JP5102692B2 - カラー撮像装置 - Google Patents
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Description
「木内雄二著 「イメージセンサの基礎と応用」145頁」
本発明の別の目的は、特有の波長選択性を有する有機光電変換膜に損傷を与えることなく製造されるカラー撮像装置を実現することにある。
各光電変換装置は、有機光電変換膜を含み入射光に応じて電荷を発生する光電変換素子と、光電変換素子に発生した電荷を読み出す読出回路とを有する複数の画素をそれぞれ有するカラー撮像装置であって、
入射光が入射する第1の光電変換装置の光電変換素子は、光の3原色の波長域のうちの第1の波長域に光電変換特性のピーク感度を有すると共に第2及び第3の波長域の光に対して光透過性を有し、
第1の光電変換装置と隣接する第2の光電変換装置の光電変換素子は、第1の光電変換装置を透過した透過光を受光し、光の3原色の第2の波長域に光電変換特性のピーク感度を有すると共に第3の波長域の光に対して光透過性を有し、
第2の光電変換装置の後段に配置された第3の光電変換装置は、前記第1及び第2の光電変換装置を透過した透過光を受光し、光の3原色の第3の波長域に光電変換特性のピーク感度を有し、
前記第1〜第3の光電変換装置は、それぞれ基板を有すると共に、各基板上に2次元アレイ状に形成した読出回路及び画素電極と、画素電極アレイ上に形成した有機光電変換膜と、有機光電変換膜上に形成した対向電極膜とをそれぞれ有し、
前記画素電極、光電変換膜及び対向電極膜により光電変換素子が形成され、
前記第1及び第2の光電変換装置の基板は、可視域の光に対して透明な透明基板で構成され、
前記画素電極及び対向電極は可視域の光に対して透明な導電性材料で構成されていることを特徴とする。
さらに、本発明では、有機光電変換膜を含む光電変換素子及び光電変換素子に発生した電荷を読み出す読出回路は透明基板上に形成され、有機光電変換膜上には読出回路が形成されないため、製造工程中に有機光電変換膜に損傷を与える不具合が解消される。
さらに、各光電変換装置は、個別の基板上に光電変換素子及び読出回路がそれぞれ形成され、光電変換素子及び読出回路の2次元アレイが形成された3個の基板が最終工程において一体的に組み立てられるので、耐熱性の低い有機光電変換膜上において微細加工処理を行う必要がなく、従って、光電変換膜に損傷を与えることなく生産することが可能である。
透明基板として、厚さ100μmのガラス基板を用意し、ガラス基板上にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタにより形成した。DCパワーは100W、成長レートは毎分25Åとした。その後、ウェットエッチングを施し、レジストパターンを除去してゲート電極31及び行選択線51を形成した。
上述した方法によりTFT回路及び電極膜が形成された基体を3個用意して第1〜第3の光電変換装置を作製した。真空蒸着法により、第1の基体上に、電子輸送層としてトリス−8ヒドロキシキノレートアルミニウム錯体(Alq3)を30nmの厚さに、青色に感度を有するコバルトポルフィリンを80nmの厚さに、バッファ層としてナフタレン誘導体(NTCDA)を200nmの厚さに順次成膜した。その上に、透明対向電極膜としてITO膜を対向スパッタ法により15nmの厚さに形成し、さらに保護層40としてポリパラキシリレン膜を1.0μmの厚さに堆積して第1の光電変換装置を完成した。
20 光電変換素子
21 画素電極
22 光電変換膜
23 対向電極
30 読出回路
31 ゲート電極
32 絶縁膜
33 半導体層
34 ソース電極
35 ドレイン電極
36 絶縁膜
40 透明保護膜
51 行選択線
52 垂直信号線
53 垂直シフトレジスタ
54 水平シフトレジスタ
100 第1の光電変換装置
200 第2の光電変換装置
300 第3の光電変換装置
Claims (4)
- 個別に作成され、画像光の進行方向であるZ軸方向に沿って整列配置された第1、第2及び第3の光電変換装置と、これら3つの光電変換装置をZ軸方向及びZ軸方向と直交するX及びY方向に整列支持する支持フレームとを具え、
各光電変換装置は、有機光電変換膜を含み入射光に応じて電荷を発生する光電変換素子と、光電変換素子に発生した電荷を読み出す読出回路とを有する複数の画素をそれぞれ有するカラー撮像装置であって、
入射光が入射する第1の光電変換装置の光電変換素子は、光の3原色の波長域のうちの第1の波長域に光電変換特性のピーク感度を有すると共に第2及び第3の波長域の光に対して光透過性を有し、
第1の光電変換装置と隣接する第2の光電変換装置の光電変換素子は、第1の光電変換装置を透過した透過光を受光し、光の3原色の第2の波長域に光電変換特性のピーク感度を有すると共に第3の波長域の光に対して光透過性を有し、
第2の光電変換装置の後段に配置された第3の光電変換装置は、前記第1及び第2の光電変換装置を透過した透過光を受光し、光の3原色の第3の波長域に光電変換特性のピーク感度を有し、
前記第1〜第3の光電変換装置は、それぞれ基板を有すると共に、各基板上に2次元アレイ状に形成した読出回路及び画素電極と、画素電極アレイ上に形成した有機光電変換膜と、有機光電変換膜上に形成した対向電極膜とをそれぞれ有し、
前記画素電極、光電変換膜及び対向電極膜により光電変換素子が形成され、
前記第1及び第2の光電変換装置の基板は、可視域の光に対して透明な透明基板で構成され、
前記画素電極及び対向電極は可視域の光に対して透明な導電性材料で構成されていることを特徴とするカラー撮像装置。 - 請求項1に記載のカラー撮像装置において、前記第1、第2及び第3の光電変換装置は、Z軸方向にそって所定の間隔をもって整列配置されていることを特徴とするカラー撮像装置。
- 請求項1又は2に記載のカラー撮像装置において、前記第1の光電変換装置の光電変換膜は、前記第1の波長域に光吸収のピーク特性を有すると共に前記第2及び第3の波長域の光に対して光透過性を有し、第2の光電変換装置の光電変換膜は、前記第2の波長域の光吸収のピーク特性を有すると共に第3の波長域の光に対して光透過性を有し、第3の光電変換装置の光電変換膜は、前記第3の波長域に光吸収のピーク特性を有することを特徴とするカラー撮像装置。
- 請求項3に記載のカラー撮像装置において、前記読出回路は、可視域の光に対して透明な透明材料で構成され、前記画素電極は読出回路の上側まで延在することを特徴とするカラー撮像装置。
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