JP5572108B2 - 撮像素子の製造方法、及び、撮像素子 - Google Patents
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-
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
図2は、実施の形態1の撮像素子の断面構造を示す図である。
ここで、Fはレンズの絞り値である。εは、許容錯乱円という許される焦点ハズレ(ぼけ)となる円の直径を表す。すなわち、レンズの絞りを開ける(F値が小さくなる)ほど、また、許容錯乱円の大きさが小さくなるほど焦点深度δの値は小さくなることが分かる。
d=2δ=4X ・・・(2)
となる。さらにεを1画素の半分まで許容すると、
d=2X ・・・(3)
となる。さらにεを1画素の1/4まで許容すると、
d=X ・・・(4)
となる。
基板1として、厚さ0.7mmのガラス製の透明基板を用意し、基板1の表面上にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法により形成した。その後、フォトリソグラフィーを用いた加工によりゲート電極41(厚さ50nm)を形成した。
比較のために、実施例1と同様の作製手法を用い、紫外線吸収部14を形成せずに、受光部5の信号読み出し部21まで形成した撮像素子を作製した。
実施例1と同様の作製手法を用い、受光部4までを形成した後に、紫外線吸収部14を形成せずに、層間絶縁膜2までを形成した比較例2の撮像素子を作製した。
実施の形態2の撮像装置は、2つの受光部を積層した積層型の撮像素子である点が、3つの受光部を積層した実施の系形態1の積層型の撮像素子と異なる。
2、3 層間絶縁膜
4、4A、5、6 受光部
11、21、31 信号読み出し部
12、22、32 光電変換部
13、23、33 対向電極
14、24 紫外光吸収部
10、20 撮像素子
41 ゲート電極
42 ゲート絶縁膜
43 半導体層
44 ソース電極
45 ドレイン電極
46 画素電極
46A コンタクトホール
47 絶縁層
50 水平走査制御回路
51 垂直動作制御回路
52 水平走査線
53 垂直走査線
Claims (7)
- 基板の上に第1波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部を形成する工程と、
前記第1受光部の上に紫外線を吸収する第1紫外線吸収部を形成する工程と、
前記第1紫外線吸収部の上に第2波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部を形成する工程と、
前記第2受光部の上に紫外線を吸収する第2紫外線吸収部を形成する工程と、
前記第2紫外線吸収部の上に第3波長の光に感度を有する第3有機光電変換膜を含む第3受光部を形成する工程と
を含む、撮像素子の製造方法。 - 前記第1受光部を形成する工程は、
光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第1信号読み出し部を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する工程と、
前記第1信号読み出し部の上に、光を電気信号に変換する前記第1有機光電変換膜を形成する工程とを有し、
前記第2受光部を形成する工程は、
光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第2信号読み出し部を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する工程と、
前記第2信号読み出し部の上に、光を電気信号に変換する前記第2有機光電変換膜を形成する工程とを有し、
前記第3受光部を形成する工程は、
光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第3信号読み出し部を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する工程と、
前記第3信号読み出し部の上に、光を電気信号に変換する前記第3有機光電変換膜を形成する工程とを有する、請求項1記載の撮像素子の製造方法。 - 基板の上に第1波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部を形成する工程、
前記第1受光部の上に紫外線を吸収する紫外線吸収部を形成する工程、及び
前記紫外線吸収部の上に第2波長及び第3波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部を形成する工程、
又は、
基板の上に第1波長及び第2波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部を形成する工程、
前記第1受光部の上に紫外線を吸収する紫外線吸収部を形成する工程、及び
前記紫外線吸収部の上に第3波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部を形成する工程、
を含む、撮像素子の製造方法。 - 前記第2受光部を形成する工程は、光電変換によって生成される電気信号を読み出すための信号読み出し部を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する工程と、
前記信号読み出し部の上に、光を電気信号に変換する前記第2有機光電変換膜を形成する工程と
を有する、請求項3記載の撮像素子の製造方法。 - 基板の上に形成され、第1波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部と、
前記第1受光部の上に形成され、紫外線を吸収する第1紫外線吸収部と、
前記第1紫外線吸収部の上に形成され、第2波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部と、
前記第2受光部の上に形成され、紫外線を吸収する第2紫外線吸収部と、
前記第2紫外線吸収部の上に形成され、第3波長の光に感度を有する第3有機光電変換膜を含む第3受光部と
を含む、撮像素子。 - 前記第1受光部は、
光を電気信号に変換する前記第1有機光電変換膜と、
フォトリソグラフィー法を用いて形成され、前記第1有機光電変換膜における光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第1信号読み出し部と
を有し、
前記第2受光部は、
光を電気信号に変換する前記第2有機光電変換膜と、
フォトリソグラフィー法を用いて形成され、前記第2有機光電変換膜における光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第2信号読み出し部と
を有し、
前記第3受光部は、
光を電気信号に変換する前記第3有機光電変換膜と、
フォトリソグラフィー法を用いて形成され、前記第3有機光電変換膜における光電変換によって生成される電気信号を読み出すための第3信号読み出し部と
を有する、請求項5記載の撮像素子。 - 基板の上に形成され、第1波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部、
前記第1受光部の上に形成され、紫外線を吸収する紫外線吸収部、及び
前記紫外線吸収部の上に形成され、第2波長及び第3波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部、
又は、
基板の上に形成され、第1波長及び第2波長の光に感度を有する第1有機光電変換膜を含む第1受光部、
前記第1受光部の上に形成され、紫外線を吸収する紫外線吸収部、及び
前記紫外線吸収部の上に形成され、第3波長の光に感度を有する第2有機光電変換膜を含む第2受光部、
を含む、撮像素子。
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