JPS6069969A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS6069969A JPS6069969A JP58177378A JP17737883A JPS6069969A JP S6069969 A JPS6069969 A JP S6069969A JP 58177378 A JP58177378 A JP 58177378A JP 17737883 A JP17737883 A JP 17737883A JP S6069969 A JPS6069969 A JP S6069969A
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- Japan
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- switching element
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- image sensor
- preamplifier
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[弁明の技術分野]
この発明は、光電変換素子アレイを用いて原稿等の画像
面上の画像を電気信号として読取るイメージセンタに関
する。
面上の画像を電気信号として読取るイメージセンタに関
する。
[発明の技14.i的背川とその問題点]この種のイメ
ージセンタノは、基本的に第1図に示づように構成され
ている。すなわち、D1〜D1)はフォトダイオードあ
るいは非晶質また多結晶質膜等からなる電荷蓄積型の光
電変換素子(以下)Aトタイオードという)であり、通
常、−列に配列されている。これらの、フォトダイオー
ドD1〜DOは画像面からの大剣光量()第1〜ン数)
に対応した電荷を発生して容JIfiC1〜Cn (電
極間容量、接合容量、配線浮遊容量等)に蓄、積するも
ので、その各一端は電源Eに接続され、各他端はMO8
−FETのようなスイッチング素子群81〜3 nにそ
れぞれ接続されている。スイッチング素子群81〜S
11はシフトレジスタSRにより順次駆動され、容量C
1〜Onに蓄積されている電荷信号を読出す。−リ゛な
わち、スイッチング素子群81〜3nが順次オン状態と
なり、1ラインの読取りが終了した後再ひAン状態どな
るまでの時間、光電変換素子群D1〜[)nの発生電荷
を容量C1〜Cnに蓄積し、その蓄積電荷をスイッチン
グ素子群81〜S nのうらの対応するスイッチング素
子が再度Aン状態になった時に読出ザのである。
ージセンタノは、基本的に第1図に示づように構成され
ている。すなわち、D1〜D1)はフォトダイオードあ
るいは非晶質また多結晶質膜等からなる電荷蓄積型の光
電変換素子(以下)Aトタイオードという)であり、通
常、−列に配列されている。これらの、フォトダイオー
ドD1〜DOは画像面からの大剣光量()第1〜ン数)
に対応した電荷を発生して容JIfiC1〜Cn (電
極間容量、接合容量、配線浮遊容量等)に蓄、積するも
ので、その各一端は電源Eに接続され、各他端はMO8
−FETのようなスイッチング素子群81〜3 nにそ
れぞれ接続されている。スイッチング素子群81〜S
11はシフトレジスタSRにより順次駆動され、容量C
1〜Onに蓄積されている電荷信号を読出す。−リ゛な
わち、スイッチング素子群81〜3nが順次オン状態と
なり、1ラインの読取りが終了した後再ひAン状態どな
るまでの時間、光電変換素子群D1〜[)nの発生電荷
を容量C1〜Cnに蓄積し、その蓄積電荷をスイッチン
グ素子群81〜S nのうらの対応するスイッチング素
子が再度Aン状態になった時に読出ザのである。
そして、この読出し電荷が検出回路DE下を介して読み
取り出力として取出される。
取り出力として取出される。
しかしながら、この構成ではスイッチング素子群81〜
3nのスイッチングノイズが読取り出力に重畳−すると
いう問題があった。このスイッチングノイズの電荷は、
第2図に示すJ:うに1つのスイッチング素子(MOS
−F E下)のソース・ゲート間容量をCsg、Fレ
イン・ゲート間容吊をCd(]とし、グー1〜電圧をV
OとしてQnoise = (C3(IトCd!J)V
gで近似される。このノイズ電荷か本来の人Q・1光量
に応じた電荷(以下、信号型部という)より太きいと、
信号電荷の胱出しは不可能どなる。
3nのスイッチングノイズが読取り出力に重畳−すると
いう問題があった。このスイッチングノイズの電荷は、
第2図に示すJ:うに1つのスイッチング素子(MOS
