JPS62172857A - 光電式画像センサの読出し回路 - Google Patents
光電式画像センサの読出し回路Info
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- JPS62172857A JPS62172857A JP62007964A JP796487A JPS62172857A JP S62172857 A JPS62172857 A JP S62172857A JP 62007964 A JP62007964 A JP 62007964A JP 796487 A JP796487 A JP 796487A JP S62172857 A JPS62172857 A JP S62172857A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150036449 SIRPA gene Proteins 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電式画像センサの読出し回路に関する。
第１の端子を経て一定電圧を 与えられる多数のセンサ
要素を有し、センサ要素に読出しチャネルが個々に対応
付けられており、読出しチャネルがセンサ要素の第２の
端子に接続されており、また呼射に関係する電圧信号を
導き出す役割をし、各読出しチャネル内に、負帰還路を
設けられている差増幅器が配置されており、その出力端
がチャネル出力端を形成し、またチャネル出力端または
その一部分に生ずる電圧信号を順次に出力端に通す部分
回路が設けられている光電式画像センサは、「東芝しビ
ューー！第１４９号、１９８４年秋、第３３〜３６頁、
特に第５図に記載されている。この画像センサでは、特
定の時間内にホトダイオードから発生される光電流が、
接続導線を経て接続されている演算増幅器の入力キャパ
シタンスならびに接続導線の寄生キャパシタンスを含め
てダイオードキャパシタンスを放電させるので、照射に
関係する残留電圧が生じ、この残留電圧が演算増幅器の
出力端に低抵抗で取り出し可能な電圧信号を生ずる。各
ホトダイオードの′＠２の端子は電子スイッチを介して
周期的に基準電圧にリセットされ、その際にこのスイッ
チの後続の開路は積分時間の開始を決定する。Ｍ分時間
の終了は、チャネル出力端を読出し回路の出力端に接続
する別の電子スイッチの閉路により決定される。しかし
この場合の欠点は、前記の寄生キャパシタンスならびに
ホトダイオードのキャパシタンスは一般に読出しチセネ
ル毎に相違し、従ってまた得られる電圧信号の大きさに
相異なって影響することである。
要素を有し、センサ要素に読出しチャネルが個々に対応
付けられており、読出しチャネルがセンサ要素の第２の
端子に接続されており、また呼射に関係する電圧信号を
導き出す役割をし、各読出しチャネル内に、負帰還路を
設けられている差増幅器が配置されており、その出力端
がチャネル出力端を形成し、またチャネル出力端または
その一部分に生ずる電圧信号を順次に出力端に通す部分
回路が設けられている光電式画像センサは、「東芝しビ
ューー！第１４９号、１９８４年秋、第３３〜３６頁、
特に第５図に記載されている。この画像センサでは、特
定の時間内にホトダイオードから発生される光電流が、
接続導線を経て接続されている演算増幅器の入力キャパ
シタンスならびに接続導線の寄生キャパシタンスを含め
てダイオードキャパシタンスを放電させるので、照射に
関係する残留電圧が生じ、この残留電圧が演算増幅器の
出力端に低抵抗で取り出し可能な電圧信号を生ずる。各
ホトダイオードの′＠２の端子は電子スイッチを介して
周期的に基準電圧にリセットされ、その際にこのスイッ
チの後続の開路は積分時間の開始を決定する。Ｍ分時間
の終了は、チャネル出力端を読出し回路の出力端に接続
する別の電子スイッチの閉路により決定される。しかし
この場合の欠点は、前記の寄生キャパシタンスならびに
ホトダイオードのキャパシタンスは一般に読出しチセネ
ル毎に相違し、従ってまた得られる電圧信号の大きさに
相異なって影響することである。
さらに、寄生キャパシタンスおよび増＠器の入力キャパ
シタンスが電圧信号のＳＮ比を著しく小さくする。もう
１つの欠点は、隣接するホトダイオードの間の電圧差が
相応のチャネル出力端に１厚られる電圧信号に影響する
ので、個々のホトダイオードにおける電圧が呼射の強さ
に応じて相異なることである。
シタンスが電圧信号のＳＮ比を著しく小さくする。もう
１つの欠点は、隣接するホトダイオードの間の電圧差が
相応のチャネル出力端に１厚られる電圧信号に影響する
ので、個々のホトダイオードにおける電圧が呼射の強さ
に応じて相異なることである。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の画像センサであ
って、これらの欠点がほぼ回避される画像センサを提供
することである。
って、これらの欠点がほぼ回避される画像センサを提供
することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第１項に
記載されているように読出し回路を構成することにより
