JPS6126364A

JPS6126364A - 画像読取装置

Info

Publication number: JPS6126364A
Application number: JP14696484A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Nakagawa; 克己中川; Toshiyuki Komatsu; 利行小松; Shinichi Kiyofuji; 清藤　伸一; Katsunori Hatanaka; 勝則畑中
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-07-17
Filing date: 1984-07-17
Publication date: 1986-02-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は画像読取装置に係り、特に入射した光の情報を
蓄積する手段を有する画像読取装置に関する。

本発明はファクシミリ等の画像読取部に適用される。

［従来技術］第３図は従来の画像読取装置の回路図である。

ただし、ここでは９個の光センサを有する光センサアレ
イの場合を一例として取り上げる。

同図において、光センサＥ１〜Ｅ９は、３個で１ブロツ
クを構成し、３ブロツクで光センサアレイを構成してい
る。光センサＥｌ−Ｅ９に各々対応しているコンデンサ
０１〜Ｃ９、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９も同
様である。

各光センサＥｌ−Ｅ９の一方の電極（共通電極）は電源
１０１に接続され、他方の電極（個別電極）は各々コン
デンサ０１〜Ｃ９を介して接地されている。

また、光センサＥ１〜Ｅ９の各ブロック内で同一順番を
有する個別電極は、各々スイッチングトランジスタＴｌ
−Ｔ９を介して、共通線１０２〜１０４のひとつに接続
されている。

詳細に言えば、各ブロックの第１のスイッチングトラン
ジスタＴ１．Ｔ４、Ｔ７が共通線１０２に、各ブロック
の第２のスイッチングトランジスタＴ２、Ｔ５、Ｔ８が
共通線１０３に、そして各ブロックの第３のスイッチン
グトランジスタＴ３、Ｔ６、Ｔ９が共通線１０．４に、
それぞれ接続されている。

共通線１０２〜１０４は、各々スイッチングトランジス
タＴｌ０−Ｔ１２を介して、アンプ１０５に接続されて
いる。

またスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９のゲート電極
はブロック毎に共通に接続され、それぞれシフトレジス
タ１０６の並列出力端子に接続されている。シフトレジ
スタ１０６の並列用′カ端子からは所定のタイミングで
順次ハイレベルが出力されるから、スイッチングトラン
ジスタＴ１〜Ｔ９はブロック毎に順次オン状態となる。

また、スイッチングトランジスタＴＩＯ〜Ｔ１２の各ゲ
ート電極はシフトレジスタ１０７の並列出力端子に接続
され、この並列出力端子からハイレベルが所定のタイミ
ングで順次出力さレルことで、スイッチングトランジス
タＴＩＯ〜Ｔ１２が順次オン状態となる。

さらに、スイッチングトランジスタＴＩＯ〜Ｔ１２の共
通に接続された端子は放電用のスイッチングトランジス
タＴ１３を介して接地され、スイッチングトランジスタ
Ｔ１３のゲート電極は端子１０８に接続されている。

このような構成を有する従来の画像読取装置の動作を簡
単に説明する。

光センサＥｌ−Ｅ９に光が入射すると、その強度に応じ
て電源１０１からコンデンサＣｌ−Ｃ９に電荷が蓄積さ
れる。

続いて、シフトレジスタ１０６および１０７がらそれぞ
れのタイミングで順次ハイレベルが出力されるが、いま
両レジスタの第１の並列出力端子からハイレベルが出力
されたとする。

すると、第１のブロックのスイッチングトランジスタＴ
１〜Ｔ３と共通線１０２に接続されたスイッチングトラ
ンジスタＴＩＯがオン状態となり、コンデンサＣＩに蓄
積されている電荷が、スイッチングトランジスタＴ１、
共通線１０２、そしてスイッチングトランジスタＴＩＯ
を通って、アンプ１０５へ入力し、画像情報として出力
される。

