JPS6069968A - イメ−ジセンサ - Google Patents

イメ−ジセンサ

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JPS6069968A
JPS6069968A JP58177377A JP17737783A JPS6069968A JP S6069968 A JPS6069968 A JP S6069968A JP 58177377 A JP58177377 A JP 58177377A JP 17737783 A JP17737783 A JP 17737783A JP S6069968 A JPS6069968 A JP S6069968A
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JP
Japan
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photoelectric conversion
output
preamplifier
image sensor
switching element
Prior art date
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Pending
Application number
JP58177377A
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English (en)
Inventor
Kohei Suzuki
公平 鈴木
Tamio Saito
斉藤 民雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS6069968A publication Critical patent/JPS6069968A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、光電変換素子アレイを用いて原稿等の画像
面上の画像を電気信号として読取るイメージセンサに関
する。
[発明の技術的背景とその問題点] この種のイメージセンサは、基本的に第1図に承りよう
に構成されている。すなわち、D1〜D11はフォトダ
イオードあるいは非晶質また多結晶質膜等からなる電荷
蓄積型の光電変換素子(以下)Al〜タイオードという
)であり、通常、−列に配511されている。これらの
フォトダイオードD1−[) r+は画像面からの、入
射光m()−71−1−ン数)に対応した電荷を発生し
て容IC1〜C11(電極間容量、接合容量、配線浮遊
容量等〉に蓄積するもので、その各一端は電源Eに接続
され、各他端はtvl OS −F E Tのようなス
イッチング素子群81〜3nにそれぞれ接続されている
。スイッチング素子群81〜3nはシフ1〜レジスクS
Rにより順次駆動され、容ICI〜Cnに蓄積されてい
る電荷信号を読出ず。ずなわら、スイッチング素子群S
1〜Snが順次オン状態となり、1ラインの読取りが終
了した後再びオン状態どなるまでのII;’i間、光電
変換素子群D1〜[]nの発生型部を容filC1〜C
11に蓄積し、その蓄積電荷をスイッチング素子群81
〜Snのうちの対応づ−るスイッチングア4子が再度オ
ン状態になった時に読出J−の′i11″ある。
そして、この読出し電荷が検出回路D [E ’T−を
介して読取り出力として取出される。
しかしながら、この構成ではスイッチング素子群81〜
3 nのスイッチングノイズが読取り出力に重畳すると
いう問題があった。このスイッチングノイズの電荷は、
第2図に示すように1つのスイッチング素子(MOS−
FET)のソース・グー1〜間容量をC3!]、ドレイ
ン・グー1へ間容量をCdgとし、グー1〜電圧をV 
C+としてQ noise = (Csg十Cd(+)
 V gで近似される。このノイズ電荷が本来の人q4
光最に応じた電荷(以下、信号電荷という)より大さい
ど、信号電荷の読出しは不可能となる。
[発明の目的1 この発明の目的は、信号読出し用のスッヂング素子のス
イッチングノイズを確実に除去してS/Nの良好な画1
象読取り出力が得られるようにしたイメージセンサを1
是供することにある。
この発明の他の目的は、信号読出し回路を複数個の集積
回路素子で構成した場合に各集積回路素子間でのAフセ
ッI・電圧のバラツキを少な(し、密W型イメージセン
サのような長尺のイメージセンυにJjいても高品質の
画像読取り出力が得られるJうにしたイメージセンサを
提供することにある。
[発明の概要コ この発明は、読取るべき画像面からの入射光を電気信号
に変換する複数個の光電変換素子と、これらの光電変操
素子にそれぞれ接続された前置増幅器と、これらの前置
増幅器の出力信号を順次選択して読出づ読出し用スイッ
チング素子群と、これらの読出し用スイッチング素子群
を駆動する駆動手段とを有するイメージセンサであって
、前置増幅器と読出し用スイッチング素子群1.I3よ
ひ駆動手段を所定数個ずつまとめて複数個の集積回路素
子上に形成するとともに、これらの集積回路素子上に前
置増幅器と同一形状・同一寸法に形成されて前置増幅器
