JPS60218869A - フオトセンサアレイ - Google Patents
フオトセンサアレイInfo
- Publication number
- JPS60218869A JPS60218869A JP59074906A JP7490684A JPS60218869A JP S60218869 A JPS60218869 A JP S60218869A JP 59074906 A JP59074906 A JP 59074906A JP 7490684 A JP7490684 A JP 7490684A JP S60218869 A JPS60218869 A JP S60218869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- common electrode
- individual electrodes
- photoelectric conversion
- sides
- photosensor array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像情報処理装置の読取部として用いられる光
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサアレイに関する。
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサアレイに関する。
従来、ファクシミＩＪやデジタル複写機や文字読取装置
等の画像情報処理装置の光入力部として用いられる光電
変換装置において、光電変換素子としてフォトセンサが
利用されることは一般に良く知られている。特に、近年
においてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像処理装置を
構成することも行なわれている。この様な長尺ラインセ
ンサを構成するフォトセ／すの一例としては、光導電材
料として非晶質シリコン（以下ａ−８ｔと記す）、カル
コダナイド、ＣｄＳ 、 ＣｄＳ −Ｓｅ等を含む光導
電層上に受光部となる間隙を形成する様に対向して設け
られた一対の金属等からなる電極が設けられているグレ
ナー型の光導電型フォトセンサを挙げることができる。
等の画像情報処理装置の光入力部として用いられる光電
変換装置において、光電変換素子としてフォトセンサが
利用されることは一般に良く知られている。特に、近年
においてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像処理装置を
構成することも行なわれている。この様な長尺ラインセ
ンサを構成するフォトセ／すの一例としては、光導電材
料として非晶質シリコン（以下ａ−８ｔと記す）、カル
コダナイド、ＣｄＳ 、 ＣｄＳ −Ｓｅ等を含む光導
電層上に受光部となる間隙を形成する様に対向して設け
られた一対の金属等からなる電極が設けられているグレ
ナー型の光導電型フォトセンサを挙げることができる。
第１図はこの様なグレナー型フォトセンサアレイの概略
部分斜視図を示す。図において、１は基板であシ、該基
板１上には光導電層２が形成されておシ、該光導電層２
上には共通電極３及び複数の個別電極４が形成されてい
る。各個別電極４にはコンデンサー５が接続されておシ
、該コンデンサー５には信号取出電極６が接続されてい
る。信号取出電極６は駆動回路７の電極端子部に接続さ
れている。このフォトセンサアレイにおいては、共通電
極３に所定の電圧を印加し、光導電層２を通して各個別
電極４に流れる電流を一旦コンデンサー５に蓄積し、駆
動回路７にて順次取シ出すことが行なわれる。
部分斜視図を示す。図において、１は基板であシ、該基
板１上には光導電層２が形成されておシ、該光導電層２
上には共通電極３及び複数の個別電極４が形成されてい
る。各個別電極４にはコンデンサー５が接続されておシ
、該コンデンサー５には信号取出電極６が接続されてい
る。信号取出電極６は駆動回路７の電極端子部に接続さ
れている。このフォトセンサアレイにおいては、共通電
極３に所定の電圧を印加し、光導電層２を通して各個別
電極４に流れる電流を一旦コンデンサー５に蓄積し、駆
動回路７にて順次取シ出すことが行なわれる。
ところで、近年ファクシミリ用フォトセンサアレイに対
して画品質の向上をめざして１６ドツト／龍の高分解能
が要求されてきておシ、またデジタル複写機用フォトセ
ンサアレイにおいても最低限１６ドツ）／１１３１の分
解能が要求されている。しかしながら、上記第１図に示
される如き従来の７オトセンサアレイにおいて１６ドツ
）／１０１０分解能を実現することは極めて困難である
。即ち、フォトセンサアレイにおいては信号取出電極６
と駆動回路７との接続はワイヤがンディングや工２ステ
ィックコネクター等で行なわれているが、この様な接続
を１６個／ｘｘという高密度で行なうことは現状では殆
ど不可能である。また、隣接するビットの個別電極間に
は光導電層２が存在するために、高密度化にともない隣
接ピット間において信号のクロストークも生じ易くなる
。
して画品質の向上をめざして１６ドツト／龍の高分解能
が要求されてきておシ、またデジタル複写機用フォトセ
ンサアレイにおいても最低限１６ドツ）／１１３１の分
解能が要求されている。しかしながら、上記第１図に示
される如き従来の７オトセンサアレイにおいて１６ドツ
）／１０１０分解能を実現することは極めて困難である
。即ち、フォトセンサアレイにおいては信号取出電極６
と駆動回路７との接続はワイヤがンディングや工２ステ
ィックコネクター等で行なわれているが、この様な接続
を１６個／ｘｘという高密度で行なうことは現状では殆
ど不可能である。また、隣接するビットの個別電極間に
は光導電層２が存在するために、高密度化にともない隣
接ピット間において信号のクロストークも生じ易くなる
。
本発明線、以上の如き従来技術に鑑み、高い分解能を実