達成される。
記載されているように読出し回路を構成することにより
達成される。
本発明の好ましい実施態様は特許請求の範囲第２１４な
いし第７Ｉｌｌにあげられている。
いし第７Ｉｌｌにあげられている。
本発明により得られる利点は特に、画像センサのセンサ
要素から、個々のセンサ９素の照射に比例しかつ大きい
ＳＮ比を有し、またそれぞれ隣接する読出しチャネルに
より実際上影響されない多数の電圧信号が導き出される
ことである０個々のセンサ要素の均等な照射の際に個々
のセンサ要素のなかで発生される光電流の均等性は、本
発明に従って構成された画像センサでは、個々の読出し
回路の製造許容差により影響されない。
要素から、個々のセンサ９素の照射に比例しかつ大きい
ＳＮ比を有し、またそれぞれ隣接する読出しチャネルに
より実際上影響されない多数の電圧信号が導き出される
ことである０個々のセンサ要素の均等な照射の際に個々
のセンサ要素のなかで発生される光電流の均等性は、本
発明に従って構成された画像センサでは、個々の読出し
回路の製造許容差により影響されない。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
＠１図には、光電式画像センサ内に含まれている１つの
センサ要素が、ｉ＊ｉ＊の枠３のなかに示されている。
センサ要素が、ｉ＊ｉ＊の枠３のなかに示されている。
端子１および２を設けられているセンサ要素は符号ＳＥ
を付されているダイオードにより示されており、そのキ
ャパシタンスはこれらの端子の間に挿入されているコン
デンサＣｓεにより示されている。端子１は一定電圧ｖ
駄に接続されている。端子２は接続環ＩＪｊ ４を経て
差増幅器６の負入力端５に接続されており、その正入力
ｍ７は参照電圧Ｖ、に接続されている。好ましくは演算
増幅器として実現されていてよい差増幅器６の出力端８
は、積分キャパシタンスＣ１が挿入されている負帰還路
９を介して負入力端５と接続されている。積分キャパシ
タンスＣＩには、好ましくはＭｉｓ−ＦＥＴから成る電
子スイッチＳ１が並列接続されている。負入力端５にお
ける入力キャパシタンスおよび接地電位に対する接続導
線４の寄生キャパシタンスは１つのキャパシタンスＣｏ
にまとめられているｅｃＰは導線４と接地電位にある回
路点４ａとの間に記入されている。回路点２と８との間
の回路部分は、センサ要素Ｓ已に対応付けられている読
出しチャネルＡ Ｌを形成する。
を付されているダイオードにより示されており、そのキ
ャパシタンスはこれらの端子の間に挿入されているコン
デンサＣｓεにより示されている。端子１は一定電圧ｖ
駄に接続されている。端子２は接続環ＩＪｊ ４を経て
差増幅器６の負入力端５に接続されており、その正入力
ｍ７は参照電圧Ｖ、に接続されている。好ましくは演算
増幅器として実現されていてよい差増幅器６の出力端８
は、積分キャパシタンスＣ１が挿入されている負帰還路
９を介して負入力端５と接続されている。積分キャパシ
タンスＣＩには、好ましくはＭｉｓ−ＦＥＴから成る電
子スイッチＳ１が並列接続されている。負入力端５にお
ける入力キャパシタンスおよび接地電位に対する接続導
線４の寄生キャパシタンスは１つのキャパシタンスＣｏ
にまとめられているｅｃＰは導線４と接地電位にある回
路点４ａとの間に記入されている。回路点２と８との間
の回路部分は、センサ要素Ｓ已に対応付けられている読
出しチャネルＡ Ｌを形成する。
第２図には、それぞれ第１図中のＡＬに相応して構成さ
れている多数の読出しチャネルＡＬ１…ＡＬｎが個々に
対応付けられている多数のセンサ要素ＳＥＩ…ＳＥｎを
有する画像センサ読出し回路が示されている０個々のセ
ンサ要素に対応付けられている（第ｔｔｍ中にも示され
ている）回路部分の符号は第１図中の回路部分と区別す
るため相応の添字、たとえば＠１″、′２″などを追加
されている。センサ要素ＳＥＩ…ＳＥｎの第１の端子１
１…Ｉｎは、一定電圧ｖ稙に接続されている共通端子Ｇ
と接続されている。チャネル出力端８１…８ｎは、チャ
ネル出力端をそれぞれ個々に次々と読出し回路の出力端
Ａに接続する部分回路ＩＯの対応付けられている入力端
と接続されている。
れている多数の読出しチャネルＡＬ１…ＡＬｎが個々に
対応付けられている多数のセンサ要素ＳＥＩ…ＳＥｎを
有する画像センサ読出し回路が示されている０個々のセ
ンサ要素に対応付けられている（第ｔｔｍ中にも示され
ている）回路部分の符号は第１図中の回路部分と区別す
るため相応の添字、たとえば＠１″、′２″などを追加
されている。センサ要素ＳＥＩ…ＳＥｎの第１の端子１
１…Ｉｎは、一定電圧ｖ稙に接続されている共通端子Ｇ
と接続されている。チャネル出力端８１…８ｎは、チャ
ネル出力端をそれぞれ個々に次々と読出し回路の出力端
Ａに接続する部分回路ＩＯの対応付けられている入力端
と接続されている。
部分回路１０が、それぞれ回路部８１．８２などを出力
ｆｆ１Ａと接続しまたシフトレジスタの出力端を介して
次々と駆動される一連の電界効果スイッチングトランジ
スタから成っていることは有利である。
ｆｆ１Ａと接続しまたシフトレジスタの出力端を介して
次々と駆動される一連の電界効果スイッチングトランジ
スタから成っていることは有利である。
