JPS6259469B2 - - Google Patents
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- JPS6259469B2 JPS6259469B2 JP54123599A JP12359979A JPS6259469B2 JP S6259469 B2 JPS6259469 B2 JP S6259469B2 JP 54123599 A JP54123599 A JP 54123599A JP 12359979 A JP12359979 A JP 12359979A JP S6259469 B2 JPS6259469 B2 JP S6259469B2
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- Japan
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- thin film
- reading element
- optical reading
- blocking diode
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光読取素子に関し、さらに詳しくいえ
ば、光読取素子本体にできるだけ近接してブロツ
キングダイオードを薄膜化して設けた光読取素子
に関するものである。
ば、光読取素子本体にできるだけ近接してブロツ
キングダイオードを薄膜化して設けた光読取素子
に関するものである。
従来この種の光読取素子としては、受光部であ
る薄膜ダイオードにシリコンMOS型FET駆動回
路を接続するようにしたものがある。しかしなが
ら、このものは、受光部からの電気信号をMOS
型FETに入れるまでに、信号リード線の長さに
伴なう線間容量の増加が生じ、受光素子の光感度
および光応答速度を低下する欠点があり、さらに
高密度化するほどそのリード線長による影響が大
きく現われる欠点がある。
る薄膜ダイオードにシリコンMOS型FET駆動回
路を接続するようにしたものがある。しかしなが
ら、このものは、受光部からの電気信号をMOS
型FETに入れるまでに、信号リード線の長さに
伴なう線間容量の増加が生じ、受光素子の光感度
および光応答速度を低下する欠点があり、さらに
高密度化するほどそのリード線長による影響が大
きく現われる欠点がある。
本発明は上記の欠点を除去して、線間容量を低
減して光感度ならびに光応答速度を向上させ、併
せて製造原価の低減をはかろうとするものであ
る。
減して光感度ならびに光応答速度を向上させ、併
せて製造原価の低減をはかろうとするものであ
る。
第１図は本発明光読取素子の一実施例の断面図
およびその電気的等価回路を示す。１は透明なガ
ラス基板で、２はガラス基板上に光が透過できる
程度の厚さにスパツタリングまたは蒸着によつて
形成されれたAl薄膜、３，３′はそれぞれAl薄膜
２上の同一平面上に、スパツタリングまたは蒸着
によつて形成された例えばCdS等の光導電材料の
薄膜で、両薄膜３，３′間には若干の間隔が設け
られているが、極めて近接しており、Al薄膜２
により互いに電気的に接続されている。４は
CdTe等のｐ型材料、あるいはｐ型的な特性をも
つAs2Se3、As2S3等の材料で、スパツタリングま
たは蒸着によつて光導電材料薄膜３上に形成され
た薄膜で、光導電材料薄膜３との間にヘテロ接合
が形成されている。５はSiO2からなる薄膜で、
アモルフアス材料４および光導電材料薄膜の各中
央部を残してスパツタリングまたは蒸着によつて
形成され、アモルフアス材料４側ではコンデンサ
Ｃを形成する。６は光導電材料薄膜３′上にスパ
ツタリングまたは蒸着によつて形成されたTeの
薄膜で、光導電材料薄膜３′とでブロツキングダ
イオードを形成する。７および７′はそれぞれ例
えばAu等をスパツタまたは蒸着した電極で、７
を（−）側電極、７′を（＋）側電極とすると、
この光読取素子全体の電気的等価回路は第１図ｂ
のようになる。第１図ｂにおいて、Ａは光読取素
子本体、Ｂはブロツキングダイオードである。８
はガラス基板１の反対側表面上に形成された、ブ
ロツキングダイオードＢへの遮光用金属膜で例え
ばAl等で形成される。
およびその電気的等価回路を示す。１は透明なガ
ラス基板で、２はガラス基板上に光が透過できる
程度の厚さにスパツタリングまたは蒸着によつて
形成されれたAl薄膜、３，３′はそれぞれAl薄膜
２上の同一平面上に、スパツタリングまたは蒸着
によつて形成された例えばCdS等の光導電材料の
薄膜で、両薄膜３，３′間には若干の間隔が設け
られているが、極めて近接しており、Al薄膜２
により互いに電気的に接続されている。４は
CdTe等のｐ型材料、あるいはｐ型的な特性をも
つAs2Se3、As2S3等の材料で、スパツタリングま
たは蒸着によつて光導電材料薄膜３上に形成され
た薄膜で、光導電材料薄膜３との間にヘテロ接合
が形成されている。５はSiO2からなる薄膜で、
アモルフアス材料４および光導電材料薄膜の各中
央部を残してスパツタリングまたは蒸着によつて
形成され、アモルフアス材料４側ではコンデンサ
Ｃを形成する。６は光導電材料薄膜３′上にスパ
ツタリングまたは蒸着によつて形成されたTeの
薄膜で、光導電材料薄膜３′とでブロツキングダ
イオードを形成する。７および７′はそれぞれ例
えばAu等をスパツタまたは蒸着した電極で、７
を（−）側電極、７′を（＋）側電極とすると、
この光読取素子全体の電気的等価回路は第１図ｂ
のようになる。第１図ｂにおいて、Ａは光読取素
子本体、Ｂはブロツキングダイオードである。８
はガラス基板１の反対側表面上に形成された、ブ
ロツキングダイオードＢへの遮光用金属膜で例え
ばAl等で形成される。
第２図は本発明光読取素子を用いた駆動系の１
例である。Ｃはクロツク列の印加端子で１からｎ
にわたつて順次シリーズに入力され、それに応じ
て各素子毎に光電流Ipが流れ、出力抵抗器Ｒによ
つて出力端子Ｄに出力として取出される。今、例
えばパルス巾Ｔ（sec）、電圧Ｖ（volt）のクロツ
ク１が入力すると、ブロツキングダイオードは順
