JPS62145866A - センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光導電型センサおよびその駆動に係り、特に信
号電流が大きく、かつ光に対する応答性を向上させるこ
とを企図した光導電型センサ、その駆動方法および駆動
装置に関する。

本発明による光導電型センサ、その駆動方法および駆動
装置は、たとえばファクシミリ、デジタルコピー、ある
いはイメージリーグ等の画像入力部などに適用される。

［従来技術］ 近年、ファクシミリやデジタルコピー等のいわゆる電子
事務機の普及に伴ない、小型で低コストの画像入力装置
の需要が高まっている。そこで、原稿に直接接触できる
とともに、結像系の不要であるか又は結像系の動作距離
の短かい等倍型ラインセンサが注目されている。

等倍型ラインセンサは実際の原稿の一辺と同じ長さが必
要であるために、高解像度を得るには多数のセンサを高
密度に形成する必要がある。そのために、ＧｄＳ・Ｓｅ
や水素化非晶質シリコン（以下、ａ−９ｉ：Ｈとする。

）等の薄膜半導体を用いるのが好適である。

この薄膜半導体を用いたフォトセンサには、大きく分け
てフォトダイオード型および光導電型の二種類がある。

フォトダイオード型では、電極間に逆バイアス電圧が印
加されているために、光によって発生した電子・正孔対
が各々の両電極に到達して逆方向電流が流れるのみであ
り、それ以上電極からキャリアは注入されない。

それに対して、光導電型では、電子又は正孔が電極から
注入可能であるために、半導体内の電子又は正孔の密゛
度が十分に高くなり、電極間に電圧を印加することによ
ってフォトダイオード型に比べて遥かに大きな出力電流
を得ることができる。

第７図は、従来の光導電型センサの概略的構成図である
。

同図において、ガラス又はセラミクス等の絶縁物基板１
上には、光導電層としてのｃｄｓ−６ｅやａ−９ｉ：Ｈ
等の半導体層２が形成され、更にオーミックコンタクト
用のドーピング半導体層３および３′を介して一対の電
極４および４′が形成されている。ただし、電極から半
導体層２へ注入されるキャリアが電子であれば、ドーピ
ング半導体層３および３′はｎ型、正孔であればｐ型で
ある。

このような構成において、基板１側（基板ｌが透明な場
合）又は電極４および４′側から光が入射すると、電極
４および４′間の半導体層２内には光励起によって電導
に寄与する電子又は正孔の密度が高くなる。したがって
、図示されるように電極４および４′間に電圧を印加し
ておけば、光入射によって大きな信号電流を流れ、図示
されていない負荷抵抗の両端から大きな出方ｉ得ること
ができる。

このように大きな出力信号が得られるために、光導電型
センサの信号読取回路の負担が軽減され、光導電型セン
サを用いた等倍型ラインセンサ等を高感度、かつ低コス
トで構成することができる。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の光導電型センサは光に対する
応答性が十分ではないために、たとえば多数の画素セン
サを有する等倍型ラインセンサを構成した場合、高速で
原稿を読取ることができないという問題点を有してコ）
た。

［問題点を解決するための手段］ 本発明による光導電型センサは、 光導電層上に受光領域となる部分を隔ててキャリア注入
を許す一対の主電極が設けられ、かつ少なくとも前記受
光領域となる部分では前記光導電層とゲート電極とが絶
縁層を介して積層された構造を有することを特徴とする
。

その駆動方法は、 入射光の照度が大きい程、前記ゲート電極に印加する電
圧の絶対値を小さくすることを特徴とする特 その駆動装置は、 前記受光領域の入射光を実質的に感知できる位置に設け
られ、入射光の照度を検出する受光手段と、該受光手段
の出力に基づいて前記ゲート電極に印加する電圧を調整
する電圧調整手段とを有することを特徴とする。

［作用説明等］ まず、上記ゲート電極の作用について図面を用いて説明
する。

第８図は、本発明による光導電型センサおよびその駆動
方法についての概略を説明するための基本構成図である
。

同図において、透明又は不透明の絶縁物基板１上には、
透明又は不透明の導電層がパターニングされてゲート電
極５が形成され、更にＳｉＯｘやＳｉＮｘ等の絶縁層６
がスパッタリング法やグロー放電法等によって形成され
ている。絶縁層θ上には、上述したように光導電層とし
てのＣｄＳ　φＳｅやａ−３ｉ：Ｈ等の半導体層２、ド
ーピング半導体層３および３′、電極４および４′　（
ここではドレイン電極４およびソース電極４′とする。

