JP2020096147A - 光電変換装置、光電変換システム、移動体 - Google Patents
光電変換装置、光電変換システム、移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020096147A JP2020096147A JP2018234934A JP2018234934A JP2020096147A JP 2020096147 A JP2020096147 A JP 2020096147A JP 2018234934 A JP2018234934 A JP 2018234934A JP 2018234934 A JP2018234934 A JP 2018234934A JP 2020096147 A JP2020096147 A JP 2020096147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- photoelectric conversion
- pixel
- type semiconductor
- conversion device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】 光に対する感度を向上させることを目的とする。【解決手段】 隣り合う第1画素、第2画素の各々は、第1導電型の第1半導体領域と、第1面からの深さが第1半導体領域よりも深い位置であって、第1半導体領域と平面視で重なる位置に設けられた第2導電型の第2半導体領域とを有し、第1画素は、第1面からの深さが、第1半導体領域と第2半導体領域の間であって、第1半導体領域と第2半導体領域とに平面視で重なる位置に設けられた第2導電型の第3半導体領域を有し、第2画素は、第1半導体領域と第2半導体領域とに平面視で重なる位置であって、第1画素の第3半導体領域に対応する深さに設けられた、第2導電型であって第3半導体領域よりも不純物濃度が高い第4半導体領域と、第4半導体領域と第2半導体領域との間に設けられた第1導電型の第5半導体領域とを有することを特徴とする。【選択図】 図4
Description
本発明は、光電変換装置、光電変換装置を備える光電変換システム、光電変換装置を備える移動体に関する。
赤色の波長に対応する可視光、近赤外光、赤外光など、長波長の光を光電変換する光電変換装置が検討されている。光電変換部が設けられた領域を半導体基板の深い領域に形成することによって、長波長の光に対する光電変換効率を向上させた光電変換装置が知られている。
特許文献1に記載の光電変換装置では、各画素の空乏層を深く伸びるようにすることによって、可視光での画素間のクロストークを低減し、赤外光での感度を高めることができる、とされる。
特許文献1の構成では、光によって半導体基板の深い領域で生成した信号電荷が、信号電荷を収集する領域へ移動しにくい場合が生じ、光に対する感度が低下している。
本発明は、光に対する感度を向上させることを目的とする。
本発明は、上記の課題を鑑みて為されたものであり、その一の態様は、第1面、第2面を有する半導体基板を備え、前記半導体基板に、隣り合う第1画素、第2画素を含む複数の画素が設けられ、前記第1画素、前記第2画素の各々は、第1導電型の第1半導体領域と、前記第1面からの深さが前記第1半導体領域よりも深い位置であって、前記第1半導体領域と平面視で重なる位置に設けられた第2導電型の第2半導体領域とを有し、前記第1画素は、前記第1面からの深さが、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域の間であって、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とに平面視で重なる位置に設けられた前記第2導電型の第3半導体領域をさらに有し、前記第2画素は、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とに平面視で重なる位置であって、前記第1画素の前記第3半導体領域に対応する深さに設けられた、前記第2導電型であって前記第3半導体領域よりも不純物濃度が高い第4半導体領域と、前記第4半導体領域と前記第2半導体領域との間に設けられた前記第1導電型の第5半導体領域とを有することを特徴とする光電変換装置である。
本発明により、光に対する感度を向上させた光電変換装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら各実施例の光電変換装置を説明する。なお、以下に述べる実施例中に記載されるトランジスタの導電型は一例のものであって、実施例中に記載された導電型のみに限定されるものでは無い。実施例中に記載された導電型に対し、導電型は適宜変更できるし、この変更に伴って、トランジスタのゲート、ソース、ドレインの電位は適宜変更される。例えば、スイッチとして動作させるトランジスタであれば、ゲートに供給する電位のローレベルとハイレベルとを、導電型の変更に伴って、実施例中の説明に対し逆転させるようにすればよい。また、以下に述べる実施例中に記載される半導体領域の導電型についても一例のものであって、実施例中に記載された導電型のみに限定されるものでは無い。実施例中に記載された導電型に対し、導電型は適宜変更できるし、この変更に伴って、半導体領域の電位は適宜変更される。
(第1実施形態)
図1は、光電変換装置の一例である、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の画素の等価回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置の画素の平面レイアウトを示す図である。図4は、本実施形態による固体撮像装置の画素の概略断面図である。図5は、本実施形態の比較例による固体撮像装置の画素の平面図である。
図1は、光電変換装置の一例である、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の画素の等価回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置の画素の平面レイアウトを示す図である。図4は、本実施形態による固体撮像装置の画素の概略断面図である。図5は、本実施形態の比較例による固体撮像装置の画素の平面図である。