の出力オフレフ1−電圧と同一電圧を出力づ゛るように
溝底された補助増幅器を形成し、さらに各集積回路素子
に対応さけて読出し用スイッチング素子群にJ:り読出
された信号を第1の共通用ツノ線に導く第1の出力スイ
ッチと、補助増幅器の出力信号を第2の共通出力線に導
く第2の出方スーfツチとを設け、第1および第2の共
通出力線上の信号の差を検出して画像読取り出力を冑る
ようにしたことを特徴としている。
づなわら、読出し用スイッチング素子の前段に前置増幅
器をそれぞれ設けることによっ−で、スイッチングノイ
ズが読取り出ツノに現われるのを防止す“るとともに、
前置増幅器の出力Aフセッl−?Ii珪を補助増幅器の
出力電圧を用いてキャンセルするようにしたちのである
[発明の効果] この5で明によれば、スーイツチングノイズは低インピ
ータンスである前置増幅器の出力に吸収されるため、画
像読取り出力にはほとんど現われなくなる。
また、同−集積回路素子上の前置増幅器の出力オフセラ
I・電圧と同一電圧を出力づる補助増幅器の出力を用い
てオフセラミル電圧を除去することから、同−各集積回
路素子間でオフレフ1−電圧のバラツキがあっても、こ
のA−フセツ[〜電圧のバラツキの影響か画像読取り出
力に現われることもない。
従って、光電変換素子の出力信号レベルが微小でもS/
’Nが良好で、しかも直流分の均一な高品質の画像読取
り出力を1qることが可能である。
「発明の実施例」 第3図はこの発明の一実施例のイメージセンサの回路構
成図である。
図にJ5いて、光電変換素子D1〜Dnの各一端は駆動
電源Eに接続され、各他端は前置増幅器A1〜A 11
に接続されている。前置増幅器A1〜A11はこの例で
は高入力インピーダンス、低出力インピータンスの差動
増幅器であり、その非反転入力端に光電変換素子D1〜
[)nの出力信号が人力され、また反転入力端は出力端
と直結され−Cいる。
また前置増幅器A1〜Δ11の非反転入力端どアース間
には、リセッ1−スイツヂSr1〜31’l+がそれぞ
れ接続されている。
前置増幅器A1〜A11の出力端は胱出し用スイッチン
グ素子群81〜3 nに接続されている。ここでリセッ
1〜スイッヂSr1〜3rnJ3よひ読出し用スイッチ
ング素子群81〜S0はシフ1−レジスタSR(SR1
、SRI ”〜SRm 、 SRm −)によって駆動
される。なおSR1〜SRmはn、/Il+段のシフ1
〜レジスタであり、SRI −〜SRm ′は1段のシ
フ1−レジスタである。
前置増幅器A1〜All、リセツ1−スッチS1゛1〜
S rn、読出し用スイッチング素子群S1〜3nは1
1/m個ずつまどめられて、対応するシフ1〜レジスタ
SR1、SR1′〜SRm 、SRm −とともにm個
の集積回路素子IC1〜ICm上に形成されている。ま
た、これらの集積回路素子IC1〜ICmは好ましくは
光電変換素子D1〜[)nと同−塁板上に配設される。
そして各集積回路IC1〜ICIII上には、さらに補
助増幅器Avl〜Avmが設けられ−Cいる。これらの
補助増幅器AVI〜AVII+はそれぞれ同−集積回路
素子IC1〜ICm上の前置増幅器Δ1へ・A 11と
同一形状・同一寸法に形成されlζもので、その反転入
力端は出力端と直結されるか非反転入力端は接地される
ことにJ二つて、同−集積回路素子上の前置増幅器の出
力Aフレッ1〜電圧と同一電圧を出力するように構成さ
れている。
また各集積回路素子IC1〜ICm上にはそれぞれ第1
.第2の出ノノスイ、ツチSS1〜3sm、3vl〜3
vmが設けられており、各集積回路素子ICI〜ICI
II上の読出し用スイッチング素子M¥、 81〜51
)1よ第1の出力スイッチ3s1〜3smを介して第゛
1の共通出力線L1に接続され、補助増幅器AV1〜A
vmの出力端は第1の出力スイッチSvl〜3vmを介
して第2の共通出力線L2に接続されている。
そして第1の共通出力線L1は抵抗R1を介して差動増
幅器AOの非反転入力端に接続さ4′シ、第2の共通出
力線L2は抵抗R2を介して差動増I出器AOの反転入
ツノ端に接続されている。差動増幅器AOの利1りは抵
抗R1〜R4によつ−C決定さtしる。
次に、この実施例の具体的な動作をd(明づる。
シフトレジスタSRは1ラインの読取り毎にその初段に
データ゛1パを入力され、これを転)2iり1」ツクφ
ckにより転送することによって胱出し用スイッチング
素子群81〜3 nを順次駆動するとともに、リセッ1
へスイッチ3r1〜3r11を読出し用スイッチング素
子群81〜S11より190・yり分位用をずらせて順
次駆動する。
今、光電変換素子D1の出力信号を読出す場合に注目す
ると、まず読出し用スイッチング素子S1がオンになる
ことにJ:って、前置増幅器A1−で増幅された光電変
lI!l!克子D1の出力信号がこのスイッチング素子
$1により読出される。このとき集積回路素子ICI上
の第1.第2の出力スイッチSSI、 SVIはオンと
なっており、読出し用スイッチング素子S1により読出
された信号は第1の出力スイッチSs1を介して第1の
其通出力線L1上に導かれ、また補助増幅器AVIの出
力は第2の出力スイッチL2を介して第2の共通出力線
L2上に導かれる。イして第1.第2の共通出ノrf!