）が各々形成されている。ただし、ここではドーピング
半導体層３および３′をｎ型で形成し、電子を注入キャ
リアとする場合を示す。

このような構成の光導電型センサにおいて、図示されて
いるように、電極４および４′間に直流電源７を、ソー
ス電極４′およびゲート電極５間に可変直流電源８を各
々接続する。ただし、可変直流電源８は極性も転換でき
るものとする。

次に、上記ゲート電極５の電位を変化させた時の電極４
および４′間に流れる電流の変化を第９図を参照しなが
ら説明する。

第９図（Ａ）〜（Ｃ）は、ゲート電極５の電位が一方の
ソース電極４′に対して各々正、同電位および負の場合
の半導体層２内の電子の状態を示す模式図である。ただ
し、説明の都合上、トラップされた電子は図示されてい
ない。

まず、同図（Ａ）に示すように、ゲート電極５を電極４
′に対して正電位にすると、ゲート電極５の容量に応じ
て半導体層２の絶縁層８との界面に電子８が蓄積されチ
ャネルが形成される。このチャネルを通して電極４およ
び４′間に大きな電流がながれる。この状態は、電界効
果トランジスタのＯＮ状態であり、光入射の有無に関係
なく大きな電流が流れるためにフォトセンサとしては使
用できない。

次に、ゲート電極５の電位を低くして電極４′と同電位
にすると、同図（Ｂ）に示すように、トラップされた正
孔１０が増加し、電子９の数が減少するために、電極４
および４′間に流れる電流はゲート電極５が正電位の場
合よりも減少する。

更に、ゲート電極５を負電位にすると、同図（Ｃ）に示
すように、ゲート電極５の容量に応じた正孔がトラップ
され、再結合準位にも多くの正孔がトラップされる。そ
の結果、電子の再結合寿命が短かくなり、半導体層２内
の電子数が減少して電極４および４′間に電流が流れに
くくなる。

しかしながら、この状態で光が入射すると、上述したよ
うに、その照度に応じた電子が伝導帯に励起され、それ
によって電極４および４′間に電流が流れる。すなわち
、入射光の照度に応じた電流が流れるために、フォトセ
ンサとして使用可能となる。このような電極４および４
′間に流れる電流のゲート電圧依存性を第１０図を用い
て具体的に説明する。

第１０図は、ゲート電圧とソースφドレイン間電流との
関係を照度をパラメータとして示したグラフである。た
だし、第８図に示すセンサの大きさは１００ｇｍ角であ
り、電源７によってドレイン電極４に印加されている電
圧はＩＯＶである。

同グラフから明らかなように、ゲート電圧が正の時は照
度にあまり関係なく大きな電流が流れ、その電流値の変
化に有意義な差はみられない。

しかしながら、たとえばゲート電圧Ｖｇ＝−５Ｖの時は
、ｖｇ＝　ＯＶと時に比べて電流値は約局となっている
が、入射光の照度に対する依存性が大きくなり、良好な
特性を有するフォトセンサとして使用できることを示し
ている。しかもゲート電圧ｖｇ−−５Ｖの時でも、同サ
イズのフォトダイオード型センサに比べて約１００倍の
電流値であった。

次に、ゲート電圧Ｖｇが変化した時の光電流１ｐの変化
について説明する。

第１１図は、パルス状のゲート電圧Ｖｇと、そのゲート
電圧Ｖｇを印加した際め光電流Ｉｐの変化を示す波形図
であり、第１２図（Ａ）〜（Ｄ）は、各々光電流１ｐの
変化過程Ａ−Ｄにおける半導体層２の厚さ方向のエネル
ギバンド図である。ただし、ドレイン電圧はｉｏｖ　、
入射光の照度は１００ルクスで共に一定である。

まず、ゲート電圧Ｖｇが一５Ｖの一定値にある時は、光
電流Ｉｐは定常状態Ａにあり、第１２図（Ａ）に示すよ
うに、ゲート電極５の容量と印加電圧との積で決まる電
荷量の正孔が局在準位にトラップされている。

次に、１＝０においてゲート電圧Ｖｇが一３ｖに立上が
ると、必要な正の電荷量が減少するために、過剰な電荷
量に等しい電荷量の電子がソース電極４′から半導体層
２内へ注入され、光電流Ｉｐは状態Ｂに示すように急激
に上昇する。そして注入された電子は、第１２図（Ｂ）
に示すように、即座に局在準位にトラップされ、これに
よって光電流１ｐは減少し一定値に落着く。