本実施形態による固体撮像装置100は、図1に示すように、画素領域10と、垂直走査回路20と、列読み出し回路30と、水平走査回路40と、制御回路50と、出力回路60とを有している。
画素領域10には、複数行及び複数列に渡ってマトリクス状に配された複数の画素12が設けられている。画素領域10の画素アレイの各行には、行方向(図1において横方向)に延在して、制御信号線14が配されている。制御信号線14は、行方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。また、画素領域10の画素アレイの各列には、列方向(図1において縦方向)に延在して、垂直出力線16が配されている。垂直出力線16は、列方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。
各行の制御信号線14は、垂直走査回路20に接続されている。垂直走査回路20は、画素12から画素信号を読み出す際に画素12内の読み出し回路を駆動するための制御信号を、制御信号線14を介して画素12に供給する回路部である。各列の垂直出力線16の一端は、列読み出し回路30に接続されている。画素12から読み出された画素信号は、垂直出力線16を介して列読み出し回路30に入力される。列読み出し回路30は、画素12から読み出された画素信号に対して所定の信号処理、例えば増幅処理やAD変換処理等の信号処理を実施する回路部である。列読み出し回路30は、差動増幅回路、サンプル・ホールド回路、AD変換回路等を含み得る。
水平走査回路40は、列読み出し回路30において処理された画素信号を列毎に順次、出力回路60に転送するための制御信号を、列読み出し回路30に供給する回路部である。制御回路50は、垂直走査回路20、列読み出し回路30及び水平走査回路40の動作やそのタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。出力回路60は、バッファアンプ、差動増幅器などから構成され、列読み出し回路30から読み出された画素信号を固体撮像装置100の外部の信号処理部に出力するための回路部である。
それぞれの画素12は、図2に示すように、光電変換部PDと、転送トランジスタM1と、リセットトランジスタM2と、増幅トランジスタM3と、選択トランジスタM4とを含む。光電変換部PDは、例えばフォトダイオードであり、アノードが接地電圧線に接続され、カソードが転送トランジスタM1のソースに接続されている。転送トランジスタM1のドレインは、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートに接続されている。転送トランジスタM1のドレイン、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートの接続ノードは、いわゆるフローティングディフュージョン(FD)であり、このノードが含む容量成分からなる電荷電圧変換部を構成する。リセットトランジスタM2のドレイン及び増幅トランジスタM3のドレインは、電源電圧線(Vdd)に接続されている。増幅トランジスタM3のソースは、選択トランジスタM4のドレインに接続されている。選択トランジスタM4のソースは、垂直出力線16に接続されている。垂直出力線16の他端には、電流源18が接続されている。
制御信号線14は、図2に示す回路構成の場合、転送ゲート信号線TX、リセット信号線RES、選択信号線SELを含む。転送ゲート信号線TXは、転送トランジスタM1のゲートに接続される。リセット信号線RESは、リセットトランジスタM2のゲートに接続される。選択信号線SELは、選択トランジスタM4のゲートに接続される。
光電変換部PDは、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1は、オンすることにより光電変換部PDの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。フローティングディフュージョンFDは、その容量による電荷電圧変換によって、光電変換部PDから転送された電荷の量に応じた電圧となる。増幅トランジスタM3は、ドレインに電源電圧Vddが供給され、ソースに選択トランジスタM4を介して電流源18からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM3は、フローティングディフュージョンFDの電圧に基づく信号を、選択トランジスタM4を介して垂直出力線16に出力する。リセットトランジスタM2は、オンすることによりフローティングディフュージョンFDを電源電圧Vddに応じた電圧にリセットする。
図3は本実施形態の画素12を上面(入射面側)から見た場合の、平面レイアウトを示す模式図である。図3では、図1、図2で示した要素と同じ要素には、図1、図2で付した符号と同じ符号を付している。表面電極31はP型分離領域35に電位を与える電極である。P型分離領域35は光電変換部PDの外周に配置されている。
また、光電変換部PDの電荷を転送する転送トランジスタM1の一部として、転送ゲート21が設けられている。転送ゲート21は、フローティングディフュージョン(FD)の一部である浮遊拡散領域23と、光電変換部PDとの間に設けられている。また、転送ゲート21には、転送ゲート信号線TXが接続される。
浮遊拡散領域23は、FD接続配線を介して、増幅トランジスタM3のゲートである、増幅ゲート25に接続される。また、選択トランジスタM4のゲートである選択ゲート27には選択信号線SELが接続される。選択トランジスタM4のソース、ドレインの一方には、垂直出力線16である信号線voutが接続される。選択トランジスタM4のソース、ドレインの他方は、増幅トランジスタM3のソースでもある。増幅トランジスタM3のドレインには、電源電圧Vddが与えられる。
また、リセットトランジスタM2のゲートであるリセットゲート29には、リセット信号線RESが接続される。リセットトランジスタM2のドレインは、増幅トランジスタM3のドレインでもある。リセットトランジスタM2のソースは、FD接続配線を介して、浮遊拡散領域23、増幅ゲート25に接続される。
