JPS61129864A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS61129864A JPS61129864A JP59251113A JP25111384A JPS61129864A JP S61129864 A JPS61129864 A JP S61129864A JP 59251113 A JP59251113 A JP 59251113A JP 25111384 A JP25111384 A JP 25111384A JP S61129864 A JPS61129864 A JP S61129864A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
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- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、絶縁性基板上に複数個の光電変換素子を配列
してなるイメージセンサに関する。
してなるイメージセンサに関する。
ファクシミリまたは電子複写機等において原稿上の画像
の読取りに使用されるイメージセンサは、絶縁性基板上
に多数の光電変換素子をライン状に配列して構成される
。このようなイメージセンサにおいては、個々の光電変
換素子の出力特性にバラツキがあると画像を均一な感度
で正しく読取ることは困難であり、読取った画像情報を
記録あるいは表示したとき濃度むらが発生する。また、
中間調の情報をも認識しようとする場合には、この
・バラン・キは一層大きな問題となり、再生画像品質
を著しく劣化させる。
の読取りに使用されるイメージセンサは、絶縁性基板上
に多数の光電変換素子をライン状に配列して構成される
。このようなイメージセンサにおいては、個々の光電変
換素子の出力特性にバラツキがあると画像を均一な感度
で正しく読取ることは困難であり、読取った画像情報を
記録あるいは表示したとき濃度むらが発生する。また、
中間調の情報をも認識しようとする場合には、この
・バラン・キは一層大きな問題となり、再生画像品質
を著しく劣化させる。
従来、このような光電変換素子個々の出力特性のバラツ
キに関しては、製造工程や設計段階で厳密にフォローし
て極力少なくしているが、ある程度のバラツキが残るこ
とは避けられない。また、光電変換素子それ自体でなく
イメージセンサに補正回路を付加することで、信号処理
によりバラツキをキャンセルする方法も考えられている
が、補正回路が大規模なものとなってコスト的に問題が
あり、またイメージセンサが高密度になると補正係数が
増大するので技術的にも困難となってくる。
キに関しては、製造工程や設計段階で厳密にフォローし
て極力少なくしているが、ある程度のバラツキが残るこ
とは避けられない。また、光電変換素子それ自体でなく
イメージセンサに補正回路を付加することで、信号処理
によりバラツキをキャンセルする方法も考えられている
が、補正回路が大規模なものとなってコスト的に問題が
あり、またイメージセンサが高密度になると補正係数が
増大するので技術的にも困難となってくる。
本発明の目的は、個々の光電変換素子の出力特性を容易
に補正でき、良好な画像読取りを可能としたイメージセ
ンサを提供することにある。
に補正でき、良好な画像読取りを可能としたイメージセ
ンサを提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、絶縁性基板上に、複
数個の下部電極と、これらの下部電極にそれぞれ接続さ
れた引出し配線と、少なくとも上記下部電極上に形成さ
れた少なくとも一層の半導体膜と、この半導体膜上に形
成された透明電極とにより構成されるアレイ状の光電変
換素子を形成してなるイメージセンサにおいて、下部２
！極を構成する導電膜を引出し配線と反対側に延在させ
てなる延在部を形成し、この延在部によって個々の充電
変換素子の出力特性のバラツキを補正するようにしたも
のである。
数個の下部電極と、これらの下部電極にそれぞれ接続さ
れた引出し配線と、少なくとも上記下部電極上に形成さ
れた少なくとも一層の半導体膜と、この半導体膜上に形
成された透明電極とにより構成されるアレイ状の光電変
換素子を形成してなるイメージセンサにおいて、下部２
！極を構成する導電膜を引出し配線と反対側に延在させ
てなる延在部を形成し、この延在部によって個々の充電
変換素子の出力特性のバラツキを補正するようにしたも
のである。
具体的には、延在部を例えばレーザー光等によりトリミ
ングして、その線幅、長さおよび隣接延在部との間隔の
少なくとも１つを個別に調整する。
ングして、その線幅、長さおよび隣接延在部との間隔の
少なくとも１つを個別に調整する。
この調整により個々の延在部とそれに隣接する延在部と
の間の静電容量が変化し、その延在部に対応する光電変
換素子の出力が変化するので、光電変換素子の出力特性
を個別に補正することができる。なお、延在部のみで出
力特性の補正を行なってもよいが、例えば延在部の相互
間に交流的に一定電位に保持される導電性パターンを形