次に、ｔ＝４履ｓｅｃにおいてゲート電圧Ｖｇが一５ｖ
に立下がると、今度は正の電荷量が不足する。しかし正
孔は電極から注入されないために、第１２図（Ｇ）に示
すように、逆に半導体層２内の電子が電極から掃出され
、ソース・ドレイン間電流は一時的に著しく減少する　
（第１１図の状態Ｃ）。

その後、第１２図（Ｄ）に示すように、光照射によって
発生した正孔が局在準位にトラップされるに従い、電子
も次第に増加し、状態りに示すように光電流１ｐは徐々
に定常状態の電流値に復帰する。

このように、ゲート電圧を変化させると、ソースｅドレ
イン間電流は変化時にその変化の方向を強調するように
変化する。この現象を利用することで、次に具体的に述
べるように光に対する応答性が良好な光導電型センサを
得ることができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第１図は本発明による光導電型センサおよびその駆動装
置の第一実施例であり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は
そのＡ−Ａ線断面図、（Ｃ）はそのＢ−Ｂ線断面図であ
る。

各図において、ガラス基板ｌｌ上には、＋１０Ｖの電圧
が印加される電源線１２、Ｓｎ０２から成る透明なゲー
ト電極１３、および接地線１４が各々パターニング形成
されている。その上に、モノシラン（ＳｉＨ＋　）　１
３よびアンモニア（ＮＨ３）を原料ガスとしたグロー放
電分解法（以下、ＣＤ法という。）によって窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ　：Ｈ）膜１５が形成され、更にＳｉＨ４
を原料ガスとしたＣＤ法により非晶質シリコン（ａ−３
ｉ　：Ｈ）膜１８が光導電層として形成されている。

ａ−９ｉ：Ｈ膜１θ上には、フォスフイン（ＰＨ３）を
混合したＳｉＨ４を原料ガスとしたＣＤ法によって薄い
ｎ”　ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１７がオーミックコンタクト用と
して各電極と同パターンで形成されている。

更にその上に、くし状のドレイン電極１８およびソース
電極１９が幅１０ｐｍのギャップａを置いて形成され、
またゲート電源線２０とゲート電極１３に接続している
浮動電位電極２１とが輻１０１１．ｍのギャップｂを置
いて形成され、浮動電位電極２１と接地線１４に接続さ
れた接地電極２２とが幅１０１１．ｍのギャップＣを置
いて形成されている。ただし、上記各ギャップ部のｎ”
　ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１７はエツチングによって除去されて
いる。

第２図は、第１図に示す本実施例の等価回路図である。

第２図において、光導電型センサである主センサＳ１は
ゲート電極１３、窒化シリコン膜１５、ギヤ７７８部の
ａ−！Ｊｉ：Ｈ膜１６、ドレイン電極１８およびソース
電極１８から構成されている。ドレイン電極１８には電
源２３から電源線１２を介して正電圧Ｖｄが印加され、
ソース電極１９は接地線１４とともに光電流蓄積用のコ
ンデンサ２４を構成し、更に増幅用アンプ２５に接続さ
れている。

入射光の照度を検出するための受光手段である補助セン
サＳ２は、ギャップＣ部のａ−Ｓｉ：Ｈ膜１８、浮動電
位電極２１および接地電極２２から構成され、ガラス基
板１１側から受光する光ｈυによってそのコンダクタン
スが変化する。

トランジスタＴはゲート電源線２０、浮動電位電極２１
．ギャップ５部のａ−３ｉ；Ｈ膜１６および電源線１２
から構成されている。ただし、本実施例では正電圧Ｖｄ
が印加された電源線１２がトランジスタＴのゲートとな
っているために、トランジスタＴはＯＮ状態で低い抵抗
値となっている。

ゲート電源線２０は電源２Ｂから負電圧Ｖｇが印加され
、低い抵抗値のトランジスタＴを介して浮動電位電極２
１に接続されている。また浮動電位電極２１は光ｈυに
よってコンダクタンスが変化する補助センサＳ２を介し
て接地されている。したがって、浮動電位電極２１の電
位、すなわち主センサＳ１のゲート電極１３の電位は、
負電位に設定されるとともに補助センサＳ２に入射する
光の照度によって変化する。すなわち、補助センサＳ２
のコンダクタンスを０１、トランジスタＴのコンダクタ
ンスを０２とすると、ゲート電極１３の電位マｇは次式
で表わされる。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を説明す
る。

