CN108022559B - 一种光敏检测模块、光源模组与电泳显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光敏检测模块、光源模组与电泳显示装置，所述光敏检测模块包括光敏电路，所述光敏电路包括形成电桥的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件，还包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端。第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件的初始阻值相等，使得该光敏电路的输出电压不受各个电阻元件温度变化的影响，只与照射到光敏电路上的光强变化有关，从而可以消除温度对光敏检测模块的影响，根据光敏电路的输出电压准确的检测外界环境光的光强，形成稳定的光电控制电路。

Description

一种光敏检测模块、光源模组与电泳显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术邻域，更为具体的说，涉及一种光敏检测模块及包括该光敏检测模块的光源模组及电泳显示装置。
背景技术
近年来,显示器逐渐开始向轻、薄方向发展,电泳显示装置成为符合大众需求的一种显示器，且电泳显示装置因其省电、高反射率和高对比率等优点，现已广泛应用于电子阅读器(如电子书、电子报纸)或其它电子元件(如价格标签)。
现有技术中，电泳显示装置是利用入射光线照射显示介质层，来达成显示的目的，因此不需背光源，可节省电力消耗。但是，正因为其为全反射模式的显示装置，没有外界光源时就无法显示，因此其只能在环境光较强如白天使用，而在黑暗环境中或晚上则无法使用。为了扩大电泳显示装置的应用，一般会在电泳显示装置的前面板上方设置前光模块，以让电泳显示装置即使在环境光线不足的地方，仍可对显示介质层发出入射光线，供使用者观看电泳显示装置所显示的画面。
发明内容
本发明实施例提供了一种不受工作温度影响的稳定的光敏检测模块及包括该光敏检测模块的光源模组及电泳显示装置。
首先，本发明实施例提供了一种光敏检测模块，所述光敏检测模块包括光敏电路，所述光敏电路包括形成电桥的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件，还包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端。其中，第一输入端与第一电阻元件和第三电阻元件之间的节点连接，第二输入端与第二电阻元件和第四电阻元件之间的节点连接，第一输出端与第一电阻元件和第二电阻元件之间的节点连接，第二输出端与第三电阻元件和第四电阻元件之间的节点连接。第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件的初始阻值相等；第一电阻元件和第四电阻元件为光敏电阻元件，且第一电阻元件和所述第四电阻元件的材料的光学灵敏系数相同；形成第二电阻元件和第四电阻元件的材料的温度应变系数相等，形成第一电阻元件和第三电阻元件的材料的温度应变系数相等。使得该光敏电路的输出电压不受各个电阻元件温度变化的影响，只与照射到光敏电路上的光强变化有关，从而可以消除温度对光敏检测模块的影响，根据光敏电路的输出电压准确的检测外界环境光的光强，形成稳定的光电控制电路。
另外，本发明实施例还提供一种光源模组，可以包括本发明实施例提供的任一种光敏检测模块。
进一步的，本发明实施例还提供一种电泳显示装置，可以包括本发明实施例提供的任一种光源模组，所述光源模组用作电泳显示装置的前置光源。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种光敏检测模块的示意图
图2为本发明实施例提供的一种光敏电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种光敏电路的结构示意图；
图6为图5所示光敏电路的俯视示意图；
图7为沿图6中A1-A2的截面图；
图8为本发明实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图；
图9为图8所示光敏电路的俯视示意图；
图10为沿图9中B1-B2的截面图；
图11为本发明实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种光源模组的示意图；
图13为本发明实施例提供的一种电泳显示装置的示意图；
图14为图13所示电泳显示装置中阵列基板的结构示意图；
图15为图13所示电泳显示装置中阵列基板的截面图；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
首先，本发明提供一种光敏检测模块01，图1为本申请实施例提供的一种光敏检测模块的示意图，在本实施例中，光敏检测模块01包括光敏电路011、偏置电压施加电路012与电压检测电路013。其中，光敏电路011包括第一输入端IN1、第二输入端IN2、第一输出端OUT1与第二输出端OUT2，偏置电压施加电路012与光敏电路011的第一输入端IN1和第二输入端IN2连接，用于向光敏电路011施加偏置电压，电压检测电路013与与光敏电路011的第一输出端OUT1和第二输出端OUT2连接，用于检测光敏电路011的输出电压。
