JPS59161176A - ２次元画像読取装置 - Google Patents
２次元画像読取装置Info
- Publication number
- JPS59161176A JPS59161176A JP58035608A JP3560883A JPS59161176A JP S59161176 A JPS59161176 A JP S59161176A JP 58035608 A JP58035608 A JP 58035608A JP 3560883 A JP3560883 A JP 3560883A JP S59161176 A JPS59161176 A JP S59161176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- sensor
- photoconductive layer
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は画像読取装置に係り、特に２次元にセンサエレ
メントを配置し、光学的及び電気的にセンサ面を走査す
る２次元画像読取装置に関する。
メントを配置し、光学的及び電気的にセンサ面を走査す
る２次元画像読取装置に関する。
〈従来技術〉
従来ファクシミリ等の装置に於いて、画像を読出す装置
としてＭＯ５型イメージセンサ、ＣＣＤセンサ、密着型
イメージセンサ等が提案されている。ＭＯ３型イメージ
センサは入射光像を光電変換素子で電気信号に変換し、
ＭＯＳ ＩＣで切り換え走査する装置で、またＣＣＤ
センサは光によって光電変換部に生じた電荷を電荷結合
素子（ＣＣＤ）を用いて転送する装置である。
としてＭＯ５型イメージセンサ、ＣＣＤセンサ、密着型
イメージセンサ等が提案されている。ＭＯ３型イメージ
センサは入射光像を光電変換素子で電気信号に変換し、
ＭＯＳ ＩＣで切り換え走査する装置で、またＣＣＤ
センサは光によって光電変換部に生じた電荷を電荷結合
素子（ＣＣＤ）を用いて転送する装置である。
このＭＯ５型イメージセンサ或いはＣＣＤセンサは、単
結晶基板をベースにしてこの基板にＩＣの技術を用いて
作成する為、広い面積のセンサを製造することは性能的
にもコスト的にも不利になる。従って、一般には光学レ
ンズを用い、原稿をセンサ上に縮小結像させ使用してい
る。しかしこの方法では、光学レンズを用いるため光路
長が長くなり、装置の小型化が困難になる。
結晶基板をベースにしてこの基板にＩＣの技術を用いて
作成する為、広い面積のセンサを製造することは性能的
にもコスト的にも不利になる。従って、一般には光学レ
ンズを用い、原稿をセンサ上に縮小結像させ使用してい
る。しかしこの方法では、光学レンズを用いるため光路
長が長くなり、装置の小型化が困難になる。
上記のような縮小結像型のイメージセンサに対し、装置
を小型化する目的で原稿と同じ大きさのセンサを用い、
オプティカルファイバーで原稿と等倍の像を結像させる
密着型イメージセンサが考案されている。密着型イメー
ジセンサは原稿と同じ大きさの光電変換部が必要で、広
い面積にわたって均一な膜の形成が要求される。
を小型化する目的で原稿と同じ大きさのセンサを用い、
オプティカルファイバーで原稿と等倍の像を結像させる
密着型イメージセンサが考案されている。密着型イメー
ジセンサは原稿と同じ大きさの光電変換部が必要で、広
い面積にわたって均一な膜の形成が要求される。
現在密着型イメージセンサとしてはＣｄＳ光導電層を島
状に分割した１次元密着型イメージセンサが提案されて
いるが、光導電層を分割して作製しなければならず、ま
た各光導電層に夫々電極を設けねばならず、構造が複雑
であり、更に読取り速度は光導電層の光応答速度によっ
て制限される。
状に分割した１次元密着型イメージセンサが提案されて
いるが、光導電層を分割して作製しなければならず、ま
た各光導電層に夫々電極を設けねばならず、構造が複雑
であり、更に読取り速度は光導電層の光応答速度によっ
て制限される。
特にＣｄＳ等の光導電層は光応答速度に問題があり、１
次元イメージセンサとしてかなり制限を受ける。
次元イメージセンサとしてかなり制限を受ける。
更にアモルファスシリコン等を利用して連続した帯状の
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサを用いて２次元画像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうため、“明′″ヰ”暗″の照度変化に対
