JPH02265362A - 密着型イメージセンサ装置 - Google Patents
密着型イメージセンサ装置Info
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- JPH02265362A JPH02265362A JP1086471A JP8647189A JPH02265362A JP H02265362 A JPH02265362 A JP H02265362A JP 1086471 A JP1086471 A JP 1086471A JP 8647189 A JP8647189 A JP 8647189A JP H02265362 A JPH02265362 A JP H02265362A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、画像読み取りに際し、残像がないようにした
密着型イメージセンサ装置に関するものである。
密着型イメージセンサ装置に関するものである。
原稿の画像を縮小した上で読み取るのではなく、そのま
まの大きさ（１対ｌ）で読み取るものとして、フォトダ
イオード等の受光素子を利用した密着型イメージセンサ
装置がある。 第５図に従来の密着型イメージセンサ装置を示し、第２
図にその基本回路を示す、これらの図において、ｌは受
光素子としてのフォトダイオード、２は等価容量、３は
受光素子選択スイッチ、４は共通信号線容量、６ないし
８は読み出し線、９ないし１１は共通信号線、１２は駆
動用ＩＣ，１３はバイアス線、２１は第１ブロツク、２
２は第２ブロツク、２Ｎは第Ｎブロック、■、は受光素
子選択信号、ｖＬは読み出し出力電圧、ｖＰはフォトダ
イオード出力電圧である。 等価容量２は、フォトダイオード１の電極間容量とかフ
ォトダイオード１の配線に付随して生ずる浮遊容量等の
合計を等価的に表した容量である。 受光素子選択スイッチ３としては、例えば、薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ）が用いられる０画像信号の読み出し線
６ないし８と共通信号線９ないし１１とは立体的に交差
して配設され、マトリックス回路を成している。 最初に基本回路の説明をし、次に密着型イメージセンサ
装置全体についての説明をする。 先ず、第２図の基本回路の説明をする。 等価容量２には、バイアス電源■６より点線ａの経路で
電荷が充電される。この電荷は、フォトダイオード１に
入射する光に応じて、点線すの経路で放出される。その
結果、フォトダイオード出力電圧Ｖ、は、入射した光に
応じたものとなる。 受光素子選択スイッチ３のゲートに受光素子選択信号ｖ
Ｇを入力してオンとすると、等価容量２の下側の極に蓄
積されている電荷の一部は、点線Ｃの経路で共通信号線
容量４に転送される。電荷転送によって共通信号線容量
４の電圧は変化する。 電荷転送が終了した頃合いを見計らって、その電圧を読
み出し出力電圧ＶＬとして読み出す、この電圧は、フォ
トダイオードｌに入射した光に応じたものであるので、
画像が読み取れたことになる。 次に、第５図の密着型イメージセンサ装置の説明をする
。 密着型イメージセンサ装置は、フォトダイオードと受光
素子選択スイッチ３とが直列に接続されたものを多数具
えているが、それらは、同じ数づつにまとめられて１つ
のブロックとされ、全体で幾つかブロックとされている
０図中の第１ブロック２１．第２ブロツク２２、第Ｎブ
ロック２Ｎが、それらのブロックである。 １つのブロック内の受光素子選択スイッチ３は、同一の
受光素子選択信号■。によってオン、オフされる。つま
り、１つのブロックに属する電荷転送は、−斉に行われ
る。 電荷転送は、先ず各受光素子選択スイッチ３に連なる読
み出し線６〜８を通り、ついで各読み出し線に対応して
設けられ且つ各ブロックからの転送経路として共通使用
される共通信号線９〜１１を経て行われる。 各ブロックに送る受光素子選択信号■。の時間的順序を
順次ずらすことにより、原稿を右から左へ、或いは左か
ら右へと読み進むことが出来る。 受光素子選択信号ｖ６の出し方は、駆動用ＩＣＩ２によ
って制御される。
まの大きさ（１対ｌ）で読み取るものとして、フォトダ
イオード等の受光素子を利用した密着型イメージセンサ
装置がある。 第５図に従来の密着型イメージセンサ装置を示し、第２
図にその基本回路を示す、これらの図において、ｌは受
光素子としてのフォトダイオード、２は等価容量、３は
受光素子選択スイッチ、４は共通信号線容量、６ないし
８は読み出し線、９ないし１１は共通信号線、１２は駆
動用ＩＣ，１３はバイアス線、２１は第１ブロツク、２
２は第２ブロツク、２Ｎは第Ｎブロック、■、は受光素
子選択信号、ｖＬは読み出し出力電圧、ｖＰはフォトダ
イオード出力電圧である。 等価容量２は、フォトダイオード１の電極間容量とかフ
ォトダイオード１の配線に付随して生ずる浮遊容量等の
合計を等価的に表した容量である。 受光素子選択スイッチ３としては、例えば、薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ）が用いられる０画像信号の読み出し線
６ないし８と共通信号線９ないし１１とは立体的に交差
して配設され、マトリックス回路を成している。 最初に基本回路の説明をし、次に密着型イメージセンサ
装置全体についての説明をする。 先ず、第２図の基本回路の説明をする。 等価容量２には、バイアス電源■６より点線ａの経路で
電荷が充電される。この電荷は、フォトダイオード１に
入射する光に応じて、点線すの経路で放出される。その
結果、フォトダイオード出力電圧Ｖ、は、入射した光に
応じたものとなる。 受光素子選択スイッチ３のゲートに受光素子選択信号ｖ
Ｇを入力してオンとすると、等価容量２の下側の極に蓄
積されている電荷の一部は、点線Ｃの経路で共通信号線
容量４に転送される。電荷転送によって共通信号線容量
４の電圧は変化する。 電荷転送が終了した頃合いを見計らって、その電圧を読
