JPS5986257A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
- Publication number
- JPS5986257A JPS5986257A JP57196014A JP19601482A JPS5986257A JP S5986257 A JPS5986257 A JP S5986257A JP 57196014 A JP57196014 A JP 57196014A JP 19601482 A JP19601482 A JP 19601482A JP S5986257 A JPS5986257 A JP S5986257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- optical sensor
- elements
- photodiodes
- array device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は読取長さの長い光センサに好適な光センサアレ
イ装置に係わシ、特に送信原稿の読み取シ欠陥を防止し
た密着形光センサアレイ装置化および高信頼性化を目的
として密着形読み取シ方式の光センサアレイ装置が提案
されている。との光センサアレイ装置は、透光性ガラス
板上に、光電変換機能を有するフォトダイオードを一方
向に多数並列配置してラインセンサを形成し、この基板
面に送信原稿を密着させて１：１の比率で読み取るよう
に構成したものである。このような構成において、送信
原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向に約２２０ｍ）の
場合には、読み取シ分解能が８ビツト／鰭としたとき、
基板上に２２０Ｘ８＝１７６０ビツトのフォトダイオー
ドとこのフォトダイオードに直列接続されるクロストー
ク防止用ブロッキングダイオードとからなる光センサ素
子と、この光センサ素子から読み出された信号を引き出
すマトリックス配線とが必要となる。
イ装置に係わシ、特に送信原稿の読み取シ欠陥を防止し
た密着形光センサアレイ装置化および高信頼性化を目的
として密着形読み取シ方式の光センサアレイ装置が提案
されている。との光センサアレイ装置は、透光性ガラス
板上に、光電変換機能を有するフォトダイオードを一方
向に多数並列配置してラインセンサを形成し、この基板
面に送信原稿を密着させて１：１の比率で読み取るよう
に構成したものである。このような構成において、送信
原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向に約２２０ｍ）の
場合には、読み取シ分解能が８ビツト／鰭としたとき、
基板上に２２０Ｘ８＝１７６０ビツトのフォトダイオー
ドとこのフォトダイオードに直列接続されるクロストー
ク防止用ブロッキングダイオードとからなる光センサ素
子と、この光センサ素子から読み出された信号を引き出
すマトリックス配線とが必要となる。
第１図は従来よシ提案されている光センサアレイ装置の
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成され九九電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用ブ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダイオード３との各１個の組合せで１ビ
ツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素子４
が１ｍ間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８ビツ
ト／ｗｌの読み出しビットが構成され、この８ピツ）／
ｍの読み出しビットが２２０組集って１７６０ビツトか
らなるラインセンサが構成されている。５は光センサ素
子４の共通’Ｍ、４Ｍシフトレジスタ、８は光センサ素
子４の読み出し信号を引き出すマトリックス配線、７は
マトリックス配線６の個別電極シフトレジスタ、８は信
号増幅器である。
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成され九九電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用ブ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダイオード３との各１個の組合せで１ビ
ツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素子４
が１ｍ間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８ビツ
ト／ｗｌの読み出しビットが構成され、この８ピツ）／
ｍの読み出しビットが２２０組集って１７６０ビツトか
らなるラインセンサが構成されている。５は光センサ素
子４の共通’Ｍ、４Ｍシフトレジスタ、８は光センサ素
子４の読み出し信号を引き出すマトリックス配線、７は
マトリックス配線６の個別電極シフトレジスタ、８は信
号増幅器である。
しかしながら、前記構成による密着形光センサアレイ装
置において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板
１上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３
とからなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するの
に、基板１上には、トータルで約１ ｄｌの面積を有す
るアモルファスシリコン膜が破着形成されることになる
。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜欠陥密度
が約０．５個／ｄ程度の割合で発生することがら、１７
