JPH0546137B2 - - Google Patents
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- JPH0546137B2 JPH0546137B2 JP58015831A JP1583183A JPH0546137B2 JP H0546137 B2 JPH0546137 B2 JP H0546137B2 JP 58015831 A JP58015831 A JP 58015831A JP 1583183 A JP1583183 A JP 1583183A JP H0546137 B2 JPH0546137 B2 JP H0546137B2
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- Japan
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- photoelectric conversion
- document reading
- reading device
- switching
- signal line
- Prior art date
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフアクシミリ等に用いられる原稿読
取装置に関し、特にMOSフオトダイオードアレ
イあるいはCCDイメージセンサ等のIC型原稿読
取装置に対して最近開発が進められている密着型
原稿読取装置に関する。
取装置に関し、特にMOSフオトダイオードアレ
イあるいはCCDイメージセンサ等のIC型原稿読
取装置に対して最近開発が進められている密着型
原稿読取装置に関する。
一般に密着型原稿読取装置は、絶縁体基板上に
複数個の光電変換素子を形成し、該素子をスイツ
チング走査する回路を上記同一基板上に設ける
か、もしくは外部に設けることによつて構成さ
れ、かつ光電変換素子のアレイの長さが原稿と同
一サイズを有するもので、オプチカル・フアイ
バ・アレイ又はレンズ・アレイ等の光学系を用い
て一対一結像により原稿を読取るため、結像光路
長を短くすることが可能であり、原稿読取装置の
大幅な小型化を達成するものである。
複数個の光電変換素子を形成し、該素子をスイツ
チング走査する回路を上記同一基板上に設ける
か、もしくは外部に設けることによつて構成さ
れ、かつ光電変換素子のアレイの長さが原稿と同
一サイズを有するもので、オプチカル・フアイ
バ・アレイ又はレンズ・アレイ等の光学系を用い
て一対一結像により原稿を読取るため、結像光路
長を短くすることが可能であり、原稿読取装置の
大幅な小型化を達成するものである。
第１図に従来の密着型原稿読取装置の等価回路
ａ、およびその概略の構成を同図ｂ，ｂ図のＡ−
A′断面図をｃに示す。
ａ、およびその概略の構成を同図ｂ，ｂ図のＡ−
A′断面図をｃに示す。
同図ａにおいて、１は光導電性薄膜により形成
された光電変換素子で等価的にはフオトダイオー
ドPDとコンデンサCDにより構成される。５は上
記光電変換素子をスイツチングするためのMOS
トランジスタ、６はMOSトランジスタ５を走査
するためのシフトレジスタ、８は信号線、１０は
バイアス電源、１２は増幅器である。
された光電変換素子で等価的にはフオトダイオー
ドPDとコンデンサCDにより構成される。５は上
記光電変換素子をスイツチングするためのMOS
トランジスタ、６はMOSトランジスタ５を走査
するためのシフトレジスタ、８は信号線、１０は
バイアス電源、１２は増幅器である。
同図ｂ，ｃにおいて、光電変換素子１は光導電
性薄膜３の上下を導電性薄膜による分割された電
極２と透明導電性薄膜４による連続した電極とで
サンドイツチ状に挾むことにより基板１１上に作
られる。スイツチング回路７は前記MOSトラン
ジスタ５及びシフトレジスタ６を半導体基板上に
集積化したもので、前記基板１１上に搭載しかつ
ワイヤボンデイング等の方法により前記光電変換
素子と接続される。
性薄膜３の上下を導電性薄膜による分割された電
極２と透明導電性薄膜４による連続した電極とで
サンドイツチ状に挾むことにより基板１１上に作
られる。スイツチング回路７は前記MOSトラン
ジスタ５及びシフトレジスタ６を半導体基板上に
集積化したもので、前記基板１１上に搭載しかつ
ワイヤボンデイング等の方法により前記光電変換
素子と接続される。
このような原稿読取装置における原稿像の読取
りは次のようにして行なわれる。
りは次のようにして行なわれる。