关于上述光敏电路011的具体结构，请参考图2所示，图2为本申请实施例提供的一种光敏电路的结构示意图，在本实施例中，光敏电路011包括形成电桥的第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4，其中，第一输入端IN1与第一电阻元件T1和第三电阻元件T3之间的节点连接，第二输入端IN2与第二电阻元件T2和第四电阻元件T4之间的节点连接，第一输出端OUT1与第一电阻元件T1和第二电阻元件T2之间的节点连接，第二输出端OUT2与第三电阻元件T3和第四电阻元件T4之间的节点连接。
在本实施例中，第一电阻元件T1和第四电阻元件T4为光敏电阻元件，且形成第一电阻元件T1和第四电阻元件T4的材料的灵敏度相同，其中，所述灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值与受光照射时的电阻值的相对变化值。在这里，所述光敏电阻元件例如是用如半导体材料等材料制成的一种特殊的电阻元件，这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性，材料中由于光照产生的载流子作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻元件的阻值迅速下降。
进一步的，形成第二电阻元件T2和第四电阻元件T4的材料的温度应变系数相等，形成第一电阻元件T1和第三电阻元件T3的材料的温度应变系数相等，其中，所述温度应变系数表示当所述电阻元件的温度改变1度时，电阻值的相对变化值。
具体地，光敏电路011中第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的初始阻值分别为R1、R2、R3和R4，其中，R1＝R2＝R3＝R4。在本发明中，所述初始阻值是指第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4在被安装到电路中之前、环境温度为25℃且不受光线照射的条件下测得的电阻值，其与形成第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的材料、长度、横截面面积有关，当第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4制作完成后，其分别就有一个固定的初始阻值。当第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4被安装在电路中后，因为在工作过程中温度升高、或者受光线照射影响，其电阻值会发生变化，在初始阻值的基础上增加或者减小，但其初始阻值是一个固定值。
令：RM＝R1+R2＝R3+R4。
偏置电压施加电路012施加在A、B端的偏置电压表示为(VH-VL)，串联支路中第一电阻元件T1和第二电阻元件T2进行分压，另一串联支路中第三电阻元件T3和第四电阻元件T4进行分压。则光敏电路011的初始输出电压为：
V(OUT1-OUT2)＝VOUT1-VOUT2
＝(VH-VL)*R2/(R1+R2)-(VH-VL)*R4/(R3+R4)
＝(VH-VL)*(R2-R4)/RM
＝0
当第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4被安装在电路中，处于工作状态而导致温度升高，且不受光线照射时：因为形成第二电阻元件T2和第四电阻元件T4的材料的温度应变系数相等，形成第一电阻元件T1和第三电阻元件T3的材料的温度应变系数相等，也就是说，虽然当电路中各个电阻元件在工作过程中随着温度的变化，其电阻值也会发生变化，但是第二电阻元件T2和第四电阻元件T4的随温度变化导致的电阻值的相对变化值是相等的，假设为△R1，第一电阻元件T1和第三电阻元件T3的随温度变化导致的电阻值的相对变化值是相等的，假设为△R2，此时，
第一电阻元件T1的电阻值为(R1+△R2)，
第二电阻元件T2的电阻值为(R2+△R1)，
第三电阻元件T3的电阻值为(R3+△R2)，
第四电阻元件T4的电阻值为(R4+△R1)，
从RM＝R1+R2＝R3+R4可以得知：
RM+△R1+△R2＝R1+R2+△R1+△R2＝R3+R4+△R1+△R2，
V(OUT1-OUT2)＝VOUT1-VOUT2
＝(VH-VL)*(R2+△R1)/(R1+R2+△R1+△R2)-(VH-VL)*(R4+△R1)/(R3+R4+△R1+△R2)
＝(VH-VL)*(R2-R4)/(RM+△R1+△R2)
＝0
因此，光敏电路的输出电压保持为0，也就是说，光敏电路011的输出电压不受光敏电路011中各个电阻元件的温度影响。
而当照射到光敏电路011上的光强发生变化时，第一电阻元件T1和第四电阻元件T4为光敏电阻元件，且第一电阻元件T1和第四电阻元件T4的材料的灵敏度相同，因此第一电阻元件T1与第四电阻元件T4的电阻值也会发生变化，且其相对变化值是相等的；而第二电阻元件T2与第三电阻元件T3的电阻值R2、R3保持不变，用△R3表示第一电阻元件T1与第四电阻元件T4的电阻值的相对变化值，此时光敏电路011的输出电压为：
