JPH0328871B2 - - Google Patents
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- JPH0328871B2 JPH0328871B2 JP58025646A JP2564683A JPH0328871B2 JP H0328871 B2 JPH0328871 B2 JP H0328871B2 JP 58025646 A JP58025646 A JP 58025646A JP 2564683 A JP2564683 A JP 2564683A JP H0328871 B2 JPH0328871 B2 JP H0328871B2
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- capacitance
- conversion elements
- document reading
- reading device
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフアクシミリ等において用いられる原
稿読取装置に関する。
稿読取装置に関する。
一般に原稿読取装置は、絶縁性基板上に所定の
パターンをもつて配列された多数の光電変換素子
を備え、これらの光電変換素子をスイツチング走
査して各光電変換素子の受光量に対応する信号を
取り出すために、前記光電変換素子と同数のスイ
ツチ素子を備えたスイツチング回路を光電変換素
子と同一の基板上または外部に設けることによつ
て構成されており、光電変換素子アレイの長さが
読取るべき原稿と同一サイズとなされている。こ
のような原稿読取装置においては、オプテイカ
ル・フアイバ・アレイまたはレンズ・アレイ等の
光学系を用いて一対一結像により原稿を読取るた
め、結像光路長を短くすることが可能であり、原
稿読取装置の大幅な小型化を達成しうるものであ
る。
パターンをもつて配列された多数の光電変換素子
を備え、これらの光電変換素子をスイツチング走
査して各光電変換素子の受光量に対応する信号を
取り出すために、前記光電変換素子と同数のスイ
ツチ素子を備えたスイツチング回路を光電変換素
子と同一の基板上または外部に設けることによつ
て構成されており、光電変換素子アレイの長さが
読取るべき原稿と同一サイズとなされている。こ
のような原稿読取装置においては、オプテイカ
ル・フアイバ・アレイまたはレンズ・アレイ等の
光学系を用いて一対一結像により原稿を読取るた
め、結像光路長を短くすることが可能であり、原
稿読取装置の大幅な小型化を達成しうるものであ
る。
第１図は従来の原稿読取装置の回路図を示し、
P1，P2，P3…PNは光導電性薄膜により形成され
た光電変換素子で、等価的にはフオトダイオード
PDと容量CDにより構成される。Q1，Q2，Q3，
…QNは光電変換素子P1〜PNをそれぞれスイツチ
ングするためのMOSトランジスタ、１はMOSト
ランジスタQ1〜QNを走査するためのシフトレジ
スタで、このシフトレジスタ１とMOSトランジ
スタQ1〜QNとによつて構成されたスイツチング
回路２は半導体基板上に集積化されて構成されて
いる。なお、３は信号線、４は出力端子、５は負
荷抵抗、６はバイアス電源である。
P1，P2，P3…PNは光導電性薄膜により形成され
た光電変換素子で、等価的にはフオトダイオード
PDと容量CDにより構成される。Q1，Q2，Q3，
…QNは光電変換素子P1〜PNをそれぞれスイツチ
ングするためのMOSトランジスタ、１はMOSト
ランジスタQ1〜QNを走査するためのシフトレジ
スタで、このシフトレジスタ１とMOSトランジ
スタQ1〜QNとによつて構成されたスイツチング
回路２は半導体基板上に集積化されて構成されて
いる。なお、３は信号線、４は出力端子、５は負
荷抵抗、６はバイアス電源である。
第２図および第３図は、第１図に示した原稿読
取装置の具体的構造の一例を示す平面図およびそ
の−線断面図である。光電変換素子P1〜PN
は、光導電性薄膜７の上下を、導電性薄膜による
分割された電極S1〜SNと、透明導電性薄膜によ
る連続した電極８とによつてサンドイツチ状に挾
んだ態様をもつて絶縁性基板９上に形成されてい
る。分割された電極S1〜SNは基板９上に被着さ
れ、これら電極S1〜SNよりそれぞれ配線用導体
W1〜WNが基板９上に延長されて導出されてい
る。半導体集積回路構成のスイツチング回路２は
基板９上に固着されており、かつそのバツドが接
続線B1〜BNによつて配線用導体W1〜WNの端部
に電気的に接続されている。
取装置の具体的構造の一例を示す平面図およびそ
の−線断面図である。光電変換素子P1〜PN
は、光導電性薄膜７の上下を、導電性薄膜による
分割された電極S1〜SNと、透明導電性薄膜によ
る連続した電極８とによつてサンドイツチ状に挾
んだ態様をもつて絶縁性基板９上に形成されてい
