JP2019186738A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板の上に配された、第1の電極を含む第1の電極層と、
前記第1の電極層の上に配された第1の光電変換膜と、
前記第1の光電変換膜の上に配された、画素電極を含む画素電極層と、
前記画素電極層の上に配された第2の光電変換膜と、
前記第2の光電変換膜の上に配された、第2の電極を含む第2の電極層と、
を備える
ことを特徴とする撮像装置である。
(構成)
図1は、本実施形態の固体撮像素子の部分的な断面構造を示す。図1では、2つの画素の光電変換膜に関する断面構造を示している。固体撮像素子1は、半導体材料などを用いた積層構造を持つ。本実施形態の固体撮像素子1は、上から順に、上部電極100、上部光電変換膜10、上部ホールブロッキング層12A、画素電極層、下部ホールブロッキング層12B、下部光電変換膜11、下部電極101、配線層、シリコン基板20が積層された構造である。なお、「上部」「下部」という用語は便宜上のものに過ぎない。画素電極層は、画素電極102と、画素電極絶縁膜201を含む。配線層は、配線204と、層間膜203とを含む。コンタクトビア200は、下部電極101および下部光電変換膜11を貫通して画素電極102まで配線を接続する導電部材である。
に相当する。上部電極と、それを含む上部電極層はそれぞれ、本発明の第2の電極および第2の電極層に相当する。下部電極と、それを含む下部電極層はそれぞれ、本発明の第1の電極および第1の電極層に相当する。
シリコンなどを含む。酸化物は、ZnO、TiO2、Ga2O3などを含む。セレン含有物は、アモルファスセレン、結晶セレンなどを含む。
化合物半導体の例としては、BN、GaAs、GaP、AlSb、GaAlAsPなどのIII−VI族化合物半導体や、CdSe、ZnS、HdTeなどのII−IV族化合物半導体が挙げられる。
有機半導体の例としては、フラーレン、クマリン6(C6)、ローダミン6G(R6G)、キナクリドン、亜鉛フタロシアニン(ZnPc)等のフタロシアニン系材料、ナフタロシアニン系材料が挙げられる。
また、イントリンシックな半導体はキャリア密度が少ない。よって、イントリンシックな半導体を光電変換膜に用いることで、広い空乏層幅を実現することが可能である。これにより、高感度化、ノイズ低減を低減した光電変換膜を実現することができる。
以降、図4のタイミングチャートを参照し、画素の駆動処理を説明する。まず、タイミングt01において、リセットトランジスタのゲートに入力されるリセットパルス(RESパルス)をHiにする。その結果、フローティングディフュージョン30(以降、FD)がリセットされる。これにより、上部電極電圧Vtopと電源電圧VDDの差分電圧と
、下部電極電圧Vbottomと電源電圧VDDの差分電圧が、各光電変換膜に印加される。
タイミングt02において、画素選択トランジスタ33のゲートに入力される選択パルス(SELパルス)がHiになることで、ソースフォロワトランジスタ32が信号線34と接続され、電流源35、電源電圧VDD、ソースフォロワトランジスタ32によりソースフォロワ回路が形成される。これにより、ソースフォロワトランジスタ32は、FDの電圧に対応する信号を、画素選択トランジスタ33を介して信号線34に出力する。以降は同様に、タイミングt03でRESパルスがHiになってFDがリセットされ、その後蓄積した電荷がタイミングt04のSELパルスにより出力される。
上では、両方の光電変換膜から信号を読み出す場合について記載したが、どちらか一方の光電変換膜の発生電荷のみ読み出すことも可能である。その場合は、発生電荷を読み出さない方の光電変換膜に印加される電圧(VtopもしくはVbottom)の値を、電源電圧VDDの値と同じにする。これにより、光電変換膜に印加される電圧が0Vになるため、発生した電荷は再結合により消滅し、FDには蓄積されない。
本実施形態においては、上部電極電圧Vtop、下部電極電圧Vbottomおよび電源電圧VDDの大小関係を制御することでFDに電子を蓄積する場合について述べた。しかし、ホールを蓄積する場合においても同様な効果が得られる。この場合、ホールブロッキング層ではなく電子ブロッキング層が用いられる。なお、画素を駆動するトランジスタはN型、P型どちらでも良い。
画素電極102として、光の反射率が比較的高い材料(例えば金属)を用いる場合は、図5のように、画素電極102の一部に開口102hを形成すると良い。これにより、入射光を下部光電変換膜11まで導くことが可能になる。なお、画素電極層の平坦化のためには、開口102hを透明度が高い(少なくとも、画素電極部よりも透明度が高い)物質で埋めると良い。この際、上部電極の上にマイクロレンズを配置して、光を開口102hを介して下部光電変換膜まで透過させることが好ましい。
ていても良い。その場合、FDにはそれぞれの光電変換膜内で発生した電荷が合成され蓄積されるため、実効的に光電変換膜の吸収波長帯域を広げることができる。
また、画素電極層を平坦化する観点からは画素電極絶縁膜201を設けることが好ましいが、画素電極同士を電気的に分離し、かつ上部光電変換膜10と下部光電変換膜11を分離できるのであれば、必ずしも画素電極絶縁膜201を設けなくてもよい。
続いて、第2の実施形態について、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。図6は本実施形態の等価回路図である。本実施形態では、転送トランジスタ36とメモリ容量37が追加されている。