第３図（Ａ）〜（Ｄ）は、各々本実施例の動作を説明す
るための光パルス、補助センサＳ２の光電流、ゲート電
極１３の電位および主センサＳ１の光電流の波形図であ
り、第３図（Ｅ）は、従来のフォトセンサの光電流の波
形図である。

まず、第３図（Ａ）に示すような光パルスｈυが主セン
サＳ１および補助センサＳ２に照射されると、補助セン
サＳ２には同図（Ｂ）に示すような光電流が接地線１４
からゲート電源線２０側へ流れる。

これによって、浮動電位電極２１およびゲート電極１３
の電位ｖｇは、同図（Ｃ）に示すように所定の負電位か
ら上昇する。すなわち、ゲート電極１３の電位マｇは、
光が入射する前はＧｌ（（Ｇ２であるために電源２６の
負電位Ｖｇにほぼ等しいが、光が入射すると、Ｇ１が大
きくなるために負電位Ｖｇかも上昇し始める。また、光
パルスｈυが立下がると、Ｇ１が小さくなるためにゲー
ト電極１３の電位ｖｇは負電位Ｖｇに復帰する。

ゲート電極１３の電位が負電位Ｖｇから上昇したり、ま
た負電位Ｖｇに復帰したりする時は、第１１図において
説明したように、主センサＳ１のソース・ドレイン間電
流は変化時にその変化の方向を強調するように変化する
。したがって、主センサＳ１の光電流ＩＰは、同図ＣＩ
））に示すように、光パルスｈυに対応した立−ヒがり
および立下がりが速くなる。

比較例として、同図（Ｅ）に従来のフォトセンサにおけ
る光電流の立−Ｆがりおよび立下がりを示す。同図（Ｄ
）と（Ｅ）とを比較すると、本実施例であるフォトセン
サの方が従来のものより光に対する応答性が大幅に良い
ことが分かる。

このようにして入射光に対応した光電流Ｉｐが主センサ
Ｓ１に流れると、その電荷は充電流蓄積用のコンデンサ
２４に蓄積され、その電荷蓄積量に対応した電圧がアン
プ２５で増幅され、光情報とじて出力される。

次に、このような本実施例を配列したラインセンサの構
成例を説明する。

第４図は、本実施例を用いたラインセンサの構成の一例
を示す回路図である。

同図において、セル１０１が第１図に示す本実施例に対
応し、このセル１０１がライン状に配列されている。各
セル１０１の電源線１２には電源２３の正電圧Ｖｄが印
加され、ゲート電源線２０には電源２６の負電圧Ｖｇが
印加されている。また、各セル１０１の接地電極２２は
接地され、各ソース電極１９は接地線２２とコンデンサ
２４を構成するとともに各々トランジスタＳＴを介して
アンプ２５に共通に接続されている。トランジスタＳＴ
の各ゲート電極はシフトレジスタ１０２の並列出力端子
に接続され、シフトレジスタ１０２の動作タイミングに
よってトランジスタＳＴは順次ＯＮ状態となる。

このような構成において、各セル１０１に光が入射する
と、各入射照度に対応した電荷量が充電流蓄積用コンデ
ンサ２４に蓄積され、その蓄積量に対応した電圧が発生
する。この蓄積を一定時間行・った後、シフトレジスタ
１０２を動作させてトランジスタＳＴを順次ＯＮ状態と
し、各セル１０１のコンデンサ２４の電圧をシリアルに
アンプ２５に入力し、光情報として出力する。

第５図（Ａ）は、本発明の第二実施例の平面図、第５図
（Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図である。

各図において、ガラス基板２０１上には、ＳｎＯ２から
成る透明なゲート電極２０２がパターニング形成されて
いる。その上に、ＳｉＨ４およびＮ１３を原料ガスとし
たＣＤ法によって窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）膜２０
３が形成されている。ただし、ＳｉＨ４に対するＮＨ３
の流量比は０．５以下に設定されており、これによって
窒化シリコン膜２０３は、高抵抗ではあるが微小電流の
流れうる膜となっている。

更に、Ｓｉｎ　４を原料ガスとしたＣＤ法により５ｉＳ
ｉ：Ｈ膜２０４が光導電層として形成されている。

ａ−！３ｉ：Ｈ膜２０４上には、ＰＨ３を混合したＳｉ
Ｈ４を原料ガスとしたＣＤ法によって薄いｎ”　ａ−９
ｉ：Ｈ膜２０５がオーミックコンタクト用として各電極
と同パターンで形成されている。