V(OUT1-OUT2)＝VOUT1-VOUT2
＝(VH-VL)*R2/(R1+R2+△R3)-(VH-VL)*(R4+△R3)/(R3+R4+△R3)
＝(VH-VL)*(R2-R4-△R3)/(RM+△R3)
＝(VH-VL)*(-△R3)/(RM+△R3)
≠0
也就是说，当照射到光敏电路011上的光强发生变化时，其输出电压不再等于0，或者说相对于初始输出电压，此时光敏电路的输出电压发生变化，该变化可以通过电压检测电路检测到。
从上述结果可以知道，本发明实施例提供的光敏检测模块，其光敏电路包括形成电桥的第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4，其中，第一输入端IN1与第一电阻元件T1和第三电阻元件T3之间的节点连接，第二输入端IN2与第二电阻元件T2和第四电阻元件T4之间的节点连接，第一输出端OUT1与第一电阻元件T1和第二电阻元件T2之间的节点连接，第二输出端OUT2与第三电阻元件T3和第四电阻元件T4之间的节点连接。其中，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的初始阻值相等；第一电阻元件T1和第四电阻元件T4为光敏电阻元件，且第一电阻元件T1和第四电阻元件T4的材料的灵敏度相同；且形成第二电阻元件T2和第四电阻元件T4的材料的温度应变系数相等，形成第一电阻元件T1和第三电阻元件T3的材料的温度应变系数相等，其输出电压不受各个电阻元件温度变化的影响，只与照射到光敏电路上的光强变化有关，从而可以消除温度对光敏检测模块的影响，根据光敏电路的输出电压准确的检测外界环境光的光强，形成稳定的光电控制电路。
在上述实施例中，只有第一电阻元件T1和第四电阻元件T4为光敏电阻元件，第二电阻元件T2和第三电阻元件T3的电阻值不随光照变化，当然，在本发明的其它实施例中，如图3所示，也可以设置为，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4为相同材料制成的相同性能的电阻元件，也就是说，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的初始阻值相等，且都为灵敏度相等的光敏电阻元件，当然，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3与第四电阻元件T4的温度应变系数也相等。
此时，光敏检测模块01还包括一遮光部件M1，遮挡住第二电阻元件T2和第三电阻元件T3，使得第二电阻元件T2和第三电阻元件T3不会受到周围环境光线的照射，同时使得第一电阻元件T1和第四电阻元件T4暴露在周围环境光线的照射中，如此，也可以得到可以消除温度影响的、能够进行环境光检测的、稳定的光敏检测模块。同时，由于第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4为相同的电阻元件，有利于简化制备过程，且有利于控制温度应变系数等各种特性的均一性，进一步提高光敏检测模块的稳定性与光强检测的准确度。
图4为本申请实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图，本实施例中提供的光敏电路与上述光敏电路的不同之处在于，所述光敏电路还包括第一电容C1，第一电容C1包括上极板与下极板，其中，上极板与第一电阻元件T1和第二电阻元件T2之间的节点连接，下极板与第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的之间的节点连接。
第一电容C1在光敏电路中起到稳定电位和滤波的作用，当各电阻元件的温度忽然变化或者忽然有光线照射到第一电阻元件与第四电阻元件上时，输出电压会产生一个瞬间变化，但是由于电容的充电作用，电容电荷瞬间上不去，第一电容C1两端的电压不能突变，输出电压的这种瞬间变化被第一电容C1滤波掉，从而可以保持电路的稳定。
本发明还提供一种光敏电路，具体结构如图5-7所示，图5为本申请实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图，图6为图5所示光敏电路的俯视示意图，图7为沿图6中A1-A2的截面图，在本实施例中，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4是薄膜晶体管。
具体的，每个所述薄膜晶体管包括栅极G，位于栅极G上面并与栅极G交叠的半导体有源层Y，栅极G与半导体有源层Y之间通过栅极绝缘层绝缘间隔设置，以及分别与半导体有源层Y的两端连接的源极S和漏极D，栅极G、源极S和漏极D可以由金属材料形成，半导体有源层Y可以是由多晶硅材料形成的，更具体地，可以采用低温多晶硅材料形成半导体有源层Y，半导体有源层Y在源极S和漏极D之间形成沟道区d，相当于各个电阻元件的电阻。多晶硅材料，特别是低温多晶硅材料经过光照会产生光生载流子，源极S、漏极D间就会有载流子通过沟道区d，从而在源漏极之间形成光生漏电流，使得源极S与漏极D导通。