その後、RESパルスおよびTXパルスをLowにし、タイミングt12において上部電極電圧Vtopの電圧を下げることで、上部光電変換膜10への電荷の蓄積を開始する。このとき、下部電極電圧Vbottomの値は電源電圧VDDと同じのままにする。これにより、一方の光電変換膜に由来する信号だけをメモリ容量37に蓄積できる。なお、本図では上部電極電圧Vtopの制御によって蓄積動作を開始しているが、TXパルスとRESパルスによって蓄積動作を制御しても良い。
図6に示した構成において、図7に示したように、下部電極電圧Vbottomと上部電極電圧Vtopとを個別に制御する。つまり、上部光電変換膜10の信号をメモリ容量が蓄積する上部蓄積期間と、下部光電変換膜11の信号をメモリ容量が蓄積する下部蓄積期間とを異ならせるようにする。この異ならせ方は、上部蓄積期間と下部蓄積期間が排他の関係であってもよいし、一部同士が重なり、他の一部同士が重ならない関係であってもよい。すなわち、上部蓄積期間の少なくとも一部の期間と、下部蓄積期間の少なくとも一部の期間が重ならないようにすればよい。
本応用例についても、応用例1と同じく、図6に示した構成において、下部電極電圧Vbottomと上部電極電圧Vtopとを個別に制御する。つまり、上部光電変換膜10の信号をメモリ容量が蓄積する上部蓄積期間と、下部光電変換膜11の信号をメモリ容量が蓄積する下部蓄積期間とを異ならせるようにする。この異ならせ方は、本応用例では、上部蓄積期間と下部蓄積間の一方の蓄積期間の全てが、他方の蓄積期間に含まれ、当該他方の蓄積期間の少なくとも一部が、当該一方の蓄積期間に含まれないようにする。具体的には、上部蓄積期間と下部蓄積期間の一方の蓄積期間を短秒蓄積期間とし、他方の蓄積期間を長秒蓄積期間とする。この短秒蓄積期間の全ての期間は、長秒蓄積期間に含まれる。
続いて、第3の実施形態について、第1および第2の実施形態と異なる部分を中心に説明する。図8は、本実施形態の等価回路図である。メモリ容量37と光電変換膜の間に、GS(グローバルシャッター)トランジスタ38が設けられている。また、同じ構成の画素が2つ並んでいる(第1の画素75a、第2の画素75b)。第2の実施形態では、上部電極電圧Vtopと下部電極電圧Vbottomを制御することによりグローバルシャッター動作を行ったが、本実施形態においては読み出し回路によってグローバルシャッター動作を行う。
なお、本実施形態においても第2の実施形態で述べた応用例1、応用例2の動作を行うことができる。
図10は、本実施形態の固体撮像素子の部分的な断面構造を示す。図11は下部電極101を含む面(下部電極面)の平面図である。上記各実施形態と同じ構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。上記各実施形態では、下部電極101は全画素共通であった。一方、本実施形態の撮像装置は、画素ごとに独立した下部電極101を備えている。それぞれの下部電極には下部電極ビア208が接続され、独立に制御可能である。
図12(A)は、上記各実施形態のいずれかの固体撮像素子(撮像装置)を持つ撮像システムの一例を示す。図12(B)は、本実施形態の処理を示すフロー図である。
以上、具体的な実施例を挙げて本発明の説明を行ったが、本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の目的および範囲から離脱することなく、様々な変形や組み合わせが可能である。以下、本発明の様々な適用例や変形例について説明する。
本発明に係る撮像装置は、可視光やその他の波長の光の像を撮像する撮像システムに応用することもできる。撮像システムとして、デジタルスチルカメラやデジタルカムコーダーなどがあげられる。
号に対して必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像を生成する。レンズ1502及び絞り1503は撮像装置1504に光を集光する光学系を構成する。
図14(A)及び図14(B)を用いて、車載カメラに関する撮像システムおよび移動体を説明する。図14(A)は、車載カメラに関する撮像システム4000の一例を示したものである。撮像システム4000は、撮像装置4100を有する。撮像装置4100は、上述の各実施形態に記載の撮像装置のいずれかである。撮像システム4000は、撮像装置4100により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う処理装置である画像処理部4120と、撮像装置4100により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う処理装置である視差取得部4140を有する。また、撮像システム4000は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する処理装置である距離取得部4160と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する処理装置である衝突判定部4180と、を有する。ここで、視差取得部4140や距離取得部4160は、対象物までの距離情報等の情報を取得する距離情報取得部の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部4180はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。上述した各種の処理装置は、専用に設計されたハードウェアによって実