成したり、延在部の相互間に誘電体を形成し、これらを
合せてトリミングすることによって補正を行なうことも
可能である。
の間の静電容量が変化し、その延在部に対応する光電変
換素子の出力が変化するので、光電変換素子の出力特性
を個別に補正することができる。なお、延在部のみで出
力特性の補正を行なってもよいが、例えば延在部の相互
間に交流的に一定電位に保持される導電性パターンを形
成したり、延在部の相互間に誘電体を形成し、これらを
合せてトリミングすることによって補正を行なうことも
可能である。
本発明によれば、イメージセンサにおける基板上のパタ
ーン（延在部）によって光電変換素子の出力特性を個別
に補正し、その出力特性のバラツキを少なくすることが
できる。従って、画像読取りの感度むらが少なくなり、
また中間調の情報も良好に読取ることが可能となる。
ーン（延在部）によって光電変換素子の出力特性を個別
に補正し、その出力特性のバラツキを少なくすることが
できる。従って、画像読取りの感度むらが少なくなり、
また中間調の情報も良好に読取ることが可能となる。
ざらに、基板上に延在部を形成し、それをトリミングす
るだけで光電変換素子の出力特性の補正が可能なので、
信号処理により補正する方法に比べて構成が簡単であり
、コスト的にも有利である。
るだけで光電変換素子の出力特性の補正が可能なので、
信号処理により補正する方法に比べて構成が簡単であり
、コスト的にも有利である。
第１因は本発明の一実施例に係るイメージセンサの構成
を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。
を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。
第１図において、絶縁性基板１は例えばガラス基板であ
り、この基板１上にＣｒ等の導電膜からなる複数個の下
部電極２が一列に配列形成されている。これらの下部電
極２の図で右端側に、下部電極２を構成する導電膜と一
体的に形成された引出し配線３が接続されている。また
、少なくとも下部電極２の上に、これらを全体的に覆う
ように例えば水素化アモルファスシリコン膜等の半導体
膜４が帯状に形成されている。そして、この半導体膜４
上にＩＴＯ膜等からなる透明電極５が形成 ゛されて
いる。透明電極５の一端には、電源配線６が接続されて
いる。
り、この基板１上にＣｒ等の導電膜からなる複数個の下
部電極２が一列に配列形成されている。これらの下部電
極２の図で右端側に、下部電極２を構成する導電膜と一
体的に形成された引出し配線３が接続されている。また
、少なくとも下部電極２の上に、これらを全体的に覆う
ように例えば水素化アモルファスシリコン膜等の半導体
膜４が帯状に形成されている。そして、この半導体膜４
上にＩＴＯ膜等からなる透明電極５が形成 ゛されて
いる。透明電極５の一端には、電源配線６が接続されて
いる。
下部電極２を構成する導電膜は、下部電極２の図で左端
側から引出し配線３と反対側に延在されている。この延
在部７は、下部電極２．引出し配線３．半導体膜４およ
び透明電極５により形成されるアレイ状光電変換素子の
個々の素子の出力特性のバラツキを補正するためのもの
である。
側から引出し配線３と反対側に延在されている。この延
在部７は、下部電極２．引出し配線３．半導体膜４およ
び透明電極５により形成されるアレイ状光電変換素子の
個々の素子の出力特性のバラツキを補正するためのもの
である。
上記構成のイメージセンサにおいて、読取るべき原稿面
からの反射光等が入射光Ｐとして透明電極５を介して半
導体１１！４に入ると、半導体ｌｌ！４と透明電極６と
の界面、あるいは半導体膜４と下部電極２との界面から
その入射光量に応じた電荷が発生し、下部電極２を通し
て外部に電気信号（画像読取り出力）として取出される
。この画像読取り出力の大きさは、下部電極２の形状、
主として面積の大小によって増減する。本発明によれば
、延在部７の相互間の静電客層（以下、パターン間容量
という）を調整することによって、画像読取り出力のバ
ラツキを相殺させ、画像読取りの感度ムラを少なくする
ことができる。
からの反射光等が入射光Ｐとして透明電極５を介して半
導体１１！４に入ると、半導体ｌｌ！４と透明電極６と
の界面、あるいは半導体膜４と下部電極２との界面から
その入射光量に応じた電荷が発生し、下部電極２を通し
て外部に電気信号（画像読取り出力）として取出される
。この画像読取り出力の大きさは、下部電極２の形状、
主として面積の大小によって増減する。本発明によれば
、延在部７の相互間の静電客層（以下、パターン間容量
という）を調整することによって、画像読取り出力のバ
ラツキを相殺させ、画像読取りの感度ムラを少なくする
ことができる。
即ち、延在部７の線幅Ｗを大きくするが、または隣接延
在部との間隔Ｓを狭くすると、延在部７のパターン間容
量は増加し、画像読取り出力は減少する。また、延在部
７の長ざＬを大きくしても延在部７のパターン間容量は
増加し、画像読取り出力は減少する。従って、例えば一
定入射光量に対する各光電変換素子毎の出力を実測し、
それらの出力が均一となるようにＷ、Ｓ、Ｌを予め決定