在本实施例中，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4为相同的薄膜晶体管，形成其半导体有源层的材料相同，也就是说，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的初始阻值相等，温度应变系数相等，且都为光敏电阻材料，具有相等的灵敏度，经过光照，会产生光生载流子，导致其电阻值降低。
在制作过程中，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4可以在同一工序中完成，所有电阻元件的栅极同层形成，有源层同层形成，源漏极同层形成，减少制作步骤，降低成本。
具体的，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4可以呈电桥式连接在一起，第一电阻元件T1的源极连接至第三电阻元件T3的源极，第一电阻元件T1的漏极连接至第二电阻元件T2的源极；第二电阻元件T2的源极连接至第一电阻元件T1的漏极，第二电阻元件T2的漏极连接至第四电阻元件T4的漏极；第三电阻元件T3的源极连接至第一电阻元件T1的源极；第三电阻元件T3的漏极连接至第四电阻元件T4的源极；第四电阻元件T4的源极连接至第三电阻元件T3的漏极；第四电阻元件T4的漏极连接至第二电阻元件T2的漏极。进一步的，光敏电路还包括第一输入端IN1、第二输入端IN2、第一输出端OUT1和第二输出端OUT2，其中，第一输入端IN1连接至第一电阻元件T1的源极和第三电阻元件T3的源极之间的节点，第二输入端IN2连接至第二电阻元件T2的漏极和第四电阻元件T4的漏极之间的节点，第一输出端OUT1连接至第一电阻元件T1的漏极和第二电阻元件T2的源极之间的节点，第二输出端OUT2连接至第三电阻元件T3的漏极和第四电阻元件T4的源极之间的节点。
在本实施例中，每个电阻元件的栅极分别与各自的源极连接，或者说每个电阻元件的栅极与各自的源极短接在一起。具体的，第一电阻元件T1的栅极连接至第一电阻元件T1的源极，第二电阻元件T2的栅极连接至第二电阻元件T2的源极，第三电阻元件T3的栅极连接至第三电阻元件T3的源极，第四电阻元件T4的栅极连接至第四电阻元件T4的源极。
在本实施例中，光敏检测模块还包括遮光部件M1，遮光部件M1覆盖第二电阻元件T2和第三电阻元件T3的沟道区d，使得第二电阻元件T2和第三电阻元件T3的电阻值不受周围环境光照射的影响，而第一电阻元件T1和第四电阻元件T4的沟道区暴露在周围环境光线中，其沟道区的电阻值随光照强度的变化而变化。遮光部件M1例如可以采用遮光金属材料形成。
由于第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4的材料相同，随温度变化导致的电阻值的相对变化值是相等的，当没有光线照射到光敏检测模块上时，光敏电路的输出电压保持为0，也就是说，光敏电路的输出电压不受光敏电路中各个电阻元件的工作温度变化的影响。
而当照射到光敏电路上的光强发生变化时，第二电阻元件T2和第三电阻元件T3的沟道区被遮光部件M1遮挡，其电阻值保持不变，只有第一电阻元件T1与第四电阻元件T4的电阻值随光照强度的变化发生增加或者减少，且其相对变化值是相等的，也就是说，当照射到光敏电路上的光强发生变化时，其输出电压不再等于0，或者说相对于初始输出电压，光敏电路的输出电压发生变化，该变化可以通过电压检测电路检测到。因此，该光敏电路的输出电压不受各个电阻元件温度变化的影响，只与照射到光敏电路上的光强变化有关，从而可以消除温度对光敏检测模块的影响，根据光敏电路的输出电压准确的检测外界环境光的光强，形成稳定的光电控制电路。
图8为本申请实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图，图9为图8所示光敏电路的俯视示意图，图10为沿图9中B1-B2的截面图，本实施例提供的光敏电路的结构与图5-7所示的光敏电路的结构类似，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4为薄膜晶体管，其半导体有源层例如可以为多晶硅材料，特别是可以由低温多晶硅材料形成，不同之处在于：本实施提供的光敏电路还包括第一电容C1,保持电路的稳定，第一电容C1包括上极板C11与下极板C12，其中，上极板C11连接至第一电阻元件T1的漏极和第二电阻元件T2的源极之间的节点，下极板C12连接至第三电阻元件T3的漏极和第四电阻元件T4的源极之间的节点。
具体的，在制作过程中，可以在制作薄膜晶体管的过程中同时形成第一电容C1，例如，可以为，第一电容C1的上极板C11与上述薄膜晶体管的栅极同层形成，第一电容C1的下极板C12与上述薄膜晶体管的源、漏极同层形成；或者，也可以为，第一电容C1的上极板C11与上述薄膜晶体管的栅极同层形成，第一电容C1的下极板C12与上述薄膜晶体管的源漏极同层形成，如此减少制作步骤，降低成本。
