光
    を吸収する機能を有する第1の光導電膜と、該所定の色
    以外の他の1色の波長の光を吸収する機能を有する第2
    の光導電膜とを積層してなることを特徴とする積層型光
    導電膜。
  2. 【請求項2】 前記第2の光導電膜は、前記所定の色の
    波長の光をさらに吸収する機能を有するものであること
    を特徴とする請求項1記載の積層型光導電膜。
  3. 【請求項3】 光の三原色のうちのいずれか1色の波長
    の光を吸収する機能を有する光導電膜と、他の1色の波
    長の光を吸収する機能を有する光導電膜と、残りの1色
    の光を吸収する機能を有する光導電膜とを積層してなる
    ことを特徴とする積層型光導電膜。
  4. 【請求項4】 光の入射側から順に、光の三原色のうち
    のいずれか1色である第1の色の波長の光を吸収する機
    能を有するとともに該第1の色以外の他の色の波長の光
    を一部吸収する機能を有する前側光導電膜と、該他の色
    のうちのいずれか1色である第2の色の波長の光を吸収
    する機能を有するとともに該第2の色以外の他の色の波
    長の光を一部吸収する機能を有する中間光導電膜と、該
    他の色のうちの残り1色である第3の色の波長の光を少
    なくとも吸収する機能を有する後側光導電膜とを積層し
    てなることを特徴とする積層型光導電膜。
  5. 【請求項5】 光の入射側から順に、光の三原色のうち
    のいずれか1色の波長の光を吸収する機能を有するとと
    もに他の1色の波長の光を一部吸収する機能を有する前
    面光導電膜と、該他の1色の波長の光を吸収する機能を
    有するとともに該前側光導電膜が吸収する機能を有する
    1色の波長の光を一部吸収する機能を有する中央光導電
    膜と、該前面光導電膜および該中央光導電膜が吸収する
    機能を有しない残り1色の波長の光を少なくとも吸収す
    る機能を有する後面光導電膜とを積層してなることを特
    徴とする積層型光導電膜。
  6. 【請求項6】 光の入射側から順に、光の三原色のうち
    のいずれか1色の波長の光のみを吸収する機能を有する
    上層光導電膜と、該いずれか1色の波長の光および他の
    1色の波長の光のみを吸収する機能を有する中層光導電
    膜と、該上層光導電膜および該中層光導電膜が吸収する
    機能を有しない残り1色の波長の光を少なくとも吸収す
    る機能を有する下層光導電膜とを積層してなることを特
    徴とする積層型光導電膜。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の積
    層型光導電膜を備えることを特徴とする固体撮像装置。
JP2002034175A 2002-02-12 2002-02-12 積層型光導電膜および固体撮像装置 Pending JP2003234460A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002034175A JP2003234460A (ja) 2002-02-12 2002-02-12 積層型光導電膜および固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002034175A JP2003234460A (ja) 2002-02-12 2002-02-12 積層型光導電膜および固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003234460A true JP2003234460A (ja) 2003-08-22

Family

ID=27776756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002034175A Pending JP2003234460A (ja) 2002-02-12 2002-02-12 積層型光導電膜および固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003234460A (ja)

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302806A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像センサ−
EP1728282A1 (en) * 2004-03-22 2006-12-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photodetector
JP2007059515A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
JP2007067075A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> カラー撮像素子
JP2007104113A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
JP2007104114A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
WO2009034971A1 (ja) 2007-09-12 2009-03-19 Fujifilm Corporation 置換基脱離化合物の製造方法、有機半導体膜およびその製造方法
US7570292B2 (en) 2004-03-19 2009-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, imaging element, method of applying electric field thereto and electric field-applied element
JP2009267912A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> カラー撮像装置
US7683365B2 (en) 2004-08-30 2010-03-23 Fujifilm Corporation Image pickup device
US7888759B2 (en) 2005-08-23 2011-02-15 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device
CN102097443A (zh) * 2009-11-17 2011-06-15 索尼公司 固体摄像器件、制造固体摄像器件的方法以及电子装置
US8022395B2 (en) 2005-06-02 2011-09-20 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion layer, photoelectric conversion device and imaging device, and method for applying electric field thereto
US8035708B2 (en) 2007-04-06 2011-10-11 Sony Corporation Solid-state imaging device with an organic photoelectric conversion film and imaging apparatus
US8168781B2 (en) 2007-08-23 2012-05-01 Fujifilm Corporation Organic semiconducting material, and film, organic electronic device and infrared dye composition each including said material
US8319090B2 (en) 2008-05-30 2012-11-27 Fujifilm Corporation Organic photoelectric conversion material and organic thin-film photoelectric conversion device
US8634011B2 (en) 2010-04-02 2014-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor using light-sensitive device and method of operating the image sensor
US8670054B2 (en) 2009-08-10 2014-03-11 Sony Corporation Solid-state image pickup device with isolated organic photoelectric conversion film portions, method for manufacturing the same, and image pickup apparatus
US9012761B2 (en) 2008-03-12 2015-04-21 Fujifilm Corporation Organic photoelectric conversion material and photoelectric conversion element using the same
CN104979476A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 三星电子株式会社 有机光电子器件和图像传感器
WO2015174010A1 (en) 2014-05-13 2015-11-19 Sony Corporation Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element and electronic device
KR101681180B1 (ko) * 2015-03-16 2016-11-30 고려대학교 산학협력단 재구성 가능한 광도전칩
WO2016203724A1 (en) 2015-06-15 2016-12-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid state imaging element and method for manufacturing solid state imaging element, photoelectric conversion element, imaging device, and electronic device