バイアスされ、光読取素子本体は逆バイアスされ
る。このときに光信号が入力されれば、それによ
る放電電流が生じ、出力端子Ｄで電圧出力として
検出され、増巾器、サンプルホールドを介して順
次処理され、プロツタコントローラに入力され
る。
例である。Ｃはクロツク列の印加端子で１からｎ
にわたつて順次シリーズに入力され、それに応じ
て各素子毎に光電流Ipが流れ、出力抵抗器Ｒによ
つて出力端子Ｄに出力として取出される。今、例
えばパルス巾Ｔ（sec）、電圧Ｖ（volt）のクロツ
ク１が入力すると、ブロツキングダイオードは順
バイアスされ、光読取素子本体は逆バイアスされ
る。このときに光信号が入力されれば、それによ
る放電電流が生じ、出力端子Ｄで電圧出力として
検出され、増巾器、サンプルホールドを介して順
次処理され、プロツタコントローラに入力され
る。
第３図は本発明の他の実施例を示す。同図にお
いて、第１図と同一符号は同一部分を示し、その
詳細な説明を省略する。
いて、第１図と同一符号は同一部分を示し、その
詳細な説明を省略する。
この実施例において、１００はフオトダイオー
ド、２００はブロツキングダイオードであり、半
透明金属２ａは、Cr、Au等を用い、真空蒸着ま
たはスパツタリングにより形成した。また、pin
センサー９，９′は、PCVD法により、SiH4ガス
を使用し、ｐ層の場合にはB2H6＋SiH4を、ｎ層
の場合にはPH3＋SiH4を用い、高周波数電力
10W、流量10SCCM、圧力0.1torrで、ｉ層は１μ
ｍ以下、ｐ、ｎ層は1000〜3000Åの厚さに堆積し
た。
ド、２００はブロツキングダイオードであり、半
透明金属２ａは、Cr、Au等を用い、真空蒸着ま
たはスパツタリングにより形成した。また、pin
センサー９，９′は、PCVD法により、SiH4ガス
を使用し、ｐ層の場合にはB2H6＋SiH4を、ｎ層
の場合にはPH3＋SiH4を用い、高周波数電力
10W、流量10SCCM、圧力0.1torrで、ｉ層は１μ
ｍ以下、ｐ、ｎ層は1000〜3000Åの厚さに堆積し
た。
この実施例において、ブロツキングダイオード
２００はフオトダイオードと同一構成であるが、
光照射により光電流が流れ、本来のブロツキング
ダイオードの役目を果たさなくなるので、Cr等
からなる遮光用金属膜８を基板１の裏側に形成し
ている。ブロツキングダイオード２００は感光性
をもつ必要はなく、またフオトダイオードと同一
材料、同一構成である必要もなく、ポリSi、
CdSe等の薄膜トランジスタによりブロツキング
特性をもたせてもよい。
２００はフオトダイオードと同一構成であるが、
光照射により光電流が流れ、本来のブロツキング
ダイオードの役目を果たさなくなるので、Cr等
からなる遮光用金属膜８を基板１の裏側に形成し
ている。ブロツキングダイオード２００は感光性
をもつ必要はなく、またフオトダイオードと同一
材料、同一構成である必要もなく、ポリSi、
CdSe等の薄膜トランジスタによりブロツキング
特性をもたせてもよい。
以上の通りであるから、本発明は次のように優
れた効果を奏する。
れた効果を奏する。
(イ) 光読取素子本体とブロツキングダイオードと
の間に電極を設けず、金属薄膜の上に同一平面
上に光読取素子本体とブロツキングダイオード
を形成し、電極を両者の各上下に形成したか
ら、両者を極めて近接して形成することがで
き、従つてリード線長による容量の発生を極め
て小さくおさえることができる。
の間に電極を設けず、金属薄膜の上に同一平面
上に光読取素子本体とブロツキングダイオード
を形成し、電極を両者の各上下に形成したか
ら、両者を極めて近接して形成することがで
き、従つてリード線長による容量の発生を極め
て小さくおさえることができる。
(ロ) 光読取素子本体と、ブロツキングダイオード
をそれぞれ薄膜によつて形成したから光応答速
度が大きくなるとともに、製造原価の低減を計
ることができる。
をそれぞれ薄膜によつて形成したから光応答速
度が大きくなるとともに、製造原価の低減を計
ることができる。
(ハ) 透明基板上の電極にいわゆる透明電極を使用
せず光透過性の金属薄膜を使用したので、透明
電極を使用したのにくらべてバリアを形成する
ことがない。
せず光透過性の金属薄膜を使用したので、透明
電極を使用したのにくらべてバリアを形成する
ことがない。
第１図は本発明光読取素子の一実施例の断面図
およびその電気的等価回路、第２図は本発明光読
取素子を用いた駆動系の一例の回路図、第３図は
本発明の他の実施例の断面図である。 １……ガラス基板、２……Al薄膜、３，３′…
…光導電材料薄膜、４……アモルフアス材料薄
膜、５……SiO2薄膜、６……Te薄膜、７，７′…
…電極、８……遮光用金属膜、Ａ……光読取素子
本体、Ｂ……ブロツキングダイオード、Ｃ……ク
ロツク列印加端子、Ｄ……出力端子、Ｒ……出力
抵抗器。
およびその電気的等価回路、第２図は本発明光読
取素子を用いた駆動系の一例の回路図、第３図は
本発明の他の実施例の断面図である。 １……ガラス基板、２……Al薄膜、３，３′…
…光導電材料薄膜、４……アモルフアス材料薄
膜、５……SiO2薄膜、６……Te薄膜、７，７′…
…電極、８……遮光用金属膜、Ａ……光読取素子
本体、Ｂ……ブロツキングダイオード、Ｃ……ク
ロツク列印加端子、Ｄ……出力端子、Ｒ……出力
抵抗器。
Claims (1)
- １ 透明基板上に光透過性の金属薄膜を設け、前
記金属薄膜上に光読取素子本体とそれに可能な限
り近接してブロツキングダイオードとを同一平面
上に且つ互いに直列になる如くそれぞれ薄膜によ
つて形成し、前記金属薄膜を共通電極とするとと
もに各他方の電極を前記光読取素子本体上および
ブロツキングダイオード上にそれぞれ形成したこ
とを特徴とする光読取素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359979A JPS5648185A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359979A JPS5648185A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5648185A JPS5648185A (en) | 1981-05-01 |