−F E下)のソース・ゲート間容量をCsg、Fレ
イン・ゲート間容吊をCd(]とし、グー1〜電圧をV
OとしてQnoise = (C3(IトCd!J)V
gで近似される。このノイズ電荷か本来の人Q・1光量
に応じた電荷(以下、信号型部という)より太きいと、
信号電荷の胱出しは不可能どなる。
[発明の目的]
この発明の目的は、信号読出し用のスッヂング素子のス
イッチングノイズを確実に除去してS/間の良好な画像
読取り出力が得られるようにしたイメージセンイノを提
供づることにある。
イッチングノイズを確実に除去してS/間の良好な画像
読取り出力が得られるようにしたイメージセンイノを提
供づることにある。
この発明の他の目的は、信号読出し回路を複数個の集積
回路素子で構成した場合に各集積回路素子間でのオフセ
ット電圧のバラツキを少なくし、tu W型イメージセ
ンリ=のような長尺のイメージセンタにおいても高品質
の画像読取り出力が得られるJζうにしたイメージセン
サを提供づることにある。
回路素子で構成した場合に各集積回路素子間でのオフセ
ット電圧のバラツキを少なくし、tu W型イメージセ
ンリ=のような長尺のイメージセンタにおいても高品質
の画像読取り出力が得られるJζうにしたイメージセン
サを提供づることにある。
[発明の概要]
この発明は、読取るべき画像面からの入射光を電気信号
に変換する複数個の光電変換素子と、これらの光電変換
素子にそれぞれ接続された前置増幅器と、これらの前置
増幅器の出力)3号を順次選択して読出づ゛第1のスイ
ッチング素子l!Yど、これら第1のスイッチング素子
群ににつて読出された信号を順次一時記憶り−る記憶手
段と、この記憶手段か第1のスイッチング素子により読
出された信号を記憶した後に対応する前置増幅器の入力
端電位を初期状態にリゼッ1〜乃るリレン1〜手段と、
このリセット手段のりレフ1〜動作後同じ前置増幅器の
出力を再び読出す第2のスイッチング素子群と、この第
2のスイッチング素子群によって読出された信号と記憶
手段の出力信号との差を検出して画像読取り出力を得る
手段どを(1^えたことを特数としている。
に変換する複数個の光電変換素子と、これらの光電変換
素子にそれぞれ接続された前置増幅器と、これらの前置
増幅器の出力)3号を順次選択して読出づ゛第1のスイ
ッチング素子l!Yど、これら第1のスイッチング素子
群ににつて読出された信号を順次一時記憶り−る記憶手
段と、この記憶手段か第1のスイッチング素子により読
出された信号を記憶した後に対応する前置増幅器の入力
端電位を初期状態にリゼッ1〜乃るリレン1〜手段と、
このリセット手段のりレフ1〜動作後同じ前置増幅器の
出力を再び読出す第2のスイッチング素子群と、この第
2のスイッチング素子群によって読出された信号と記憶
手段の出力信号との差を検出して画像読取り出力を得る
手段どを(1^えたことを特数としている。
すなわち、光電変換素子からの信号を読出ずためのスイ
ッチング素子群の前段に前置増幅器をそれぞれ設(プる
ことによって、スイッチングノイズが読取り出力に現わ
れるのを防止するとともに、前置増幅器の入力端電位を
リセッ1〜する前と後の前置増幅器の出力信号の差を検
出りることで画像読取り出力を得るようにしたものであ
る。
ッチング素子群の前段に前置増幅器をそれぞれ設(プる
ことによって、スイッチングノイズが読取り出力に現わ
れるのを防止するとともに、前置増幅器の入力端電位を
リセッ1〜する前と後の前置増幅器の出力信号の差を検
出りることで画像読取り出力を得るようにしたものであ
る。
[発明の効果コ
この発明によれば、スイッチングノイズは低インピータ
ンスである前置増幅器の出力に吸収されるため、画像読
取り出力にはほと/Vど現われなくなる。
ンスである前置増幅器の出力に吸収されるため、画像読
取り出力にはほと/Vど現われなくなる。
また、前置増幅器の入力端電位をリセッl−ffる前と
後の出力信号の差をとることによって、信号成分のみが
検出され前置増幅器等のオフセラ1〜電圧力はキA7ン
セルされるので、例えば前置増幅器と第1.第2のスイ
ッチング素子群およびリセツ1〜手段ならびにこれらの
駆動手段を所定数個ずつまとめて同一の集積回路素子上
に形成した場合【こ各集積回路素子間でオフセット電圧
のバラツキがあっても、このAフセツト電圧のバラツキ
の影響が画像読取り出力に現われることもない。
後の出力信号の差をとることによって、信号成分のみが
検出され前置増幅器等のオフセラ1〜電圧力はキA7ン
セルされるので、例えば前置増幅器と第1.第2のスイ
ッチング素子群およびリセツ1〜手段ならびにこれらの
駆動手段を所定数個ずつまとめて同一の集積回路素子上