する電流の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直接
信号に影響を及ぼす。そのために上記１次元センサでは
１ラインを走査する時間を応答速度より大きくとる必要
があり、２次元原稿の読取時間が長くなってイメ一ジセ
ンサとして実用化するには問題があった。
光導電体を用いた密着型センサも提案されているが、こ
のような１次元センサを用いて２次元画像を読取ろうと
すれば、センサを繰返して使用しなければならず、その
ために同じセンサ部分をある周期で電圧印加し、信号の
読取りを行なうため、“明′″ヰ”暗″の照度変化に対
する電流の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直接
信号に影響を及ぼす。そのために上記１次元センサでは
１ラインを走査する時間を応答速度より大きくとる必要
があり、２次元原稿の読取時間が長くなってイメ一ジセ
ンサとして実用化するには問題があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来のイメージセンサがもつ問題点に鑑み
てなされたもので、新規な構造からなるイメージセンサ
を用いて、光学的及び電気的にセンサ面を走査して電極
からの引き出し端子数の軽減をはかった２次元画像読取
装置を提供するもので、密着型イメージセンサとしてだ
けではなく通常の光学系を用いた２次元イメージセンサ
としても利用することができる読取装置である。
てなされたもので、新規な構造からなるイメージセンサ
を用いて、光学的及び電気的にセンサ面を走査して電極
からの引き出し端子数の軽減をはかった２次元画像読取
装置を提供するもので、密着型イメージセンサとしてだ
けではなく通常の光学系を用いた２次元イメージセンサ
としても利用することができる読取装置である。
〈実施例〉
第１図は本発明による一実施例の画像読取装置における
センサ１の構造を示す斜視図である。センサ１は、少な
くとも読取るべき２次元画像面と同程度の面積をもった
ガラス等の絶縁板を基板２とし、該基板２の一方の表面
にＡ１等を蒸着して形成したストライプ状Ｘ電極３が一
定のピッチで平行に設けられている。各Ｘ電極３の幅及
びピッチはセンサ１の解像度に影響するが、後述する所
望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で細かい
ことが望ましい。Ｘ電極３が形成された基板２上には重
ねて光導電層４が形成されている。
センサ１の構造を示す斜視図である。センサ１は、少な
くとも読取るべき２次元画像面と同程度の面積をもった
ガラス等の絶縁板を基板２とし、該基板２の一方の表面
にＡ１等を蒸着して形成したストライプ状Ｘ電極３が一
定のピッチで平行に設けられている。各Ｘ電極３の幅及
びピッチはセンサ１の解像度に影響するが、後述する所
望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で細かい
ことが望ましい。Ｘ電極３が形成された基板２上には重
ねて光導電層４が形成されている。
該光導電層４は樹脂中に主としてＣｄＳからなる光導電
体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被って２次元
読取り平面全域に均質な膜厚に形成されている。光導電
層４上に更にＸ電極５が、上記Ｘ電極３と直交する方向
にほぼ同程度のピッチで形成されている。該Ｘ電極５は
画像の読取りを可能にするため透明電極材料によって作
成されている。尚、基板２を透明絶縁材料で形成し、Ｘ
電極３を透明電極材料とする場合には基板２側を画像入
力側とし、Ｘ電極５はＡＩ等の金属膜や多結晶シリコン
等が作成することもできる。
体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被って２次元
読取り平面全域に均質な膜厚に形成されている。光導電
層４上に更にＸ電極５が、上記Ｘ電極３と直交する方向
にほぼ同程度のピッチで形成されている。該Ｘ電極５は
画像の読取りを可能にするため透明電極材料によって作
成されている。尚、基板２を透明絶縁材料で形成し、Ｘ
電極３を透明電極材料とする場合には基板２側を画像入
力側とし、Ｘ電極５はＡＩ等の金属膜や多結晶シリコン
等が作成することもできる。
本実施例の場合Ａｌ膜からなるＸ電極８側は単にストラ
イプ状の導体が形成されているだけで、相互の間には特
別には配線されない。
イプ状の導体が形成されているだけで、相互の間には特
別には配線されない。