負帰還されている差増＠器６の正入力ｆｍ７における参
照電圧ｖＲは、負入力端５、接続導線４および端子２が
常にｖ９に相当する一定電位に保たれるようにする。照
射されたセンサ要素ＳＨの読出しの際には先ずＣ（が電
子スイッチＳＩの閉路により放電させられる。Ｖｔいて
Ｓｌが開かれ、こ九は、センサ要素ＳＥから発生される
光電流ｉｐがキャパシタンスＣ１内で積分されることに
通ずる。その際にチャネル出力端８に電圧信号Ｖ、が生
じ、この電圧信号は、チャネル出力端８が読出し回路の
出力端Ａに接続されているときには、部分回路１０を経
て読出し回路の出力端Ａに到達する。スイッチＳ１が開
く時へとチャネル出力端８が読出し回路の出力端Ａに接
続される時点との間の時間間隔は積分時間と呼ばれる。
照電圧ｖＲは、負入力端５、接続導線４および端子２が
常にｖ９に相当する一定電位に保たれるようにする。照
射されたセンサ要素ＳＨの読出しの際には先ずＣ（が電
子スイッチＳＩの閉路により放電させられる。Ｖｔいて
Ｓｌが開かれ、こ九は、センサ要素ＳＥから発生される
光電流ｉｐがキャパシタンスＣ１内で積分されることに
通ずる。その際にチャネル出力端８に電圧信号Ｖ、が生
じ、この電圧信号は、チャネル出力端８が読出し回路の
出力端Ａに接続されているときには、部分回路１０を経
て読出し回路の出力端Ａに到達する。スイッチＳ１が開
く時へとチャネル出力端８が読出し回路の出力端Ａに接
続される時点との間の時間間隔は積分時間と呼ばれる。
チャネル出力？ａ８における電圧信号ｖｐはセンサ要素
ＳＥの照射の強さおよび積分時間の長さに関係する。接
続導線４および端子２は差増幅器５を介して全積分時間
にわたり一定電位に保たれるので、光電流ｉｐによるＣ
９＠およびＣＰの再充電は行われず、従ってＶ、はＣ９
εおよびｃｐにより影響されない。
ＳＥの照射の強さおよび積分時間の長さに関係する。接
続導線４および端子２は差増幅器５を介して全積分時間
にわたり一定電位に保たれるので、光電流ｉｐによるＣ
９＠およびＣＰの再充電は行われず、従ってＶ、はＣ９
εおよびｃｐにより影響されない。
ＳＥＩ…ＳＥｎの接続導線４１…４ｎおよび端子２１…
２ｎは、すべての差増幅器の正入力端７１…７ｎにＶ、
が供給されているので、個々のセンサ要素の１．Ｃ射が
不均等であっても、それぞれ同一の電位にある。
２ｎは、すべての差増幅器の正入力端７１…７ｎにＶ、
が供給されているので、個々のセンサ要素の１．Ｃ射が
不均等であっても、それぞれ同一の電位にある。
それにより、信号出力端８１…８ｎから取り出され′得
る電圧信号ＶＰＩ…Ｖｐｎはそれぞれ隣接する読出しチ
ャネルにより影響されない。
る電圧信号ＶＰＩ…Ｖｐｎはそれぞれ隣接する読出しチ
ャネルにより影響されない。
れない。
第１図に示されている本発明の実施例によれば、積分キ
ャパシタンス、たとえばＣ１の各々にそれよりも小さい
トリムコンデンサＣＩ−およびＣ１／／力（並列に接続
されている。これらはスイッチＳ、／またはＳｉｒｐ
を介して選択的にスイッチオンまたはスイッチオフ可能
である。第１図中には、図面を見易くするため、２つの
トリムコンデンサしか示されていないが、各積分キャパ
シタンスに一層多くのトリムコンデンサが並列に接続さ
れていてよい、それにより、有効な積分キャパシタンス
、すなわちＣＩを場合によってはＣ１／ …により補
うことにより、チャネル出力端８に所望の大きさの電圧
信号Ｖ、が生ずるように設定することができる。特に個
々の読出しチャネルＡＬ１…ＡＬｎの不均等性がトリム
コンデンサの補償設定により補償され得る。
ャパシタンス、たとえばＣ１の各々にそれよりも小さい
トリムコンデンサＣＩ−およびＣ１／／力（並列に接続
されている。これらはスイッチＳ、／またはＳｉｒｐ
を介して選択的にスイッチオンまたはスイッチオフ可能
である。第１図中には、図面を見易くするため、２つの
トリムコンデンサしか示されていないが、各積分キャパ
シタンスに一層多くのトリムコンデンサが並列に接続さ
れていてよい、それにより、有効な積分キャパシタンス
、すなわちＣＩを場合によってはＣ１／ …により補
うことにより、チャネル出力端８に所望の大きさの電圧
信号Ｖ、が生ずるように設定することができる。特に個
々の読出しチャネルＡＬ１…ＡＬｎの不均等性がトリム
コンデンサの補償設定により補償され得る。
第３図中に示されているハイブリッ゛「画像センサは絶
縁性基板１３を有し、その上にたとえばクロムから成る
一連の金ｒｉＡ′Ｗ１極１４が並び合って配置されてい
る。金属電極１４の端側の若干幅を広げられている部分
の上側に約１μｍの厚みのストリップ１５の形態の薄い
光導電体層が位置している。ストリップ１５がａ−Ｓｉ
：Ｈから成っていることは有利である。その中央範囲は
、たとえばインジウム−スズ酸化物から成り端側の端子
Ｇを経て負の一定電圧ｖｋに接続されている透明電極１
６で覆われている。Ｗ極１４の右側の端は接続導線４１
．４２などを経て個々の読出しチャネルＡ Ｌ １、Ａ
Ｌ２などの差増幅器と接続されている。
縁性基板１３を有し、その上にたとえばクロムから成る
一連の金ｒｉＡ′Ｗ１極１４が並び合って配置されてい
る。金属電極１４の端側の若干幅を広げられている部分