現することができ且つ信号のクロス） −りの少ないフ
ォトセンサアレイを提供することを目的とする。
現することができ且つ信号のクロス） −りの少ないフ
ォトセンサアレイを提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的線、個別電極を共通電
極の両側に配置することによシ達成される。
極の両側に配置することによシ達成される。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明のフォトセンサアレイの実施例を示す部
分斜視図である。図において１１は基板であ夛、１２は
光導電層であ、り、１３は共通電極であり、１４は個別
電極である。第３図は第２囚の７オトセンサアレイの部
分拡大平面図である。第３図に示される様に、本実施例
においては共通電極１３が蛇行して形成されており、個
別電極１４は該共通電極１３の両側に１つづつ交互に配
置されている。尚、第３図において１５は光電変換部で
ある。
分斜視図である。図において１１は基板であ夛、１２は
光導電層であ、り、１３は共通電極であり、１４は個別
電極である。第３図は第２囚の７オトセンサアレイの部
分拡大平面図である。第３図に示される様に、本実施例
においては共通電極１３が蛇行して形成されており、個
別電極１４は該共通電極１３の両側に１つづつ交互に配
置されている。尚、第３図において１５は光電変換部で
ある。
本実施例によれば、共通電極１３の各側に訃いては個別
電極１４の密度は光電変換部１５の配列密度の半分とな
る。従って、光電変換部１５の配列密度が１６ドツ）／
ｍＫの場合に線駆動回路との接続密度は８ドツ）／１１
ｍ＋でよく、ワイヤデンディングやエラスティックコネ
クターを用いて十分に接続することができる。
電極１４の密度は光電変換部１５の配列密度の半分とな
る。従って、光電変換部１５の配列密度が１６ドツ）／
ｍＫの場合に線駆動回路との接続密度は８ドツ）／１１
ｍ＋でよく、ワイヤデンディングやエラスティックコネ
クターを用いて十分に接続することができる。
また、本実施例によれば、隣接する光電変換部１５は共
通電極１３をはさんで両側に位置するので電気的に影響
しあうことはなく、また共通電極１３の各側における個
別電極１４は比較的大きな間隔をおいて配列されるため
これらの間の信号のクロストーク鴬を極めて低くするこ
とができる。
通電極１３をはさんで両側に位置するので電気的に影響
しあうことはなく、また共通電極１３の各側における個
別電極１４は比較的大きな間隔をおいて配列されるため
これらの間の信号のクロストーク鴬を極めて低くするこ
とができる。
以上の如き本発明によれに信号のクロストークが少なく
且つ高分解能のフォトセンサアレイが提供される。
且つ高分解能のフォトセンサアレイが提供される。
第１図は従来のフォトセンサアレイの部分斜視図である
。第２図及び第３図はそれぞれ本発明の７オトセンサア
レイの部分斜視図及び部分拡大平面図である。 １１：基板、１２：光導電層、１３：共通電極、１４：
個別電極、１５：光電変換部。 ＠１図 ９ａ２図 ｗＸ３図
。第２図及び第３図はそれぞれ本発明の７オトセンサア
レイの部分斜視図及び部分拡大平面図である。 １１：基板、１２：光導電層、１３：共通電極、１４：
個別電極、１５：光電変換部。 ＠１図 ９ａ２図 ｗＸ３図
Claims (2)
- （１）共通電極と該共通電極に対向して配置された複数
の個別電極とを有するフォトセンサアレイにおいて、個
別電極が共通電極の両側に配置されていることを特徴と
する、フォトセンサアレイ。 - （２）共通電極の片側における個別電極が構成する光電
変換部が他側における個別電極が構成する光電変換部と
又互に配列されている、第１項の７オトセンサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074906A JPS60218869A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074906A JPS60218869A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218869A true JPS60218869A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13560897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074906A Pending JPS60218869A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218869A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4775880A (en) * | 1985-12-27 | 1988-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with amorphous semiconductor photoconductive cell array |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074906A patent/JPS60218869A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4775880A (en) * | 1985-12-27 | 1988-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with amorphous semiconductor photoconductive cell array |
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