进一步的，在本实施例中，为了以最少的空间获得最大的沟道宽长比，从而获得更大的光生漏电流，增大光敏检测模块的光强检测灵敏度，可以将各个电阻元件做成如图9和图10所示的结构，每个薄膜晶体管的漏极D包括多条第一分支，该多个第一分支的一端连接在一起，每个薄膜晶体管的源极S也包括多条第二分支，该多个第二分支的一端连接在一起，多个第一分支与多个第二分支相互嵌合设置，各个第二分支位于两相邻的第一分支之间的间隙内，且与第一分支不接触，使得每个第一分支与相邻的第二分支之间都形成一子沟道区，可以在半导体有源层的整体面积不变的情况下，增大薄膜晶体管的沟道宽长比，进而增大光敏检测模块的光强检测灵敏度。
图11为本申请实施例提供的另一种光敏电路的结构示意图，本实施例提供的光敏电路的结构与图8所示的光敏电路的结构类似，第一电阻元件T1、第二电阻元件T2、第三电阻元件T3和第四电阻元件T4为薄膜晶体管，其半导体有源层例如可以为多晶硅材料，特别是可以由低温多晶硅材料形成，不同之处在于：各个薄膜晶体管的栅极空置设置，不与未接电路连接。
当然，也可以直接不设置栅极，直接通过半导体有源层和源、漏极形成，本发明对比并不做特别要求。
另外，本发明还提供一种光源模组，图12为本申请实施例提供的一种光源模组的示意图，如图所示，光源模组02包括光源模块021、光源驱动模块022与光敏检测模块01，此处的光敏检测模块01可以为本发明实施例提供的任一种光敏检测模块。
光敏检测模块01用以感测光源模组02所在的目前环境亮度，响应于周围环境亮度变化产生一对应的输出电压，并将该输出电压传送给与其连接的光源驱动模块022。其中目前环境亮度代表周围环境的亮度或是外界光源强度。
光源驱动模块022在接收到光敏检测模块01提供的输出电压之后，产生一个与其对应的光源亮度调整值，或者说是依据光敏检测模块01提供的输出电压之大小经计算之后取得一个用于驱动光源模块的驱动电压，并将此驱动电压传送至与其连接的光源模块021,以调整光源模块021的发光亮度。从而可以根据目前环境亮度调整光源模块的发光亮度，使得该光源模组在满足亮度要求的同时降低驱动电压，进而减少功耗。
本发明对光源模块的具体组成并不做限定，例如，可以为，光源模块包括LED灯条与导光板，LED灯条包括电路板以及电性设置于该电路板上的多个LED。该多个LED的出光面面向导光板的入光面。
进一步的，本发明还提供一种电泳显示装置，如图13、14、15所示，图13为本申请实施例提供的一种电泳显示装置的示意图，图14为图13所示电泳显示装置中阵列基板的结构示意图，图15为图13所示电泳显示装置中阵列基板的截面图。具体的，本实施例提供的电泳显示装置包括电泳显示面板03与光源模组02,光源模组02位于电泳显示面板03的上，作为电泳显示面板03的前置光源，当在周围环境光较弱或者黑暗的环境中使用电泳显示装置时，可以通过光源模组02为电泳显示面板03提供显示用光照，提高显示质量。
光源模组02例如可以包括如图12所示的光源模块、光源驱动模块与光敏检测模块，光敏检测模块可以为本发明实施例提供的任一种光敏检测模块。
光源模块包括发光元件0212，发光元件0212例如可为LED灯条或荧光灯管等。另外,为了使得发光元件0212发出的光线更为均匀,光源模组还包括导光板0211,发光元件0212位于导光板0211的入光面一侧，发光元件0212发射的部分光线通过导光板0211均匀的进入电泳显示面板03内部，并被电泳显示面板03内部的如电泳粒子等反射回来，用于显示预定画面。
具体的，电泳显示面板03包括阵列基板10、电泳膜层30、公共电极层21与保护层20，电泳膜层30位于阵列基板10与保护层20之间，公共电极层21位于电泳膜层30与保护层20之间。
阵列基板10还包括显示区11与位于显示区11周边的非显示区12，电泳膜层30对应设置于显示区11。
关于阵列基板10的具体结构，可以如图14与图15所示，阵列基板10包括衬底基板与位于衬底基板上的像素阵列、形成在像素阵列的各像素区域P中的像素电极PX，该像素阵列包括多条数据线DL与多条扫描线GL，多条数据线DL与多条扫描线GL交叉设置，形成多个像素区域P。其中，扫描线GL用于向各像素电极PX提供扫描信号，数据线DL用于向各像素电极PX提供数据信号。在数据信号和公共电极层21上的公共电压形成的电场作用下，电泳膜层30中的电泳粒子朝着公共电极层21的方向移动，或者朝着像素电极PX的方向移动。例如，若电泳粒子包括白色电泳粒子和黑色电泳粒子，当通过数据线向像素电极PX提供某一极性(例如，正极性)的数据信号时，白色电泳粒子朝着公共电极层21的方向移动，而黑色电泳粒子朝着像素电极PX的方向移动，而当通过数据线DL向像素电极PX提供另一极性(例如，负极性)的数据信号时，黑色电泳粒子朝着公共电极层21的方向移动，而白色电泳粒子朝着像素电极PX的方向移动。此外，数据信号的幅值大小决定了电泳粒子的移动位移大小。这样一来，通过控制数据信号的极性和幅值，同时通过电泳粒子对照射到其上的光线的反射实现预定画面的显示。
在本实施中，可以将光源模组02的光源模块设置在电泳显示面板03上，将光源模组的部分光敏检测模块设置在阵列基板10上，例如可以将光敏电路设置在阵列基板10的非显示区12。