の上側に約１μｍの厚みのストリップ１５の形態の薄い
光導電体層が位置している。ストリップ１５がａ−Ｓｉ
：Ｈから成っていることは有利である。その中央範囲は
、たとえばインジウム−スズ酸化物から成り端側の端子
Ｇを経て負の一定電圧ｖｋに接続されている透明電極１
６で覆われている。Ｗ極１４の右側の端は接続導線４１
．４２などを経て個々の読出しチャネルＡ Ｌ １、Ａ
Ｌ２などの差増幅器と接続されている。
これらの差増幅器は基板１３の上に取り付けられたドー
プされた半導体ウェーハ１７のなかにモノリシックに集
積されている。電極１４の幅を広げられている部分の各
々は、その上に位置するストリップ１５および電極１６
の部分と一緒に、第１図のセンサ要素３に相応するホト
ダイオードを形成する。
プされた半導体ウェーハ１７のなかにモノリシックに集
積されている。電極１４の幅を広げられている部分の各
々は、その上に位置するストリップ１５および電極１６
の部分と一緒に、第１図のセンサ要素３に相応するホト
ダイオードを形成する。
第３図に従って構成された画像センサの長さはたとえば
走査すべきドキュメントの寸法に相当し得る。ドキュメ
ントはその他の寸法の方向に画像センサの側を通過する
。その際に非常にＷＩ単で縮小しない光学的補助手段を
、走査すべきドキュメント面と画像センサとの間に配置
すれば足りる。
走査すべきドキュメントの寸法に相当し得る。ドキュメ
ントはその他の寸法の方向に画像センサの側を通過する
。その際に非常にＷＩ単で縮小しない光学的補助手段を
、走査すべきドキュメント面と画像センサとの間に配置
すれば足りる。
このような画像センサの基本構成はたとえば前記の文献
「東芝レビューｊに示されている。
「東芝レビューｊに示されている。
本発明による画像センサの以上に説明した実施例と異な
り、ストリップ１５は他の光導電体材料、たとえばＣｄ
５−Ｃｄ’ｓから成っていてもよい。
り、ストリップ１５は他の光導電体材料、たとえばＣｄ
５−Ｃｄ’ｓから成っていてもよい。
センサ要素ＳＥ１…Ｓｕｎは読出し回路と一緒に、たと
えばＳｉから成る単一のドープされた半導体ウェーハの
なかにモノリシックに集積されていてよく、その際に個
々のセンサ要素は、半導体ウェーハのなかに挿入さ机て
おりそれと反対の伝導性にド゛−ブされている単導体領
域により形成される。
えばＳｉから成る単一のドープされた半導体ウェーハの
なかにモノリシックに集積されていてよく、その際に個
々のセンサ要素は、半導体ウェーハのなかに挿入さ机て
おりそれと反対の伝導性にド゛−ブされている単導体領
域により形成される。
無給、このようなモノリシックに集積されているリニア
な画像センサの長さは第３図中に示されている画像セン
サの長さよりもはるかに短い。
な画像センサの長さは第３図中に示されている画像セン
サの長さよりもはるかに短い。
センサ要素がリニアに配置されておらず、面伏の分布を
存する画像センサの実ａ！！３様も本発明の＠囲に属す
る。特に、第３図による多くのリニアな画像センサが共
通の基板１３の上にまとめられていてよい。
存する画像センサの実ａ！！３様も本発明の＠囲に属す
る。特に、第３図による多くのリニアな画像センサが共
通の基板１３の上にまとめられていてよい。
第１図は本発明による画像セン号読出し回路の好ましい
実施例を示す図、第２図は多数の読出しチャネルを有す
るものとして構成された本発明による画像センサ読出し
回路の好ましい実施例を示す図、％３図は’＠２図によ
る読出し回路を設けられている画像センサの原理的構成
を示す図である。 １．２…センサ要素の端子、６…差増幅器、９…負帰還
岐路、１０…部分回路、１３…基板、１４…金属電極、
１５…ストリップ、１６…透明電極、１７…単導体ウェ
ーハ、ＡＬ…読出しチャネル、ｃビ・・積分キャパシタ
ンス、Ｓｌ…電子スイＦＩＧ２ ＦＩＧ２
実施例を示す図、第２図は多数の読出しチャネルを有す
るものとして構成された本発明による画像センサ読出し
回路の好ましい実施例を示す図、％３図は’＠２図によ
る読出し回路を設けられている画像センサの原理的構成
を示す図である。 １．２…センサ要素の端子、６…差増幅器、９…負帰還
岐路、１０…部分回路、１３…基板、１４…金属電極、
１５…ストリップ、１６…透明電極、１７…単導体ウェ
ーハ、ＡＬ…読出しチャネル、ｃビ・・積分キャパシタ
ンス、Ｓｌ…電子スイＦＩＧ２ ＦＩＧ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１の端子（１）を経て一定電圧を与えられる多数
のセンサ要素（ＳＥ１…ＳＥｎ）を有し、センサ要素に
読出しチャネル（ＡＬ１…ＡＬｎ）が個々に対応付けら
れており、読出しチャネルがセンサ要素の第２の端子（
２１…２ｎ）に接続されており、また照射に関係する電
圧信号を導き出す役割をし、各読出しチャネル（ＡＬ）
内に、負帰還路（９）を設けられている差増幅器（６）
が配置されており、その出力端がチャネル出力端（８）
を形成し、またチャネル出力端（８）またはその一部分
に生ずる電圧信号を順次に出力端（Ａ）に通す部分回路
（１０）が設けられている光電式画像センサの読出し回
路において、差増幅器（６）の正入力端（７）が参照電
