JPS62115769A - 一次元イメ−ジセンサ - Google Patents
一次元イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS62115769A JPS62115769A JP60254761A JP25476185A JPS62115769A JP S62115769 A JPS62115769 A JP S62115769A JP 60254761 A JP60254761 A JP 60254761A JP 25476185 A JP25476185 A JP 25476185A JP S62115769 A JPS62115769 A JP S62115769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- image sensor
- array
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はファクシミリ用密着形−次元イメージセンサに
係り、特に中間調表現に好適なイメージセンサの構成に
関する。
係り、特に中間調表現に好適なイメージセンサの構成に
関する。
従来、ファクシミリ用密着形−次元イメージセンサとし
て開発されたものとして公知例１．２に記載されている
ものがある。この−次元イメージセンサは光電変換素子
列とこれを駆動する回路から構成されている。この光電
変換素子列は原稿幅と同一の長さを有し、レンズアレイ
等の光学系を用いてＬＥＤアレイ等の長尺の光源で照射
された原稿を１対１に結像させて読取るものであり、従
来のＧＣＤ （チャージ・カプルド・デバイス；Ｃｈａ
ｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｅａ）を用いた装置
に比べて光路長を短縮し、ファクシミリ装置の小形化を
はかるものである。
て開発されたものとして公知例１．２に記載されている
ものがある。この−次元イメージセンサは光電変換素子
列とこれを駆動する回路から構成されている。この光電
変換素子列は原稿幅と同一の長さを有し、レンズアレイ
等の光学系を用いてＬＥＤアレイ等の長尺の光源で照射
された原稿を１対１に結像させて読取るものであり、従
来のＧＣＤ （チャージ・カプルド・デバイス；Ｃｈａ
ｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｅａ）を用いた装置
に比べて光路長を短縮し、ファクシミリ装置の小形化を
はかるものである。
第１図は「テレビジョン学会技術報告ＥＤ８１３昭５９
年１０月２６日）」あるいは「昭和５９年電気四学会連
合大会３−１０３Ｊに見られる従来の密着形−次元イメ
ージセンサの平面図の概略を示す図である。同図ａの如
く、絶縁性基板１上に複数の個別電極２．光導電膜３．
透明電極である共通電極４からなる光電変換素子列５が
形成されている。一方、これを駆動、読取るための回路
がいくつかの素子ごとにまとめてＩＣ化され（６）、上
記基板１上に塔載されている。該ＩＣ６と光電変換素子
５から延びてきた配線１１の間はボンディングワイヤ１
２でそれぞれ接続されている。また同図すの如＜ＩＣ６
の中には各光電変換素子５に対応して光電変換素子５に
蓄積された電荷を放電するための第１のスイッチング素
子７．光電変換素子５に蓄積された電荷に対応する電圧
を取りだすアンプ８（公知例ではバッファアンプ）、こ
のアンプの出力を開閉する第２のスイッチング素子９が
設けられており、これを内部のシフトレジスタ１０で駆
動する。、１３はＩＣ駆動用配線である。
年１０月２６日）」あるいは「昭和５９年電気四学会連
合大会３−１０３Ｊに見られる従来の密着形−次元イメ
ージセンサの平面図の概略を示す図である。同図ａの如
く、絶縁性基板１上に複数の個別電極２．光導電膜３．
透明電極である共通電極４からなる光電変換素子列５が
形成されている。一方、これを駆動、読取るための回路
がいくつかの素子ごとにまとめてＩＣ化され（６）、上
記基板１上に塔載されている。該ＩＣ６と光電変換素子
５から延びてきた配線１１の間はボンディングワイヤ１
２でそれぞれ接続されている。また同図すの如＜ＩＣ６
の中には各光電変換素子５に対応して光電変換素子５に
蓄積された電荷を放電するための第１のスイッチング素
子７．光電変換素子５に蓄積された電荷に対応する電圧
を取りだすアンプ８（公知例ではバッファアンプ）、こ
のアンプの出力を開閉する第２のスイッチング素子９が
設けられており、これを内部のシフトレジスタ１０で駆
動する。、１３はＩＣ駆動用配線である。
このイメージセンサの動作原理を第２図を用いて説明す
る。第２図は１ビット分に相当する等価回路である。ま
ずスイッチ７を閉じて節点Ａの電位をＯにする。その後
、スイッチ７を開くと入射光量に応じて光電変換素子５
に光電流が流れて節点Ａの電荷を放電する。一定時間（
蓄積時間）たったのちにアンプ８を通して節点Ａの電位
を検出する。これが出力となる。読み取った後、ただち
に、あるいは一定時間おいてから再びスイッチ７を閉じ
てリセットする。流れる光電流をＩｐｈ、光電変換素子
の容量をＣａ、節点Ａからアンプ側を見た時の入力容量
をＣｉｎ ％￥１積時開時間ｓとすると出力電圧Ｖはア
ンプ８の利得を１とすると、Ｖ ＝Ｉ ｐｈ ｔ ｓ／
（Ｃａ＋ Ｃｔｎ） −−（１）で与えられる
。しかしながら、先の公知例等の従来技術においては、