jlL1、L2上の信号の差が差動増幅器へ〇にj−〇
検出される。この結果、前置増幅器△1によってスイッ
チングノイズが除去され、しかも前置増幅器A1の出ノ
jのオフセット電圧が補助増幅器AVIの出力電圧によ
って相殺された信号が画像読取り出力として出力端子O
UTに得られることになる。
次にシフ1−レジスタSRが1段転送動作を行なうと、
リセットスイッチS1゛1がオンどなって前置増幅器A
1の非反転入力端の電位がアース電位にリセッ1−され
ると同時に、読出し用スイッチング素子S2がオンどな
り、同様に今度は光電変換素子1〕2の出力信号が、ス
イッチングノイズおよび前置増幅器A2のオフセラ(〜
電圧の除去された画1象読取り出力として差動増幅器△
0から10られる。
そして集積回路素子IC1に接続された全ての光電変換
素子の出ツノ信号が画像読取り出力として取出されると
、集積回路素子IC4内の第1.第2の出力スイッチS
 sl、 S vlはオフとなり、代ね−)て次の集積
回路素子IC2上の第1.第2の出力スイッチがオンと
なって同様な動作か行われる。
以下同IHこして、シフ1−レジスタSRの転送動作に
同期してスイッチングノイズおよびAフセツ1〜電圧の
除去されたS/Nの良い、また直流分の変動のない高品
質な画像読取り出力をiワることかできる。
ところで、もし第1の出力スイッチS31〜5311が
ないとづると、第1の共通出力111の配線容量や読出
し用スイッチング素子S1〜3 nの電俺間容閲(例え
ばMOS−FETのグー1〜・ソース間容量)の総和が
前置増幅器A1〜Δ1]の電荷となるため、高速性の観
点から好ましくない。例えば通常のファクシミリ用イメ
ージセン勺てはnは1700〜4000程度であり、上
記容量の総1和は数100〜数10001)F程度とな
るから、読取り速度にかなり影響する。しかし第1の出
力スイッチSs1〜5Snlを設(プれば、各集積回路
素子IC4〜ICm間で読出し用スイッチング素子81
〜snが分離されるので、前置増幅器A1〜A 11の
負荷となる容量が減少し、読取り速度の高速化を図るこ
とができる。
さらに第2の出力スイッチSVI〜svmは各集積回路
素子IC7〜ICm間で補助増幅器AV1〜AVnlの
出力が相nに引き合って同電位になるのを防止するだめ
のもので、これを設けることによって各集積回路素子I
C1〜ICm上で確実に前置増幅器A1〜Δ11の出力
のオフセット電圧を除去することが可能となる。
第4図はこの発明の他の実施例を示すもので、補助増幅
器Av1〜Avmの反転入力端にダミーとして説けた光
電変換素子Dvl〜Qvn+を接続したものである。こ
の場合、光電変換素子Dvl〜Dνmは遮光状態に置か
れ、これにより補助増幅器AV1〜Avmは光電変換素
子D1〜D11に光が入射しでいない状態での前置増幅
器A1〜Anの出力電圧、すなわちAフセッ(−電圧と
同電圧を出力するようになっている。また、この場合補
助増幅器AVI〜Avmにも前置増幅器A1〜A 11
と同様にリセットスイッチ3 rv1〜3rvmを接続
づることによって、補助増幅器AV1〜Avmの出力か
ら前置増幅器A1〜Allの出力オフセラ1−・電圧に
より正確に一致した電圧をjqることができる。なJ3
、光電変換素子DV1〜Dvmを設ける代わりに、これ
と等価な容量素子を補助増幅器Av1〜Avmの非反転
入力端に接続しても同様な効果が得られる。この容量素
子は配線パターン等を利用り−ることにj;り容易に作
成することができる。
以上説明したように、この弁明によれはスイッチングノ
イズJ3よびAフセッl−電圧か効果的に除去されるこ
とによって微小レベルでも高品質な画像読取り出力を1
qることができるので、光電変換素子の電極面積が小さ
くともよく高跳(3)度であって、入射光量も少なくて
済み、また電荷蓄積81間が短くてよいため高速動作の
可能なイメージセンサを提供することができる。また光
電変換素子をアモルファスシリコンII!等で形成した
場合、イメージセンサの長尺化、大面積化が容易であり
、光応答速度も速くできるので、特に密着型イメージセ
ンサに好適である。
この発明は上記実施例に限定されるものではなく、例え
