JPH0728365B2 - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0728365B2 JPH0728365B2 JP59231235A JP23123584A JPH0728365B2 JP H0728365 B2 JPH0728365 B2 JP H0728365B2 JP 59231235 A JP59231235 A JP 59231235A JP 23123584 A JP23123584 A JP 23123584A JP H0728365 B2 JPH0728365 B2 JP H0728365B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- wiring pattern
- photoelectric conversion
- capacitance
- pattern
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は密着型イメージセンサに係り、特に光電変換素
子により画像情報を時系列の電気信号に変換する密着型
イメージセンサに関するものである。
子により画像情報を時系列の電気信号に変換する密着型
イメージセンサに関するものである。
ファクシミリなどに用いられる画像読取り装置は、これ
を小型化するために、密着型イメージセンサが使用され
ている。この密着型イメージセンサは画像情報を略１対
１の大きさで読取るイメージセンサである。
を小型化するために、密着型イメージセンサが使用され
ている。この密着型イメージセンサは画像情報を略１対
１の大きさで読取るイメージセンサである。
この密着型イメージセンサのうち、特に電荷蓄積型の密
着型イメージセンサの信号読取り方式は通常電圧読取り
方式で行なわれている。
着型イメージセンサの信号読取り方式は通常電圧読取り
方式で行なわれている。
次に第４図により密着型イメージセンサの等価回路を説
明する。
明する。
即ち、光電変換素子（Ａ）は素子容量（C0）と光量に応
じた電荷量を流すダイオード（Ｄ）とを並列に接続した
回路で示される。
じた電荷量を流すダイオード（Ｄ）とを並列に接続した
回路で示される。
この光電変換素子（Ａ）の出力信号は配線パターン
（Ｅ）により集積回路（Ｂ）に導通される。この集積回
路（Ｂ）は、内部に形成されたスイッチ（Ｓ）を順次接
続することにより、光電変換素子（Ａ）の出力信号を時
系列により外部へ出力する。
（Ｅ）により集積回路（Ｂ）に導通される。この集積回
路（Ｂ）は、内部に形成されたスイッチ（Ｓ）を順次接
続することにより、光電変換素子（Ａ）の出力信号を時
系列により外部へ出力する。
配線パターン（Ｅ）は対地容量（C1）と配線間容量
（C2）の２つの容量を持つ。集積回路（Ｂ）等に発生す
る残りの他の容量を（C3）、光電変換素子（Ａ）に蓄積
される電荷量を（Ｑ）とすると、電圧読取り方式の場
合、各光電変換素子からの出力信号は次式で表わされ
る。
（C2）の２つの容量を持つ。集積回路（Ｂ）等に発生す
る残りの他の容量を（C3）、光電変換素子（Ａ）に蓄積
される電荷量を（Ｑ）とすると、電圧読取り方式の場
合、各光電変換素子からの出力信号は次式で表わされ
る。
即ち、配線パターン（Ｅ）の端部の光電変換素子（Ａ）
の出力信号は、 上記以外の部分の光電変換素子（Ａ）の出力信号は 従って配線パターンが長尺または高密度になると、配線
容量（C1＋C2）のばらつきが大きくなり、そのために出
力信号の歪が大きくなるという問題がある。図において
SRはスイッチを順次駆動するシフトレジスタである。
の出力信号は、 上記以外の部分の光電変換素子（Ａ）の出力信号は 従って配線パターンが長尺または高密度になると、配線
容量（C1＋C2）のばらつきが大きくなり、そのために出
力信号の歪が大きくなるという問題がある。図において
SRはスイッチを順次駆動するシフトレジスタである。
第５図に例えば左右対称の配線パターンの持つ容量を測
定した一例の特性を示す。測定は配線パターン（Ｅ）の
配線数本を選択し、対地容量（C1）と、隣接する配線間
容量（C2）を測定した。配線パターン（Ｅ）が左右対称
のため、容量特性も左右対称の特性を示している。従っ
て出力信号は左右両端部で小さく、中央部で大きくなる
という歪が発生し、品位の良好な密着型イメージセンサ
ーが得られにくいという問題点が生ずる。
定した一例の特性を示す。測定は配線パターン（Ｅ）の
配線数本を選択し、対地容量（C1）と、隣接する配線間
容量（C2）を測定した。配線パターン（Ｅ）が左右対称
のため、容量特性も左右対称の特性を示している。従っ
て出力信号は左右両端部で小さく、中央部で大きくなる
という歪が発生し、品位の良好な密着型イメージセンサ
ーが得られにくいという問題点が生ずる。
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、配
線パターン等の容量歪により発生する出力信号の歪を補
正し、出力信号の歪みが極めて小さい品位の良好な密着
性イメージセンサを提供することを目的としている。
線パターン等の容量歪により発生する出力信号の歪を補
正し、出力信号の歪みが極めて小さい品位の良好な密着
性イメージセンサを提供することを目的としている。
即ち、本発明は、絶縁基板上に複数の光電変換素子が配