一方透明電極のＸ電極５側は、０本からなるＸ電極群の
内生なく共１本、例えば第１番目のＹ１電極を、画像読
取り動作時にＸ電極群から１本のＸ、電極を選択するた
めの電極とし、残りのＹ２〜Ｙｎ電極を、マトリック状
にセンサエレメントを配置したイメージセンサを構成す
るための電極とする。従ってＸ電極を選択するためのＹ
１電極には、１本のＸ電極の幅に相当する領域を点灯す
るスイッチング用光源６（発光ダイオード等）が相対向
させて配置され、Ｙｌ 電極自身は負荷抵抗７を介して
電源８の一端に接続されている。またセンサエレメント
を形成する残りのＹ２〜Ｙｎ電極は夫々走査のためのス
イッチング素子９゜〜９ｎを介して共通に上記電源８の
他方の端子に接続されている。Ｙ２〜Ｙｎ２〜Ｙｎ電極
情報を導くために、Ｙ２〜Ｙｎ電極に相対向させてオプ
ティカルファイバアレイ１０が設けられている。該オプ
ティカルファイバアレイｌＯは上記スイッチング用光源
６と一体に同−Ｘ電極に対向するように一直線状に形成
されている。上記スイッチング素子９２〜９ｏは走査回
路１１から与えられる信号によって順次切換えられ、オ
プティカルファイバアレイ１０が一つのＸ電極に対向し
ている期間にスイッチング素子９゜〜９ｏが一巡する速
さで切換えられる。この時Ｘ電極のうち電源に接続され
ていない端子はスイッチング素子を介してアースに接続
される。図中ＯＵＴ端子はＸ電極から読取り出力信号を
導出する端子である。
内生なく共１本、例えば第１番目のＹ１電極を、画像読
取り動作時にＸ電極群から１本のＸ、電極を選択するた
めの電極とし、残りのＹ２〜Ｙｎ電極を、マトリック状
にセンサエレメントを配置したイメージセンサを構成す
るための電極とする。従ってＸ電極を選択するためのＹ
１電極には、１本のＸ電極の幅に相当する領域を点灯す
るスイッチング用光源６（発光ダイオード等）が相対向
させて配置され、Ｙｌ 電極自身は負荷抵抗７を介して
電源８の一端に接続されている。またセンサエレメント
を形成する残りのＹ２〜Ｙｎ電極は夫々走査のためのス
イッチング素子９゜〜９ｎを介して共通に上記電源８の
他方の端子に接続されている。Ｙ２〜Ｙｎ２〜Ｙｎ電極
情報を導くために、Ｙ２〜Ｙｎ電極に相対向させてオプ
ティカルファイバアレイ１０が設けられている。該オプ
ティカルファイバアレイｌＯは上記スイッチング用光源
６と一体に同−Ｘ電極に対向するように一直線状に形成
されている。上記スイッチング素子９２〜９ｏは走査回
路１１から与えられる信号によって順次切換えられ、オ
プティカルファイバアレイ１０が一つのＸ電極に対向し
ている期間にスイッチング素子９゜〜９ｏが一巡する速
さで切換えられる。この時Ｘ電極のうち電源に接続され
ていない端子はスイッチング素子を介してアースに接続
される。図中ＯＵＴ端子はＸ電極から読取り出力信号を
導出する端子である。
第２図は上記イメージセンサ１と光学系との関係を示す
配置図で、センサーに対向するスイッチング用光源６と
一体になったオプティカルファイバアレイ１０には、原
稿１２からの反射光が画像情報として入射され、原稿１
２面を照明するための光源１３が設けられている。上記
イメージセンサ−はほぼ原稿１２を読取り得る２次元の
領域を備えているため、原稿１２とセンサーに対して光
学系１０が読取り領域を走査すべく所定速度で駆動機構
１４番こより送り動作される。尚光学系１０を固定して
イメージセンサ−側を移動させてもよい。
配置図で、センサーに対向するスイッチング用光源６と
一体になったオプティカルファイバアレイ１０には、原
稿１２からの反射光が画像情報として入射され、原稿１
２面を照明するための光源１３が設けられている。上記
イメージセンサ−はほぼ原稿１２を読取り得る２次元の
領域を備えているため、原稿１２とセンサーに対して光
学系１０が読取り領域を走査すべく所定速度で駆動機構
１４番こより送り動作される。尚光学系１０を固定して
イメージセンサ−側を移動させてもよい。
次に上記構造の２次元画像読取装置の動作を説明する。
駆動機構１４の送りによってオプティカルファイバアレ
イ１０がＸ電極群のＸ、電極に対！ 向する状態で、スイッチング用光源６が点灯することに
より、Ｘ１電極とＹ１電極に挾まれた光導電層の部分５
．−７が導通状態になる。、同時にオプティカルファイ
バアレイ１０には原稿１２からの反射光が入射されてお
り、Ｘ、電極に対向するＹ２〜Ｙｎ２〜Ｙｎ電極像情報
に対応する光信号が入力されている。この時Ｙ１電極と
Ｙ２電極の間の光導電層に光が照射して、Ｙｌ とＹ２
２電極が導通状態とならない様にＹｌ 電極とＹ２２電