KR20170020773A (ko) 2014-06-23 2017-02-24 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전 변환막, 고체 촬상 소자, 및 전자 기기
WO2017159684A1 (ja) 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 光電変換素子および固体撮像装置
WO2018016215A1 (ja) 2016-07-20 2018-01-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および固体撮像装置
KR20180013864A (ko) 2015-05-29 2018-02-07 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
KR20180015132A (ko) 2015-06-05 2018-02-12 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 소자, 광전 변환막, 전자 블록층, 촬상 장치 및 전자 기기
WO2018101354A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Sony Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
WO2018110317A1 (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日産化学工業株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
KR20180080185A (ko) 2015-11-02 2018-07-11 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
EP3396717A1 (en) 2017-04-28 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, and imaging device
US10199587B2 (en) 2012-08-09 2019-02-05 Sony Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and optical sensor
US10297766B2 (en) 2017-04-28 2019-05-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Composition containing naphthalocyanine derivative, photoelectric conversion element containing the same, and imaging device
WO2019116977A1 (ja) 2017-12-15 2019-06-20 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
KR20190084989A (ko) 2016-11-30 2019-07-17 소니 주식회사 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
WO2019176662A1 (ja) 2018-03-15 2019-09-19 日産化学株式会社 電荷輸送性組成物
JP2019186738A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 キヤノン株式会社 撮像装置
EP3582264A2 (en) 2015-07-08 2019-12-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
US10714646B2 (en) 2017-08-10 2020-07-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion material containing organic semiconductor material, and photoelectric conversion element
US10770659B2 (en) 2015-11-06 2020-09-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for hole trapping layer of organic photoelectric conversion element
US10879314B2 (en) 2015-08-27 2020-12-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and electronic apparatus
US11031568B2 (en) 2018-02-26 2021-06-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion element including first electrode, second electrodes, photoelectric conversion film, and conductive layer and method for manufacturing the same
US11133352B2 (en) 2019-05-24 2021-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical wireless communications systems
WO2021246351A1 (ja) 2020-06-02 2021-12-09 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US11523037B2 (en) 2018-12-14 2022-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Camera system
US11730004B2 (en) 2016-07-20 2023-08-15 Sony Group Corporation Solid-state imaging element and solid-state imaging apparatus

Cited By (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570292B2 (en) 2004-03-19 2009-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, imaging element, method of applying electric field thereto and electric field-applied element
EP1728282A1 (en) * 2004-03-22 2006-12-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photodetector
EP1728282A4 (en) * 2004-03-22 2011-03-30 Fujifilm Corp PHOTOSENSOR
JP4695849B2 (ja) * 2004-04-07 2011-06-08 富士フイルム株式会社 撮像センサ−
JP2005302806A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像センサ−
US7683365B2 (en) 2004-08-30 2010-03-23 Fujifilm Corporation Image pickup device
US8022395B2 (en) 2005-06-02 2011-09-20 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion layer, photoelectric conversion device and imaging device, and method for applying electric field thereto
US7888759B2 (en) 2005-08-23 2011-02-15 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device
JP2007059515A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
US7547912B2 (en) 2005-08-23 2009-06-16 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion layer, photoelectric conversion device and imaging device, and method for applying electric field thereto
US8298855B2 (en) 2005-08-23 2012-10-30 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device, imaging device, and process for producing the photoelectric conversion device
JP2007067075A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> カラー撮像素子
JP2007104113A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
JP4511441B2 (ja) * 2005-09-30 2010-07-28 富士フイルム株式会社 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
JP4511442B2 (ja) * 2005-09-30 2010-07-28 富士フイルム株式会社 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
JP2007104114A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujifilm Corp 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置