読取のサイクルに入るに先立つてシフトレジス
タ６よりMOSトランジスタ５が順次ONされ、
バイアス電源１０により受光素子１は充電され
る。次に読取サイクルに入ると受光素子１に入射
した光量に応じて、コンデンサCDに蓄えられた
電荷はフオトダイオードPDにより放電される。
次にシフトレジスタ６によりMOSトランジスタ
５を順次ONにしてコンデンサCDを再充電し、
その際の充電電流を信号線８に伝え、さらに増幅
器１２で増幅することにより光情報を読出す。即
ち光を受けて放電した部分では再充電の為の電流
が流れ、又黒字部で放電が起らないと充電電流が
流れない。この様にしてその受光素子部での原稿
の読取を行う事ができる。
タ６よりMOSトランジスタ５が順次ONされ、
バイアス電源１０により受光素子１は充電され
る。次に読取サイクルに入ると受光素子１に入射
した光量に応じて、コンデンサCDに蓄えられた
電荷はフオトダイオードPDにより放電される。
次にシフトレジスタ６によりMOSトランジスタ
５を順次ONにしてコンデンサCDを再充電し、
その際の充電電流を信号線８に伝え、さらに増幅
器１２で増幅することにより光情報を読出す。即
ち光を受けて放電した部分では再充電の為の電流
が流れ、又黒字部で放電が起らないと充電電流が
流れない。この様にしてその受光素子部での原稿
の読取を行う事ができる。
ところで、上述したような従来の原稿読取装置
においては、１本の信号線８に該原稿読取装置に
おける全ての光電変換素子１が各別のMOSトラ
ンジスタ５を介して共通接続されているために、
該信号線の容量が非常に大きくなつていた。した
がつて、信号線８と増幅器１２とによつて形成さ
れる読出回路の時定数が大きくなり、短時間のス
イツチングによる信号読出しが困難となり、読取
速度の高速化を図る上で大きな阻げとなつてい
た。
においては、１本の信号線８に該原稿読取装置に
おける全ての光電変換素子１が各別のMOSトラ
ンジスタ５を介して共通接続されているために、
該信号線の容量が非常に大きくなつていた。した
がつて、信号線８と増幅器１２とによつて形成さ
れる読出回路の時定数が大きくなり、短時間のス
イツチングによる信号読出しが困難となり、読取
速度の高速化を図る上で大きな阻げとなつてい
た。
この発明は上記実情に鑑みてなされたものであ
り、読出し信号線の容量を小さくすることによつ
て、高速度の原稿読取をなし得るようにした原稿
読取装置を提供することを目的とする。
り、読出し信号線の容量を小さくすることによつ
て、高速度の原稿読取をなし得るようにした原稿
読取装置を提供することを目的とする。
すなわちこの発明では、光導電体を複数の分割
電極と共通電極とで挟んだ複数の光電変換素子
と、前記分割電極を介して前記複数の光電変換素
子にそれぞれ接続され、各光電変換素子の出力を
順次スイツチングして各出力信号線に出力する複
数のスイツチング回路とを基板上に形成した原稿
読取装置において、近隣の複数の光電変換素子が
１つのブロツクになるように各光電変換素子に対
応する前記スイツチング回路の出力信号線を複数
のブロツクに分割し、これら分割した各ブロツク
の出力信号線を共通接続線によつてそれぞれ共通
接続すると共に、これらの共通接続線毎に増幅器
を各別に設けるようにする。
電極と共通電極とで挟んだ複数の光電変換素子
と、前記分割電極を介して前記複数の光電変換素
子にそれぞれ接続され、各光電変換素子の出力を
順次スイツチングして各出力信号線に出力する複
数のスイツチング回路とを基板上に形成した原稿
読取装置において、近隣の複数の光電変換素子が
１つのブロツクになるように各光電変換素子に対
応する前記スイツチング回路の出力信号線を複数
のブロツクに分割し、これら分割した各ブロツク
の出力信号線を共通接続線によつてそれぞれ共通
接続すると共に、これらの共通接続線毎に増幅器
を各別に設けるようにする。
以下、この発明にかかる原稿読取装置を添付図
面に示す実施例にしたがつて詳細に説明する。
面に示す実施例にしたがつて詳細に説明する。
第２図はこの発明にかかる原稿読取装置の一実
施例を示すものである。なお、第２図において先
の第１図に示した素子または回路と同一機能を有
する素子または回路については同一またはこれに
対応する番号および符号を付して示しており、重
複する説明は省略する。
施例を示すものである。なお、第２図において先
の第１図に示した素子または回路と同一機能を有
する素子または回路については同一またはこれに
対応する番号および符号を付して示しており、重