进一步的，阵列基板10还包括多个呈阵列排布的显示驱动开关K，位于所述阵列基板10的显示区11，每个像素区域P至少包括一个显示驱动开关K，每个显示驱动开关K例如可以位于数据线DL与扫描线GL的交叉位置处。在本实施例中，形成光敏电路的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件是与显示驱动开关K一样的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由半导体有源层形成的沟道区，该半导体有源层例如可以为非晶硅材料制成，特别的，可以为低温非晶硅材料制成。
在本实施例中，可以为：在阵列基板10的制作过程中，光敏电路的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件的栅极与显示驱动开关K的栅极K3同层形成；光敏电路的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件的源极与显示驱动开关K的源极K1同层形成，光敏电路的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件的漏极与显示驱动开关K的漏极K2同层形成，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的半导体有源层与显示驱动开关K的半导体有源层Kd同层形成，如此，可以在不增加阵列基板制程的情况下在阵列基板上形成光源模组的光敏电路。
进一步的，还可以设置为，第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件、第四电阻元件、显示驱动开关的漏极与第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件、第四电阻元件、显示驱动开关的源极同层形成，以及第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件、第四电阻元件、显示驱动开关的源、漏极与阵列基板的数据线同层形成，用以减少制程步骤，降低制造成本。
且在本实施例中，阵列基板10还包括遮光层M2，例如可以为金属遮光层，用于遮蔽显示驱动开关K的沟道区，防止外界环境光线照射到显示驱动开关的沟道区上使其产生光生漏电流，影响图像显示。进一步的，光源模组中用于覆盖第二电阻元件与第三电阻元件的遮光部件例如可以与遮光层M2同层形成，进一步减少制程步骤，降低成本。
进一步的，在本实施例中，该电泳显示装置还包括主柔性线路板40，阵列基板10的非显示区12包括一绑定区，主柔性线路板40绑定在阵列基板10的绑定区。主柔性线路板40上具有印刷电路，用于给阵列基板传输显示驱动信号，例如，可以将电泳显示面板的集成电路芯片设置在阵列基板的衬底基板上，并通过主柔性线路板40上的印刷电路连接至外部印刷电路板，当然，也可以将集成电路芯片直接设置子主柔性电路板40上，并通过主柔性线路板40上的印刷电路使得集成电路芯片同时连接至阵列基板10上用于传输显示用驱动信号的走线与外部印刷电路板。
在本实施例中，可以设置为，使得光源模组的光源驱动模块、以及光敏检测模块的偏置电压施加电路与电压检测电路位于主柔性线路板40上，同时使得光敏检测模块的光敏电路位于阵列基板10的非显示区12，偏置电压施加电路与电压检测电路通过主柔性线路板40上的印刷电路与光敏电路连接，其中，偏置电压施加电路通过主柔性线路板40上的印刷电路连接至光敏电路的第一输入端和第二输入端，用于向光敏电路施加偏置电压，电压检测电路通过主柔性线路板40上的印刷电路连接至光敏电路的第一输出端和第二输出端，用于检测光敏电路的输出电压。在电泳显示装置处于工作状态时，光敏检测模块响应于周围环境亮度变化产生一输出电压，并将该输出电压传送给与其连接的光源驱动模块。光源驱动模块在接收到光敏检测模块提供的输出电压之后，产生一个与其对应的光源亮度调整值，或者说是依据光敏检测模块提供的输出电压之大小经计算之后取得一个用于驱动光源模块的光源驱动电压，并将此光源驱动电压传送至与其连接的光源模块,以调整光源模块的发光亮度，使其既可以满足电泳显示装置显示画面的需要，又可以使得光源模块不至于太亮，可以提高画面显示质量，并降低功耗。
当外界环境光较弱时，或者说在昏暗、甚至完全黑暗的环境下，外界环境光不能满足电泳显示的需要，此时可以调高光源模组的亮度，用光源模组发出的光来辅助显示。当外界环境光较强时，外界环境光就可以满足电泳显示的需要，此时可以调低光源模组的亮度或者直接关闭光源模组的发光元件，以降低功耗。外界环境光的强弱可以通过光源模组的光敏检测模块检测到，且光敏检测模块的输出电压不受各个电阻元件工作温度变化的影响，可以准确的感知外界环境光的强弱。
而且，光敏检测模块的光敏电路与遮光部件可以和阵列基板中的显示部件一起形成，不会增加阵列基板的制程步骤。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (14)

1.一种光敏检测模块，其特征在于，所述光敏检测模块包括光敏电路，所述光敏电路包括形成电桥的第一电阻元件、第二电阻元件、第三电阻元件和第四电阻元件，还包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中，所述第一输入端与所述第一电阻元件和所述第三电阻元件之间的节点连接，所述第二输入端与所述第二电阻元件和所述第四电阻元件之间的节点连接，所述第一输出端与所述第一电阻元件和所述第二电阻元件之间的节点连接，所述第二输出端与所述第三电阻元件和所述第四电阻元件之间的节点连接；
