JPS59177964A - イメ−ジ・センサ - Google Patents
イメ−ジ・センサInfo
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- JPS59177964A JPS59177964A JP58053410A JP5341083A JPS59177964A JP S59177964 A JPS59177964 A JP S59177964A JP 58053410 A JP58053410 A JP 58053410A JP 5341083 A JP5341083 A JP 5341083A JP S59177964 A JPS59177964 A JP S59177964A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、例えば、ファクシミリ装置の特に送信側に於
ける原稿読み取り部に用いて好適なイメージ・センサに
関する。
ける原稿読み取り部に用いて好適なイメージ・センサに
関する。
従来技術と問題点
従来、ファクシミリ装置に於ける原稿読み取り部として
は、フォト・ダイオードとＣＣＤ或いばＭＯＳ−ＦＥＴ
とを組合わせてアレイにしたイメージ・センサに対し、
原稿からの反射光をレンズ（１） 系で絞って入射さるようにした方式のものが知られてい
るが、このイメージ・センサはレンズ系を必要とするこ
となどから装置全体が大型化する欠点がある。
は、フォト・ダイオードとＣＣＤ或いばＭＯＳ−ＦＥＴ
とを組合わせてアレイにしたイメージ・センサに対し、
原稿からの反射光をレンズ（１） 系で絞って入射さるようにした方式のものが知られてい
るが、このイメージ・センサはレンズ系を必要とするこ
となどから装置全体が大型化する欠点がある。
そこで、現在、アモーファス・シリコン薄膜或いはＣｄ
５−ＣｄＳｅ系光導電膜などを使用した密着型イメージ
・センサが開発され実用化されつつある。
５−ＣｄＳｅ系光導電膜などを使用した密着型イメージ
・センサが開発され実用化されつつある。
密着型イメージ・センサは、それ全体の幅が原稿幅と同
一寸法であり、原稿に密着して使用することができ、装
置全体の小型化が可能になるので注目されている。
一寸法であり、原稿に密着して使用することができ、装
置全体の小型化が可能になるので注目されている。
ところで、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ系光導電膜を使用した密着
型イメージ・センサは、応答時間が１２（ｍｓ）（立ち
上がり、１００（ＩＸ））であって、１０〜２０（ｍｓ
）／ラインの読み取りが出来る。
型イメージ・センサは、応答時間が１２（ｍｓ）（立ち
上がり、１００（ＩＸ））であって、１０〜２０（ｍｓ
）／ラインの読み取りが出来る。
然し乍ら、ファクシミリ装置に於けるサーマル・ヘッド
は１〜２（ｍｓ）／ラインの記録速度を有している為、
イメージ・センサとしても、この（２） ザーマル・ヘッドの記録速度に匹敵する応答速度が持ち
たいところである。
は１〜２（ｍｓ）／ラインの記録速度を有している為、
イメージ・センサとしても、この（２） ザーマル・ヘッドの記録速度に匹敵する応答速度が持ち
たいところである。
さて、アモーファス・シリコン薄膜を使用したイメージ
・センサの応答速度は１００（ｎＳ）が可能であり、ま
た、大面積のものが作り易く、しかも、２００（’Ｃ）
程度の高温まで安定である。
・センサの応答速度は１００（ｎＳ）が可能であり、ま
た、大面積のものが作り易く、しかも、２００（’Ｃ）
程度の高温まで安定である。
このように、アモーファス・シリコン薄膜を使用したイ
メージ・センサの性能は優れたものではあるが、それを
実用化するには、解決しなければならない問題がいくつ
か存在する。
メージ・センサの性能は優れたものではあるが、それを
実用化するには、解決しなければならない問題がいくつ
か存在する。
蓄積型と呼ばれる駆動方法が採られている。
図に於いて、どはフォト・ダイオード、２′ばＭＯＳ−
ＦＥＴ、３’はシフト・レジスタ、Ｒば抵抗、Ｃｓは浮
遊容量、ＯＵＴは出力端子をそれぞれ示している。
ＦＥＴ、３’はシフト・レジスタ、Ｒば抵抗、Ｃｓは浮
遊容量、ＯＵＴは出力端子をそれぞれ示している。
このイメージ・センサでは、光が照射されたフォト・ダ