複する説明は省略する。
第２図において１ａ〜１ｌは光電変換素子の等
価回路であり、これらに１対１に対応して接続さ
れた５ａ〜５ｌは例えばMOSトランジスタで構
成されるスイツチ素子である。これらスイツチ素
子５ａ〜５ｌは隣合ういくつかの出力電極（この
例では４個）を共通して１つのブロツクを形成す
るとともに、これらスイツチ素子の各ゲート電極
はシフトレジスタ６の並列出力線に各別に接続さ
れ、該シフトレジスタ６から与えられるスイツチ
ングパルスに基づいたスイツチング動作を行な
う。また、上記スイツチ素子５ａ〜５ｌによるス
イツチング出力は各グループ（Ｎグループとす
る）毎に各別の増幅器２０Ａ〜２０Ｃに入力され
適宜増幅されるようになつている。これら増幅器
２０Ａ〜２０Ｃにより増幅されたスイツチング出
力は信号線８を介して増幅器１２に入力され、こ
こで再び増幅された後、最終出力として端子１５
より出力される。
価回路であり、これらに１対１に対応して接続さ
れた５ａ〜５ｌは例えばMOSトランジスタで構
成されるスイツチ素子である。これらスイツチ素
子５ａ〜５ｌは隣合ういくつかの出力電極（この
例では４個）を共通して１つのブロツクを形成す
るとともに、これらスイツチ素子の各ゲート電極
はシフトレジスタ６の並列出力線に各別に接続さ
れ、該シフトレジスタ６から与えられるスイツチ
ングパルスに基づいたスイツチング動作を行な
う。また、上記スイツチ素子５ａ〜５ｌによるス
イツチング出力は各グループ（Ｎグループとす
る）毎に各別の増幅器２０Ａ〜２０Ｃに入力され
適宜増幅されるようになつている。これら増幅器
２０Ａ〜２０Ｃにより増幅されたスイツチング出
力は信号線８を介して増幅器１２に入力され、こ
こで再び増幅された後、最終出力として端子１５
より出力される。
さて本実施例では複数の光電変換素子に１対１
に対応したMOSトランジスタ５ａ〜５ｌを近隣
の複数の光電変換素子が１つのブロツクになるよ
うに例えば４個ずつのＮ個のブロツクに分割し、
該分割したブロツクごとに各別の信号線９Ａ〜９
Ｃを介してスイツチング出力を得るようにした。
したがつて、各増幅器２０Ａ〜２０Ｃまでへの信
号線９Ａ〜９Ｃの配線長が短くなり、これにより
信号線９Ａ〜９Ｃの各容量は全スイツチング出力
を１本の信号線によつて読出していた従来に比べ
て１／Ｎとなる。その結果、信号読出しの際の時
定数が等価的に１／Ｎとなり、信号が所定レベル
まで達するまでの立上り時間をほぼ１／Ｎとする
ことができる。
に対応したMOSトランジスタ５ａ〜５ｌを近隣
の複数の光電変換素子が１つのブロツクになるよ
うに例えば４個ずつのＮ個のブロツクに分割し、
該分割したブロツクごとに各別の信号線９Ａ〜９
Ｃを介してスイツチング出力を得るようにした。
したがつて、各増幅器２０Ａ〜２０Ｃまでへの信
号線９Ａ〜９Ｃの配線長が短くなり、これにより
信号線９Ａ〜９Ｃの各容量は全スイツチング出力
を１本の信号線によつて読出していた従来に比べ
て１／Ｎとなる。その結果、信号読出しの際の時
定数が等価的に１／Ｎとなり、信号が所定レベル
まで達するまでの立上り時間をほぼ１／Ｎとする
ことができる。
さらに、本発明においては上記ブロツクごとに
得られた各スイツチング出力を増幅器２０Ａ〜２
０Ｃで適宜増幅するようにしているために、信号
線８に得られた各信号が信号の有無を区別する所
定レベルまでに達するまでの立上り時間をさらに
短かくすることができる。
得られた各スイツチング出力を増幅器２０Ａ〜２
０Ｃで適宜増幅するようにしているために、信号
線８に得られた各信号が信号の有無を区別する所
定レベルまでに達するまでの立上り時間をさらに
短かくすることができる。
なお、本実施例においてはスイツチ素子として
通常のICによるMOSトランジスタを用いたが、
該スイツチ素子として光電変換素子と一体的に形
成される薄膜トランジスタを用いてもよい。
通常のICによるMOSトランジスタを用いたが、
該スイツチ素子として光電変換素子と一体的に形
成される薄膜トランジスタを用いてもよい。
以上説明したようにこの発明にかかる原稿読取
装置によれば、高速度の原稿読取を行なうことが
できる。
装置によれば、高速度の原稿読取を行なうことが
できる。
第１図ａは従来の原稿読取装置の等価回路図、
第１図ｂは第１図ａの原稿読取装置の構成平面
図、第１図ｃは第１図ｂのＡ−A′断面図、第２
図はこの発明にかかる原稿読取装置の一実施例を
示す等価回路図である。 １……光電変換素子、２……分割電極、３……
光導電体、４……透明導電性薄膜、５……MOS