所述光敏电路还包括第一电容，所述第一电容的上极板与所述第一电阻元件和所述第二电阻元件之间的节点连接，所述第一电容的下极板与所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的之间的节点连接；
所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的初始阻值相等；
所述第一电阻元件和所述第四电阻元件为光敏电阻元件，且所述第一电阻元件和所述第四电阻元件的材料的灵敏度相同；
形成所述第二电阻元件和所述第四电阻元件的材料的温度应变系数相等，形成所述第一电阻元件和所述第三电阻元件的材料的温度应变系数相等。
2.根据权利要求1所述的光敏检测模块，其特征在于，所述光敏检测模块还包括：
偏置电压施加电路，与所述第一输入端和所述第二输入端相连，用于向所述光敏电路施加偏置电压；
电压检测电路，与所述第一输出端和所述第二输出端相连，用于检测所述光敏电路的输出电压。
3.根据权利要求1所述的光敏检测模块，其特征在于，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件为相同的电阻元件，且所述光敏检测模块还包括遮光部件，用于遮挡所述第二电阻元件和所述第三电阻元件，使其免受光照的影响。
4.根据权利要求1所述的光敏检测模块，其特征在于，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件是薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由半导体有源层形成的沟道区；
所述第一电容的上极板与所述第一电容的下极板的其中一者与所述薄膜晶体管的栅极同层形成，所述第一电容的上极板与所述第一电容的下极板的另一者与所述薄膜晶体管的源极同层形成。
5.根据权利要求1所述的光敏检测模块，其特征在于，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件是薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由半导体有源层形成的沟道区，
其中，所述第一电阻元件的源极和所述第三电阻元件的源极与所述第一输入端连接，所述第二电阻元件的漏极和所述第四电阻元件的漏极与所述第二输入端连接，所述第一电阻元件的漏极和所述第二电阻元件的源极与所述第一输出端连接，所述第三电阻元件的漏极和所述第四电阻元件的源极与所述第二输出端连接；
所述光敏检测模块还包括遮光部件，所述遮光部件覆盖所述第二电阻元件和所述第三电阻元件的沟道区，使其免受光照的影响，所述第一电阻元件和所述第四电阻元件的沟道区暴露在周围环境光线中。
6.根据权利要求5所述的光敏检测模块，其特征在于，所述第一电阻元件的栅极连接至所述第一电阻元件的源极，所述第二电阻元件的栅极连接至所述第二电阻元件的源极，所述第三电阻元件的栅极连接至所述第三电阻元件的源极，所述第四电阻元件的栅极连接至所述第四电阻元件的源极。
7.根据权利要求5所述的光敏检测模块，其特征在于，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的栅极空置。
8.一种光源模组，其特征在于，所述光源模组包括光源模块、光源驱动模块与如权利要求1-7任一项所述的光敏检测模块，其中，所述光敏检测模块响应于周围环境亮度变化产生一输出电压，并将所述输出电压传送给所述光源驱动模块，
所述光源驱动模块根据所述输出电压调整所述光源模块的亮度。
9.根据权利要求8所述的光源模组，其特征在于，所述光源模块包括LED灯条与导光板，所述LED灯条对应设置于所述导光板的入光面一侧。
10.一种电泳显示装置，其特征在于，所述电泳显示装置包括：
电泳显示面板,所述电泳显示面板包括阵列基板、电泳膜层与保护层，所述电泳膜层位于所述阵列基板与所述保护层之间；
以及，如权利要求8或者9所述的光源模组，所述光源模组为所述电泳显示面板提供光源。
11.根据权利要求10所述的电泳显示装置，其特征在于，所述阵列基板包括显示区与非显示区，所述电泳膜层对应设置于所述显示区，所述光敏电路位于所述非显示区。
12.根据权利要求11所述的电泳显示装置，其特征在于，所述阵列基板还包括多个呈阵列排布的显示驱动开关，位于所述显示区，所述显示驱动开关、所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件是薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由半导体有源层形成的沟道区，