圧（Ｖ＿Ｒ）を与えられており、その負入力端（５）が
読出しチャネル（ＡＬ）の第２の端子（２）に対応付け
られているセンサ要素（ＳＥ）と直接に接続されており
、負帰還路（９）が、センサ要素（ＳＥ）から供給され
る光電流を積分するキャパシタンス（Ｃ＿１）を含んで
おり、またキャパシタンス（Ｃ＿１）と並列に接続され
ている電子スイッチ（Ｓ＿１）が、所与の積分時間の開
始を定めるために開かれることを特徴とする光電式画像
センサの読出し回路。 ２）画像センサが、絶縁性基板（１３）の上に並び合っ
て配置されている多数の金属電極（１４）を有し、金属
電極（１４）の端側の部分が光伝導性の材料から成るス
トリップ（１５）により覆われており、ストリップ（１
５）が透明電極（１６）により覆われており、またこの
透明電極が一定電圧を与えられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の読出し回路。 ３）ストリップ（１５）がａ−Ｓｉ：Ｈから成っている
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の読出し回
路。 ４）透明電極（１６）がインジウム−スズ酸化物から成
っていることを特徴とする特許請求の範囲第２項または
第３項記載の読出し回路。 ５）金属電極（１４）が差増幅器（６）の負入力端と接
続されており、また差増幅器（６）がドープされた半導
体ウェーハ（１７）のなかにモノリシックに集積されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第２項ないし第４
項のいずれか１項に記載の読出し回路。 ６）部分回路（１０）がドープされた半導体ウェーハ（
１７）のなかに一緒に集積されていることを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載の読出し回路。 ７）負帰還路（９）のなかに含まれているキャパシタン
ス（Ｃ＿１）にトリムコンデンサ（Ｃ＿１＿′、Ｃ＿１
″）が選択的に並列に接続可能であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記
載の読出し回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3601658.6 | 1986-01-21 | ||
| DE19863601658 DE3601658A1 (de) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | Schaltung zum auslesen eines optoelektronischen bildsensors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172857A true JPS62172857A (ja) | 1987-07-29 |
| JPH0752910B2 JPH0752910B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=6292293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007964A Expired - Fee Related JPH0752910B2 (ja) | 1986-01-21 | 1987-01-16 | 光電式画像センサの読出し回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0233464B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0752910B2 (ja) |
| DE (2) | DE3601658A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3826763A1 (de) * | 1988-08-04 | 1990-02-08 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum bildpunktweisen lesen optischer informationen |
| US7006236B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-02-28 | Canesta, Inc. | Method and apparatus for approximating depth of an object's placement onto a monitored region with applications to virtual interface devices |
| US7050177B2 (en) | 2002-05-22 | 2006-05-23 | Canesta, Inc. | Method and apparatus for approximating depth of an object's placement onto a monitored region with applications to virtual interface devices |