極を光遮断するか又は、Ｙ 電極とＹ２２電極の光導電
層を除去する。この状態でＹ２〜Ｙｎ電極に接続された
スイッチング素子９゜〜９ｒｉが走査回路１１からの信
号により順次一定期間オンになるため、オプティカルフ
ァイバアレイ１０から光信号が入力されているＹ６電極
については、Ｙｌ電極下の光導電層部分５ｉ−（ｌが導
通状態になる。該光導電層部分５１（は、スイッチング
用光源６によって導通状態になっている上記光導電層部
分５１−１との間がＸ、電極によって電気的に結合され
、電源８が印加されることから出力端子ＯＵＴから電気
回路が形成されて画像読取り信号が出力される。スイッ
チング素子９□〜９ｏを切換えることによりｉ番目のＸ
電極上の画像を読取ることができ、光学系の移動と共に
Ｘ電極を順次切換えて同様の動作を行わせることにより
、画像全体を読取った信号を２次元センサーの出力から
得ることができる。またスイッチング素子９２〜９ｎ
を介してＸ電極のうち電源が印加されている端子以外を
アースに接続することでクロストーク電流を最小にでき
る。
イ１０がＸ電極群のＸ、電極に対！ 向する状態で、スイッチング用光源６が点灯することに
より、Ｘ１電極とＹ１電極に挾まれた光導電層の部分５
．−７が導通状態になる。、同時にオプティカルファイ
バアレイ１０には原稿１２からの反射光が入射されてお
り、Ｘ、電極に対向するＹ２〜Ｙｎ２〜Ｙｎ電極像情報
に対応する光信号が入力されている。この時Ｙ１電極と
Ｙ２電極の間の光導電層に光が照射して、Ｙｌ とＹ２
２電極が導通状態とならない様にＹｌ 電極とＹ２２電
極を光遮断するか又は、Ｙ 電極とＹ２２電極の光導電
層を除去する。この状態でＹ２〜Ｙｎ電極に接続された
スイッチング素子９゜〜９ｒｉが走査回路１１からの信
号により順次一定期間オンになるため、オプティカルフ
ァイバアレイ１０から光信号が入力されているＹ６電極
については、Ｙｌ電極下の光導電層部分５ｉ−（ｌが導
通状態になる。該光導電層部分５１（は、スイッチング
用光源６によって導通状態になっている上記光導電層部
分５１−１との間がＸ、電極によって電気的に結合され
、電源８が印加されることから出力端子ＯＵＴから電気
回路が形成されて画像読取り信号が出力される。スイッ
チング素子９□〜９ｏを切換えることによりｉ番目のＸ
電極上の画像を読取ることができ、光学系の移動と共に
Ｘ電極を順次切換えて同様の動作を行わせることにより
、画像全体を読取った信号を２次元センサーの出力から
得ることができる。またスイッチング素子９２〜９ｎ
を介してＸ電極のうち電源が印加されている端子以外を
アースに接続することでクロストーク電流を最小にでき
る。
Ａ４原稿サイズの読取りセンサとして８本／朋の電極数
を備えた２次元イメージセンサを作製し、光学系移動速
度を１００ ＭＭ７ ｓｅｃ 、 Ｘ電極のスイッチ周
波数１．６ＭＨｚで読取り動作させた。この結果Ａ４原
稿を約３秒（約１．２ｍ５ｅｃ／ライン）の時間で十分
なＳ／Ｎ比で読取ることができた。
を備えた２次元イメージセンサを作製し、光学系移動速
度を１００ ＭＭ７ ｓｅｃ 、 Ｘ電極のスイッチ周
波数１．６ＭＨｚで読取り動作させた。この結果Ａ４原
稿を約３秒（約１．２ｍ５ｅｃ／ライン）の時間で十分
なＳ／Ｎ比で読取ることができた。
同じＣｄＳを光導電層とした従来の１次元イメージセン
サでは、本実施例と同程度のＳ／Ｎ比を得るためには５
０ ｍ５ｅｃ／ライン以上の速度では困難であった。
サでは、本実施例と同程度のＳ／Ｎ比を得るためには５
０ ｍ５ｅｃ／ライン以上の速度では困難であった。
光導電層４はＣｄＳ、ＣｄＳｅを用いた樹脂分散型に限
定されるものではなく、アモルファスＳ１、アモルファ
スＳｅ、アモルファスＳｅ化合物、有機半導体等を用い
て構成したイメージセンサにおいても前記実施例と同様
に良好な結果を得ることができる。
定されるものではなく、アモルファスＳ１、アモルファ
スＳｅ、アモルファスＳｅ化合物、有機半導体等を用い
て構成したイメージセンサにおいても前記実施例と同様
に良好な結果を得ることができる。
〈効果〉
以上本発明によれば、センサエレメントを２次元に配置
した画像読取装置において、光導電層を挾むＸ及びＹ電
極の一方の電極を光学的に他方を電気的スイッチングす
ることによって２次元センサ面全域を走査するため、信
号を導出するための配線を著く簡略にすることができ、
また光学的スイッチングする手段は画像読取り信号を形
成するための光導電層を利用して形成することができ、
画像読取り装置の構成を簡略にすることができ、経済的