更にその上に、くし状のドレイン電極２０Ｂおよびソー
ス電極２０７が幅１０ｇｍのギャップａを鐙いて形成さ
れ、またゲート電極２０２に接続している浮動電位電極
２０８とゲート電源線２０８とが幅２０ＩＬｍのギャッ
プｄを置いて形成されている。ただし、ギャップ８部の
ｎ”　ａ−８ｉ：Ｈ膜２０５はエツチングによって除去
され、光導電型センサの受光部を形成しているが、ギャ
ップ６部のｎ”　ａ−３ｉ：Ｈ膜２０５はエツチングさ
れておらず、したがって浮動電位電極２０８とゲート電
源！１２０９とは低抵抗で接続された状態となっている
。

第６図は、第５図に示す本実施例の等価回路図である。

第６図において、主センサＳ１はゲート電極２０２、窒
化シリコン膜２０３、ギャップ８部のａ−Ｓｉ：Ｈ膜２
０４、ドレイン電極２０８およびソース電極２０７から
構成されている。ドレイン電極２０６には電１ｉ２３か
ら正電圧Ｖｄが印加され、ソース電極２０７は図示され
ていない接地線とともに光電流蓄積用のコンデンサ２４
を構成し、更に増幅用アンプ２５に接続されている。

補助センサＳ２はドレイン電極２０８、ｎ”　ａ−３ｉ
：Ｈ膜２０５　、　ａ−９ｉ：Ｈ膜２０４、窒化シリコ
ン膜２０３およびゲート電極２０２から構成される。上
述したように、窒化シリコン膜２０３は微小電流の流れ
うる高抵抗であるために、ガラス基板２０１側から入射
する光ｈｖによって補助センサＳ２のコンダクタンスＧ
１が変化する。すなわち、補助センサＳ２は、暗状態で
は極めて高い抵抗を示すが、光が入射すると、窒化シリ
コン膜２０３自体の光導電性およびａ−３ｉ：Ｈ膜２０
４からのキャリア注入によって導電性が生じる。

また、抵抗Ｒはギャップ６部のｎ”　ａ−３ｉ：Ｈ膜２
０５であり、ゲート電極２０２には浮動電位電極２０８
、抵抗Ｒおよびゲート電源線２０８を介して電源２Ｂか
ら負電圧Ｖｇが印加されている。

したがって、補助センサＳ２のコンダクタンスＧ１の変
化によってゲート電極２０２の電位マｇが変化する。す
なわち、抵抗ＲのコンダクタンスをＧ２とすれば、ゲー
ト電極２０２の電位ｖｇは、（ただし、Ｖｄ＞０　、Ｖ
ｇ＜Ｏ） と表わされる。したがって、暗状態ではＧ１くくＧ２で
あるために電位マｇは負電圧Ｖｇにほぼ等しいが、光入
射によってコンダクタンスＧ１が大きくなると、電位マ
ｇは上昇し、逆に暗状態となると負電圧Ｖｇに復帰する
。

ゲート電極２０２の電位マｇがこのように変化すること
で、第一実施例と同様に、主センサＳ１の光電流の応答
性を向上させることができる。

なお、本実施例では、ソース電極２０７とゲート電極２
０２との間にも電流が流れるが、これら両電極の重なり
は小さく、また両電極間の電位差はドレイン電極２０Ｂ
の場合より小さいために、この漏れ電流は無視すること
ができる。

また、本実施例を用いて第４図に示すラインセンサを構
成できることは言うまでもない。

また、上記各実施例では、主センサＳ１のゲート電極の
電位は同じ光導電層を用いた補助センサＳ２のコンダク
タンス変化を利用して調整されるが、これに限定される
ものではなく、別個にゲート電位調整手段を設けてもよ
い。′たとえば、第４図に示すように個々のセルごとに
補助センサＳ２を設ける構成だけではなく、補助センサ
Ｓ２が各主センサＳ１の入射光の照度、その平均値又は
サンプル値等を実質的にモニタできるならば、別個に補
助センサＳ２を設けて、その出力からゲート電位を決め
る構成にすることもできる。

また、ソース電極又はドレイン電極から光導電層へ正孔
が注入される場合は、ゲート電極には正電位が印加され
、入射光の照度が大きくなる程、ゲート電位を低下させ
るように構成すればよい。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明による光導電型セン
サは、入射光の照度が大きい程、ゲート電極に印加する
電圧の絶対値を小さくすることによって、光に対する応
答性を従来に比べて大幅に向上させることができる。し
たがって、高速動作が可能となり、多数の画素センサを
有するラインセンサを構成した場合にも高速で原稿を読
取ることができる。