み出し出力電圧ＶＬとして読み出す、この電圧は、フォ
トダイオードｌに入射した光に応じたものであるので、
画像が読み取れたことになる。 次に、第５図の密着型イメージセンサ装置の説明をする
。 密着型イメージセンサ装置は、フォトダイオードと受光
素子選択スイッチ３とが直列に接続されたものを多数具
えているが、それらは、同じ数づつにまとめられて１つ
のブロックとされ、全体で幾つかブロックとされている
０図中の第１ブロック２１．第２ブロツク２２、第Ｎブ
ロック２Ｎが、それらのブロックである。 １つのブロック内の受光素子選択スイッチ３は、同一の
受光素子選択信号■。によってオン、オフされる。つま
り、１つのブロックに属する電荷転送は、−斉に行われ
る。 電荷転送は、先ず各受光素子選択スイッチ３に連なる読
み出し線６〜８を通り、ついで各読み出し線に対応して
設けられ且つ各ブロックからの転送経路として共通使用
される共通信号線９〜１１を経て行われる。 各ブロックに送る受光素子選択信号■。の時間的順序を
順次ずらすことにより、原稿を右から左へ、或いは左か
ら右へと読み進むことが出来る。 受光素子選択信号ｖ６の出し方は、駆動用ＩＣＩ２によ
って制御される。
（問題点）
しかしながら、前記した従来の密着型イメージセンサ装
置では、受光素子選択スイッチのオンによる電荷転送後
のフォトダイオード出力電圧■Ｐが、残ったままとなり
、これが残像の原因になっていたという問題点があった
。 （問題点の説明） 第４図は、第２図の回路の動作を説明する波形図である
が、これにより、残像について説明する。 第４図（イ）は受光素子選択信号Ｖ、の波形。 第４図（ロ）はフォトダイオード出力電圧Ｖ、の波形、
第４図（ハ）は読み出し出力電圧ＶＬの波形である。 第２図の点線経路すで充電されて上昇して来たフォトダ
イオード出力電圧■、は、時刻１．で■、１であるとす
る。等価容量２の容量を０２とすると、この時蓄えられ
ている電荷Ｑ、は Ｑ＋ ＝Ｃｇ Ｖｒ＋ ・・・■であ
る。 時刻１．で受光素子選択信号ｖｃが与えられると、受光
素子選択スイッチ３はオンして電荷転送が開始される。 すると、フォトダイオード出力電圧Ｖ、は徐々に減少す
る。他方、読み出し出力電圧■、は徐々に上昇する。そ
して、両者の電圧が等しくなったところで、電荷転送は
終了する。従って、電荷転送終了時の電圧をそれぞれＶ
、！、 ＶＬ＋１共通信号線容量４の容量を０４とする
と、Ｑ。 である。 ＶＬＩは駆動用ＩＣ１２（第５図）に読み出された後、
グランドレベルにリセットされる（時刻ｔ、）。 電荷転送終了時に等価容Ｉ２に残存している電荷をＱオ
とすると、 である。 フォトダイオード１に光が入射されると、等価容量２は
、次の受光素子選択信号■。が入力されるまで（時刻ｔ
４まで）、再び充電が行われ、フォトダイオード出力電
圧Ｖ２は、ｖＰ！よりスタートして上昇する。上昇して
達した電圧をｖＰ ３ ＋新たに蓄えられた電荷をＱｓ
とすると、Ｃｚ 十〇ａ の関係が成立する。 時刻ｔ４に次の受光素子選択信号ＶＧが送られ、電荷転
送が開始される。先と同様にして等価容量２と共通信号
線容量４の電圧が等しくなったところで（ｖＰ４− Ｖ
Ｌ□）、電荷転送は終了する。この時の読み出し出力
電圧ＶＬ！は、 となる。 上式の第１項は、時刻１．から時刻ｔ４までの読み取り
に応じて蓄えられた電荷Ｑ、に関する項であるから、本
来、これだけが読み出されればよい、ところが、実際に
は、第２項が加算されたものが読み出される。 第２項は、ＶＬＩ”ＶＩＪという関係があることと、Ｃ
ｚＶ□が前回の電荷転送後の等価容量２の残存電荷量で
あることとを考慮すると、この残存電荷量を反映した分
、つまり前回の残像であることが分かる。 このような残像があっても、従来は、ｃｔ 、１！：Ｃ
１の大小関係がＣｔ ＜ ＜ Ｃａであったので（例、
Ｃよ〜ｘｐＦ’、ｃｄ〜１００ｐＦ）、読み出し出力全
体に占める残像の割合は小さく Ｃｃｔ ：ｃ４＝ｔ
： ｔｏｏとすると約Ｉ％ン、無視することが出来た
。 ところが最近では、次のような事情から、残像を除去す
ることが要望されるようになって来ている。 （１） 微細加工技術の進歩によりマトリックス回路
が小型化され、共通信号線の容量Ｃ４が小さくなった。 それに伴い、残像の割合が大きくなり、無視することが
出来なくなった。 （２）読み取り感度の高感度化の要求が強まり、Ｃ４を
小さくする必要が出て来た（０式等の分母が小さくなる
）、そのため、やはり、残像の割合が大きくなる。 （３）また、画像を高階調で読み取るという要求も強く
なって来たが、高階調で読み取るには、残像を無くす必
要がある。 本発明は、以上のような問題点を解決することを課題と
するものである。
置では、受光素子選択スイッチのオンによる電荷転送後
のフォトダイオード出力電圧■Ｐが、残ったままとなり
、これが残像の原因になっていたという問題点があった
。 （問題点の説明） 第４図は、第２図の回路の動作を説明する波形図である
が、これにより、残像について説明する。 第４図（イ）は受光素子選択信号Ｖ、の波形。 第４図（ロ）はフォトダイオード出力電圧Ｖ、の波形、
第４図（ハ）は読み出し出力電圧ＶＬの波形である。 第２図の点線経路すで充電されて上昇して来たフォトダ
イオード出力電圧■、は、時刻１．で■、１であるとす
る。等価容量２の容量を０２とすると、この時蓄えられ
ている電荷Ｑ、は Ｑ＋ ＝Ｃｇ Ｖｒ＋ ・・・■であ
る。 時刻１．で受光素子選択信号ｖｃが与えられると、受光
素子選択スイッチ３はオンして電荷転送が開始される。 すると、フォトダイオード出力電圧Ｖ、は徐々に減少す
る。他方、読み出し出力電圧■、は徐々に上昇する。そ
して、両者の電圧が等しくなったところで、電荷転送は
終了する。従って、電荷転送終了時の電圧をそれぞれＶ
、！、 ＶＬ＋１共通信号線容量４の容量を０４とする
と、Ｑ。 である。 ＶＬＩは駆動用ＩＣ１２（第５図）に読み出された後、
グランドレベルにリセットされる（時刻ｔ、）。 電荷転送終了時に等価容Ｉ２に残存している電荷をＱオ
とすると、 である。 フォトダイオード１に光が入射されると、等価容量２は
、次の受光素子選択信号■。が入力されるまで（時刻ｔ
４まで）、再び充電が行われ、フォトダイオード出力電
圧Ｖ２は、ｖＰ！よりスタートして上昇する。上昇して
達した電圧をｖＰ ３ ＋新たに蓄えられた電荷をＱｓ
とすると、Ｃｚ 十〇ａ の関係が成立する。 時刻ｔ４に次の受光素子選択信号ＶＧが送られ、電荷転
送が開始される。先と同様にして等価容量２と共通信号
線容量４の電圧が等しくなったところで（ｖＰ４− Ｖ
Ｌ□）、電荷転送は終了する。この時の読み出し出力
電圧ＶＬ！は、 となる。 上式の第１項は、時刻１．から時刻ｔ４までの読み取り
に応じて蓄えられた電荷Ｑ、に関する項であるから、本
来、これだけが読み出されればよい、ところが、実際に
は、第２項が加算されたものが読み出される。 第２項は、ＶＬＩ”ＶＩＪという関係があることと、Ｃ
ｚＶ□が前回の電荷転送後の等価容量２の残存電荷量で
あることとを考慮すると、この残存電荷量を反映した分
、つまり前回の残像であることが分かる。 このような残像があっても、従来は、ｃｔ 、１！：Ｃ
１の大小関係がＣｔ ＜ ＜ Ｃａであったので（例、
Ｃよ〜ｘｐＦ’、ｃｄ〜１００ｐＦ）、読み出し出力全
体に占める残像の割合は小さく Ｃｃｔ ：ｃ４＝ｔ
： ｔｏｏとすると約Ｉ％ン、無視することが出来た
。 ところが最近では、次のような事情から、残像を除去す
ることが要望されるようになって来ている。 （１） 微細加工技術の進歩によりマトリックス回路
が小型化され、共通信号線の容量Ｃ４が小さくなった。 それに伴い、残像の割合が大きくなり、無視することが
出来なくなった。 （２）読み取り感度の高感度化の要求が強まり、Ｃ４を
小さくする必要が出て来た（０式等の分母が小さくなる
）、そのため、やはり、残像の割合が大きくなる。 （３）また、画像を高階調で読み取るという要求も強く
なって来たが、高階調で読み取るには、残像を無くす必
要がある。 本発明は、以上のような問題点を解決することを課題と
するものである。
前記！！￥題を解決するため、本発明では、受光素子と
該受光素子に直列に接続された受光素子選択スイッチと
の組を同じ数づつ有するブロックを複数個と、画像信号
の読み出しを該ブロック毎に順次行う際、読み出す信号
を流すのに共通に使用する共通信号線とを少なくとも存
し、入射光に応じて前記受光素子の等価容量に蓄積され
た電荷を、前記受光素子選択スイッチをオンすることに
より前記共通信号線の容量に転送し、画像読み取り信号
を得る形式の密着型イメージセンサ装置において、一端
を前記受光素子と前記受光素子選択スイッチとの接続部
に接続し、他端をグランドに接続したリセットスイッチ
を設け、前記転送後に受光素子に残存している電荷を該
リセットスイッチを経て放出することとした。 そして、リセットスイッチを制御するのには、それ専用
の信号を発生させるのを省略したい場合には、次のよう
な手段を講じた。 即ち、読み取り動作を行わせるブロックの前記受光素子
選択スイッチに供給する受光素子選択信号を、既に読み
取り動作を終えたブロックの前記リセットスイッチのリ
セット信号としても利用することとした。 更に、リセット信号として流れる電流が、受光素子に誘
導障害を与える恐れがある場合には、次のような手段を
講じた。 即ち、前記受光素子が形成されている基板の面方向に見
て、前記リセットスイッチを前記受光素子に関して前記
受光素子選択スイッチとは反対側に配置し、上方に前記
受光素子が形成されているバイアス線の層より下方に配
設し且つバイアス線より狭い幅の導電層を経て、前記リ
セット信号をリセットスイッチに導くようにすることと
した。
該受光素子に直列に接続された受光素子選択スイッチと
の組を同じ数づつ有するブロックを複数個と、画像信号
の読み出しを該ブロック毎に順次行う際、読み出す信号
を流すのに共通に使用する共通信号線とを少なくとも存
し、入射光に応じて前記受光素子の等価容量に蓄積され
た電荷を、前記受光素子選択スイッチをオンすることに
より前記共通信号線の容量に転送し、画像読み取り信号
を得る形式の密着型イメージセンサ装置において、一端
を前記受光素子と前記受光素子選択スイッチとの接続部
に接続し、他端をグランドに接続したリセットスイッチ
を設け、前記転送後に受光素子に残存している電荷を該
リセットスイッチを経て放出することとした。 そして、リセットスイッチを制御するのには、それ専用
の信号を発生させるのを省略したい場合には、次のよう
な手段を講じた。 即ち、読み取り動作を行わせるブロックの前記受光素子
選択スイッチに供給する受光素子選択信号を、既に読み
取り動作を終えたブロックの前記リセットスイッチのリ
セット信号としても利用することとした。 更に、リセット信号として流れる電流が、受光素子に誘
導障害を与える恐れがある場合には、次のような手段を
講じた。 即ち、前記受光素子が形成されている基板の面方向に見
て、前記リセットスイッチを前記受光素子に関して前記
受光素子選択スイッチとは反対側に配置し、上方に前記
受光素子が形成されているバイアス線の層より下方に配
設し且つバイアス線より狭い幅の導電層を経て、前記リ
セット信号をリセットスイッチに導くようにすることと
した。
密着型イメージセンサ装置を前記のような構成にすると
、画像信号読み出しのための電荷転送が行われた後、リ
セットスイッチがオンされて、受光素子に残存している
電荷が放電される。この残存電荷が残像の原因となって
いたから、リセットスイッチによってこれを放電するこ
とにより、残像が無くすことが可能となる。 前記リセットスイッチをオンするための信号が新たに必
要となるが、電荷転送を行う際に受光素子選択スイッチ
をオンする信号を、既に読み取り動作を終えたブロック
内のリセットスイッチをオンする信号としても利用する
構成にすると、リセットスイッチ専用の信号を新たに発
生しなくとも、リセットスイッチを所要のタイミングで
オンすることが可能となる。 更に、リセットスイッチへのゲート信号を、受光素子の
近傍では、上方に受光素子が形成されているところのバ
イアス線の層より下方に形成した幅狭の導電層を経て流
すことにより、前記ゲート信号の受光素子への誘導障害
を防止することが可能となる。
、画像信号読み出しのための電荷転送が行われた後、リ
セットスイッチがオンされて、受光素子に残存している
電荷が放電される。この残存電荷が残像の原因となって
いたから、リセットスイッチによってこれを放電するこ
とにより、残像が無くすことが可能となる。 前記リセットスイッチをオンするための信号が新たに必
要となるが、電荷転送を行う際に受光素子選択スイッチ
をオンする信号を、既に読み取り動作を終えたブロック
内のリセットスイッチをオンする信号としても利用する
構成にすると、リセットスイッチ専用の信号を新たに発
生しなくとも、リセットスイッチを所要のタイミングで
オンすることが可能となる。 更に、リセットスイッチへのゲート信号を、受光素子の
近傍では、上方に受光素子が形成されているところのバ
イアス線の層より下方に形成した幅狭の導電層を経て流
すことにより、前記ゲート信号の受光素子への誘導障害
を防止することが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。 〔基本回路について〕 第１図に、本発明の密着型イメージセンサ装置の基本回
路を示す、符号は、第２図に対応する。 そして、５はリセットスイッチ、■魔はリセット信号で
ある。リセットスイッチ５としては、例えば、薄膜トラ
ンジスタが用いられる。 第２図と異なる点は、フォトダイオード１と受光素子選
択スイッチ３との接続部に一端を接続し、他端をグラン
ドレベルに接続したリセットスイッチ５を設けた点であ
る。 リセットスイッチ５の役目は、残像の原因となっている
電荷、即ち、電荷転送後に等価容蛍２に残る電荷を放電
してしまうことである。その様子を、第３図によって説
明する。 第３図は、第１図の回路の動作を説明する波形図である
。第３図（イ）は受光素子選択信号Ｖ。 、第３図（ロ）はリセット信号■５、第３図（ハ）はフ
ォトダイオード出力電圧ＶＰ、第３図（ニ）は読み出し
出力電圧ｖＬの各波形である。 受光素子選択スイッチ３がオンされて電荷転送が行われ
るまでの動作は、従来と同様である。電荷転送が終了し
た時点では、フォトダイオード出力電圧ｖＰはＶ 、、
、読み出し出力電圧Ｖ、はＶＬＩとなっている。 受光素子選択信号Ｖ９がオフとなる時刻ｔ２より後の時
刻ｔ３に、リセット信号■、が印加され、リセットスイ
ッチ５がオンする。すると、第１図の点線経路ｄを通っ
て、等価容量２の残存電荷が放出される。それは、フォ
トダイオード出力電圧Ｖ、の変化にも反映され、第３図
（ハ）に示したように、時刻ｔ、から徐々に減少し、時
刻む、に至ってついにグランドレベルとなる。 次の読み取り動作に応じた電荷の蓄積は、このグランド
レベルから開始されるから、次回の読み出し出力電圧Ｖ
Ｌｆｆは、残像骨を含まないものとなる。 このような基本回路を用いれば、読み出し出力電圧■、
に残像を含まない密着型イメージセンサ装置を得ること
が出来る。 〔前記基本回路を用いて構成した密着型イメージセンサ
装置全体〕 第６図に、本発明の実施例にかかわる密着型イメージセ
ンサ装置を示す、符号は、第１図、第５図に対応する。 そして、１４はグランドレベルにされているグランド線
、Ｌはゲート線ループ部であり、Ａ〜Ｄはそのコーナー
、Ｅは受光素子選択スイッチ３へのゲート線部からリセ
ットスイッチ５のゲートへの連絡線である。 構成上、第５図の従来例と異なる点は、各フォトダイオ
ード１毎にリセットスイッチ５を設け、電荷転送後に残
る等価容量２の電荷をグランド線１４へと放出するよう
にした点である。 〔ゲート信号の兼用〕 リセットスイッチ５をオンにするリセット信号■８は、
専用に発生させても勿論よいが、既存の受光素子選択信
号■６を兼用することも出来る。 兼用は、読み取り動作を行おうとしているブロックへ発
する受光素子選択信号ｖ９を、それ以前に読み取り動作
を行ったブロックのリセット信号Ｖ、として利用すると
いうかたちで行われる。 第６図の密着型イメージセンサ装置では、読み取り動作
は右のブロック→左のブロックへと行うものとしている
（第Ｎブロック２Ｎ→第１ブロツク２１の方向へ）。 第６図では、今回に読み取り動作をするブロックへの受
光素子選択信号Ｖｃを、前回読み取り動作をしたブロッ
クへのリセット信号Ｖ、として兼用したものを示した。 従って、第１ブロツク２１の受光素子選択スイッチ３に
発した受光素子選択信号Ｖ、は、前回読み取り動作をし
た第２ブロツク２２のリセットスイッチ５のゲートへ、
連絡線Ｅを経由して導かれている。 第８図は、そのような信号の兼用ｄ仕方をしたところの
第６図の装置の動作を説明する波形図である。第８図（
イ）のＶａＸは成るブロックに供給される受光素子選択
信号、第８図（ロ）のｖ６□。 、）は次に読み出しが行われるブロックに供給される受
光素子選択信号、第８図（ハ）のＶＧ（ｆ４Ｈは次の次
に読み出しが行われるブロックに供給される受光素子選
択信号、第８図（ニ）のＶ□は第８図（イ）の信号で読
み出しが行われるブロックのフォトダイオード出力電圧
、第８図（ホ）のｖ２軸。１）は第８図（ロ）の信号で
読み出しが行われるブロックのフォトダイオード出力電
圧である。 受光素子選択信号ＶＧＫが入力された時刻ｔ１でＨ３の
値を有していたフォトダイオード出力電圧Ｖ□は、電荷
転送が終了する時刻ｔ８には値Ｈ８に減少する。 時刻Ｌ３で次に読み取りを行うブロックに受光素子選択
信号ＶＧ（１４１１が入力されると、該信号は、そのブ
ロックの受光素子選択スイッチ３をオンにして、電荷転
送を開始させる（そのため、フォトダイオード出力電圧
■、。、１．は、ＨｌからＨ４へ減少する）、同時に、
前回読み取りを行ったブロックのリセットスイッチ５を
オンとし、等価容量２の残存電荷の放出を行う（そのた
め、フォトダイオード出力電圧ＶＰＫは、グランドレベ
ルへと向かって減少を始め、時刻ｔ４でグランドレベル
となる）。 〔リセットスイッチへのゲート線の配役〕本発明では、
リセットスイッチ５へのゲート線を新たに配設しなけれ
ばならないが、このゲート線にはパルス信号が流される
ので、配設に当たってはフォトダイオード等の他の素子
への誘導障害（いわゆるクロストーク）を起こさないよ
うに配慮する必要がある。 フォトダイオード１が形成されている基板の面方向に見
て、リセットスイッチ５をフォトダイオード１に関して
受光素子選択スイッチ３とは反対側に配置すると、ゲー
ト信号を兼用する場合、どうしてもフォトダイオード１
が配設されている地帯を通過してゲート信号を送らねば
ならない。 しかし、フォトダイオード１は互いに密接してピッシリ
と配設されているから、ゲート信号はフォトダイオード
ｌの極めて近くを流れることになり、クロスオーバを起
こす可能性が高い。 そこで、例えば、次のような積層構成にすることが考え
られる。 第７図は、本発明におけるフォトダイオード部分の積層
構成の１例である。第７図において、８１はポリイミド
絶縁層、８２は配線用アルミ層、８３はポリイミド絶縁
層、８４はＳｉＮ絶縁層、８５はガラス基板、８６はト
ップ絶縁膜、８７は１７０層（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ） 、８ Ｂはａ−３ｉ ： ＨＮ Ｃ水素
化アモルファスシリコン層）、１３−１はバイアス線用
クロム層、９０はゲート線用クロム層である。 フォトダイオードは、バイアス線用クロム層１３−１よ
り上の層で構成される。 ゲート線用クロム層９０は、リセットスイッチ５へのゲ
ート信号を流すためのものである。 この構成の特徴は、バイアス線１３（第６図等参照）を
成すところのバイアス線用クロム層１３−１を幅広に形
成し、この層に関しフォトダイオードを構成する部分と
は反対側（第７図では下側）に、ゲート線用クロム層９
０を形成し、しかもバイアス線用クロム層１３−１より
も幅狭にした点である。 このように構成すると、バイアス電圧に保たれているバ
イアス線用クロム層１３−１が、ゲート線用クロム層９
０に覆い被さるかたちとなるので、シールドの役目を果
たす、そのため、ゲート線用クロム層９０にゲート信号
が流れても、バイアス線用クロム層１３−１の上方にあ
るフォトダイオードに誘導障害を起こすことがない。 第９図は、第６図に示した密着型イメージセンサ装置に
おけるフォトダイオード部分を、第７図の如く構成した
場合の一部拡大図である。符号は、第６図、第７図のも
のに対応する。なお、ゲート信号が兼用されていること
を分かり易く表現するため、互いに連結されているゲー
ト線の組の１組について、斜線を施した。 斜線を施したゲート線に注目すると、先ず、ゲート線ル
ープ部りより受光素子選択スイッチ３へ、受光素子選択
信号ｖＧとしてのゲート信号が供給されるようになって
いる。 ゲート線ループ部りの１つのコーナーＢから連絡ＭＥを
経由してゲート線用クロム層９０に至り、ここよりリセ
ットスィッチ５ヘリセツト信号ｖｌｌとしてのゲート信
号が供給される。 第７図に示したように、ゲート線用クロム層９０はバイ
アス！１３より下層に配設しであるので、リセット信号
ｖ１が流れても、フォトダイオード１に誘導による悪影
響を与えることはない。 以上のように、リセットスイッチ５へのゲート線をフォ
トダイオードｌの傍を通す場合、フォトダイオードｌと
接続され且つその下層に形成されるバイアス線１３を幅
広にし、該バイアス線１３よりも狭い幅で更にその下層
に配置する。そうすると、バイアス線１３がシールドの
役目を果たし、フォトダイオード１に対してクロストー
クによる悪影響を及ぼすことがない。 〔ゲート線の配設パターン〕 第１０図ないし第１３図は、本発明におけるゲー斗線の
配線パターンを示したものである。 第１０図は、第６図の実施例のように、受光素子選択信
号ｖ６を、直前に読み取りを終えたブロックへ専用の連
絡線Ｅにより伝え、リセット信号ｖｌｌとして利用する
ようにしたパターンを示す。 第１１図は、受光素子選択信号ｖ６を、２つ前に読み取
りを終えたブロックへ専用の連絡線已により伝え、リセ
ット信号Ｖｌとして利用するようにしたパターンを示す
。 第１２図は、受光素子選択信号■。を、直前に読み取り
を終えたブロックへ伝え、リセット信号Ｖｌとして利用
するが、伝え方を連絡線Ｅによるのではなく、１つの受
光素子選択スイッチ３を介して伝えるようにしたパター
ンを示す。 しかし、このパターンでは、１つの受光素子選択スイッ
チ３だけに負担がかかることになるので、そのような負
担をかけても読み取りに支障が出ない限りにおいて許容
されるパターンである。 第１３図は、第１２図で１つの受光素子選択スイッチ３
にのみ負担させていたのを、全ての受光素子選択スイッ
チ３に均等に負担させるようにしたパターンである。
。 〔基本回路について〕 第１図に、本発明の密着型イメージセンサ装置の基本回
路を示す、符号は、第２図に対応する。 そして、５はリセットスイッチ、■魔はリセット信号で
ある。リセットスイッチ５としては、例えば、薄膜トラ
ンジスタが用いられる。 第２図と異なる点は、フォトダイオード１と受光素子選
択スイッチ３との接続部に一端を接続し、他端をグラン
ドレベルに接続したリセットスイッチ５を設けた点であ
る。 リセットスイッチ５の役目は、残像の原因となっている
電荷、即ち、電荷転送後に等価容蛍２に残る電荷を放電
してしまうことである。その様子を、第３図によって説
明する。 第３図は、第１図の回路の動作を説明する波形図である
。第３図（イ）は受光素子選択信号Ｖ。 、第３図（ロ）はリセット信号■５、第３図（ハ）はフ
ォトダイオード出力電圧ＶＰ、第３図（ニ）は読み出し
出力電圧ｖＬの各波形である。 受光素子選択スイッチ３がオンされて電荷転送が行われ
るまでの動作は、従来と同様である。電荷転送が終了し
た時点では、フォトダイオード出力電圧ｖＰはＶ 、、
、読み出し出力電圧Ｖ、はＶＬＩとなっている。 受光素子選択信号Ｖ９がオフとなる時刻ｔ２より後の時
刻ｔ３に、リセット信号■、が印加され、リセットスイ
ッチ５がオンする。すると、第１図の点線経路ｄを通っ
て、等価容量２の残存電荷が放出される。それは、フォ
トダイオード出力電圧Ｖ、の変化にも反映され、第３図
（ハ）に示したように、時刻ｔ、から徐々に減少し、時
刻む、に至ってついにグランドレベルとなる。 次の読み取り動作に応じた電荷の蓄積は、このグランド
レベルから開始されるから、次回の読み出し出力電圧Ｖ
Ｌｆｆは、残像骨を含まないものとなる。 このような基本回路を用いれば、読み出し出力電圧■、
に残像を含まない密着型イメージセンサ装置を得ること
が出来る。 〔前記基本回路を用いて構成した密着型イメージセンサ
装置全体〕 第６図に、本発明の実施例にかかわる密着型イメージセ
ンサ装置を示す、符号は、第１図、第５図に対応する。 そして、１４はグランドレベルにされているグランド線
、Ｌはゲート線ループ部であり、Ａ〜Ｄはそのコーナー
、Ｅは受光素子選択スイッチ３へのゲート線部からリセ
ットスイッチ５のゲートへの連絡線である。 構成上、第５図の従来例と異なる点は、各フォトダイオ
ード１毎にリセットスイッチ５を設け、電荷転送後に残
る等価容量２の電荷をグランド線１４へと放出するよう
にした点である。 〔ゲート信号の兼用〕 リセットスイッチ５をオンにするリセット信号■８は、
専用に発生させても勿論よいが、既存の受光素子選択信
号■６を兼用することも出来る。 兼用は、読み取り動作を行おうとしているブロックへ発
する受光素子選択信号ｖ９を、それ以前に読み取り動作
を行ったブロックのリセット信号Ｖ、として利用すると
いうかたちで行われる。 第６図の密着型イメージセンサ装置では、読み取り動作
は右のブロック→左のブロックへと行うものとしている
（第Ｎブロック２Ｎ→第１ブロツク２１の方向へ）。 第６図では、今回に読み取り動作をするブロックへの受
光素子選択信号Ｖｃを、前回読み取り動作をしたブロッ
クへのリセット信号Ｖ、として兼用したものを示した。 従って、第１ブロツク２１の受光素子選択スイッチ３に
発した受光素子選択信号Ｖ、は、前回読み取り動作をし
た第２ブロツク２２のリセットスイッチ５のゲートへ、
連絡線Ｅを経由して導かれている。 第８図は、そのような信号の兼用ｄ仕方をしたところの
第６図の装置の動作を説明する波形図である。第８図（
イ）のＶａＸは成るブロックに供給される受光素子選択
信号、第８図（ロ）のｖ６□。 、）は次に読み出しが行われるブロックに供給される受
光素子選択信号、第８図（ハ）のＶＧ（ｆ４Ｈは次の次
に読み出しが行われるブロックに供給される受光素子選
択信号、第８図（ニ）のＶ□は第８図（イ）の信号で読
み出しが行われるブロックのフォトダイオード出力電圧
、第８図（ホ）のｖ２軸。１）は第８図（ロ）の信号で
読み出しが行われるブロックのフォトダイオード出力電
圧である。 受光素子選択信号ＶＧＫが入力された時刻ｔ１でＨ３の
値を有していたフォトダイオード出力電圧Ｖ□は、電荷
転送が終了する時刻ｔ８には値Ｈ８に減少する。 時刻Ｌ３で次に読み取りを行うブロックに受光素子選択
信号ＶＧ（１４１１が入力されると、該信号は、そのブ
ロックの受光素子選択スイッチ３をオンにして、電荷転
送を開始させる（そのため、フォトダイオード出力電圧
■、。、１．は、ＨｌからＨ４へ減少する）、同時に、
前回読み取りを行ったブロックのリセットスイッチ５を
オンとし、等価容量２の残存電荷の放出を行う（そのた
め、フォトダイオード出力電圧ＶＰＫは、グランドレベ
ルへと向かって減少を始め、時刻ｔ４でグランドレベル
となる）。 〔リセットスイッチへのゲート線の配役〕本発明では、
リセットスイッチ５へのゲート線を新たに配設しなけれ
ばならないが、このゲート線にはパルス信号が流される
ので、配設に当たってはフォトダイオード等の他の素子
への誘導障害（いわゆるクロストーク）を起こさないよ
うに配慮する必要がある。 フォトダイオード１が形成されている基板の面方向に見
て、リセットスイッチ５をフォトダイオード１に関して
受光素子選択スイッチ３とは反対側に配置すると、ゲー
ト信号を兼用する場合、どうしてもフォトダイオード１
が配設されている地帯を通過してゲート信号を送らねば
ならない。 しかし、フォトダイオード１は互いに密接してピッシリ
と配設されているから、ゲート信号はフォトダイオード
ｌの極めて近くを流れることになり、クロスオーバを起
こす可能性が高い。 そこで、例えば、次のような積層構成にすることが考え
られる。 第７図は、本発明におけるフォトダイオード部分の積層
構成の１例である。第７図において、８１はポリイミド
絶縁層、８２は配線用アルミ層、８３はポリイミド絶縁
層、８４はＳｉＮ絶縁層、８５はガラス基板、８６はト
ップ絶縁膜、８７は１７０層（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ） 、８ Ｂはａ−３ｉ ： ＨＮ Ｃ水素
化アモルファスシリコン層）、１３−１はバイアス線用
クロム層、９０はゲート線用クロム層である。 フォトダイオードは、バイアス線用クロム層１３−１よ
り上の層で構成される。 ゲート線用クロム層９０は、リセットスイッチ５へのゲ
ート信号を流すためのものである。 この構成の特徴は、バイアス線１３（第６図等参照）を
成すところのバイアス線用クロム層１３−１を幅広に形
成し、この層に関しフォトダイオードを構成する部分と
は反対側（第７図では下側）に、ゲート線用クロム層９
０を形成し、しかもバイアス線用クロム層１３−１より
も幅狭にした点である。 このように構成すると、バイアス電圧に保たれているバ
イアス線用クロム層１３−１が、ゲート線用クロム層９
０に覆い被さるかたちとなるので、シールドの役目を果
たす、そのため、ゲート線用クロム層９０にゲート信号
が流れても、バイアス線用クロム層１３−１の上方にあ
るフォトダイオードに誘導障害を起こすことがない。 第９図は、第６図に示した密着型イメージセンサ装置に
おけるフォトダイオード部分を、第７図の如く構成した
場合の一部拡大図である。符号は、第６図、第７図のも
のに対応する。なお、ゲート信号が兼用されていること
を分かり易く表現するため、互いに連結されているゲー
ト線の組の１組について、斜線を施した。 斜線を施したゲート線に注目すると、先ず、ゲート線ル
ープ部りより受光素子選択スイッチ３へ、受光素子選択
信号ｖＧとしてのゲート信号が供給されるようになって
いる。 ゲート線ループ部りの１つのコーナーＢから連絡ＭＥを
経由してゲート線用クロム層９０に至り、ここよりリセ
ットスィッチ５ヘリセツト信号ｖｌｌとしてのゲート信
号が供給される。 第７図に示したように、ゲート線用クロム層９０はバイ
アス！１３より下層に配設しであるので、リセット信号
ｖ１が流れても、フォトダイオード１に誘導による悪影
響を与えることはない。 以上のように、リセットスイッチ５へのゲート線をフォ
トダイオードｌの傍を通す場合、フォトダイオードｌと
接続され且つその下層に形成されるバイアス線１３を幅
広にし、該バイアス線１３よりも狭い幅で更にその下層
に配置する。そうすると、バイアス線１３がシールドの
役目を果たし、フォトダイオード１に対してクロストー
クによる悪影響を及ぼすことがない。 〔ゲート線の配設パターン〕 第１０図ないし第１３図は、本発明におけるゲー斗線の
配線パターンを示したものである。 第１０図は、第６図の実施例のように、受光素子選択信
号ｖ６を、直前に読み取りを終えたブロックへ専用の連
絡線Ｅにより伝え、リセット信号ｖｌｌとして利用する
ようにしたパターンを示す。 第１１図は、受光素子選択信号ｖ６を、２つ前に読み取
りを終えたブロックへ専用の連絡線已により伝え、リセ
ット信号Ｖｌとして利用するようにしたパターンを示す
。 第１２図は、受光素子選択信号■。を、直前に読み取り
を終えたブロックへ伝え、リセット信号Ｖｌとして利用
するが、伝え方を連絡線Ｅによるのではなく、１つの受
光素子選択スイッチ３を介して伝えるようにしたパター
ンを示す。 しかし、このパターンでは、１つの受光素子選択スイッ
チ３だけに負担がかかることになるので、そのような負
担をかけても読み取りに支障が出ない限りにおいて許容
されるパターンである。 第１３図は、第１２図で１つの受光素子選択スイッチ３
にのみ負担させていたのを、全ての受光素子選択スイッ
チ３に均等に負担させるようにしたパターンである。
以上述べた如き本発明の密着型イメージセンサ装置によ
れば、次のような効果を奏する。 ■ 残像を無くすことが出来る。 画像信号読み出しのための電荷転送が行われた後、受光
素子に電荷が残存している。従来、この電荷が残像の原
因となっていた。 しかし、本発明では、この電荷をリセットスイッチをオ
ンすることにより放電してしまうので、残像を無（すこ
とが出来た。 ■ オンするための信号が必要なリセットスイッチを設
けたからといって、必ずしも専用の信号を発生する必要
はない。 今読み取り動作を行おうとしているブロックで、電荷転
送を行うため受光素子選択スイッチをオンする信号を、
既に読み取り動作を終えたブロック内のリセットスイッ
チをオンする信号としても利用する構成にすると、リセ
ットスイッチ専用の信号を新たに発生させなくとも、リ
セットスイッチを所要のタイミングでオンすることが可
能となる。 ■ 更に、リセットスイッチへのゲート信号を、受光素
子の近傍では、上方に受光素子が形成されているところ
のバイアス線の層より下方に形成した幅狭の導電層を経
て流すことにより、前記ゲート信号の受光素子への誘導
障害を防止することが可能となる。
れば、次のような効果を奏する。 ■ 残像を無くすことが出来る。 画像信号読み出しのための電荷転送が行われた後、受光
素子に電荷が残存している。従来、この電荷が残像の原
因となっていた。 しかし、本発明では、この電荷をリセットスイッチをオ
ンすることにより放電してしまうので、残像を無（すこ
とが出来た。 ■ オンするための信号が必要なリセットスイッチを設
けたからといって、必ずしも専用の信号を発生する必要
はない。 今読み取り動作を行おうとしているブロックで、電荷転
送を行うため受光素子選択スイッチをオンする信号を、
既に読み取り動作を終えたブロック内のリセットスイッ
チをオンする信号としても利用する構成にすると、リセ
ットスイッチ専用の信号を新たに発生させなくとも、リ
セットスイッチを所要のタイミングでオンすることが可
能となる。 ■ 更に、リセットスイッチへのゲート信号を、受光素
子の近傍では、上方に受光素子が形成されているところ
のバイアス線の層より下方に形成した幅狭の導電層を経
て流すことにより、前記ゲート信号の受光素子への誘導
障害を防止することが可能となる。
第１図・・・本発明の密着型イメージセンサ装置の基本
回路 第２図・・・従来の密着型イメージセンサ装置の基本回
路 第３図・・・第１図の回路の動作を説明する波形図第４
図・・・第２図の回路の動作を説明する波形図第５図・
・・従来の密着型イメージセンサ装置第６図・・・本発
明の実施例にかかわる密着型イメージセンサ装置 第７図・・・本発明におけるフォトダイオード部分の積
層構成の１例 第８図・・・第６図の装置の動作を説明する波形図第９
図・・・第６図に示した密着型イメージセンサ装置にお
けるフォトダイオード部分を、第７図の如く構成した場
合の一部拡大図 第１０図ないし第１３図・・・本発明におけるゲート線
の配線パターンを示す図 図において、１はフォトダイオード、２は等価容量、３
は受光素子選択スイッチ、４は共通信号線容量、５はリ
セットスイッチ、６ないし８は読み出し線、９ないし１
１は共通信号線、１２は駆動用ＩＣ，１３はバイアス線
、１４はグランド線、２１は第１ブロツク、２２は第２
ブロツク、２Ｎは第Ｎブロック、８１はポリイミド絶縁
層、８２は配線用アルミ層、８３はポリイミド絶縁層、
８４はＳｉＮ絶縁層、８５はガラス基板、８６はトップ
絶縁膜、８７は１７０層、８Ｂはａ−Ｓｉ：ＨＮ （水
素化アモルファスシリコン層）、１３−１はバイアス線
用クロム層、９０はゲート線用クロム層、■、は受光素
子選択信号、ｖｌはリセット信号、ｖ２はフォトダイオ
ード出力電圧、ｖＬは読み出し出力電圧、Ｌはゲート線
ループ部である。 第 図
回路 第２図・・・従来の密着型イメージセンサ装置の基本回
路 第３図・・・第１図の回路の動作を説明する波形図第４
図・・・第２図の回路の動作を説明する波形図第５図・
・・従来の密着型イメージセンサ装置第６図・・・本発
明の実施例にかかわる密着型イメージセンサ装置 第７図・・・本発明におけるフォトダイオード部分の積
層構成の１例 第８図・・・第６図の装置の動作を説明する波形図第９
図・・・第６図に示した密着型イメージセンサ装置にお
けるフォトダイオード部分を、第７図の如く構成した場
合の一部拡大図 第１０図ないし第１３図・・・本発明におけるゲート線
の配線パターンを示す図 図において、１はフォトダイオード、２は等価容量、３
は受光素子選択スイッチ、４は共通信号線容量、５はリ
セットスイッチ、６ないし８は読み出し線、９ないし１
１は共通信号線、１２は駆動用ＩＣ，１３はバイアス線
、１４はグランド線、２１は第１ブロツク、２２は第２
ブロツク、２Ｎは第Ｎブロック、８１はポリイミド絶縁
層、８２は配線用アルミ層、８３はポリイミド絶縁層、
８４はＳｉＮ絶縁層、８５はガラス基板、８６はトップ
絶縁膜、８７は１７０層、８Ｂはａ−Ｓｉ：ＨＮ （水
素化アモルファスシリコン層）、１３−１はバイアス線
用クロム層、９０はゲート線用クロム層、■、は受光素
子選択信号、ｖｌはリセット信号、ｖ２はフォトダイオ
ード出力電圧、ｖＬは読み出し出力電圧、Ｌはゲート線
ループ部である。 第 図
Claims (2)
- （１）受光素子と該受光素子に直列に接続された受光素
子選択スイッチとの組を同じ数づつ有するブロックを複
数個と、画像信号の読み出しを該ブロック毎に順次行う
際、読み出す信号を流すのに共通に使用する共通信号線
とを少なくとも有し、入射光に応じて前記受光素子の等
価容量に蓄積された電荷を、前記受光素子選択スイッチ
をオンすることにより前記共通信号線の容量に転送し、
画像読み取り信号を得る形式の密着型イメージセンサ装
置において、一端を前記受光素子と前記受光素子選択ス
イッチとの接続部に接続し、他端をグランドに接続した
リセットスイッチを設け、読み取り動作を行わせるブロ
ックの前記受光素子選択スイッチに供給する受光素子選
択信号を、既に読み取り動作を終えたブロックの前記リ
セットスイッチのリセット信号としても利用し、前記転
送後に受光素子に残存している電荷を該リセットスイッ
チを経て放出するようにしたことを特徴とする密着型イ
メージセンサ装置。 - （２）前記受光素子が形成されている基板の面方向に見
て、前記リセットスイッチを前記受光素子に関して前記
受光素子選択スイッチとは反対側に配置し、上方に前記
受光素子が形成されているバイアス線の層より下方に配
設し且つバイアス線より狭い幅の導電層を経て、前記リ
セット信号をリセットスイッチに導くことを特徴とする
請求項２記載の密着型イメージセンサ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086471A JPH0785568B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 密着型イメージセンサ装置 |
| US07/503,613 US5204519A (en) | 1989-04-05 | 1990-04-03 | Close-contact image sensing device having a reset switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086471A JPH0785568B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 密着型イメージセンサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265362A true JPH02265362A (ja) | 1990-10-30 |
| JPH0785568B2 JPH0785568B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=13887878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086471A Expired - Fee Related JPH0785568B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 密着型イメージセンサ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204519A (ja) |
| JP (1) | JPH0785568B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399889A (en) * | 1992-05-22 | 1995-03-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor providing output image signal with reduced offset |
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