しておき、イメージセンサの製造時にその決定された寸
法通りに延在部７を形成すれば、各素子の出力が均一化
されることになる。
在部との間隔Ｓを狭くすると、延在部７のパターン間容
量は増加し、画像読取り出力は減少する。また、延在部
７の長ざＬを大きくしても延在部７のパターン間容量は
増加し、画像読取り出力は減少する。従って、例えば一
定入射光量に対する各光電変換素子毎の出力を実測し、
それらの出力が均一となるようにＷ、Ｓ、Ｌを予め決定
しておき、イメージセンサの製造時にその決定された寸
法通りに延在部７を形成すれば、各素子の出力が均一化
されることになる。
また、延在部７の上記各寸法Ｗ、Ｓ、Ｌを大まかに決定
してイメージセンサを製造した後、各光電変換素子の出
力を基準の値と比較し、基準値より小さければ延在部７
をレーザ加工機その他の加工手段により加工して、Ｗ、
Ｓ、Ｌの少なくとも１つを調整しパターン間容量を減少
させることにより、所望の出力特性に近付けることがで
きる。
してイメージセンサを製造した後、各光電変換素子の出
力を基準の値と比較し、基準値より小さければ延在部７
をレーザ加工機その他の加工手段により加工して、Ｗ、
Ｓ、Ｌの少なくとも１つを調整しパターン間容量を減少
させることにより、所望の出力特性に近付けることがで
きる。
具体的には１．各光電変換素子の出力を検出して加工手
段にフィードバックしながら、延在部７を徐々にレーザ
光等でトリミングし、パターン問答ｌを徐々に減少させ
ることで、最終的に各光電変換素子の出力が均一化され
る。
段にフィードバックしながら、延在部７を徐々にレーザ
光等でトリミングし、パターン問答ｌを徐々に減少させ
ることで、最終的に各光電変換素子の出力が均一化され
る。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、延在部７の
相互間に別の導電性パターン８を形成したものである。
相互間に別の導電性パターン８を形成したものである。
この導電性パターン８は例えば延在部７と同時に形成さ
れる。ここで、導電性パターン８は交流的に一定電位、
例えばグラウンド電位、または透明電極５と同電位に保
持される。
れる。ここで、導電性パターン８は交流的に一定電位、
例えばグラウンド電位、または透明電極５と同電位に保
持される。
この実施例によると、光電変換素子の出力のバラツキ補
正をより容易に行なうことができる。即ち、この場合は
延在部７と導電性パターン８の両方をトリミングできる
ので、延在部７のパターン間容量をさらに広範囲に調整
することが可能である。これは導電性パターン８をトリ
ミングすると１、延在部７のパターン間容量が減少する
ので対応する光電変換素子の出力は増大し、延在部７の
トリミングとは逆の効果となるからである。従って、こ
の実施例は延在部７のみでは補正効果が十分でない場合
、あるいは延在部７の寸法（占有面積）が制限される場
合に、特に有利である。
正をより容易に行なうことができる。即ち、この場合は
延在部７と導電性パターン８の両方をトリミングできる
ので、延在部７のパターン間容量をさらに広範囲に調整
することが可能である。これは導電性パターン８をトリ
ミングすると１、延在部７のパターン間容量が減少する
ので対応する光電変換素子の出力は増大し、延在部７の
トリミングとは逆の効果となるからである。従って、こ
の実施例は延在部７のみでは補正効果が十分でない場合
、あるいは延在部７の寸法（占有面積）が制限される場
合に、特に有利である。
第３図は本発明のさらに別の実施例を示すもので、延在
部７の相互間にポリイミド等からなる誘電体ｌＩ９を形
成している。この誘電体膜９は第２図の実施例における
導電性パターン８とほぼ同様の効果を持つが、ざらに延
在部７のパターン間容量を大きくする効果を有する。誘
電体膜９は図の例では延在部７の下側に、各延在部７を
横切る形で形成されているが、第２図における導電性パ
ターン８と同様のパターンで形成されていてもよい。
部７の相互間にポリイミド等からなる誘電体ｌＩ９を形
成している。この誘電体膜９は第２図の実施例における
導電性パターン８とほぼ同様の効果を持つが、ざらに延
在部７のパターン間容量を大きくする効果を有する。誘
電体膜９は図の例では延在部７の下側に、各延在部７を
横切る形で形成されているが、第２図における導電性パ
ターン８と同様のパターンで形成されていてもよい。
また、その形成方法はポリイミドフィルムを張付けても
よいし、塗布してもよい。この実施例によれば、誘電体
膜９によって延在部７のパターン間容量を大きくした上
で、延在部７を誘電体膜９が存在しない領域においてト
リミングすることにより、光電変換素子の出力のバラツ
キを補正することができる。
よいし、塗布してもよい。この実施例によれば、誘電体
膜９によって延在部７のパターン間容量を大きくした上
で、延在部７を誘電体膜９が存在しない領域においてト
リミングすることにより、光電変換素子の出力のバラツ
キを補正することができる。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可能であ
る。例えば延在部の形状に関しては、図では単純な線状