る。分割された電極S1〜SNは基板９上に被着さ
れ、これら電極S1〜SNよりそれぞれ配線用導体
W1〜WNが基板９上に延長されて導出されてい
る。半導体集積回路構成のスイツチング回路２は
基板９上に固着されており、かつそのバツドが接
続線B1〜BNによつて配線用導体W1〜WNの端部
に電気的に接続されている。
以上の構成において、原稿像が光学系によつて
光電変換素子P1〜PN上に結像されると、光電変
換素子P1〜PNがそれぞれ受光した光の強度に対
応する光電流をフオトダイオードPDに発生し、
これにより容量CDに電荷が蓄積され、この蓄積
された電荷はMOSトランジスタQ1〜QNを順次オ
ンすることによつて信号線３に伝えられ、出力端
子４より映像信号として取出される。
光電変換素子P1〜PN上に結像されると、光電変
換素子P1〜PNがそれぞれ受光した光の強度に対
応する光電流をフオトダイオードPDに発生し、
これにより容量CDに電荷が蓄積され、この蓄積
された電荷はMOSトランジスタQ1〜QNを順次オ
ンすることによつて信号線３に伝えられ、出力端
子４より映像信号として取出される。
第４図は１つの光電変換素子についての読出回
路を示し、光電変換素子P1〜PNのうちの１つに
相当するのが電流源１１で、MOSトランジスタ
Q1〜QNのうちの１つに相当するのがスイツチ素
子１２である。容量１３は光電変換素子から
MOSトランジスタまでの配線の浮遊容量とMOS
トランジスタの入力容量との合成容量であり、ま
た容量１４はMOSトランジスタの出力容量と出
力配線の浮遊容量との合成容量である。光電変換
素子に光が入射されれば、電流源１１に電流が流
れ、容量１３に電荷が蓄積される。ここでスイツ
チ１２を閉じれば、容量１３に蓄積された電荷が
容量１４および抵抗５を通つて放電し、その放電
電流が出力端子４において検出される。
路を示し、光電変換素子P1〜PNのうちの１つに
相当するのが電流源１１で、MOSトランジスタ
Q1〜QNのうちの１つに相当するのがスイツチ素
子１２である。容量１３は光電変換素子から
MOSトランジスタまでの配線の浮遊容量とMOS
トランジスタの入力容量との合成容量であり、ま
た容量１４はMOSトランジスタの出力容量と出
力配線の浮遊容量との合成容量である。光電変換
素子に光が入射されれば、電流源１１に電流が流
れ、容量１３に電荷が蓄積される。ここでスイツ
チ１２を閉じれば、容量１３に蓄積された電荷が
容量１４および抵抗５を通つて放電し、その放電
電流が出力端子４において検出される。
ところで、第２図においては、光電変換素子
P1〜PNとMOSトランジスタQ1〜QN間にそれぞれ
接続されている配線用導体W1〜WNの長さが等し
い場合を示しており、したがつて各配線用導体
W1〜WNの浮遊容量がほぼ等しいことから、第４
図における容量１３がほぼ一定と考えられる。
P1〜PNとMOSトランジスタQ1〜QN間にそれぞれ
接続されている配線用導体W1〜WNの長さが等し
い場合を示しており、したがつて各配線用導体
W1〜WNの浮遊容量がほぼ等しいことから、第４
図における容量１３がほぼ一定と考えられる。
しかしながら、実際の装置においては、例えば
第５図に示すように、配線用導体W1〜WNは半導
体集積回路によつて構成されたスイツチング回路
２の側面にまで延長される場合が多く、このため
配線用導体W1〜WNが互いに長さの異るものとし
て基板９上に形成される。したがつて各配線用導
体W1〜WNの浮遊容量に差異を生じ、第４図にお
ける容量１３が各光電変換素子P1〜PNによつて
異なり、この結果読出回路におけるCR時定数で
決定される出力信号の値にいわゆるバラツキを生
じる欠点があつた。
第５図に示すように、配線用導体W1〜WNは半導
体集積回路によつて構成されたスイツチング回路
２の側面にまで延長される場合が多く、このため
配線用導体W1〜WNが互いに長さの異るものとし
て基板９上に形成される。したがつて各配線用導
体W1〜WNの浮遊容量に差異を生じ、第４図にお
ける容量１３が各光電変換素子P1〜PNによつて
異なり、この結果読出回路におけるCR時定数で
決定される出力信号の値にいわゆるバラツキを生
じる欠点があつた。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもの
で、配線用導体における浮遊容量間の偏差を除去
して光電変換素子からスイツチ素子までの配線の
浮遊容量をほぼ一定とし、上述した出力信号の値
のバラツキを皆無もしくは無視し得る程度に小さ
くした原稿読取装置を提供することを目的とす
る。
で、配線用導体における浮遊容量間の偏差を除去
して光電変換素子からスイツチ素子までの配線の
浮遊容量をほぼ一定とし、上述した出力信号の値
のバラツキを皆無もしくは無視し得る程度に小さ
くした原稿読取装置を提供することを目的とす
る。