イオード１′には電荷が蓄積され、そのフォト・ダイオ
ード１′に逆バイアス電圧を印加して（３） 前記蓄積電荷を放出させ、信号として取り出すものであ
る。
イオード１′には電荷が蓄積され、そのフォト・ダイオ
ード１′に逆バイアス電圧を印加して（３） 前記蓄積電荷を放出させ、信号として取り出すものであ
る。
ところが、現在、実現されているイメージ・センサの構
成では、フォト・ダイオ−ＩＳ川用が形成されている基
板上或いは基板外に於ける配線等の影響で、浮遊容量Ｃ
ｓが読み取り回路（出力端子０ＵＴ）に並列に付加され
た状態になっている。その容量値は概算ではあるが数十
（ｐＦ）にも達する。
成では、フォト・ダイオ−ＩＳ川用が形成されている基
板上或いは基板外に於ける配線等の影響で、浮遊容量Ｃ
ｓが読み取り回路（出力端子０ＵＴ）に並列に付加され
た状態になっている。その容量値は概算ではあるが数十
（ｐＦ）にも達する。
これに対し、ファクシミリ装置では、原稿の縦方向及び
横方向とも、１（１ｍ）あたり８〜１０ 〔本〕の高解
像度が要求され、従って、フォ１−・ダイオード１は８
〜１０素子／〔Ｉ〕のアレイにしなければならないので
、その容量は１（ｐＦ）程度の微少なものである。
横方向とも、１（１ｍ）あたり８〜１０ 〔本〕の高解
像度が要求され、従って、フォ１−・ダイオード１は８
〜１０素子／〔Ｉ〕のアレイにしなければならないので
、その容量は１（ｐＦ）程度の微少なものである。
来取り出し得る出力電圧と比較すると数十分の１程度に
なってしまう。
なってしまう。
発明の目的
（４）
本発明は、アモーファス・シリコン薄膜を使用したイメ
ージ・センサの構成に簡単な改変を加えることに依り、
前記浮遊容量に基因する出力電圧の低下を低減させるこ
とが出来るようにするものである。
ージ・センサの構成に簡単な改変を加えることに依り、
前記浮遊容量に基因する出力電圧の低下を低減させるこ
とが出来るようにするものである。
発明の構成
本発明のイメージ・センサでは、アモーファス・シリコ
ンを用いて基板上に形成されたフォト・ダイオードに対
し、同一基板上の暗部に形成され且つ前記フォト・ダイ
オードと同一構造である電荷蓄積ダイオードを並列接続
した構成を採ることに依り、イメージ・センサの電荷蓄
積容量を大きくすることを可能とし、浮遊容量に依る出
力電圧の低下を防止している。
ンを用いて基板上に形成されたフォト・ダイオードに対
し、同一基板上の暗部に形成され且つ前記フォト・ダイ
オードと同一構造である電荷蓄積ダイオードを並列接続
した構成を採ることに依り、イメージ・センサの電荷蓄
積容量を大きくすることを可能とし、浮遊容量に依る出
力電圧の低下を防止している。
発明の実施例
第２図は本発明一実施例の要部平面図を表わしている。
図に於いて、１はガラス或いはセラミック等の絶縁性基
板、２はフォト・ダイオード部、３は電荷蓄積ダイオー
ド部、４及び５は引き出し電極を（５） それぞれ示している。
板、２はフォト・ダイオード部、３は電荷蓄積ダイオー
ド部、４及び５は引き出し電極を（５） それぞれ示している。
側面図を表わしている。
図に於いて、１１は絶縁性基板、１２はＡ７１等の電極
、１３は燐（Ｐ）等をドープしたｎ＋型ａ−３ｉ：Ｈ層
、１４はノン・ドープａ−３ｔ：Ｈ層、１５はｐｔ、１
ｎ２０３等からなりａ−３ｉ：ＨＮ１４とショットキ・
バリアを形成する透明膜、１６は例えばアルミニウム（
Ａ７り、クロム（Ｃｒ）からなる遮光用金属膜、１７は
例えばＡ７！、Ｃｒからなる引き出し電極、ｈνは入射
光をそれぞれ示している。尚、ａはアモーファスを表わ
すものとする。
、１３は燐（Ｐ）等をドープしたｎ＋型ａ−３ｉ：Ｈ層
、１４はノン・ドープａ−３ｔ：Ｈ層、１５はｐｔ、１
ｎ２０３等からなりａ−３ｉ：ＨＮ１４とショットキ・
バリアを形成する透明膜、１６は例えばアルミニウム（
Ａ７り、クロム（Ｃｒ）からなる遮光用金属膜、１７は
例えばＡ７！、Ｃｒからなる引き出し電極、ｈνは入射
光をそれぞれ示している。尚、ａはアモーファスを表わ
すものとする。
第４図は第２図及び第３図に示したフォト・ダイオード
部及び電荷蓄積ダイオード部の回路図を表わしている。
部及び電荷蓄積ダイオード部の回路図を表わしている。
図に於いて、１８はフォト・ダイオード、１９は電荷蓄
積ダイオードをそれぞれ示している。
積ダイオードをそれぞれ示している。