であるが、より複雑な形状にすることもできる。また、
第２図においては延在部７の相互間に全て導電性パター
ンを形成したが、選択的に導電性パターンを形成しても
よい。第３図の実施例における誘電体膜９についても同
様である。ざらに、第２図と第３図の実施例を組合わせ
て、延在部の相互間に導電性パターンとｍｆｆ体膜を両
方形成してもよい。その場合、導電性パターンと誘電体
膜とは重なっていても構わない。
旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可能であ
る。例えば延在部の形状に関しては、図では単純な線状
であるが、より複雑な形状にすることもできる。また、
第２図においては延在部７の相互間に全て導電性パター
ンを形成したが、選択的に導電性パターンを形成しても
よい。第３図の実施例における誘電体膜９についても同
様である。ざらに、第２図と第３図の実施例を組合わせ
て、延在部の相互間に導電性パターンとｍｆｆ体膜を両
方形成してもよい。その場合、導電性パターンと誘電体
膜とは重なっていても構わない。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例に係るイメージ
センサの平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図は本発明の
他の実施例に係るイメージセンサの平面図、第３図は本
発明のさらに別の実施例に係るイメージセンサの平面図
である。 １・・・絶縁性基板、２・・・下部電極、３・・・引出
し配線、４・・・半導体膜、５・・・透明電極、６・・
・電源配線、７・・・延在部、８・・・導体パターン、
９・・・誘電体膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 只 第３図
センサの平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図は本発明の
他の実施例に係るイメージセンサの平面図、第３図は本
発明のさらに別の実施例に係るイメージセンサの平面図
である。 １・・・絶縁性基板、２・・・下部電極、３・・・引出
し配線、４・・・半導体膜、５・・・透明電極、６・・
・電源配線、７・・・延在部、８・・・導体パターン、
９・・・誘電体膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 只 第３図
Claims (4)
- （１）絶縁性基板上に、複数個の下部電極と、これらの
下部電極にそれぞれ接続された引出し配線と、少なくと
も上記下部電極上に形成された少なくとも一層の半導体
膜と、この半導体膜上に形成された透明電極とにより構
成されるアレイ状の光電変換素子を形成してなるイメー
ジセンサにおいて、前記下部電極を構成する導電膜を前
記引出し配線と反対側に延在させてなる延在部を有する
ことを特徴とするイメージセンサ。 - （２）延在部は、線幅、長さおよび隣接延在部との間隔
の少なくとも１つが個別に調整されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ。 - （３）延在部の相互間に交流的に一定電位に保持される
導電性パターンを形成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のイメージセンサ。 - （４）延在部の相互間に誘電体を形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251113A JPS61129864A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251113A JPS61129864A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129864A true JPS61129864A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17217843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251113A Pending JPS61129864A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324666A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサアレイ |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59251113A patent/JPS61129864A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324666A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサアレイ |
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