に形成した場合【こ各集積回路素子間でオフセット電圧
のバラツキがあっても、このAフセツト電圧のバラツキ
の影響が画像読取り出力に現われることもない。
従って、光電変換素子の出力信号レベルが微小でもS/
Nが良好ひ、しかも直流分の均一な高品質の画19読取
り出力を得ることが可能である。
Nが良好ひ、しかも直流分の均一な高品質の画19読取
り出力を得ることが可能である。
[発明の実施例J
第3図はこの発明の一実施例のイメージセン1すの回路
構成図である。
構成図である。
図において、光電変換素子D1〜Qnの各一端は駆動電
源Eに接続され、各他端【ま前置増幅器A1−八〇に接
続されている。前置増幅器A1〜A11はこの例では高
入力インピータンス、低出力インピーダンスの差動増幅
器であり、その非反転)(万端に光電変換素子D1〜[
〕1)の出力信号か人力され、また反転入力端は出力端
と直結されている。
源Eに接続され、各他端【ま前置増幅器A1−八〇に接
続されている。前置増幅器A1〜A11はこの例では高
入力インピータンス、低出力インピーダンスの差動増幅
器であり、その非反転)(万端に光電変換素子D1〜[
〕1)の出力信号か人力され、また反転入力端は出力端
と直結されている。
また前置増幅器A1〜Allの非反転入力端とアース間
には、リセツ1〜スーrツチS1゛1〜3r11がそれ
ぞれ接続されている。
には、リセツ1〜スーrツチS1゛1〜3r11がそれ
ぞれ接続されている。
前置増幅器A1〜A 11の出力端は第1および第2の
スイッチング素子群311〜S1++、321〜521
1に接続されている。ここでリセットスイッチ3rl〜
3r15よび第1.第2のスイッチング素子1!l’
311〜5111.821〜S2【1はシフ1−レジス
タSR(SR1、SRI −〜SRm 、SRm−ンに
よッテ駆動される。なおSRI〜S F(mはII/I
II段のシフ1〜レジスタであり、SRI −〜3 R
nl −は1段のシフ1−レジスタである。
スイッチング素子群311〜S1++、321〜521
1に接続されている。ここでリセットスイッチ3rl〜
3r15よび第1.第2のスイッチング素子1!l’
311〜5111.821〜S2【1はシフ1−レジス
タSR(SR1、SRI −〜SRm 、SRm−ンに
よッテ駆動される。なおSRI〜S F(mはII/I
II段のシフ1〜レジスタであり、SRI −〜3 R
nl −は1段のシフ1−レジスタである。
第1のスイッチング素子群311〜S1[1は第1の共
通出力線し1に接続され、第2のスイッチング素子群3
21〜5211は第2の共通出力線し2にそれぞれ接続
されている。そして第1の共通出力線L1は記憶手段と
してのサンプルホール1〜回路S、・′Hを介して差動
増幅器AOの非反転入力端に、また第2の共通出力線L
2は差動増幅器Aoの反転入力p?lにそれぞれ接続さ
れ、この差動増幅器AOの出力信号が画1象読取り出力
として出力端子OUTに取出されるようになっている。
通出力線し1に接続され、第2のスイッチング素子群3
21〜5211は第2の共通出力線し2にそれぞれ接続
されている。そして第1の共通出力線L1は記憶手段と
してのサンプルホール1〜回路S、・′Hを介して差動
増幅器AOの非反転入力端に、また第2の共通出力線L
2は差動増幅器Aoの反転入力p?lにそれぞれ接続さ
れ、この差動増幅器AOの出力信号が画1象読取り出力
として出力端子OUTに取出されるようになっている。
なお、この実施例にJ3いては前置増幅器A1〜A11
.リセッ1〜スッチ3 rl 〜3 rn、第1.第2
のスイッチング素子群ski〜Sln、S21〜$21
1は「1Im個ずつまとめられて、対応するシフ1〜レ
ジスタSRI 、SR1′〜SRn+ 、SRm−とと
もにml[pの集積回路素子IC1〜ICIII上に形
成されている。また、これらの集積回路素子ICI〜I
C1nは好ましくは光電変換素子D1〜[)nと同一基
板上に配設される。集積回路素子IC1〜IC111内
にはさらに第1.第2の出力スイッチ831〜33+1
1,341〜34mが設けられており、各集積回路素子
IC1〜I Cnl J=の第゛1.第2のスイッチン
グ素子群311〜3In、321〜5211はそれぞれ
これらの出力スイッチ331〜33111.341〜3
4mを介して第1.第2の共通出力線L1 、L2に接
続されている。
.リセッ1〜スッチ3 rl 〜3 rn、第1.第2
のスイッチング素子群ski〜Sln、S21〜$21
1は「1Im個ずつまとめられて、対応するシフ1〜レ
ジスタSRI 、SR1′〜SRn+ 、SRm−とと
もにml[pの集積回路素子IC1〜ICIII上に形