| US6690618B2 (en) | 2001-04-03 | 2004-02-10 | Canesta, Inc. | Method and apparatus for approximating a source position of a sound-causing event for determining an input used in operating an electronic device |
| AU2002240415A1 (en) | 2001-02-16 | 2002-09-04 | Canesta Inc. | Technique for removing blurring from a captured image |
| GB2374205B (en) * | 2001-04-04 | 2004-12-22 | Rolls Royce Plc | An electrical conductor winding and a method of manufacturing an electrical conductor winding |
| US7173230B2 (en) | 2001-09-05 | 2007-02-06 | Canesta, Inc. | Electromagnetic wave detection arrangement with capacitive feedback |
| WO2003071410A2 (en) | 2002-02-15 | 2003-08-28 | Canesta, Inc. | Gesture recognition system using depth perceptive sensors |
| US10242255B2 (en) | 2002-02-15 | 2019-03-26 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Gesture recognition system using depth perceptive sensors |
| US8009871B2 (en) | 2005-02-08 | 2011-08-30 | Microsoft Corporation | Method and system to segment depth images and to detect shapes in three-dimensionally acquired data |
| JP5804780B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-11-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011442A (en) * | 1975-12-22 | 1977-03-08 | General Electric Company | Apparatus for sensing optical signals |
| US4190854A (en) * | 1978-02-15 | 1980-02-26 | National Semiconductor Corporation | Trim structure for integrated capacitors |
-
1986
- 1986-01-21 DE DE19863601658 patent/DE3601658A1/de not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-01-13 EP EP19870100331 patent/EP0233464B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-13 DE DE8787100331T patent/DE3774585D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-16 JP JP62007964A patent/JPH0752910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0233464B1 (de) | 1991-11-21 |
| DE3601658A1 (de) | 1987-07-23 |
| JPH0752910B2 (ja) | 1995-06-05 |
| DE3774585D1 (de) | 1992-01-02 |
| EP0233464A1 (de) | 1987-08-26 |
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| JPH0511831B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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|
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