ば実施例では第1.第2の出力スイッチを集積回路素子
上に設()たが、外部に設けてもよい。また、実施例に
J7いては前置増幅器A1〜A11のリセッ1〜電位(
リセットスイッチS1゛1〜3rnの共通側電位)がア
ース電位となっているが、これに限定されるものではな
く、光電変換素子および回路が正常動作する範囲で任意
の電位に選べることはいうまでもない。この場合、第4
図の実施例におりる補助増幅器Avl〜Avmのリセッ
I〜電位も前置増幅器A1〜A 11のそれに合せて設
定すればよい。さらに、この発明は電荷蓄積モードで動
作するイメージセンサ以外にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は電vJ蓄積型イメージセンサの基本構成を示す
図、第2図はその問題点を説明するための等両回路図、
第3図および第4図はそれぞれこの発明の実施例に係わ
るイメージセンサの回路構成図である。 [)1〜[ln 、 [)vl 〜[)vm−・・光電
変換素子、A1〜An・・・前置増幅器、AV1〜Av
m・・・補助増幅器、81〜3 n・・・読出し用スイ
ッチング素子群、Sr1〜s rn、 3 rvl 〜
3 rvm−・・リセットスイッチ、S81〜5SI1
1・・・第1の出力スイッチ、S■1〜3vm・・・第
2の出力スイッチ、Ll・・・第1の共通出力線、L2
・・・第2の共通出力線、SR・・・シフj・レジスタ
(駆動手段)、IC1〜ICm・・・集積回路素子、A
O・・・差動増幅器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)読取るべき画像面からの入射光を電気信号に変換
    する複数個の光電変換素子と、これらの光電変換素子に
    それぞれ接続された前置増幅器と、これらの前置増幅器
    の出力信号を順次選択して読出す読出し用スイッチング
    素子群と、これらの読出し用スイッチング素子群を駆動
    する駆動手段どを有するイメージセンサであって、前記
    前置増幅器と読出し用スイッチング素子群および駆動手
    段を所定数個ずつまとめて複数個の集積回路素子上に形
    成するとともに、これらの集積回路素子上に前記前置増
    幅器と同一形状・同一寸法に形成され前記前置増幅器の
    出力オフセラ1〜電圧と同一電圧を出力覆る補助増幅器
    を形成し、さらに前記各集積回路素子に対応させて前記
    読出し用スイッチング素子群により読出された信号を第
    1の共通出力線に導く第1の出力スイッチと、前記補助
    増幅器の出力信号を第2の共通出力線に導く第2の出力
    スイッチとを設【プ、前記第1および第2の共通出力線
    上の信号の差を検出して画(や読取り出力を(9る構成
    とし・たことを特徴とするイメージセン”J n(2)
    光電変換素子は読取るべき画像面からの大剣光量に応じ
    た電荷を蓄積り−るらのであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 (3)集積回路素子ど光電変換素子とか同一基板上に配
    設されていることを特徴とする請求範囲第1項記載のイ
    メージセンサ。 (4)補助増幅器は入ノノ端が前置増幅器のりレツ1へ
    時の入力端電位と同電位に保持されていることを特徴と
    づる特許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 (5)補助増幅器は入力端が画像面からの入射光を電気
    信号に変換する光電変換素子と同一偶成−Cかつ遮光状
    態に置かれた光電変換素子またはこれと等画な容量素子
    に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のイメージセンサ。
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Cited By (4)

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