６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の膜欠陥に
よる欠陥ビットが発生し、分解能を低下させるという問
題があった。すなわち、アモルファスシリコン薄膜から
なるフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
の直列接続からなる光センサ素子４で読み出し画素の１
ビツトを構成していたので、大形センサの場合、アモル
ファスシリコンの膜欠陥に起因する欠陥ビットが多発し
て歩留すされたもので、その目的とするところは、−画
素当り、フォトダイオードとブロッキングダイオードと
からなる光センサ素子を複数組形成するとともに、それ
らの両端に端子部を設けて膜欠陥のない光センサ素子を
選択して使用することによって歩留シを向上させた光セ
ンサアレイ装置を提供すする。
置において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板
１上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３
とからなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するの
に、基板１上には、トータルで約１ ｄｌの面積を有す
るアモルファスシリコン膜が破着形成されることになる
。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜欠陥密度
が約０．５個／ｄ程度の割合で発生することがら、１７
６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の膜欠陥に
よる欠陥ビットが発生し、分解能を低下させるという問
題があった。すなわち、アモルファスシリコン薄膜から
なるフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
の直列接続からなる光センサ素子４で読み出し画素の１
ビツトを構成していたので、大形センサの場合、アモル
ファスシリコンの膜欠陥に起因する欠陥ビットが多発し
て歩留すされたもので、その目的とするところは、−画
素当り、フォトダイオードとブロッキングダイオードと
からなる光センサ素子を複数組形成するとともに、それ
らの両端に端子部を設けて膜欠陥のない光センサ素子を
選択して使用することによって歩留シを向上させた光セ
ンサアレイ装置を提供すする。
第２図は本発明による光センサアレイ装置の一例を示す
要部回路構成図であシ、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、フォトダイ
オード２とブロッキングダイオード３とからなる光セン
サ素子４に、前記フォトダイオード２．ブロッキングダ
イオード３とｔｌは同等の電気的特性を有するフォトダ
イオード２′とブロッキングダイオード３′とからなる
光センサ素子４′が直列接続して形成され、さらにこれ
らの光センサ素子４．４′の両端および中点部には、こ
れらの光センサ素子４，４のいずれか一方の組を短絡さ
せる端子９．１”０．１１が形成されて１ビツトの画素
に対応する光センサ素子が構成されている。この場合、
２組の光センサ素子４，４のフォトダイオード２，２′
は１示されない送信原稿からの反射光を一定の位置で受
光するので、互に近接するように形成されている。
要部回路構成図であシ、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、フォトダイ
オード２とブロッキングダイオード３とからなる光セン
サ素子４に、前記フォトダイオード２．ブロッキングダ
イオード３とｔｌは同等の電気的特性を有するフォトダ
イオード２′とブロッキングダイオード３′とからなる
光センサ素子４′が直列接続して形成され、さらにこれ
らの光センサ素子４．４′の両端および中点部には、こ
れらの光センサ素子４，４のいずれか一方の組を短絡さ
せる端子９．１”０．１１が形成されて１ビツトの画素
に対応する光センサ素子が構成されている。この場合、
２組の光センサ素子４，４のフォトダイオード２，２′
は１示されない送信原稿からの反射光を一定の位置で受
光するので、互に近接するように形成されている。
このように構成された光センサアレイ装置において、光
センナ素子４，４を直列接続した１７６０ビツトの光セ
ンサアレイを製作した後、光センサ素子４，４′のいず
れか一方にアモルファスシリコンの膜欠陥に起因する欠
陥が生じた場合、例えば光センサ素子４のフォトダイオ
ード２もしくはブロッキングダイオード３に欠陥が生じ
、他方の光センサ素子４′が良品のときは、第３図（ａ
）に示すように端子９と１０とを短絡線１２を用いて短
絡し、この欠陥光センサ素子４を使用不能にして良品の
光センサ素子４を形成する。また、他方の光センサ素子
４に欠陥が生じたときは、同様に同図（ｂ）に示すよう
にこの光センサ素子４′を短絡！１２を用いて端子１０
と１１とを短絡して使用不能とし、一方の光センサ素子
４を形成する。この場合、この短絡線１２は、実際には
欠陥光センサ素子の両端の端子に橋絡するようにＡｔパ
ターンを蒸着またはスパッタなどによシ形成することに
よって容易に可能である。
センナ素子４，４を直列接続した１７６０ビツトの光セ
ンサアレイを製作した後、光センサ素子４，４′のいず
れか一方にアモルファスシリコンの膜欠陥に起因する欠
陥が生じた場合、例えば光センサ素子４のフォトダイオ
ード２もしくはブロッキングダイオード３に欠陥が生じ
、他方の光センサ素子４′が良品のときは、第３図（ａ
）に示すように端子９と１０とを短絡線１２を用いて短
絡し、この欠陥光センサ素子４を使用不能にして良品の
光センサ素子４を形成する。また、他方の光センサ素子
４に欠陥が生じたときは、同様に同図（ｂ）に示すよう
にこの光センサ素子４′を短絡！１２を用いて端子１０
と１１とを短絡して使用不能とし、一方の光センサ素子