にもすぐれた実益価値の大きい装置を得ることができる
。
した画像読取装置において、光導電層を挾むＸ及びＹ電
極の一方の電極を光学的に他方を電気的スイッチングす
ることによって２次元センサ面全域を走査するため、信
号を導出するための配線を著く簡略にすることができ、
また光学的スイッチングする手段は画像読取り信号を形
成するための光導電層を利用して形成することができ、
画像読取り装置の構成を簡略にすることができ、経済的
にもすぐれた実益価値の大きい装置を得ることができる
。
第１図は本発明による一実施例の要部斜視図、第２図は
同実施例の全体構成図である。 ｌ：センサ、２：基板、３：Ｘ電極、４：光導電層、５
：Ｙ電極、６：スイッチング光源、９゜〜９ｎ＝スイッ
チング素子、１０ニオブテイカルフアイバアレイ、１１
：走査回路、ｙ、：ｘ電極選択用Ｙ電極。
同実施例の全体構成図である。 ｌ：センサ、２：基板、３：Ｘ電極、４：光導電層、５
：Ｙ電極、６：スイッチング光源、９゜〜９ｎ＝スイッ
チング素子、１０ニオブテイカルフアイバアレイ、１１
：走査回路、ｙ、：ｘ電極選択用Ｙ電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に複数本の導体が互い番こ平行に形成さ
れたＸ電極と、該Ｘ電極と間隙を隔てて直交する関係に
形成された複数のＹ電極と、両電極間の間隙に介挿され
た光導電層と、上記Ｘ及びＹ電極の少なくとも１方の電
極を透明電極で形成し、透明電極の少なくとも１本に対
向させてＸ電極を選択するためのスイッチング用光源と
、Ｙ電極の夫々に接続された走査スイッチと、該スイッ
チを介してＹ電極と上記少なくとも１本のＸ電極との間
に接続された電源と、スイッチング用光源で選択された
他方の電極に対向する透明電極に画像情報を導く光学系
と該光学系と電極との相対的な移動速度に同期してＹ電
極を切換えて走査する回路とを備えてなることを特徴と
する２次元画像読取装置。 ２、前記スイッチング用光源は透明電極に画像情報を導
く光学系と一体的に形成されていることを特徴とする２
次元画像読取装置。 ３ 前記Ｙ電極は電圧印加端子を除き、走査スイ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035608A JPS59161176A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
| US06/580,386 US4541015A (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| EP84300990A EP0119742B2 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| DE8484300990T DE3478779D1 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035608A JPS59161176A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161176A true JPS59161176A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH029499B2 JPH029499B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=12446543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035608A Granted JPS59161176A (ja) | 1983-02-15 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161176A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010009540A (ko) * | 1999-07-12 | 2001-02-05 | 정석태 | 자연광을 이용한 문자 입력장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758458A (ja) * | 1993-08-17 | 1995-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 電子機器用ソフトケース |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP58035608A patent/JPS59161176A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010009540A (ko) * | 1999-07-12 | 2001-02-05 | 정석태 | 자연광을 이용한 문자 입력장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029499B2 (ja) | 1990-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4644406A (en) | Large scale contact type image reading unit using two-dimensional sensor array | |
| EP0117957B1 (en) | Solid-state device having a plurality of optical functions | |
| JP2929550B2 (ja) | 光センサ及び画像読取装置 | |
| US4271435A (en) | Scanning type readout device | |
| JPH0120592B2 (ja) | ||
| US4764682A (en) | Photosensitive pixel sized and shaped to optimize packing density and eliminate optical cross-talk | |
| US4714836A (en) | Photosensitive pixel with exposed blocking element | |
| EP0361515B1 (en) | Thin film phototransistor and photosensor array using the same | |
| EP0119742B1 (en) | Two-dimensional image readout device | |
| US4365274A (en) | One-dimensional image sensor | |
| US4772951A (en) | Solid state image sensor with cell array of amorphous semiconductor photoelectric converting elements | |
| US4746804A (en) | Photosensitive pixel with exposed blocking element | |
| EP0177117A1 (en) | Image sensor | |
| JPS58221562A (ja) | 原稿読取装置 | |
| JPH0379910B2 (ja) | ||
| JPS59161176A (ja) | ２次元画像読取装置 | |
| US4963955A (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
| JPH0590557A (ja) | 光電変換装置及び情報処理装置 | |
| US4788593A (en) | High resolution scanning system including optical enlargement | |
| US5097304A (en) | Image reading device with voltage biases | |
| JPS61189065A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH022301B2 (ja) | ||
| JPH0380385B2 (ja) | ||
| US5235542A (en) | Apparatus for converting optical information into electrical information signal, information storage element and method for storing information in the information storage element | |
| US5767559A (en) | Thin film type photoelectric conversion device |