現されてもよいし、ソフトウェアモジュールに基づいて演算を行う汎用のハードウェアによって実現されてもよい。また、処理装置は、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
01:下部光電変換膜、102:画素電極
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の上に配された、第1の電極を含む第1の電極層と、
前記第1の電極層の上に配された第1の光電変換膜と、
前記第1の光電変換膜の上に配された、画素電極を含む画素電極層と、
前記画素電極層の上に配された第2の光電変換膜と、
前記第2の光電変換膜の上に配された、第2の電極を含む第2の電極層と、
を備えることを特徴とする撮像装置。 - 前記画素電極は、前記第1の電極とともに前記第1の光電変換膜に接続され、かつ、前記第2の電極とともに前記第2の光電変換膜に接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の電極が前記第1の光電変換膜に印加する電圧と、前記第2の電極が前記第2の光電変換膜に印加する電圧は、それぞれ独立に制御可能である
ことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜の主たる元素と前記第2の光電変換膜の主たる元素が異なる
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜と前記第2の光電変換膜は、吸収波長帯域が異なる
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜と前記第2の光電変換膜の一方は可視光に主な吸収特性を持ち、他の一方は赤外光に主な吸収特性を持つ
ことを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜の主たる元素と前記第2の光電変換膜の主たる元素が同じであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1の光電変換膜と前記第2の光電変換膜は、吸収波長帯域が同じである
ことを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜の信号を蓄積する第1蓄積期間と、前記第2の光電変換膜の信号を蓄積する第2蓄積期間の一方の少なくとも一部の期間が、前記第1蓄積期間と前記第2蓄積期間の他方と重ならない
ことを特徴とする請求項7または8に記載の撮像装置。 - 前記第1蓄積期間と前記第2蓄積期間の前記他方の期間の全てが、前記第1蓄積期間と前記第2蓄積期間の前記一方に含まれる
ことを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換膜の信号を蓄積する第1蓄積期間と、前記第2の光電変換膜の信号を蓄積する第2蓄積期間の一方の全ての期間が、前記第1蓄積期間と前記第2蓄積期間の他方と重ならない
ことを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1蓄積期間と、前記第2蓄積期間とが相互に補完されるように行われることを特徴とする請求項11に記載の撮像装置。
- 前記画素電極層は、電気的に分離した複数の前記画素電極を含む
ことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の電極層は、前記複数の画素電極に対応する複数の前記第1の電極を含む
ことを特徴とする請求項13に記載の撮像装置。 - 前記複数の第1の電極は互いに独立に制御可能である
ことを特徴とする請求項14に記載の撮像装置。 - 前記画素電極層に含まれる前記画素電極には開口が設けられる
ことを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記画素電極は、前記第1の電極層および前記第1の光電変換膜を貫通するコンタクトビアを介して前記基板に接続されており、
前記第1の電極層と前記コンタクトビアを絶縁する絶縁膜をさらに備える
ことを特徴とする請求項1ないし16のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 請求項1ないし17のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。 - 請求項10に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
を備え、
前記画素電極層は、電気的に分離した複数の前記画素電極を含み、
前記信号処理部は、前記複数の画素電極の一部の画素電極に対応する、前記第1蓄積期間の信号と、前記複数の画素電極の他の一部の画素電極に対応する、前記第2蓄積期間の信号とを用いて画像を生成する
ことを特徴とする撮像システム。 - 請求項1ないし17のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される画素信号を用いて、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得部と、
前記距離情報に基づいて移動体を制御する移動体制御部と
を備えることを特徴とする移動体。
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