其中，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的栅极与所述显示驱动开关的栅极同层形成，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的源极与所述显示驱动开关的源极同层形成，所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第三电阻元件和所述第四电阻元件的半导体有源层与所述显示驱动开关的半导体有源层同层形成；
所述光敏检测模块还包括遮光部件，所述遮光部件覆盖所述第二电阻元件和所述第三电阻元件的沟道区，使其免受光照的影响，所述第一电阻元件和所述第四电阻元件的沟道区暴露在周围环境光线中。
13.根据权利要求11所述的电泳显示装置，其特征在于，所述电泳显示装置还包括主柔性线路板，所述主柔性线路板绑定在所述阵列基板的非显示区，所述光源驱动模块位于所述主柔性线路板上。
14.根据权利要求13所述的电泳显示装置，其特征在于，所述光敏检测模块还包括：
偏置电压施加电路，与所述第一输入端和所第二输入端相连，用于向所述光敏电路施加偏置电压；
电压检测电路，与所述第一输出端和所述第二输出端相连，用于检测所述光敏电路的输出电压；
所述偏置电压施加电路与所述电压检测电路位于所述主柔性线路板上。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109616038B (zh) * 2019-01-29 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 光电选择信号控制电路、标签显示装置及方法、控制装置
CN111412984A (zh) * 2020-04-07 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 光敏传感器及其驱动方法、显示装置
CN113105235B (zh) * 2021-04-01 2022-08-23 中国计量大学 Vo2陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法
CN116466268B (zh) * 2023-06-19 2024-06-07 力高(山东)新能源技术股份有限公司 一种光敏传感器的故障检测方法、系统及设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916323A (en) * 1987-09-24 1990-04-10 Agency Of Industrial Science And Technology Optical control circuit and a semiconductor device for realizing same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1216263C (zh) * 2001-04-25 2005-08-24 海尔集团公司 一种可降低冰箱夜间噪音的方法及其光控冰箱
JP2006230186A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Renesas Technology Corp 半導体装置
CN100419847C (zh) * 2005-03-25 2008-09-17 联想(北京)有限公司 一种显示设备及显示方法
WO2007125873A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Asahi Kasei Emd Corporation 赤外線センサ
CN100508001C (zh) 2006-04-28 2009-07-01 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 自动调整背光亮度之控制装置及其方法
JP5355580B2 (ja) * 2008-09-30 2013-11-27 パナソニック株式会社 共振器およびオーバーサンプリングａ／ｄ変換器
CN201887679U (zh) * 2009-06-10 2011-06-29 陈驰 太阳光自动跟踪装置
US8378735B2 (en) * 2010-11-29 2013-02-19 Freescale Semiconductor, Inc. Die temperature sensor circuit
CN104316170B (zh) * 2014-09-11 2017-01-11 深圳市共进电子股份有限公司 一种指示灯亮度一致性测试方法及测试装置
CN105068562A (zh) * 2015-07-15 2015-11-18 湖北工业大学 一种追日传感器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916323A (en) * 1987-09-24 1990-04-10 Agency Of Industrial Science And Technology Optical control circuit and a semiconductor device for realizing same

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