コンデンサＣ１に蓄積されている電荷が読み出されると
、端子１０８にハイレベルが印加され、スイッチングト
ランジスタＴ１３がオン状態となる。これによって、コ
ンデンサＣ１の残留電荷は、スイッチングトランジスタ
Ｔ１、共通線１０２、スイッチングトランジスタＴｌ０
１そしてスイッチングトランジスタＴ１３を通して完全
に放電される。

続いて、シフトレジスタ１０６の第１の並列出力をハイ
レベルにしたままで、シフトレジスタ１０７を順次シフ
トさせスイッチングトランジスタＴｌｌ、Ｔ１２を順に
オン状態とする。これによって、コンデンサＣ２および
Ｃ３に関して上記の読み出しおよび放電動作を行ない、
それらに蓄積されている情報を順次読み出す。

こうして、第１ブロツクの情報の読み出しが終了すると
、シフトレジスタ１０６を順次シフトさせ、第２そして
第３ブロツクの情報の読み出しを上記と同様に行なう。

このように、コンデンサ０１〜Ｃ９に蓄積された情報は
シリアルに読み出され、アンプ１０５から画像情報とし
て出力される。

第３図に示される従来の画像読取装置は、電荷蓄積用の
コンデンサを有しているために、出力信号を大きくする
ことができる。

また、光センサＥ１〜Ｅ９、コンデンサ０１〜Ｃ９およ
びスイッチングトランジスタＴｌ−７９を、薄膜半導体
によって同一基板上に形成した場合、外部回路との接続
点の数を少なくすることができる等の利点を有している
。

しかしながら、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）はオン
状態での抵抗が高い、という特性を有している。そのた
めに、コンデンサ０１〜Ｃ９の容量とそれに対応するス
イッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９の抵抗値によって決
定される時定数が大きくなり、さらに共通線１０２〜１
０−４およびスイッチングトランジスタＴＩＯ〜Ｔ１３
の寄生容量や抵抗等によって、コンデンサ０１〜Ｃ９の
放電時間がながくなる。したがって、このような従来の
画像読取装置では、情報の読み取り動作に時間がかかる
、いう問題点を有していた。

さらに、従来の画像読取装置は、コンデンサ０１〜Ｃ９
の各々について、その都度、読み取り後の放電動作を必
要とするために、十分な高速動作が行なえないという問
題点も有していた。

［発明の目的コ本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は高速で動作させることができ、且つ外部回路
との接続点の少ない画像読取装置を提供することにある
。

［発明の概要］上記目的を達成するために、本発明はブロック毎の情報
を一旦別個のコンデンサに転送し、それらのコンデンサ
から順次読み出した後、ブロック毎に放電することを特
徴とする。

［発明の実施例］以下９本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明による画像読取装置の一実施例の回路
図である。

ただし、本実施例では、光センサＥ１〜Ｅ９、コンデン
サ０１〜Ｃ９、スイッチングトランジスタＴｌ−Ｔ１２
、およびシフトレジスタ１０６．１０７等の構成は、第
３図に示される従来例と同様であるから、その説明は省
略す番。

第１図において、共通線１０２〜１０４は、それぞれコ
ンデンサｃ　１ｏＬｃ　１２を介して接地され、且つス
イッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ３を介して接地さ
れている。

コンデンサＣｌ０−Ｃ１２の容量はコンデンサ０１〜Ｃ
９のそれよりも十分大きくとっておく。

スイッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ３の各ゲート電
極は共通に接続され、端子１０８に接続されている。す
なわち、端子１０８にハイレベルが印加されることで、
スイッチングトランジスタＣＴＩ−ＣＴ３は同時にオン
状態となり、共通線１０２〜１０４が接地されることに
なる。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第２
図に示すスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１２および
ＣＴＩ−ＣＴａのタイミングチャートを用いて説明する
。ただし、第２図では、各スイッチングトランジスタが
オン状態となるタイミングを示しているが、むろんこの
タイミングはシフトレジスタ１０６および１０７から出
力されるハイレベルのタイミングでもある。