寄生容量に対する配慮が欠けていた。寄生容量Ｃｃがあ
る時の出力Ｖ′はＶ’＝Ｉｐｈｔｓ／（Ｃａ＋Ｃｉｎ＋
Ｃｃ） −−・（ｚ）で与えられる。
る。第２図は１ビット分に相当する等価回路である。ま
ずスイッチ７を閉じて節点Ａの電位をＯにする。その後
、スイッチ７を開くと入射光量に応じて光電変換素子５
に光電流が流れて節点Ａの電荷を放電する。一定時間（
蓄積時間）たったのちにアンプ８を通して節点Ａの電位
を検出する。これが出力となる。読み取った後、ただち
に、あるいは一定時間おいてから再びスイッチ７を閉じ
てリセットする。流れる光電流をＩｐｈ、光電変換素子
の容量をＣａ、節点Ａからアンプ側を見た時の入力容量
をＣｉｎ ％￥１積時開時間ｓとすると出力電圧Ｖはア
ンプ８の利得を１とすると、Ｖ ＝Ｉ ｐｈ ｔ ｓ／
（Ｃａ＋ Ｃｔｎ） −−（１）で与えられる
。しかしながら、先の公知例等の従来技術においては、
寄生容量に対する配慮が欠けていた。寄生容量Ｃｃがあ
る時の出力Ｖ′はＶ’＝Ｉｐｈｔｓ／（Ｃａ＋Ｃｉｎ＋
Ｃｃ） −−・（ｚ）で与えられる。
第１図に示したようにアンプ８と光電変換素子５を結ぶ
配線が一定の長さでないため、配線間容量が不均一とな
り、場所的に一様な光を照射し、等しい光電流ＩＦＩＩ
が流れたとしても出力に不均一性を生じてしまう、この
点は公知例中でも指摘されている。もつとも、ファクシ
ミリ用密着形ラインセンサで用いられる光源はＬＥＤア
レイである事が多いが、この光源の照度の均一性は必ず
しも良好ではないため、以上の点はそれほど大きな問題
とはならない事が多い、即ち、あらかじめ白原稿に対す
る出力分布を各画素に対して読取り、記憶しておき、こ
れを用いて補正すれば良い、２値（Ｏと１）出力にはこ
れで十分であり、中間調の場合にもほぼ問題はない。
配線が一定の長さでないため、配線間容量が不均一とな
り、場所的に一様な光を照射し、等しい光電流ＩＦＩＩ
が流れたとしても出力に不均一性を生じてしまう、この
点は公知例中でも指摘されている。もつとも、ファクシ
ミリ用密着形ラインセンサで用いられる光源はＬＥＤア
レイである事が多いが、この光源の照度の均一性は必ず
しも良好ではないため、以上の点はそれほど大きな問題
とはならない事が多い、即ち、あらかじめ白原稿に対す
る出力分布を各画素に対して読取り、記憶しておき、こ
れを用いて補正すれば良い、２値（Ｏと１）出力にはこ
れで十分であり、中間調の場合にもほぼ問題はない。
ただし、これが成りたつためには黒原稿に対する出力が
ほぼ一様である事が必要となる。先の公知例には述べら
れていないが、黒原稿に対する出力は主としてスイッチ
７を閉じている間にスイッチ７として用いられる阿０３
ＦＥＴのゲート下に蓄積された電荷がスイッチを開いた
時に節点Ａに逃げる現象（フィードスルー）によって決
まる。ゲート容量をＣｚ、スイッチ７の駆動電圧をｖｌ
ｌ、しきい電圧をｖｔとすると黒原稿に対する出力ｖ１
はとなる。たとえば、Ｖｇ＝ ５ Ｖ 、 Ｖ−＝ ０
、５ Ｖ 。
ほぼ一様である事が必要となる。先の公知例には述べら
れていないが、黒原稿に対する出力は主としてスイッチ
７を閉じている間にスイッチ７として用いられる阿０３
ＦＥＴのゲート下に蓄積された電荷がスイッチを開いた
時に節点Ａに逃げる現象（フィードスルー）によって決
まる。ゲート容量をＣｚ、スイッチ７の駆動電圧をｖｌ
ｌ、しきい電圧をｖｔとすると黒原稿に対する出力ｖ１
はとなる。たとえば、Ｖｇ＝ ５ Ｖ 、 Ｖ−＝ ０
、５ Ｖ 。
Ｃｚ＝ ０ 、２ ｐＦ、 Ｃａ＋ Ｃｔｎ＋ Ｃｃ＝
２ Ｉｎとすると、ｖ１＝０．２２５ｖとなる。先の
白原稿に対する出力同様、Ｃｃが不均一であればＶ”は
不均一となる事は明らかである。ここで、ｖ″のばらつ
きはＣｃの分布、即ち配線の設計によって変わるが、５
０〜１００ｍＶ程度である。この値は中間調を読み取る
際には問題となる。この不均一性は固定パターン雑音と
なって出力に現われる。白原稿の場合と同様、あらかじ
めこのパターンを記憶しておき、これを用いて補正すれ
ば良いが、回路規模が大きくなるという欠点を有してい
る。
２ Ｉｎとすると、ｖ１＝０．２２５ｖとなる。先の
白原稿に対する出力同様、Ｃｃが不均一であればＶ”は
不均一となる事は明らかである。ここで、ｖ″のばらつ
きはＣｃの分布、即ち配線の設計によって変わるが、５
０〜１００ｍＶ程度である。この値は中間調を読み取る
際には問題となる。この不均一性は固定パターン雑音と
なって出力に現われる。白原稿の場合と同様、あらかじ
めこのパターンを記憶しておき、これを用いて補正すれ
ば良いが、回路規模が大きくなるという欠点を有してい
る。
この対策として配線間容量の分布にあわせて画素の容量
Ｃ８を変える方法が考えられるが、第１図に示したよう
に通常、光電変換素子５の容量と光を感する領域は共に
個別電極２の面積Ｓで決められている。ここで白原稿に
対する出力ｖ′、黒原稿に対する出力Ｖ′を書きかえる
と ５ｔｐｈ ｖ′；□ ・・・・・・（４） （ＤＳ＋ＣＩ。＋ＣＣ） ２（Ｄ Ｓ ＋Ｃ＋ｎ＋Ｃｃ） となる、上記の式から解るようにＶ′とｖｌはＳに対す
る作存性が異なる。Ｂ、Ｄは定数である。
Ｃ８を変える方法が考えられるが、第１図に示したよう
に通常、光電変換素子５の容量と光を感する領域は共に
個別電極２の面積Ｓで決められている。ここで白原稿に
対する出力ｖ′、黒原稿に対する出力Ｖ′を書きかえる