そこで本発明は、配線用導体における浮遊容量
間の偏差を補償しうる値の容量素子を、各配線用
導体についての浮遊容量に対して並列接続関係を
もつてスイツチング回路内に形成することにより
上記目的を達成している。
間の偏差を補償しうる値の容量素子を、各配線用
導体についての浮遊容量に対して並列接続関係を
もつてスイツチング回路内に形成することにより
上記目的を達成している。
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
第６図および第７図は、本発明に係わる原稿読
取装置の一実施例を第１図および第４図にそれぞ
れ対応した回路図によつて示したもので、半導体
集積回路によつて構成されたスイツチング回路２
内に容量素子C1〜CNが形成されている。これら
容量素子C1〜CNは、PN接合による拡散容量、
MOS構成による容量、または金属薄膜間に誘電
体を介在させることによつて生じた容量等をもつ
て、スイツチング回路２内にトランジスタQ1〜
QNの形成と同時に形成することができ、配線用
導体W1〜WNの浮遊容量に対して並列関係をもつ
て接続されている。これら容量素子C1〜CNの値
は、配線用導体W1〜WNの浮遊容量に対して充分
大き値、すなわち10〜100pFの範囲内の適当な一
定の値とすることにより、第７図における容量１
３の値のバラツキを実質的に補償することができ
る。また容量素子C1〜CNの値を、上述のような
一定の値としないで、容量１３との合成容量が一
定となるような値を各容量素子C1〜CNについて
個別に選択することにより、更に完全な補償が可
能であることは言うまでもない。なお、第７図に
おいては、この補償用容量素子を一般的にCKと
して示してある。また、第６図においては、各配
線用導体W1〜WNに対し、それぞれ補償用容量素
子C1〜CNを接続した場合が示されているが、例
えば第７図における容量１３との合成容量が一定
の値となるように各補償用容量素子C1〜CNの値
を選択する場合、最大の浮遊容量を有する最も長
い配線用導体に関しては補償用容量素子を設けな
くても、それより小さい浮遊容量を有する短い導
体についてのみ補償を行うことによつてもその目
的を達成することができる。
取装置の一実施例を第１図および第４図にそれぞ
れ対応した回路図によつて示したもので、半導体
集積回路によつて構成されたスイツチング回路２
内に容量素子C1〜CNが形成されている。これら
容量素子C1〜CNは、PN接合による拡散容量、
MOS構成による容量、または金属薄膜間に誘電
体を介在させることによつて生じた容量等をもつ
て、スイツチング回路２内にトランジスタQ1〜
QNの形成と同時に形成することができ、配線用
導体W1〜WNの浮遊容量に対して並列関係をもつ
て接続されている。これら容量素子C1〜CNの値
は、配線用導体W1〜WNの浮遊容量に対して充分
大き値、すなわち10〜100pFの範囲内の適当な一
定の値とすることにより、第７図における容量１
３の値のバラツキを実質的に補償することができ
る。また容量素子C1〜CNの値を、上述のような
一定の値としないで、容量１３との合成容量が一
定となるような値を各容量素子C1〜CNについて
個別に選択することにより、更に完全な補償が可
能であることは言うまでもない。なお、第７図に
おいては、この補償用容量素子を一般的にCKと
して示してある。また、第６図においては、各配
線用導体W1〜WNに対し、それぞれ補償用容量素
子C1〜CNを接続した場合が示されているが、例
えば第７図における容量１３との合成容量が一定
の値となるように各補償用容量素子C1〜CNの値
を選択する場合、最大の浮遊容量を有する最も長
い配線用導体に関しては補償用容量素子を設けな
くても、それより小さい浮遊容量を有する短い導
体についてのみ補償を行うことによつてもその目
的を達成することができる。
以上説明したように、本発明によれば、配線用
導体の長さの差異にもとづく浮遊容量の偏差を補
償することにより、出力信号の値のバラツキを皆
無または無視しうる程度に小さくすることができ
る。
導体の長さの差異にもとづく浮遊容量の偏差を補
償することにより、出力信号の値のバラツキを皆
無または無視しうる程度に小さくすることができ
る。
第１図は従来の原稿読取装置の回路図、第２図
はその具体的構造の一例の平面図、第３図は第２
図−線における断面図、第４図は読出回路の
等価回路図、第５図は配線用導体の配列を示す平
面図、第６図は本発明に係る原稿読取装置の回路
図、第７図はその読出回路の等価回路図である。 P1〜PN……光電変換素子、S1〜SN……分割さ
れた電極、Q1〜QN……MOSトランジスタ、W1
〜WN……配線用導体、C1〜CN……補償用容量素
子、１……シフトレジスタ、２……スイツチング
回路、３……信号線、４……出力端子、５……負
荷抵抗、６……バイアス電源、７……光導電性薄