図4は、図3に示した線A−A´の部分を含む断面を4画素分示した図である。
図3に示した画素12のPDは、図4に示したN型半導体領域410を有する。N型半導体領域410は、入射光を光電変換することによって生成される信号電荷である電子を蓄積する、第1導電型の第1半導体領域である。第1半導体領域であるN型半導体領域410は、半導体基板の第1面からの深さd1の位置に設けられている。また、隣り合う画素はN型半導体領域415を有する。N型半導体領域415もまた、入射光を光電変換することによって生成される信号電荷である電子を蓄積する、第1導電型の第1半導体領域である。N型半導体領域415、420の不純物濃度は同じとしている。
N型半導体領域410とN型半導体領域415の異なる点は、下部に設けられる半導体領域が異なる点である。N型半導体領域410の下部には、P型半導体領域425が設けられる。P型半導体領域425は、第1面からの深さがd1よりも深いd2に設けられている。一方、N型半導体領域415の下部には、P型半導体領域401の一部である、P型半導体領域401−2が設けられている。P型半導体領域401−2は、第1半導体領域よりも、第1面からの深さが深い領域に設けられた、第2導電型の第2半導体領域である。また、そのP型半導体領域401−2の下部には、P型半導体領域401の一部である、P型半導体領域401−3が設けられている。P型半導体領域401−2、401−3は上述したように、P型半導体領域401の一部である。このためP型半導体領域401−2、401−3の不純物濃度は、P型半導体領域401と同じである。なお、ここでいう「不純物濃度が同じ」という状態は、製造時に生じる、不純物の拡散の度合いがばらつくことによる不純物濃度のばらつきは、実質的に「不純物濃度が同じ」の範疇に含まれる。
また、P型半導体領域425は、第1半導体領域よりも、第1面からの深さが深い位置に設けられた、第2導電型の第4半導体領域である。
第4半導体領域であるP型半導体領域425は、第3半導体領域であるP型半導体領域401−2よりも高い不純物濃度を有する。
P型半導体領域425の下部の、第1面からの深さd3には、N型半導体領域430が配されている。N型半導体領域430は、第4半導体領域であるP型半導体領域425よりも、第1面からの深さが深い位置に設けられた、第1導電型の第5半導体領域である。
第1半導体領域であるN型半導体領域410、第4半導体領域であるP型半導体領域425、第5半導体領域であるN型半導体領域430は、平面視で重なる部分を有する。
また、第1半導体領域であるN型半導体領域415、第2半導体領域であるP型半導体領域401−2は、平面視で重なる部分を有する。また、第1半導体領域であるN型半導体領域415、第2半導体領域であるP型半導体領域401−2、P型半導体領域401−3は平面視で重なる部分を有する。
図4において、N型半導体領域410、415の外周にはP型半導体領域420、421のいずれかが配されている。P型半導体領域420、421は同じ不純物濃度としている。P型半導体領域421には、電源400から第1電位が供給されている。
また、半導体基板の第2面の下部には、裏面電極450が設けられている。裏面電極450は、P型半導体領域401と接するように形成されている。また、裏面電極450は、複数の画素に渡って設けられている。典型的には、図1に示した画素領域10に渡って、裏面電極450が設けられている。ただし、この例に限られるものでは無く、裏面電極450は、画素の行ごとに区切られていてもよい。また、裏面電極450は、画素の列ごとに区切られていてもよい。また、裏面電極450は、複数行および複数列の画素12を有するブロックごとに区切られていてもよい。
P型半導体領域421には、裏面電極450よりも、N型半導体領域410のキャリアである電子に対するポテンシャルが低い電位が与えられる。本実施形態では、P型半導体領域421の電位を0Vとし、裏面電極450の電位を−10Vとしている。
また、本実施形態ではP型半導体領域401の不純物濃度は、P型半導体領域420、421の不純物濃度よりも低い。
本実施形態では、P型半導体領域401の不純物濃度は、1×1011[atom/cm3]としている。なお、この例に限定されるものでは無く、1×1012[atom/cm3]以下の濃度であれば好適に適用することができる。また、本実施形態では、P型半導体領域401の電気抵抗率を3000[Ω・cm]以上の、高い電気抵抗率としている。これにより、P型半導体領域401に流れるホール電流を抑制でき、P型半導体領域401における基板深さ方向に沿った電位勾配を好適に形成することができる。
また、P型半導体領域420、421の不純物濃度は、2×1019[atom/cm3]としている。なお、本明細書では、不純物濃度は半導体領域内に存在する不純物の濃度として示している。
P型半導体領域421から裏面電極450は、P型半導体領域401を介して導通しているためホール電流が流れる。しかし、P型半導体領域401は、上述したように、不純物濃度は、1×1011[atom/cm3]としている。このため、P型半導体領域421と裏面電極450との間の電気抵抗が高いため、P型半導体領域401には電位勾配が生じる。この電位勾配によって、光が入射して行われる光電変換によって、P型半導体領域401において生じた電子が、N型半導体領域415に移動しやすくなる。したがって、N型半導体領域415に収集される電子が増加することから、光電変換装置の感度が向上する。特に、P型半導体領域401で光電変換される光の波長は赤外域であるので、赤外光に対する感度を向上させることができる。
図5は、本実施形態の画素領域10を入射面側から見た平面図である。画素領域10は、主として可視光を光電変換する画素と、主として赤外光を光電変換する画素を有する。この可視光を光電変換する画素のうち、赤色に対応する波長の光を光電変換する画素をR画素とする。また、緑色に対応する波長の光を光電変換する画素をG画素とする。また、青色に対応する波長の光を光電変換する画素をB画素とする。また、赤外光を光電変換する画素はIR画素とする。なお、赤色に対応する波長とは、おおむね580〜800nmである。また、緑色に対応する波長とは、おおむね490〜580nmである。また、青色に対応する波長とは、おおむね360nm〜490nmである。赤外光とは、おおむね800nm以上の波長の光である。