４を形成する。この場合、この短絡線１２は、実際には
欠陥光センサ素子の両端の端子に橋絡するようにＡｔパ
ターンを蒸着またはスパッタなどによシ形成することに
よって容易に可能である。
このような構成によれば、直列接続して設けられた２組
の光センサ素子４．４′のうち、いずれか一方に膜欠陥
が発生した場合には残る他方を選択して正常の光センサ
素子として機能することができるので、歩留シが大幅に
向上できる。また、２組の光センザ素子４，４′ともに
正常な場合には電気的特性の良好な一方を選択して形成
することにより、特性の良好な光センサアレイが得られ
る。
の光センサ素子４．４′のうち、いずれか一方に膜欠陥
が発生した場合には残る他方を選択して正常の光センサ
素子として機能することができるので、歩留シが大幅に
向上できる。また、２組の光センザ素子４，４′ともに
正常な場合には電気的特性の良好な一方を選択して形成
することにより、特性の良好な光センサアレイが得られ
る。
なお、前記実施例において、１ビツトの画素に対して２
組の光センサ素子を設けた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、２組以上の光セ
ンサ素子とその各組の中点に端子とを設けて膜欠陥のな
い、いずれか１組を選択することによシ、前述と全く同
様の効果が得アスシリコンの膜欠陥のない光センサ素子
を選択して光センサアレイを構成できるので、歩留シを
大幅に向上させることができるとともに、特性の良好な
光センサアレイ装置が得られるという極めて優れた効果
を有する。
組の光センサ素子を設けた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、２組以上の光セ
ンサ素子とその各組の中点に端子とを設けて膜欠陥のな
い、いずれか１組を選択することによシ、前述と全く同
様の効果が得アスシリコンの膜欠陥のない光センサ素子
を選択して光センサアレイを構成できるので、歩留シを
大幅に向上させることができるとともに、特性の良好な
光センサアレイ装置が得られるという極めて優れた効果
を有する。
第１図は従来の光センサアレイ装置の一例を示す要部回
路構成図、第２図、第３図は本発明による光センサアレ
イ装置の一例を示す要部回路構成図である。 １・・・・基板、２ 、２’・・・・フォトダイオード
、３，３・＠＠６プロツキングダイオード、４．４・・
・・光センサ素子、５・・・・共通電極シフトレジスタ
、６・ｅ・・マトリックス配線、７・・・・個別電極シ
フトレジスタ、８・・・・信号増幅器、９．１０．１１
・・・・端子。 第１ＩＩ ８を 第２図 ８ ７ （０） 第３図
路構成図、第２図、第３図は本発明による光センサアレ
イ装置の一例を示す要部回路構成図である。 １・・・・基板、２ 、２’・・・・フォトダイオード
、３，３・＠＠６プロツキングダイオード、４．４・・
・・光センサ素子、５・・・・共通電極シフトレジスタ
、６・ｅ・・マトリックス配線、７・・・・個別電極シ
フトレジスタ、８・・・・信号増幅器、９．１０．１１
・・・・端子。 第１ＩＩ ８を 第２図 ８ ７ （０） 第３図
Claims (1)
- フォトダイオードとブロッキングダイオードとの各１個
を直列接続してなる光センサ素子を１ビツトの読み出し
画素として多数個具備してなる密着形光センサアレイ装
置において、前記１ビツトの読み出し画素を、フォトダ
イオードとブロッキングダイオードとからなる光センサ
素子の複数組からなシ、かつ各組の中点に１組を選択す
る端子を設けたことを特徴とする光センサアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196014A JPS5986257A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196014A JPS5986257A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986257A true JPS5986257A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16350787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196014A Pending JPS5986257A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986257A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204548A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-07-22 | Nec Corp | 受光半導体装置、その製造方法およびそれを用いた光結合装置 |
| JP2013251867A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Fujitsu Ltd | 撮像装置 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57196014A patent/JPS5986257A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204548A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-07-22 | Nec Corp | 受光半導体装置、その製造方法およびそれを用いた光結合装置 |
| JP2013251867A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Fujitsu Ltd | 撮像装置 |
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