トランジスタ、６……シフトレジスタ、７……ス
イツチング回路、８……信号線、１０……バイア
ス電源、１１……基板、１２……増幅器、２０
Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ……増幅器。
第１図ｂは第１図ａの原稿読取装置の構成平面
図、第１図ｃは第１図ｂのＡ−A′断面図、第２
図はこの発明にかかる原稿読取装置の一実施例を
示す等価回路図である。 １……光電変換素子、２……分割電極、３……
光導電体、４……透明導電性薄膜、５……MOS
トランジスタ、６……シフトレジスタ、７……ス
イツチング回路、８……信号線、１０……バイア
ス電源、１１……基板、１２……増幅器、２０
Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ……増幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電体を複数の分割電極と共通電極とで挟
んだ複数の光電変換素子と、 前記分割電極を介して前記複数の光電変換素子
にそれぞれ接続され、各光電変換素子の出力を順
次スイツチングして各出力信号線に出力する複数
のスイツチング回路と、 を基板上に形成した原稿読取装置において、 近隣の複数の光電変換素子が１つのブロツクに
なるように各光電変換素子に対応する前記スイツ
チング回路の出力信号線を複数のブロツクに分割
し、これら分割した各ブロツクの出力信号線を共
通接続線によつてそれぞれ共通接続すると共に、 これらの共通接続線毎に増幅器を各別に設ける
ようにしたことを特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015831A JPS59141867A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015831A JPS59141867A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 原稿読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141867A JPS59141867A (ja) | 1984-08-14 |
| JPH0546137B2 true JPH0546137B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=11899784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015831A Granted JPS59141867A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141867A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070870A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JPS61184869A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS61289661A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ駆動用集積回路 |
| JPH0715978B2 (ja) * | 1985-12-13 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | イメ−ジセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813076A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電変換装置 |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015831A patent/JPS59141867A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813076A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59141867A (ja) | 1984-08-14 |
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