成されている。また、これらの集積回路素子ICI〜I
C1nは好ましくは光電変換素子D1〜[)nと同一基
板上に配設される。集積回路素子IC1〜IC111内
にはさらに第1.第2の出力スイッチ831〜33+1
1,341〜34mが設けられており、各集積回路素子
IC1〜I Cnl J=の第゛1.第2のスイッチン
グ素子群311〜3In、321〜5211はそれぞれ
これらの出力スイッチ331〜33111.341〜3
4mを介して第1.第2の共通出力線L1 、L2に接
続されている。
次に、この実施例の具体的な動作を説明リ−る。
シフ1〜レジスタSRは1ラインの読取り毎にその初段
にデータパ1°′を入力され、これを転送りロックψc
kにより転送す゛ることににって第1のスイッチング素
子群371〜5111を順次駆動゛りるどとちに、第2
のスイッチング素子?!I′S21〜3211J7 J
:ひリセッ1〜スイッチ3rl〜Srnを第1のスイッ
チング素子群811〜511)より1り]]ツタ分位)
■をずらせて順次駆動する。
にデータパ1°′を入力され、これを転送りロックψc
kにより転送す゛ることににって第1のスイッチング素
子群371〜5111を順次駆動゛りるどとちに、第2
のスイッチング素子?!I′S21〜3211J7 J
:ひリセッ1〜スイッチ3rl〜Srnを第1のスイッ
チング素子群811〜511)より1り]]ツタ分位)
■をずらせて順次駆動する。
今、光電変換素子D1の出力信号を読出ず場合に注目す
ると、まず第1のスイッチング素子S11がオンになる
ことによって、前置増幅器A1て増幅された光電変換素
子D1の出力15号がこのスイッチング素子S11を介
して読出され、8Iうにこのときオンとなっている第1
の出力スイッチ831を介して第1の共通出力線し1上
に導かれて、リーンプルホールド回路S/ト1により記
憶保持される。
ると、まず第1のスイッチング素子S11がオンになる
ことによって、前置増幅器A1て増幅された光電変換素
子D1の出力15号がこのスイッチング素子S11を介
して読出され、8Iうにこのときオンとなっている第1
の出力スイッチ831を介して第1の共通出力線し1上
に導かれて、リーンプルホールド回路S/ト1により記
憶保持される。
次にシフ1−レジスタSRが1段転送動作を11なうと
、リセッ1〜スイッチSr1がオンどなって前置増幅器
A1の非反転入力端の電位がアース電位にすレッ1〜さ
れると同時に、第2のスイッチング素子321がオンど
なり、このときの前回増幅器A1の出力信号がこのスイ
ッチング素子S21を介して読出され、さらに同時にオ
ンとなっている第2の出カスイツヂS41を介して第2
の共通出力線L2上に導かれ、差動増幅器AOの反転入
力端に与えられる。この結果、差動増幅器AC+の出力
にはザンブルボールド回路S/ト1に記憶保持されてい
た前回増幅器A1のオフセット電圧力を含んだ信号と共
通出力線L2から与えられる前置増幅器A11のオフセ
ラ1−電圧力のみの信号との差信号、すなゎ15前向増
幅器A1によってスイッチングノイズが除去され、しか
も前置増幅器A1のオフセット電圧が除去された信号が
画1象読取り出力として得られることになる。
、リセッ1〜スイッチSr1がオンどなって前置増幅器
A1の非反転入力端の電位がアース電位にすレッ1〜さ
れると同時に、第2のスイッチング素子321がオンど
なり、このときの前回増幅器A1の出力信号がこのスイ
ッチング素子S21を介して読出され、さらに同時にオ
ンとなっている第2の出カスイツヂS41を介して第2
の共通出力線L2上に導かれ、差動増幅器AOの反転入
力端に与えられる。この結果、差動増幅器AC+の出力
にはザンブルボールド回路S/ト1に記憶保持されてい
た前回増幅器A1のオフセット電圧力を含んだ信号と共
通出力線L2から与えられる前置増幅器A11のオフセ
ラ1−電圧力のみの信号との差信号、すなゎ15前向増
幅器A1によってスイッチングノイズが除去され、しか
も前置増幅器A1のオフセット電圧が除去された信号が
画1象読取り出力として得られることになる。
光電変換素子D1に対応するりセラ[・スイッチSr1
と第2のスイッチング素子S21かオンになった時点で
は、同時に光電変換素子D2に対応する第1のスイッチ
ング素子S12がオンとなっているが、次にシフトレジ
スタSRがさらに1段転送動作を行なうとリセットスイ
ッチS1・2と第2のスイッチング素子S22がオンと
なることにより、同様に今度は光電変換素子D2の出ツ
ノ信号が、スイッチングノイズおにび前置増幅器△2の
オフレット電圧の除去された画像読取り出力として差動