まず、光センサＥ１〜Ｅ９に光が入射すると、その強度
に応じて電源１０１からコンデンサＣ１〜Ｃ９に電荷が
蓄積される。

そして、まずシフトレジスタ１０６の第１の並列端子か
らハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタＴ
１〜Ｔ３がオン状態になる［第２図（ａ）］。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ３がオン状態となる
ことで、コンデンサ０１〜Ｃ３に蓄積されていた電荷が
、それぞれコンデンサＣＩＯ〜Ｃ１２へ転送される。

続いて、シフトレジスタ１０７がシフトして、スイッチ
ングトランジスタＴｌ０−Ｔ１２が順次オン状態となる
［第２図（ｄ）〜（ｆ）］。

これによって、コンデンサＣｌ０−Ｃ１２に転送され蓄
積された第１ブロツクの光情報が順次読み出される。

第１ブロツクの情報が読み出されると、端子１０８にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴＩ
−ＣＴ３は同時にオン状態となる［第２図（ｇ）コ。

これによって、コンデンサＣ１−Ｃ５およびコンデンサ
ＣＩＯ〜Ｃ１２の残留電荷が完全に放電され、再び光情
報蓄積状態となる。

続いて、シフトレジスタ１０６がシフトし、第２の並列
出力端子からハイレベルが出力され、スイッチングトラ
ンジスタＴ４〜Ｔ６がオン状態になる［第２図（ｂ）］
。そして第１ブロックと同様に、第２ブロツクの情報読
み出し動作が行なわれる。第３ブロツクも同様である。

このように、第２図に示されるシフトレジスタ１０６お
よび１０７のシフートタイミング、そして端子１０８へ
のハイレベルの印加タイミングによって、コンデンサ０
１〜Ｃ９に蓄積された情報が順次読み出される。

その際、コンデンサ０１〜Ｃ９に蓄積された情報は、ブ
ロック毎に同時にコンデンサ０１ＯＮＣ１２へ転送され
、コンデンサＣＩＯ〜Ｃ１２に転送され蓄積された情報
がスイッチングトランジスタＴ１０〜ＴＩ２によって時
系列的に読み出される。

このために、従来のようにコンデンサＣ１−Ｃ９の各々
について９回必要であった転送および放電を、この場合
は３回に削減することができ、全体として読み取り時間
を短縮することができる。

なお、本実施例では、９個の光セ、ンサを３つのブロッ
クに分けて説明したが、これに限定されるものではない
。所望の個数の光センサを所望の数のブロックに分けて
構成することは、本実施例から容易に行なうことができ
る。

［発明の効果コ以上詳細に説明したように、本発明による画像読取装置
は、光情報を一時的に蓄積する別個の蓄積手段と、その蓄積
手段に並列に放電用スイッチ手段とを有するために、薄
膜トランジスタを用いる場合であっても、全体として動
作速度を向上させることができる。

また、放電用スイッチ手段を有するために、コンデンサ
をその都度完全放電させることができ、蓄積、読み出し
、そして放電の各動作が確実となって、画像読み取りの
信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による画像読取装置の一実施例の回路図
、第２図は本実施例の動作を説明するためのタイミングチ
ャート、第３図は従来の画像読取装置の一例を示す回路図である
。Ｅ１〜Ｅ９・・争光センサ、０１〜Ｃ１２＠・Φコンデンサ、Ｔｌ−Ｔ１２．ＣＴＩ〜ＣＴ３

Claims

【特許請求の範囲】

（１）複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の
各々に対応して設けられ前記光電変換素子の各出力信号
を蓄積する第１の蓄積手段と、該第１の蓄積手段に蓄積
された信号を一定数ずつ順次取り出す第１のスイッチ手
段と、該第１のスイッチ手段によって取り出された前記
一定数の信号を時系列的に取り出す第２のスイッチ手段
とを有する画像読取装置において、前記第１のスイッチ手段によって取り出された前記一定数の信号を各々蓄積する第２の蓄積手段
と、該第２の蓄積手段の各々と並列に放電用スイッチ手段とを設け、前記第２の蓄積手段に蓄積された信号を前記第２のスイッチ手段によって時系列的に取り出すこ
とを特徴とする画像読取装置。