図5では、図4に示した、N型半導体領域410、415、N型半導体領域430の平面レイアウトを示している。R画素のN型半導体領域410については、R−DNと表記している。また、G画素のN型半導体領域410については、G−DNと表記している。また、B画素のN型半導体領域410については、B−DNと表記している。
また、IR画素のN型半導体領域415については、IR−DNと表記している。
N型半導体領域430は、IR画素と隣接する、可視光を光電変換する画素のN型半導体領域410と、IR画素のN型半導体領域415との間に設けられている。図5の例では、IR画素に対して隣接する全ての画素(IR画素を囲む4つのG画素、2つのR画素、2つのB画素)の各々のN型半導体領410と、N型半導体領域415との間に、N型半導体領域430が設けられている。
N型半導体領域430は、平面視において、N型半導体領域415の下部に設けられたP型半導体領域401−2、401−3を囲むように配置されている、とも言える。また、N型半導体領域415の下部に設けられたP型半導体領域401−2、401−3は、平面視において、N型半導体領域430が設けられた領域の内側に配置されている、とも言える。
比較例として、図6を示す。図6は、N型半導体領域430を設けない例である。
図6の構成では、N型半導体領域415囲むP型半導体領域420によって、N型半導体領域415の下部の領域(図示した箇所)にポテンシャル障壁が生じる。このポテンシャル障壁によって、P型半導体領域401で生成した電子のN型半導体領域415への移動が妨げられるという課題が有る。
本実施形態では、N型半導体領域430を設けることによって、このポテンシャル障壁を低減することができる。これにより、P型半導体領域401からN型半導体領域415へ電子が移動しやすくなるため、光に対する感度(特に赤外光に対する感度)を向上させることができる。
なお、本実施形態では1つの画素について、1つのN型半導体領域410あるいはN型半導体領域415が設けられた例を説明した。この場合には、1つのマイクロレンズに対し、1つのN型半導体領域410あるいはN型半導体領域415が設けられた構成となる。他の例として、1つのマイクロレンズに対し、N型半導体領域410あるいはN型半導体領域415の複数が設けられた構成としても良い。このような構成とした場合には、1つのマイクロレンズに対応する複数のN型半導体領域のうちの一方のN型半導体領域が蓄積した電荷と、他方のN型半導体領域が蓄積した電荷とを用いて、位相差検出方式の焦点検出を行うことができる。このような構成にした場合においても、図4に示したように、N型半導体領域415に隣接する画素のN型半導体領域410、P型半導体領域425の下部に、N型半導体領域430を設けるようにすればよい。
また、本実施形態は、第1面から入射光が入射する表面照射型、第2面側から入射光が入射する裏面照射型のいずれにも適用することができる。なお、裏面照射型とする場合には、裏面電極450はITO(酸化インジウムスズ)、ZnO(酸化亜鉛)などの透明電極とすることが好ましい。この場合には、裏面電極450の入射面側に反射防止膜をさらに設けるようにしても良い。
また、本実施形態では、N型半導体領域410、415の外周にはP型半導体領域420、421のいずれかが配されていた。電源から電位が供給されるP型半導体領域421の配置は、図4の配置に限定されるものでは無く、適宜変更される。P型半導体領域401に適度な電位勾配を形成できるような配置であれば良く、例えば、全てのP型半導体領域420を、第1電位が供給されるP型半導体領域421にしても良い。当然、N型半導体領域415の周囲のP型半導体領域420を、第1電位が供給されるP型半導体領域421としてもよい。
(第2実施形態)
本実施形態について、第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
本実施形態について、第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
第1実施形態では、P型半導体領域425とN型半導体領域430は、N型半導体領域410の下部から、N型半導体領域415と隣接するP型半導体領域420の下部に延在して設けられていた。
本実施形態の光電変換装置は、P型半導体領域425とN型半導体領域430は、N型半導体領域410と平面視で重なる位置にのみ設けられ、P型半導体領域420の下部には延在していない構成である。
図7は、本実施形態の光電変換装置の画素領域の断面図である。図4で示した部材と同じ機能を有する部材については、図7においても、図4で付した符号と同じ符号を付して示している。
図7に示しているように、P型半導体領域425、N型半導体領域430−1は、P型半導体領域425と平面視で重なる位置にのみ設けられており、N型半導体領域415に隣接するP型半導体領域420の下部には延在していない。
このため、P型半導体領域401−2、401−3は、P型半導体領域420と平面視で重なる位置まで延在する。別の言い方をすれば、P型半導体領域401−2、401−3は、平面視で見て、N型半導体領域415の下部から、N型半導体領域415と隣接するP型半導体領域420の下部に渡って延在する。
図8は、図7に示した画素領域の上面図である。図5で示した部材と同じ機能を有する部材については、図7においても、図5で付した符号と同じ符号を付して示している。
本実施形態では、N型半導体領域430−1は、IR画素のN型半導体領域415と、隣接する画素のN型半導体領域410の間の領域には配されていない。
本実施形態の光電変換装置では、上述したように、P型半導体領域425、N型半導体領域430−1は、P型半導体領域425と平面視で重なる位置にのみ設けられており、N型半導体領域415に隣接するP型半導体領域420の下部には延在していない。このため、P型半導体領域401−2、401−3は、N型半導体領域415の下部から、N型半導体領域415と隣接するP型半導体領域420の下部に渡って延在する。これにより、P型半導体領域425によって、P型半導体領域401−2、401−3において生じるポテンシャル障壁が、第1実施形態に比べて、本実施形態の光電変換装置では緩和される。したがって、P型半導体領域401で生じた電子がN型半導体領域415に、より移動しやすくなる。よって、第1実施形態に比べて、本実施形態の光電変換装置は、光に対する感度(特に赤外光に対する感度)を向上させることができる。