増幅器AOから得られる。以下同様にして、シフ1〜レ
ジスクSRの転送動作に同期してスイッチングノイズお
よびオフセラ1〜電圧の除去されたS 、/ Nの良い
、また直流分の変動のない高品質な画像読取り出力を1
qることかできる。
と第2のスイッチング素子S21かオンになった時点で
は、同時に光電変換素子D2に対応する第1のスイッチ
ング素子S12がオンとなっているが、次にシフトレジ
スタSRがさらに1段転送動作を行なうとリセットスイ
ッチS1・2と第2のスイッチング素子S22がオンと
なることにより、同様に今度は光電変換素子D2の出ツ
ノ信号が、スイッチングノイズおにび前置増幅器△2の
オフレット電圧の除去された画像読取り出力として差動
増幅器AOから得られる。以下同様にして、シフ1〜レ
ジスクSRの転送動作に同期してスイッチングノイズお
よびオフセラ1〜電圧の除去されたS 、/ Nの良い
、また直流分の変動のない高品質な画像読取り出力を1
qることかできる。
前置増幅器A1〜AnのA)Lツ1〜電圧は個々の集積
回路素子IC1〜IcIII内でのバラツキは比較的小
さいが、読取り速度を高速化するため光電変換素子D1
〜l) nの電荷蓄積時間を短くした場合等のように光
電変換素子D1〜l) nの出ツノ信号レベルが微小に
なると、このバラツキが無視できなくなってくる。しか
し上記のような構成とすれば、各集積回路素子ICI〜
lCn+間での前置増幅器のオフセット電圧の大きなバ
ラツキばかりでなく、各集積回路素子IC1〜ICm内
での微小なハラツギをも除去できるという利点がある。
回路素子IC1〜IcIII内でのバラツキは比較的小
さいが、読取り速度を高速化するため光電変換素子D1
〜l) nの電荷蓄積時間を短くした場合等のように光
電変換素子D1〜l) nの出ツノ信号レベルが微小に
なると、このバラツキが無視できなくなってくる。しか
し上記のような構成とすれば、各集積回路素子ICI〜
lCn+間での前置増幅器のオフセット電圧の大きなバ
ラツキばかりでなく、各集積回路素子IC1〜ICm内
での微小なハラツギをも除去できるという利点がある。
以上説明したように、この発明によればスイッチングノ
イズa3 J:びオフセラ1〜電圧が効果的に除去され
ることによって微小レベルでも高品質な画像読取り出力
を得ることができるので、光電変換素子の電極面(^が
小さくともよく高解像度であっ−C1入射光但も少なく
て済み、また電荷蓄積時間か短くてよいため高速動作の
可能なイメージセンサ−を提供づることができる。また
光電変換素子をアモルファスシリ」ン股等で形成した場
合、イメージセンサ−の長尺化、大面積化が容易であり
、光応答速度ム速くできるので、特に密着型イメージヒ
ン1すに好適ひある。
イズa3 J:びオフセラ1〜電圧が効果的に除去され
ることによって微小レベルでも高品質な画像読取り出力
を得ることができるので、光電変換素子の電極面(^が
小さくともよく高解像度であっ−C1入射光但も少なく
て済み、また電荷蓄積時間か短くてよいため高速動作の
可能なイメージセンサ−を提供づることができる。また
光電変換素子をアモルファスシリ」ン股等で形成した場
合、イメージセンサ−の長尺化、大面積化が容易であり
、光応答速度ム速くできるので、特に密着型イメージヒ
ン1すに好適ひある。
この発明は上記実茄例に限定されるものではなく、例え
ばこの発明は電荷蓄積モードで動作するイメージセンナ
以外にも適用が可能である。
ばこの発明は電荷蓄積モードで動作するイメージセンナ
以外にも適用が可能である。
第′1図は電荷蓄積型イメージセンサの基本構成を示9
図、第2図はその問題点を説明するための等価回路図、
第3図はこの発明の一実施例に係ゎるイメージセンサの
回路構成図である。 D1〜Qn・・・光電変換素子、A1〜All・・・前
置増幅器、S11〜31n・・・第1のスイッチング素
子群、821〜S2+1・・・第2のスイッチング素子
群、Sr1〜srn・・・リセットスイッチ、Ll、l
j・・・共通出力線、SR・・・シフ1〜し“ジスタ(
駆動手段)、IC1〜ICn1・・・集積回路素子、S
31〜531n、S41〜S4m・・・出力スイッチ、
S/1」・・・サンプルホールド回路(記憶手段)、A
O・・・差動増幅器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
図、第2図はその問題点を説明するための等価回路図、
第3図はこの発明の一実施例に係ゎるイメージセンサの
回路構成図である。 D1〜Qn・・・光電変換素子、A1〜All・・・前
置増幅器、S11〜31n・・・第1のスイッチング素
子群、821〜S2+1・・・第2のスイッチング素子