と ５ｔｐｈ ｖ′；□ ・・・・・・（４） （ＤＳ＋ＣＩ。＋ＣＣ） ２（Ｄ Ｓ ＋Ｃ＋ｎ＋Ｃｃ） となる、上記の式から解るようにＶ′とｖｌはＳに対す
る作存性が異なる。Ｂ、Ｄは定数である。
Ｃｃが大きい所でＳを小さくして、Ｃｃが小さい所でＳ
を大きくしてＶ′を一様にしようとすると逆にｖｌの不
均一性はより大きくなってしまう。
を大きくしてＶ′を一様にしようとすると逆にｖｌの不
均一性はより大きくなってしまう。
本発明の目的は以上述べいきた配線間容量の不均一性に
基づき出力の不均一性を低減した密着形−次元イメージ
センサを提供する事にある。
基づき出力の不均一性を低減した密着形−次元イメージ
センサを提供する事にある。
本発明は配線間容量をほぼ一様にし、上に述べてきたよ
うな問題を解消したものである。
うな問題を解消したものである。
以下、本発明を実施例をもとにさらに詳細に説明する。
実施例１
本実施例では配線の幅を長さに合わせて変える事により
配線間容量の不均一性を低減させるものである。比誘電
率Ｅ５、厚さｄの基板上に２本の配線が存在する時の配
線間容量ＣＣは配線幅ＷＱ、配線間隔Ｗ ｓ 、配線長
Ｑとして で与えられる。
配線間容量の不均一性を低減させるものである。比誘電
率Ｅ５、厚さｄの基板上に２本の配線が存在する時の配
線間容量ＣＣは配線幅ＷＱ、配線間隔Ｗ ｓ 、配線長
Ｑとして で与えられる。
ここで、ｔｏは真空の誘電率、
［π（２ＷＱ ＋Ｗ１１） ／４ ｄコであり、Ｋは
第一種完全楕円積分である。この式に基づき、配線の長
い部分では配線を細く、間隔を広くし、配線の短い部分
では配線を太く、間隔を狭くする。第３図にその概略を
示す。この時、配線間容量の値としては小さくした方が
白原稿に対する出力が大きくなり、望ましい。
第一種完全楕円積分である。この式に基づき、配線の長
い部分では配線を細く、間隔を広くし、配線の短い部分
では配線を太く、間隔を狭くする。第３図にその概略を
示す。この時、配線間容量の値としては小さくした方が
白原稿に対する出力が大きくなり、望ましい。
実施例２
本実施例ではＩＣ内のポンディングパッドの位置を変え
る事により配線間容量の不均一性を低減しようとするも
のである。第４図にその様子を示す。先に述べたように
この配線間容量の不均一性はＩＣ内のポンディングパッ
ドの位置がＩＣチップの３辺にわたっているためにおき
ている。パッドの位置を一辺にそろえ、ＩＣの幅ａ！を
光電変換素子列の長さＩＮとほぼ等しくシ、各ＩＣをホ
トダイオード列に対し、平行にならべれば配線長がほぼ
一定となり、配線間容量の不均一性を低減できる。
る事により配線間容量の不均一性を低減しようとするも
のである。第４図にその様子を示す。先に述べたように
この配線間容量の不均一性はＩＣ内のポンディングパッ
ドの位置がＩＣチップの３辺にわたっているためにおき
ている。パッドの位置を一辺にそろえ、ＩＣの幅ａ！を
光電変換素子列の長さＩＮとほぼ等しくシ、各ＩＣをホ
トダイオード列に対し、平行にならべれば配線長がほぼ
一定となり、配線間容量の不均一性を低減できる。
以上の２実施例において配線間容量を必ずしも完全に均
一にする必要はない、白原稿に対する出力は光源の照度
の分布によって、黒原稿に対する出力はフィードスルー
によってでてくる電荷量のばらつきによって面出力とも
ある程度ばらつくからであり、これらのばらつきに対し
、無視しうる値となるようであれば良い。
一にする必要はない、白原稿に対する出力は光源の照度
の分布によって、黒原稿に対する出力はフィードスルー
によってでてくる電荷量のばらつきによって面出力とも
ある程度ばらつくからであり、これらのばらつきに対し
、無視しうる値となるようであれば良い。
また実施例１と２を組み合わせて使用してもいつこうに
さしつかえない。
さしつかえない。
本発明によれば白原稿、黒原稿の両方に対し、均一な出
力を得る事ができる。
力を得る事ができる。
第１図は従来例を示す平面図、第２図は従来例の動作原
理を説明するための等価回路図、第３図。 第４図は本発明の実施例を示す平面図。
理を説明するための等価回路図、第３図。 第４図は本発明の実施例を示す平面図。
Claims (1)
- 絶縁性基板上に少なくとも複数の個別電極、これをおお
うよう形成された光導電膜、透明電極である共通電極か
らなる光電変換素子列と、この光電変換素子に蓄積され
た電荷を放電する第１のスイッチング素子、光電変換素
子に蓄積された電荷に対応する電圧を取りだすアンプ、
このアンプの出力を開閉する第２のスイッチング素子を
各光電変換素子に対応してそれぞれ設け、かついくつか
をブロックとしてまとめてＩＣ化した光電変換素子駆動
用ＩＣとをそなえた一次元イメージセンサにおいて、光
電変換素子列から該駆動用ＩＣとを結ぶ絶縁性基板上の
配線の配線間容量が概略均一である事を特徴とする一次
元イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254761A JPS62115769A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 一次元イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254761A JPS62115769A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 一次元イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115769A true JPS62115769A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17269510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254761A Pending JPS62115769A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 一次元イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276871A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
| JPS63257267A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | ラインセンサ |
| JP2014096512A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Canon Inc | 撮像装置、および撮像システム。 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60254761A patent/JPS62115769A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276871A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
| JPS63257267A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | ラインセンサ |
| JP2014096512A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Canon Inc | 撮像装置、および撮像システム。 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4490037A (en) | Image sensor and rangefinder device having background subtraction with bridge network | |
| US4271435A (en) | Scanning type readout device | |
| US5162644A (en) | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source | |
| US4549088A (en) | Original reading device | |
| US4876585A (en) | Contact type image sensor with separate charge transfer device | |
| KR930022571A (ko) | 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 | |
| JPS62115769A (ja) | 一次元イメ−ジセンサ | |
| JP3135309B2 (ja) | 光電変換装置及び情報処理装置 | |
| Ito et al. | a-Si: H TFT driven linear image sensor | |
| JPS6161589B2 (ja) | ||
| JPS61263156A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| Ozawa et al. | Recent development in amorphous silicon image sensor | |
| KR960001349B1 (ko) | 고체영상 픽업소자 | |
| JPH0328871B2 (ja) | ||
| JPS61255062A (ja) | 光センサアレイ | |
| JPH0546137B2 (ja) | ||
| US4797571A (en) | Contact type image sensor | |
| JPS6051274B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS56162886A (en) | Solid state image pickup device | |
| JPS6034275B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPS6111505B2 (ja) | ||
| USRE27951E (en) | Device for converting a physical pattern into an electric signal as a function of time utilizing an analog shift register | |
| JPH04267670A (ja) | 画像読取方法及びその装置 | |
| JPS61253859A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| KR0119803B1 (ko) | 고체촬상장치 |