(第3実施形態)
本実施形態の光電変換装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
本実施形態の光電変換装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
第1実施形態の光電変換装置に対して、本実施形態は、N型半導体領域430が、P型半導体領域425の下部から、P型半導体領域401−2の下部を越えて、別の画素のP型半導体領域425の下部に延在している構成を有する点が異なる。別の言い方をすれば、N型半導体領域430が、N型半導体領域410の下部から、N型半導体領域415の下部を越えて、別のN型半導体領域410の下部に延在している構成を有する点が異なる。
図9は、本実施形態の光電変換装置の画素領域の断面図である。図4で示した部材と同じ機能を有する部材については、図9においても、図4で付した符号と同じ符号を付して示している。
本実施形態は、上述したように、N型半導体領域430が、N型半導体領域410の下部から、N型半導体領域415の下部を越えて、別のN型半導体領域410の下部に延在している構成を有する点が異なる。つまり、P型半導体領域401−2の下部には、P型半導体領域401−3ではなく、N型半導体領域430が設けられている。
これにより、P型半導体領域401−2に生じるポテンシャル障壁は、第1実施形態に比べて緩和される。したがって、P型半導体領域401で生じた電子がN型半導体領域415に、より移動しやすくなる。よって、第1実施形態に比べて、本実施形態の光電変換装置は、光に対する感度(特に赤外光に対する感度)を向上させることができる。
(第4実施形態)
本実施形態による光電変換システムについて、図10を用いて説明する。上述した各実施形態の光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図10は、本実施形態による光電変換システムの概略構成を示すブロック図である。
本実施形態による光電変換システムについて、図10を用いて説明する。上述した各実施形態の光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図10は、本実施形態による光電変換システムの概略構成を示すブロック図である。
上記の各実施形態で述べた光電変換装置は、図10の撮像装置201として種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な光電変換システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置とを備えるカメラモジュールも、光電変換システムに含まれる。図10には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
以下、光電変換システムの一例として、撮像システムを説明する。図10に例示した撮像システム200は、撮像装置201、被写体の光学像を撮像装置201に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、撮像装置201に光を集光する光学系である。
撮像システム200は、また、撮像装置201より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、撮像装置201が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換を行う。また、信号処理部208はその他、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。信号処理部208の一部であるAD変換部は、撮像装置201が設けられた半導体基板に形成されていてもよいし、撮像装置201とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、撮像装置201と信号処理部208とが同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム200は、さらに、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。さらに撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
さらに撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、撮像装置201と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は少なくとも撮像装置201と、撮像装置201から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。
撮像装置201は、撮像信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、撮像装置201から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部208は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
上述した各実施形態による光電変換装置を撮像装置201として適用することにより、安定的に高感度で飽和信号量が大きい良質な画像を取得しうる撮像システム、光電変換システムを実現することができる。
(第5実施形態)
本実施形態による光電変換システム及び移動体について、図11を用いて説明する。図11は、光電変換システムの一例である撮像システムと移動体の構成を示す図である。
本実施形態による光電変換システム及び移動体について、図11を用いて説明する。図11は、光電変換システムの一例である撮像システムと移動体の構成を示す図である。