群、Sr1〜srn・・・リセットスイッチ、Ll、l
j・・・共通出力線、SR・・・シフ1〜し“ジスタ(
駆動手段)、IC1〜ICn1・・・集積回路素子、S
31〜531n、S41〜S4m・・・出力スイッチ、
S/1」・・・サンプルホールド回路(記憶手段)、A
O・・・差動増幅器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (4)
- (1)読取るべき画像面からの入射光を電気信号に変換
する複数個の光電変換素子と、これらの光電変換素子に
それぞれ接続された前置増幅器と、これらの前置増幅器
の出力信号を順次選択して読出す第1のスイッチング素
子群と、これら第1のスイッチング素子群によって読出
された信号を順次一時記憶する記憶手段ど、この記憶手
段が前記第1のスイッチング素子により読出された1を
号を記憶した後に対応する前記前置増幅器の入力端電位
を初期状態にリセットするリセット手段と、このリセッ
ト手段のリセッ1−動作後同じ前記前置増幅器の出力信
号を再び読出ず第2のスイッチング素子群と、この第2
のスイッチング素子群によって読出された信号と前記記
憶手段の出力信号との差を検出して画像読取り出力を得
る手段とを備えたことを特徴とづるイメージセンサ。 - (2)光電変換素子は読取るべき画像面からの入射光量
に応じた電荷を蓄積するものであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 - (3)前置増幅器と第1.第2のスイッチング素子群ど
リセット手段J3 にびこれら第1.第2のスイッチン
グ素子群とリセット手段を駆動する駆動手段が所定数個
ずつまとめられて同一の集積回路素子上に形成されてい
ることを特徴とする特工T請求の範囲第1項記載のイメ
ージセン()。 - (4)前置増幅器と第1.第2のスイッチング素子群と
リセット手段J7よびこれら第1.第2のスイッチング
素子群とリセット手段を駆動する駆動手段が所定数個ず
つまとめられ−C同一の集積回路素子上に形成されると
ともに、これらの集積回路素子と光電変換素子とが同一
基板上に配設されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58177378A JPS6069969A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58177378A JPS6069969A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6069969A true JPS6069969A (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=16029890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58177378A Pending JPS6069969A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6069969A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60248063A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
JPS62185471A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPS6328167A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサの駆動装置 |
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JPH0539751U (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-28 | 品川白煉瓦株式会社 | スライドバルブ装置用板状耐火パツキン及び該パツキン装着具 |
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US6747699B2 (en) | 1985-11-15 | 2004-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177378A patent/JPS6069969A/ja active Pending
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