第２図乃至第３図及びそれ等に関する説明、特（６）
に、第３図及びその説明から明らかなように、本発明に
於けるイメージ・センサば、フォト・ダイオード部２も
電荷蓄積ダイオード部３も同じ工程で製造することがで
き、そして、電荷蓄積ダイオード部３を形成するには遮
光用金属膜１６を形成するのみで良いから簡単である。
於けるイメージ・センサば、フォト・ダイオード部２も
電荷蓄積ダイオード部３も同じ工程で製造することがで
き、そして、電荷蓄積ダイオード部３を形成するには遮
光用金属膜１６を形成するのみで良いから簡単である。
この電荷蓄積ダイオード部３の電荷蓄積容量の値は第２
図に於ける長さβに依り変化することになるが、例えば
、幅Ｗを１００〔μｍ〕、長さβも１００〔μｍ〕とす
ると１（ｐＦ）程度であるのに対し、長さｌを１ 〔鶴
〕とした場合には１０（ｐＦ）程度となり前記浮遊容量
と同等の大きさになる。
図に於ける長さβに依り変化することになるが、例えば
、幅Ｗを１００〔μｍ〕、長さβも１００〔μｍ〕とす
ると１（ｐＦ）程度であるのに対し、長さｌを１ 〔鶴
〕とした場合には１０（ｐＦ）程度となり前記浮遊容量
と同等の大きさになる。
前記実施例に於けるフォト・ダイオードは所謂ショット
キ・バリア・ダイオードであるが、これに限らず、ノン
・ドープａ−３ｉ：Ｈ層１４に例えば硼素をドープして
ｐ＋型ａ−３ｉ：Ｈ層を構成し、ｐｉｎ接合ダイオード
としても全く同一の機能を得ることができる。
キ・バリア・ダイオードであるが、これに限らず、ノン
・ドープａ−３ｉ：Ｈ層１４に例えば硼素をドープして
ｐ＋型ａ−３ｉ：Ｈ層を構成し、ｐｉｎ接合ダイオード
としても全く同一の機能を得ることができる。
発明の効果
（７）
本発明は、アモーファス・シリコン薄膜を材料とするフ
ォト・ダイオードを備えたイメージ・センサに於いて、
前記フォト・ダイオードに対して同じくアモーファス・
シリコン薄膜を材料とする電荷蓄積ダイオードを並列接
続してなる構成としであるので、浮遊容量に依る出力電
圧の低下は大幅に軽減され、また、フォト・ダイオード
に於ける容量のばらつきは電荷蓄積ダイオードに於ける
大きな容量に実効的に吸収され、全体として均一な出力
を持つイメージ・センサを実現することが可能になる。
ォト・ダイオードを備えたイメージ・センサに於いて、
前記フォト・ダイオードに対して同じくアモーファス・
シリコン薄膜を材料とする電荷蓄積ダイオードを並列接
続してなる構成としであるので、浮遊容量に依る出力電
圧の低下は大幅に軽減され、また、フォト・ダイオード
に於ける容量のばらつきは電荷蓄積ダイオードに於ける
大きな容量に実効的に吸収され、全体として均一な出力
を持つイメージ・センサを実現することが可能になる。
第１図は従来のイメージ・センサの動作を説明する為の
要部回路図、第２図は本発明一実施例の要部平面図、第
３図は第２図に見られる実施例の拡大要部切断側面図、
第４図は第２図及び第３図に見られるフォト・ダイオー
ド部及び電荷蓄積ダイオード部の回路図である。 図に於いて、１は絶縁性基板、２はフォト・ダイオード
部、３は電荷蓄積ダイオード部、４及び（８） ５は引き出し電極、１１は絶縁性基板、１２はＡＩｌ等
の電極、１３は燐（Ｐ）をドープしたｎ＋型ａ−３ｉ：
Ｈ層、１４はノン・ドープａ−３ｔ：ＨＪｉｆ、１５は
Ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３等からなりノン・ドープａ−３ｉ：Ｈ
層１４とショットキ・バリアを形成する透明膜、１６は
例えばＡｌｌ、Ｃｒからなる遮光用金属膜、１７は例え
ばＡＡ、Ｃｒからなる引き出し電極、１８はフォト・ダ
イオード、１９は電荷蓄積ダイオードである。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） （９） 第１図 、３ 第２図 第３図 第 ４ 図
要部回路図、第２図は本発明一実施例の要部平面図、第
３図は第２図に見られる実施例の拡大要部切断側面図、
第４図は第２図及び第３図に見られるフォト・ダイオー
ド部及び電荷蓄積ダイオード部の回路図である。 図に於いて、１は絶縁性基板、２はフォト・ダイオード
部、３は電荷蓄積ダイオード部、４及び（８） ５は引き出し電極、１１は絶縁性基板、１２はＡＩｌ等
の電極、１３は燐（Ｐ）をドープしたｎ＋型ａ−３ｉ：