図11(a)は、車戴カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、撮像装置310を有する。撮像装置310は、上記の実施形態のいずれかに記載の光電変換装置である。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318と、を有する。ここで、視差算出部314や距離計測部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム300は車両情報取得装置320と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU330が接続されている。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置340とも接続されている。例えば、衝突判定部318の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU330はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置340は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム300で撮像する。図11(b)に、車両前方(撮像範囲350)を撮像する場合の撮像システムを示した。車両情報取得装置320が、所定の動作を行うように撮像システム300ないしは撮像装置310に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。さらに、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、上記実施形態では、信号電荷として電子を生成する光電変換部PDを用いた固体撮像装置を例にして説明したが、信号電荷として正孔を生成する光電変換部PDを用いた固体撮像装置についても同様に適用可能である。この場合、画素の各部を構成する半導体領域の導電型は、逆導電型になる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
401 P型半導体領域(第2半導体領域)
401−2、401−3 P型半導体領域(第3半導体領域)
410、415 N型半導体領域(第1半導体領域)
420 P型半導体領域(第6半導体領域)
425 P型半導体領域(第4半導体領域)
430 N型半導体領域(第5半導体領域)
450 裏面電極
401−2、401−3 P型半導体領域(第3半導体領域)
410、415 N型半導体領域(第1半導体領域)
420 P型半導体領域(第6半導体領域)
425 P型半導体領域(第4半導体領域)
430 N型半導体領域(第5半導体領域)
450 裏面電極
Claims (14)
- 第1面、第2面を有する半導体基板を備え、
前記半導体基板に、隣り合う第1画素、第2画素を含む複数の画素が設けられ、
前記第1画素、前記第2画素の各々は、第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1面からの深さが前記第1半導体領域よりも深い位置であって、前記第1半導体領域と平面視で重なる位置に設けられた第2導電型の第2半導体領域とを有し、
前記第1画素は、前記第1面からの深さが、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域の間であって、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とに平面視で重なる位置に設けられた前記第2導電型の第3半導体領域をさらに有し、
前記第2画素は、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とに平面視で重なる位置であって、前記第1画素の前記第3半導体領域に対応する深さに設けられた、前記第2導電型であって前記第3半導体領域よりも不純物濃度が高い第4半導体領域と、前記第4半導体領域と前記第2半導体領域との間に設けられた前記第1導電型の第5半導体領域とを有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1画素は、複数の前記第2画素によって囲まれており、
平面視において、前記複数の第2画素の各々の前記第5半導体領域が、前記第3半導体領域を囲むように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記第1画素において、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域は接していることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記第5半導体領域が、前記第1画素の前記第3半導体領域と平面視で重なる位置まで延在していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1画素の前記第1半導体領域と、前記第2画素の前記第1半導体領域とを分離する、前記第2導電型の第6半導体領域が設けられ、
前記第6半導体領域、前記第4半導体領域、前記第5半導体領域が平面視において重なることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1画素の前記第1半導体領域と、前記第2画素の前記第1半導体領域とを分離する、前記第2導電型の第6半導体領域が設けられ、
前記第6半導体領域、前記第3半導体領域が平面視において重なることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第6半導体領域は、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項5または6に記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域に、前記第2面側から第1電位が与えられ、