US8035708B2 (en) 2007-04-06 2011-10-11 Sony Corporation Solid-state imaging device with an organic photoelectric conversion film and imaging apparatus
US8168781B2 (en) 2007-08-23 2012-05-01 Fujifilm Corporation Organic semiconducting material, and film, organic electronic device and infrared dye composition each including said material
US8568965B2 (en) 2007-08-23 2013-10-29 Fujifilm Corporation Organic semiconducting material, and film, organic electronic device and infrared dye composition each including said material
WO2009034971A1 (ja) 2007-09-12 2009-03-19 Fujifilm Corporation 置換基脱離化合物の製造方法、有機半導体膜およびその製造方法
US9012761B2 (en) 2008-03-12 2015-04-21 Fujifilm Corporation Organic photoelectric conversion material and photoelectric conversion element using the same
JP2009267912A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> カラー撮像装置
US8319090B2 (en) 2008-05-30 2012-11-27 Fujifilm Corporation Organic photoelectric conversion material and organic thin-film photoelectric conversion device
US8670054B2 (en) 2009-08-10 2014-03-11 Sony Corporation Solid-state image pickup device with isolated organic photoelectric conversion film portions, method for manufacturing the same, and image pickup apparatus
CN102097443A (zh) * 2009-11-17 2011-06-15 索尼公司 固体摄像器件、制造固体摄像器件的方法以及电子装置
US8624305B2 (en) 2009-11-17 2014-01-07 Sony Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic device
US8634011B2 (en) 2010-04-02 2014-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor using light-sensitive device and method of operating the image sensor
US10665802B2 (en) 2012-08-09 2020-05-26 Sony Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and optical sensor
US10199587B2 (en) 2012-08-09 2019-02-05 Sony Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and optical sensor
US11183654B2 (en) 2012-08-09 2021-11-23 Sony Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and optical sensor
CN104979476A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 三星电子株式会社 有机光电子器件和图像传感器
CN104979476B (zh) * 2014-04-04 2019-04-16 三星电子株式会社 有机光电子器件和图像传感器
WO2015174010A1 (en) 2014-05-13 2015-11-19 Sony Corporation Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element and electronic device
KR20220013457A (ko) 2014-06-23 2022-02-04 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전 변환막, 고체 촬상 소자, 및 전자 기기
KR20170020773A (ko) 2014-06-23 2017-02-24 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전 변환막, 고체 촬상 소자, 및 전자 기기
US10333083B2 (en) 2014-06-23 2019-06-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion film, solid-state image sensor, and electronic device
KR101681180B1 (ko) * 2015-03-16 2016-11-30 고려대학교 산학협력단 재구성 가능한 광도전칩
US11056539B2 (en) 2015-05-29 2021-07-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
KR20180013864A (ko) 2015-05-29 2018-02-07 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
KR20230109778A (ko) 2015-05-29 2023-07-20 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
US11700733B2 (en) 2015-05-29 2023-07-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
US10374015B2 (en) 2015-05-29 2019-08-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
KR20180015132A (ko) 2015-06-05 2018-02-12 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 소자, 광전 변환막, 전자 블록층, 촬상 장치 및 전자 기기
WO2016203724A1 (en) 2015-06-15 2016-12-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid state imaging element and method for manufacturing solid state imaging element, photoelectric conversion element, imaging device, and electronic device
US11793008B2 (en) 2015-07-08 2023-10-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
US11094746B2 (en) 2015-07-08 2021-08-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
EP3767674A2 (en) 2015-07-08 2021-01-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
EP3582264A2 (en) 2015-07-08 2019-12-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
US10672836B2 (en) 2015-07-08 2020-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
US10879314B2 (en) 2015-08-27 2020-12-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and electronic apparatus
KR20180080185A (ko) 2015-11-02 2018-07-11 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
US11495696B2 (en) 2015-11-02 2022-11-08 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
US10770659B2 (en) 2015-11-06 2020-09-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for hole trapping layer of organic photoelectric conversion element
WO2017159684A1 (ja) 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 光電変換素子および固体撮像装置
KR20180123011A (ko) 2016-03-15 2018-11-14 소니 주식회사 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
KR20210152014A (ko) 2016-03-15 2021-12-14 소니그룹주식회사 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
KR20230006917A (ko) 2016-03-15 2023-01-11 소니그룹주식회사 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
US11730004B2 (en) 2016-07-20 2023-08-15 Sony Group Corporation Solid-state imaging element and solid-state imaging apparatus
WO2018016215A1 (ja) 2016-07-20 2018-01-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および固体撮像装置
US10522772B2 (en) 2016-07-20 2019-12-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging apparatus
WO2018101354A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Sony Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
KR20230109770A (ko) 2016-11-30 2023-07-20 소니그룹주식회사 광전변환소자 및 고체촬상장치
KR20190084989A (ko) 2016-11-30 2019-07-17 소니 주식회사 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
US11563176B2 (en) 2016-12-16 2023-01-24 Nissan Chemical Corporation Composition for hole collecting layer of organic photoelectric conversion element
KR20190092502A (ko) 2016-12-16 2019-08-07 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기광전변환소자의 정공포집층용 조성물
WO2018110317A1 (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日産化学工業株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US10297766B2 (en) 2017-04-28 2019-05-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Composition containing naphthalocyanine derivative, photoelectric conversion element containing the same, and imaging device
EP3396717A1 (en) 2017-04-28 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, and imaging device
US10714646B2 (en) 2017-08-10 2020-07-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion material containing organic semiconductor material, and photoelectric conversion element
US10964833B2 (en) 2017-08-10 2021-03-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion material containing organic semiconductor material, and photoelectric conversion element
US11527719B2 (en) 2017-12-15 2022-12-13 Nissan Chemical Corporation Hole collection layer composition for organic photoelectric conversion element
WO2019116977A1 (ja) 2017-12-15 2019-06-20 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
KR20200100110A (ko) 2017-12-15 2020-08-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기 광전 변환 소자의 정공 포집층용 조성물
US11031568B2 (en) 2018-02-26 2021-06-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion element including first electrode, second electrodes, photoelectric conversion film, and conductive layer and method for manufacturing the same
US11711932B2 (en) 2018-02-26 2023-07-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion element including first electrode, second electrodes, photoelectric conversion film, and conductive layer and method for manufacturing the same
KR20200132914A (ko) 2018-03-15 2020-11-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 전하수송성 조성물
WO2019176662A1 (ja) 2018-03-15 2019-09-19 日産化学株式会社 電荷輸送性組成物
JP2019186738A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 キヤノン株式会社 撮像装置
US11523037B2 (en) 2018-12-14 2022-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Camera system
US11818450B2 (en) 2018-12-14 2023-11-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Camera system
US11133352B2 (en) 2019-05-24 2021-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical wireless communications systems
WO2021246351A1 (ja) 2020-06-02 2021-12-09 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
KR20230017812A (ko) 2020-06-02 2023-02-06 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기 광전 변환 소자의 정공포집층용 조성물

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003234460A (ja) 積層型光導電膜および固体撮像装置
JP4075678B2 (ja) 固体撮像素子
KR101944114B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 전자기기
JP4741015B2 (ja) 撮像素子
CN106298823B (zh) 图像传感器和包括该图像传感器的电子装置
US8988565B2 (en) Imaging apparatus
JP6055270B2 (ja) 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ
Seo et al. A 128× 96 pixel stack-type color image sensor: stack of individual blue-, green-, and red-sensitive organic photoconductive films integrated with a ZnO thin film transistor readout circuit
JP5032954B2 (ja) カラー撮像装置
KR101688523B1 (ko) 적층형 이미지 센서
JP2006270021A (ja) 積層型光電変換素子
JP2007067075A (ja) カラー撮像素子
JP2001284631A (ja) 光検出器及び光検出システム
JP5866248B2 (ja) 固体撮像素子
JP2016157744A (ja) 固体撮像素子
US20220028913A1 (en) Light detecting element and photoelectric conversion device
KR20190128877A (ko) 이미지 센서 및 전자 장치
JP5572108B2 (ja) 撮像素子の製造方法、及び、撮像素子
CN111989783B (zh) 摄像装置及摄像系统
JP2012129276A (ja) 光電変換素子
JP4695849B2 (ja) 撮像センサ−
JP5102692B2 (ja) カラー撮像装置
JP2002057314A (ja) 撮像デバイス及びその動作方法
JP2002217474A (ja) 光電変換膜及びそれを具えた固体撮像装置
JPS63300575A (ja) カラ−センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040405

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071016