Ｈ層、１４はノン・ドープａ−３ｔ：ＨＪｉｆ、１５は
Ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３等からなりノン・ドープａ−３ｉ：Ｈ
層１４とショットキ・バリアを形成する透明膜、１６は
例えばＡｌｌ、Ｃｒからなる遮光用金属膜、１７は例え
ばＡＡ、Ｃｒからなる引き出し電極、１８はフォト・ダ
イオード、１９は電荷蓄積ダイオードである。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） （９） 第１図 、３ 第２図 第３図 第 ４ 図
Claims (1)
- アモーファス・シリコン薄膜を材料とするフォト・ダイ
オードを備えるイメージ・センサに於いて、前記フォト
・ダイオードに対し同じくアモーフプス・シリコン薄膜
を材料とする電荷蓄積ダイオードを並列接続してなるこ
とを特徴とするイメージ・センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053410A JPS59177964A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | イメ−ジ・センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053410A JPS59177964A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | イメ−ジ・センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177964A true JPS59177964A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12942051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053410A Pending JPS59177964A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | イメ−ジ・センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177964A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133650U (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-06 | 三洋電機株式会社 | 感光装置 |
| JPS61214563A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 密着形イメ−ジセンサ基板 |
| JPS61287167A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
| JPS632377A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| EP0296725A2 (en) * | 1987-06-25 | 1988-12-28 | Sony Corporation | Photosensors |
| JPH01139459U (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
| JPS5766662A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP58053410A patent/JPS59177964A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
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| JPH0453003Y2 (ja) * | 1984-02-15 | 1992-12-14 | ||
| JPS61214563A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 密着形イメ−ジセンサ基板 |
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