前記第6半導体領域に、前記第1導電型の半導体領域が主たるキャリアとする電荷に対するポテンシャルが前記第1電位よりも低い電位である第2電位が与えられることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2半導体領域の不純物濃度が1×1012[atom/cm3]以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域の電気抵抗率が3000[Ω・cm]以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に光電変換装置。
- 前記第2半導体領域に電位を与える電極が、前記第2面に沿って延在して設けられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 1つのマイクロレンズをさらに有し、
前記第1半導体領域が複数、設けられ、
前記1つのマイクロレンズに対し、複数の前記第1半導体領域が対応して設けられていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする光電変換システム。 - 移動体であって、
請求項1〜12のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018234934A JP2020096147A (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018234934A JP2020096147A (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020096147A true JP2020096147A (ja) | 2020-06-18 |
Family
ID=71086429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018234934A Pending JP2020096147A (ja) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020096147A (ja) |
-
2018
- 2018-12-14 JP JP2018234934A patent/JP2020096147A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6701108B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US11553149B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging system and movable object | |
JP6949563B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び移動体 | |
JP6953263B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
US10559610B2 (en) | Imaging device and method of manufacturing imaging device | |
US11348961B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and movable object | |
JP2018125347A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US20200035722A1 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
US20200176490A1 (en) | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and mobile apparatus | |
US11393855B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving object | |
US11631712B2 (en) | Photoelectric conversion device, imaging system, and moving body with upper electrode and conductive layer at same potential or connected to each other | |
JP2020096147A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 | |
US11431922B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, imaging system, and moving object, with high sensitivity and saturation charge | |
JP2020057689A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP7019743B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US11575822B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving body | |
US20230420468A1 (en) | Photoelectric conversion device | |
US20220320159A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving body | |
JP2023174479A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2023032549A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
JP2019169744A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム |