JPS62171373A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS62171373A JPS62171373A JP61011988A JP1198886A JPS62171373A JP S62171373 A JPS62171373 A JP S62171373A JP 61011988 A JP61011988 A JP 61011988A JP 1198886 A JP1198886 A JP 1198886A JP S62171373 A JPS62171373 A JP S62171373A
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- Japan
- Prior art keywords
- switch element
- section
- photoelectric conversion
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、イメージリーダー、ファクシミリ。
デジタル複写機および電子黒板などの画像の読み取りに
使用される光電変換装置に関する。
使用される光電変換装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種の光電変換装置は、例えば第３図に示すよ
うに片側から順に信号を読み出すために、転送用スイッ
チ素子５の出力線側において、マトリックス部４を構成
していた。なお、第３図において、ｌは光電変換素子部
、２は転送しようとする電荷を蓄積するコンデンサ部、
３はスイッチ素子部、６はリセット用スイッチ素子、７
は転送した電荷を蓄積するコンデンサ部、８は回路の印
加電圧、９はスイッチ素子５．６のゲートドライバー、
１０はリセット用スイッチ素子６のリセットバイアス、
１１は信号処理回路である。
うに片側から順に信号を読み出すために、転送用スイッ
チ素子５の出力線側において、マトリックス部４を構成
していた。なお、第３図において、ｌは光電変換素子部
、２は転送しようとする電荷を蓄積するコンデンサ部、
３はスイッチ素子部、６はリセット用スイッチ素子、７
は転送した電荷を蓄積するコンデンサ部、８は回路の印
加電圧、９はスイッチ素子５．６のゲートドライバー、
１０はリセット用スイッチ素子６のリセットバイアス、
１１は信号処理回路である。
［発明が解決しようとする問題点］
そのため、従来の光電変換装置ではゲート線１木でＯＮ
するスイッチ素子５の出力線の数だけ、信号線が交差し
、その線間容量によりリーク電流が流れるというような
、非常に大きなりロストークを生じる欠点があった。
するスイッチ素子５の出力線の数だけ、信号線が交差し
、その線間容量によりリーク電流が流れるというような
、非常に大きなりロストークを生じる欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去し、信号線の交差を転送電
荷に影響を与えない部分において構成した光電変換装置
を提供することを目的とする。
荷に影響を与えない部分において構成した光電変換装置
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
かかる目的を達成するため、本発明は直線上に並べた複
数の光電変換素子の各々に対して設けられたコンデンサ
に蓄積された電荷を、スイッチ素子により転送する光電
変換装置において、スイッチ素子のゲート線を使用して
、信号線が交差しないようにマトリックスをドレイン側
に形成したことを特徴とする。
数の光電変換素子の各々に対して設けられたコンデンサ
に蓄積された電荷を、スイッチ素子により転送する光電
変換装置において、スイッチ素子のゲート線を使用して
、信号線が交差しないようにマトリックスをドレイン側
に形成したことを特徴とする。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例の回路構成を示す。本実施例で
は光電変換素子部１として光導電型素子を使用している
。コンデンサ部２は光電変換素子部ｌからの電荷を蓄積
する。スイッチ素子部３は本実施例ではＴＰＴ （薄膜
トランジスタ）を使用している。マトリックス部４はス
イッチ素子部３のゲートのスイッチ動作を行わせるため
のものであり、ゲート線の数をｍ木とした場合、スイッ
チ素子部３をｍＸｎとしてｎブロックに分割する。また
、その各ブロックについて１ビツト、２ビツト、・・・
１ｍビットとして同番号ビットを共通のゲート線で接続
する構成とする。
は光電変換素子部１として光導電型素子を使用している
。コンデンサ部２は光電変換素子部ｌからの電荷を蓄積
する。スイッチ素子部３は本実施例ではＴＰＴ （薄膜
トランジスタ）を使用している。マトリックス部４はス
イッチ素子部３のゲートのスイッチ動作を行わせるため
のものであり、ゲート線の数をｍ木とした場合、スイッ
チ素子部３をｍＸｎとしてｎブロックに分割する。また
、その各ブロックについて１ビツト、２ビツト、・・・
１ｍビットとして同番号ビットを共通のゲート線で接続
する構成とする。
転送用スイッチ素子５は電荷蓄積用コンデンサ部２に蓄
積された電荷を転送するためのものであり、リセット用
スイッチ素子６はその転送用スイッチ素子５により電荷
を転送した後、２のコンデンサ部のリフレッシュを行う
、コンデンサ部７はスイッチ素子６により転送された電
荷を蓄積する。また、回路への印加電圧８、スイッチ素
子５゜６のゲートドライバー９．リセット用スイッチ素
子６におけるリセットバイアス１０、およびコンデンサ
部７に転送された電荷を外部へ出力するための信号処理
回路１１とを有する０本実施例ではマトリックス部４を
ドレイン側においてコンデンサ部２とスイッチ素子部３
との間に接続し、スイッチ素子ゲートドライバ９をマト
リックス部４に接続している。
積された電荷を転送するためのものであり、リセット用
スイッチ素子６はその転送用スイッチ素子５により電荷
を転送した後、２のコンデンサ部のリフレッシュを行う
、コンデンサ部７はスイッチ素子６により転送された電
荷を蓄積する。また、回路への印加電圧８、スイッチ素
子５゜６のゲートドライバー９．リセット用スイッチ素
子６におけるリセットバイアス１０、およびコンデンサ
部７に転送された電荷を外部へ出力するための信号処理
回路１１とを有する０本実施例ではマトリックス部４を
ドレイン側においてコンデンサ部２とスイッチ素子部３
との間に接続し、スイッチ素子ゲートドライバ９をマト
リックス部４に接続している。
上記構成において、印加電圧８により駆動された光電変
換素子部１からの出力に応じてコンデンサ部２の各コン
デンサに電荷が蓄積される０次いで、スイッチ素子ゲー
トドライバー９によりスイッチ素子部３のゲートを１本
ずつＯＮさせ、これによりコンデンサ部２の電荷を転送
用スイッチ素子５により転送して、次のゲートがＯＮＬ
、たときにリセット用スイッチ素子６がＯＮＩ、て、前
段のコンデンサ部２のリフレッシュを行う、転送用スイ
ッチ素子５により転送された電荷は後段のコンデンサ部
７に蓄積され、信号処理回路１１により並べ換えられて
シリアル信号として外部に出力される。
換素子部１からの出力に応じてコンデンサ部２の各コン
デンサに電荷が蓄積される０次いで、スイッチ素子ゲー
トドライバー９によりスイッチ素子部３のゲートを１本
ずつＯＮさせ、これによりコンデンサ部２の電荷を転送
用スイッチ素子５により転送して、次のゲートがＯＮＬ
、たときにリセット用スイッチ素子６がＯＮＩ、て、前
段のコンデンサ部２のリフレッシュを行う、転送用スイ
ッチ素子５により転送された電荷は後段のコンデンサ部
７に蓄積され、信号処理回路１１により並べ換えられて
シリアル信号として外部に出力される。
第２図は第１図の本発明実施例を一部変更した他の実施
例の構成を示す。
例の構成を示す。
線に交差しないように、光電変換素子部ｌよりもさらに
上方に配置しているので、クロストークが第１図の実施
例よりさらに減少する効果がある。
上方に配置しているので、クロストークが第１図の実施
例よりさらに減少する効果がある。
なお、他の実施例としては、スイッチ素子部３としてＭ
ＯＳ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を使用する例も
ある。また、別の実施例として、光電変換素子部１にｐ
ｉｎまたはショットキー型のホトダイオードを使用する
例もある。また、光電変換素子部ｌにホトダイオードを
使用して、ホトダイオード自身の容量で電荷を蓄積し、
コンデンサ部２を除いた例もある。
ＯＳ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を使用する例も
ある。また、別の実施例として、光電変換素子部１にｐ
ｉｎまたはショットキー型のホトダイオードを使用する
例もある。また、光電変換素子部ｌにホトダイオードを
使用して、ホトダイオード自身の容量で電荷を蓄積し、
コンデンサ部２を除いた例もある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、転送用スイッチ
素子のゲート線の数を１ブロツクとしてブロック分けを
し、その各ブロックの先頭から順に同じゲート線を配接
する構成としているので、マトリクス部をスイッチ素子
部のドレイン側に形成することができ、ソース線での信
号線のクロストークが失くなり、転送による信号の変化
を少なくすることができる効果を得ることができる。
素子のゲート線の数を１ブロツクとしてブロック分けを
し、その各ブロックの先頭から順に同じゲート線を配接
する構成としているので、マトリクス部をスイッチ素子
部のドレイン側に形成することができ、ソース線での信
号線のクロストークが失くなり、転送による信号の変化
を少なくすることができる効果を得ることができる。
第１図はドレイン側においてマトリックスを形成した本
発明実施例の光電変換装置の構成を示す回路図、 第２図はマトリックス部を転送する信号の流れる信号線
よりも上方に形成した本発明の他の実施例の構成を示す
回路図、 第３図はソース線側においてマトリックスを形成した従
来の光電変換装置の構成を示す回路図である。 ｌ・・・光電変換素子部、 ２・・・転送しようとする電荷を蓄積するコンデンサ部
、 ３・・・スイッチ素子部、 ４・・・マトリックス部、 ５・・・転送用スイッチ素子、 ６・・・リセット用スイッチ素子、 ７・・・転送した電荷を蓄積するコンデンサ部、８・・
・回路の印加電圧、 ９・・・スイッチ素子のゲートドライバー、ｌＯ・・・
リセット用スイッチ素子のリセットバイアス、 １１・・・信号処理回路。
発明実施例の光電変換装置の構成を示す回路図、 第２図はマトリックス部を転送する信号の流れる信号線
よりも上方に形成した本発明の他の実施例の構成を示す
回路図、 第３図はソース線側においてマトリックスを形成した従
来の光電変換装置の構成を示す回路図である。 ｌ・・・光電変換素子部、 ２・・・転送しようとする電荷を蓄積するコンデンサ部
、 ３・・・スイッチ素子部、 ４・・・マトリックス部、 ５・・・転送用スイッチ素子、 ６・・・リセット用スイッチ素子、 ７・・・転送した電荷を蓄積するコンデンサ部、８・・
・回路の印加電圧、 ９・・・スイッチ素子のゲートドライバー、ｌＯ・・・
リセット用スイッチ素子のリセットバイアス、 １１・・・信号処理回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 直線上に並べた複数の光電変換素子の各々に対して設け
られたコンデンサに蓄積された電荷を、スイッチ素子に
より転送する光電変換装置において、 前記スイッチ素子のゲート線を使用して、信号線が交差
しないようにマトリックスをドレイン側に形成したこと
を特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011988A JPS62171373A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 光電変換装置 |
| US07/005,767 US4788445A (en) | 1986-01-24 | 1987-01-21 | Long array photoelectric converting apparatus with insulated matrix wiring |
| US07/396,760 US4916326A (en) | 1986-01-24 | 1989-08-22 | Long array photoelectric converting apparatus with reduced crosstalk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011988A JPS62171373A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62171373A true JPS62171373A (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=11792967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011988A Pending JPS62171373A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62171373A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0303819A2 (de) * | 1987-08-21 | 1989-02-22 | Heimann Optoelectronics GmbH | Integrierte Schaltung zum Auslesen eines optoelektronischen Bildsensors |
| JPH02265362A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメージセンサ装置 |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61011988A patent/JPS62171373A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0303819A2 (de) * | 1987-08-21 | 1989-02-22 | Heimann Optoelectronics GmbH | Integrierte Schaltung zum Auslesen eines optoelektronischen Bildsensors |
| JPH02265362A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメージセンサ装置 |
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