列形成されてなる光電変換部と、この光電変換部に電気
的に接続され、前記光電変換素子の出力信号を導通する
配線パターンと、この配線パターンに接続され、前記出
力信号を順次読み出す集積回路とを具備してなる密着型
イメージセンサにおいて、前記配線パターンに隣接して
細条パターンが形成することにより、この細条パターン
と配線パターン間に容量を持たせ、この容量により配線
パターンに発生する容量を相補的に補正するようになさ
れた密着型イメージセンサである。
列形成されてなる光電変換部と、この光電変換部に電気
的に接続され、前記光電変換素子の出力信号を導通する
配線パターンと、この配線パターンに接続され、前記出
力信号を順次読み出す集積回路とを具備してなる密着型
イメージセンサにおいて、前記配線パターンに隣接して
細条パターンが形成することにより、この細条パターン
と配線パターン間に容量を持たせ、この容量により配線
パターンに発生する容量を相補的に補正するようになさ
れた密着型イメージセンサである。
次に本発明の密着型イメージセンサの一実施例を第１図
により説明する。
により説明する。
即ち、光電変換素子（Ａ）に接続される配線パターン
（Ｅ）は、それぞれ対地容量（C1）と配線間容量（C2）
を持っている。第１次近似として対地容量（C1）はその
配線パターン（Ｅ）の面積に比例するため、端部から内
側になる程次第に幅広とする。一方配線間容量（C2）は
隣接配線パターンとの距離が最小となる区間（Ｌ）の配
線長に比例する。この区間（Ｌ）は集積回路（Ｂ）の位
置にもよるが、図の構造では左端側が長くなっている。
（Ｅ）は、それぞれ対地容量（C1）と配線間容量（C2）
を持っている。第１次近似として対地容量（C1）はその
配線パターン（Ｅ）の面積に比例するため、端部から内
側になる程次第に幅広とする。一方配線間容量（C2）は
隣接配線パターンとの距離が最小となる区間（Ｌ）の配
線長に比例する。この区間（Ｌ）は集積回路（Ｂ）の位
置にもよるが、図の構造では左端側が長くなっている。
本実施例では対地容量（C1）の歪みを配線パターン
（Ｅ）の面積により補正を行ない、配線間容量（C2）に
関しては細条パターン（Ｆ）を形成して容量補正を行な
うものとした。この補正を行なうため細条パターン
（Ｆ）は区間（Ｌ）の配線長に反比例して形成されてい
る。特にこの実施例においては、細条パターン（Ｆ）と
配線パターン（Ｅ）との隣接する区間（Ｍ）と、この配
線パターン（Ｅ）と隣接する配線パターンによる最近接
区間（Ｌ）との和がほぼ一定となるように形成されてい
る。また端部に位置する配線パターン（E0）は、配線間
容量に関しては上述した式（１），（２）に示した様に
他の配線パターンに比較して特異であるため、細条パタ
ーン（F0）についても、端部ではパターン長を延長して
配線パターン間の容量の特異性を回避している。
（Ｅ）の面積により補正を行ない、配線間容量（C2）に
関しては細条パターン（Ｆ）を形成して容量補正を行な
うものとした。この補正を行なうため細条パターン
（Ｆ）は区間（Ｌ）の配線長に反比例して形成されてい
る。特にこの実施例においては、細条パターン（Ｆ）と
配線パターン（Ｅ）との隣接する区間（Ｍ）と、この配
線パターン（Ｅ）と隣接する配線パターンによる最近接
区間（Ｌ）との和がほぼ一定となるように形成されてい
る。また端部に位置する配線パターン（E0）は、配線間
容量に関しては上述した式（１），（２）に示した様に
他の配線パターンに比較して特異であるため、細条パタ
ーン（F0）についても、端部ではパターン長を延長して
配線パターン間の容量の特異性を回避している。
次に、本発明の第２の実施例を第２図により説明する。
即ち、本実施例においては細条パターン（Ｆ）をＵ字状
に形成したことを特徴としている。効果は前の実施例と
同様である。
に形成したことを特徴としている。効果は前の実施例と
同様である。
次に本発明の第３の実施例を第３図により説明する。
即ち、本実施例では細条パターン（F0），（Ｆ）を共通
化し、これらを接地パターンとした場合である。
化し、これらを接地パターンとした場合である。
なお、上記実施例では主に配線間容量歪を補正する手段
として細条パターン（F0），（F1）を形成したが、式
（１），（２）より明らかな様に各出力信号に対した容
量和の歪みを補正する手段を持たせることも可能であ
る。特に配線パターン（E0），（E1）が長尺または高密
度化すると、対地容量に関する補正を配線パターンの面
積補正のみでは十分行なえない場合がある。
として細条パターン（F0），（F1）を形成したが、式
（１），（２）より明らかな様に各出力信号に対した容
量和の歪みを補正する手段を持たせることも可能であ
る。特に配線パターン（E0），（E1）が長尺または高密
度化すると、対地容量に関する補正を配線パターンの面
積補正のみでは十分行なえない場合がある。
この様な状況では対地容量歪に関しても、細条パターン
（F0），（Ｆ）を形成することによる補正を行なうこと
ができる。
（F0），（Ｆ）を形成することによる補正を行なうこと
ができる。
上述の構造により、本発明は配線パターン等の容量歪に
より発生する出力信号歪を補正する効果を持ち、品位の
よい密着型イメージセンサを提供することが可能であ
る。
より発生する出力信号歪を補正する効果を持ち、品位の
よい密着型イメージセンサを提供することが可能であ
る。
第１図乃至第３図は本発明の密着型イメージセンサのそ
れぞれ異なる実施例を示す要部拡大図、第４図は密着型
イメージセンサの等価回路図、第５図は従来の密着型イ
メージセンサの特性図である。 Ａ……光電変換素子、Ｂ……集積回路 C0……素子容量、C1……対地容量 C2……配線間容量、C3……他の容量 Ｄ……ダイオード、E0,E……配線パターン F0,F……細条パターン、Ｍ……細条パターンと配線パタ
ーンの隣接区間 Ｌ……配線パターン間の近接区間
れぞれ異なる実施例を示す要部拡大図、第４図は密着型
イメージセンサの等価回路図、第５図は従来の密着型イ
メージセンサの特性図である。 Ａ……光電変換素子、Ｂ……集積回路 C0……素子容量、C1……対地容量 C2……配線間容量、C3……他の容量 Ｄ……ダイオード、E0,E……配線パターン F0,F……細条パターン、Ｍ……細条パターンと配線パタ
ーンの隣接区間 Ｌ……配線パターン間の近接区間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 善作 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝堀川町工場内 (72)発明者 木田 国明 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝堀川町工場内 (72)発明者 中川 雅博 神奈川県川崎市幸区堀川町72 東芝電子デ バイスエンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−152775（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−97776（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板上に複数の光電変換素子が配列形
成されてなる光電変換部と、この光電変換部に電気的に
接続され、前記光電変換素子の出力信号を導通する配線
パターンと、この配線パターンに接続され、前記出力信
号を順次読み出す集積同路とを具備してなる密着型イメ
ージセンサにおいて、前記配線パターンに隣接して細条
パターンが形成されていることを特徴とする密着型イメ
ージセンサ。 - 【請求項２】細条パターンが電気的に接地され得ること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着型イメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231235A JPH0728365B2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231235A JPH0728365B2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065630A Division JP2614434B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111059A JPS61111059A (ja) | 1986-05-29 |
| JPH0728365B2 true JPH0728365B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16920436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59231235A Expired - Lifetime JPH0728365B2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728365B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744026Y2 (ja) * | 1987-05-28 | 1995-10-09 | 株式会社東芝 | イメ−ジセンサ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4514749A (en) * | 1983-01-18 | 1985-04-30 | At&T Bell Laboratories | VLSI Chip with ground shielding |
| JPS59152775A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS59138252U (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-14 | 横河電機株式会社 | フオトダイオ−ドアレイ |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59231235A patent/JPH0728365B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61111059A (ja) | 1986-05-29 |
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