膜、８……透明導電性薄膜による連続した電極、
９……絶縁基板、１１……電流源、１２……スイ
ツチ素子、１３，１４……容量。
はその具体的構造の一例の平面図、第３図は第２
図−線における断面図、第４図は読出回路の
等価回路図、第５図は配線用導体の配列を示す平
面図、第６図は本発明に係る原稿読取装置の回路
図、第７図はその読出回路の等価回路図である。 P1〜PN……光電変換素子、S1〜SN……分割さ
れた電極、Q1〜QN……MOSトランジスタ、W1
〜WN……配線用導体、C1〜CN……補償用容量素
子、１……シフトレジスタ、２……スイツチング
回路、３……信号線、４……出力端子、５……負
荷抵抗、６……バイアス電源、７……光導電性薄
膜、８……透明導電性薄膜による連続した電極、
９……絶縁基板、１１……電流源、１２……スイ
ツチ素子、１３，１４……容量。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の光電変換素子と、これらの光電変換素
子に対応する複数のスイツチ素子とを基板上に配
設し、前記各光電変換素子を該各光電変換素子に
対応する前記各スイツチ素子にそれぞれの導体を
介して接続し、前記各光電変換素子の受光量に対
応するそれぞれの信号を前記各導体を介して取出
す原稿読取装置において、 前記各導体の浮遊容量より十分に大きな容量の
素子を該各導体にそれぞれ並列に形成したことを
特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564683A JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564683A JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4028547A Division JP2591346B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152775A JPS59152775A (ja) | 1984-08-31 |
| JPH0328871B2 true JPH0328871B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=12171588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2564683A Granted JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152775A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728365B2 (ja) * | 1984-11-05 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61295656A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JP2591346B2 (ja) * | 1992-02-14 | 1997-03-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| US6141045A (en) * | 1997-09-22 | 2000-10-31 | Xerox Corporation | Method for detecting defective photosensor circuits in a photosensor array |
| WO2016143133A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子及び超音波探触子の調整方法並びに超音波診断装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967667A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的読取り素子 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2564683A patent/JPS59152775A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967667A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的読取り素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152775A (ja) | 1984-08-31 |
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