また、同サイズのフォトダイオード型センサに比べては
るかに大きな信号電流を得ることができるために、信号
読取り回路の負担を軽減され、低コスト化が促進される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光導電型センサおよびその駆動装
置の第一実施例であり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は
そのＡ−Ａ線断面図、（Ｇ）はそのＢ−Ｂ線断面図、 第２図は、第１図に示す本実施例の等価回路図、 第３図（Ａ）〜（ｌ］）は、各々本実施例の動作を説明
するための光パルス、補助センサＳ２の光電流、ゲート
電極１３の電位および主センサＳ１の光電流の波形図、
第３図（Ｅ）は、従来のフォトセンサの光電流の波形図
、 第４図は、本実施例を用いたラインセンサの構成の一例
を示す回路図、 第５図（Ａ）は、本発明の第二実施例の平面図、第５図
（Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図、第６図は、第５図に示
す本実施例の等価回路図、 第７図は、従来の光導電型センサの概略的構成図、 第８図は、本発明による光導電型センサおよびその駆動
方法についての概略を説明するための基本構成図、 第９図（Ａ）〜（Ｃ）は、ゲート電極５の電位が一方の
ソース電極４′に対して各々正、同電位および負の場合
の半導体層２内の電子の状態を示す模式図。 第１０図は、ゲート電圧とソース・ドレイン間電流との
関係を照度をパラメータとして示したグラフ、 第１１図は、パルス状のゲート電圧Ｖｇと、そのゲート
電圧Ｖｇを印加した際の光電流ＩＰの変化な示す波形図
、 第１２図（Ａ）〜（Ｄ）は、各々光電流Ｉｐの変化過程
Ａ−Ｄにおける半導体層２の厚さ方向のエネルギバンド
図である。 １１．２０１　・会・ガラス基板　　１２・・φ電源線
１３．２０２　・１１１１ゲート電極　　１４φ・・接
地線１５．２０３−・・窒化シリコン膜 １Ｂ、２０４　　ｍ　＊　＊　ａ−３ｉ：Ｈ膜１７．２
０５　１１　ｍ　１１　　ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１８．２
０６　・・・ドレイン電極 １９．２０７　・・・ソース電極 ２０．２０９　・・φゲート電源線 ２１．２０８　・・會浮動電位電極 代理人　　弁理士　山　下“　穣　平 ロ　　　　　　　　　　　　　　＾ ＩｊＪ 第９図 電流（Ａ） ゲ一ト電圧Ｖｇ（Ｖ） 一 〉

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電層上に受光領域となる部分を隔ててキャリ
   ア注入を許す一対の主電極が設けられ、かつ少なくとも
   前記受光領域となる部分では前記光導電層とゲート電極
   とが絶縁層を介して積層された構造を有することを特徴
   とする光導電型センサ。
2. （２）光導電層上に受光領域となる部分を隔ててキャリ
   ア注入を許す一対の主電極が設けられ、かつ少なくとも
   前記受光領域となる部分では前記光導電層とゲート電極
   とが絶縁層を介して積層された構造を有する光導電型セ
   ンサの駆動方法において、 入射光の照度が大きい程、前記ゲート電 極に印加する電圧の絶対値を小さくすることを特徴とす
   る光導電型センサの駆動方法。
3. （３）光導電層上に受光領域となる部分を隔ててキャリ
   ア注入を許す一対の主電極が設けられ、かつ少なくとも
   前記受光領域となる部分では前記光導電層とゲート電極
   とが絶縁層を介して積層された構造を有する光導電型セ
   ンサの駆動装置において、 前記受光領域の入射光を実質的に感知で きる位置に設けられ、入射光の照度を検出する受光手段
   と、 該受光手段の出力に基づいて前記ゲート 電極に印加する電圧を調整する電圧調整手段とを有する
   ことを特徴とする光導電型センサの駆動装置。
4. （４）上記受光手段は、上記光導電層のうち上記受光領
   域以外の部分を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
   第３項記載の光導電型センサの駆動装置。
5. （５）上記電圧調整手段は、上記受光手段の入射光の照
   度が大きい程、前記ゲート電極に印加する電圧の絶対値
   を小さくすることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
   載の光導電型センサの駆動装置。