| JPS6259469B2 true JPS6259469B2 (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14864595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12359979A Granted JPS5648185A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Photoreading element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5648185A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993026046A1 (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-23 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0601200A1 (en) * | 1992-06-15 | 1994-06-15 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS5882564A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 非晶質シリコン受光素子 |
| JPS5976461A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Stanley Electric Co Ltd | フオトセンサの製造方法 |
| JPS5972520U (ja) * | 1982-11-06 | 1984-05-17 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線分光光度計 |
| JPS59191379A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換素子 |
| JPS59204266A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜読取り装置 |
| JPS60153158U (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-12 | 板津 文夫 | トレ−ニング用器具 |
| JPS6182570A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-04-26 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
| JPH01278079A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Kyocera Corp | 光センサー |
| JPH04107858U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-17 | 富士ゼロツクス株式会社 | イメ−ジセンサ |
| JPH06254192A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-13 | Mizuno Corp | ゴルフ等の筋力トレーニング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312799A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-04 | Diamond Shamrock Corp | Process for producing alkali metal carbonate by diaphragmmtype electrolytic cell |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636146Y2 (ja) * | 1973-09-05 | 1981-08-25 |
-
1979
- 1979-09-26 JP JP12359979A patent/JPS5648185A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312799A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-04 | Diamond Shamrock Corp | Process for producing alkali metal carbonate by diaphragmmtype electrolytic cell |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993026046A1 (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-23 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0601200A1 (en) * | 1992-06-15 | 1994-06-15 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0601200A4 (en) * | 1992-06-15 | 1994-10-26 | Kanegafuchi Chemical Ind | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5648185A (en) | 1981-05-01 |
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