JPS60239072A - 光センサ - Google Patents
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- JPS60239072A JPS60239072A JP59094155A JP9415584A JPS60239072A JP S60239072 A JPS60239072 A JP S60239072A JP 59094155 A JP59094155 A JP 59094155A JP 9415584 A JP9415584 A JP 9415584A JP S60239072 A JPS60239072 A JP S60239072A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮４分更
本発明は、元画情報の等倍読取りをなす光導電型の光セ
ンサに関する。
ンサに関する。
皿米肢先
一般に、光導電効果を利用した光センサとして、ａ−８
ｉ、Ｃｄ５−ＣｄＳｅなどの光導電層における入射光に
応じた抵抗値の変化を電気信号としてとり出すようにし
ているが、その際特に電極構造として光導電層に対して
一対の対向電極が同一側にあるコプラナータイプのもの
にあっては光応答速度が２ｍＳ以上の遅いものになって
いる。
ｉ、Ｃｄ５−ＣｄＳｅなどの光導電層における入射光に
応じた抵抗値の変化を電気信号としてとり出すようにし
ているが、その際特に電極構造として光導電層に対して
一対の対向電極が同一側にあるコプラナータイプのもの
にあっては光応答速度が２ｍＳ以上の遅いものになって
いる。
第４図に、従来のコプラナータイプによる光センサ構造
を示している。同図の構成にあって、まずガラス、セラ
ミックスなどからなる基板１上にグロー放電分解法など
により形成した水素またはハロゲンを含むアモルファス
シリコン膜を形成し、通常のフォトリソグラフ法により
所望の形状にパターンニングして光導電層２を得る。次
に、全体にＡ Ｑ 、 Ｎ ｉ Ｃｒ 、 Ｃｒ 、
Ｍ ｏなどの金属膜を形成し、通常のフォトリソグラフ
法により光導電層２の表面に間隙ａを有する一対の電極
３，４を得る。なおこの電極３，４を得るに際しては、
金属膜を全体に形成する前にフォトレジストなどの感光
性樹脂層などを金属を付着させたくない箇所に予めパタ
ーンニングしておき、その後金属の成膜を行なわせるリ
フトオフ法も適用される。最後に、光センサ全体を覆う
保護膜５が形成される。その保護膜５としては、例えば
窒素ＮまたはアンモニアＮＨ３ガスをシランＳｉＨ４と
ともにグロー放電分解して形成されるＳｉＮ膜、スパッ
タリング法により形成される５ｉ０２膜、または樹脂類
を溶剤に溶解して塗布し、乾燥硬化させたものなど、電
極３，４の間隙ａを通して外部光Ｐが半導体層２に照射
されるように透明で、かつ電気的に絶縁性をもったもの
が用いられる。また、アルカリイオンなどが光導電層２
に侵入するのを防止する層が基板１の表面に形成されて
いる例もある。
を示している。同図の構成にあって、まずガラス、セラ
ミックスなどからなる基板１上にグロー放電分解法など
により形成した水素またはハロゲンを含むアモルファス
シリコン膜を形成し、通常のフォトリソグラフ法により
所望の形状にパターンニングして光導電層２を得る。次
に、全体にＡ Ｑ 、 Ｎ ｉ Ｃｒ 、 Ｃｒ 、
Ｍ ｏなどの金属膜を形成し、通常のフォトリソグラフ
法により光導電層２の表面に間隙ａを有する一対の電極
３，４を得る。なおこの電極３，４を得るに際しては、
金属膜を全体に形成する前にフォトレジストなどの感光
性樹脂層などを金属を付着させたくない箇所に予めパタ
ーンニングしておき、その後金属の成膜を行なわせるリ
フトオフ法も適用される。最後に、光センサ全体を覆う
保護膜５が形成される。その保護膜５としては、例えば
窒素ＮまたはアンモニアＮＨ３ガスをシランＳｉＨ４と
ともにグロー放電分解して形成されるＳｉＮ膜、スパッ
タリング法により形成される５ｉ０２膜、または樹脂類
を溶剤に溶解して塗布し、乾燥硬化させたものなど、電
極３，４の間隙ａを通して外部光Ｐが半導体層２に照射
されるように透明で、かつ電気的に絶縁性をもったもの
が用いられる。また、アルカリイオンなどが光導電層２
に侵入するのを防止する層が基板１の表面に形成されて
いる例もある。
このようにして形成された光センサは第５図中Ｒｓで示
され、その一端に電圧Ｅを印加したときの入射光Ｐに応
じて変化する出力電流を増幅器ＡＭＰにより電圧信号に
変換して出力電圧Ｖｏｕｔを得るように用いられる。こ
のような光センサをファクシミリなどにおける原稿の画
情報読取用のラインイメージセンサとして用いる場合、
例えば原稿の読取幅２５６ｍｍを８本／ｍｍの密度で読
み取るようにする際、その読取幅に２０４８個の光セン
サ素子が一次元に配列されるように同一または複数に分
割された基板１」二に形成されることになる。
され、その一端に電圧Ｅを印加したときの入射光Ｐに応
じて変化する出力電流を増幅器ＡＭＰにより電圧信号に
変換して出力電圧Ｖｏｕｔを得るように用いられる。こ
のような光センサをファクシミリなどにおける原稿の画
情報読取用のラインイメージセンサとして用いる場合、
例えば原稿の読取幅２５６ｍｍを８本／ｍｍの密度で読
み取るようにする際、その読取幅に２０４８個の光セン
サ素子が一次元に配列されるように同一または複数に分
割された基板１」二に形成されることになる。
また従来、電極板間に光導電層をサンドイッチ状に挟ん
だフォトダイオードタイプによる光センサがあり、その
光応答速度が０ 、１． ｍ Ｓ以下と速いが、反面光
導電層の両側に電極があるためにその光導電層のピンホ
ールなどによる不良ビットが発生し易いものになってい
る。この点、前述したコプラナータイプによるものでは
光導電層のピンホールなどの影響を受け難いものになっ
ている。
だフォトダイオードタイプによる光センサがあり、その
光応答速度が０ 、１． ｍ Ｓ以下と速いが、反面光
導電層の両側に電極があるためにその光導電層のピンホ
ールなどによる不良ビットが発生し易いものになってい
る。この点、前述したコプラナータイプによるものでは
光導電層のピンホールなどの影響を受け難いものになっ
ている。
１町
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、コプラナ
ータイプのものにおいて光応答速度を向上させることが
できるようにした光センサを提供するものである。
ータイプのものにおいて光応答速度を向上させることが
できるようにした光センサを提供するものである。
１疾
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例について詳
述する。
述する。
本発明による光センサにあっては、第１図（ａ）、（ｂ
）に示すように、基板１上にＮ ｉ 、 Ｃｒ 。
）に示すように、基板１上にＮ ｉ 、 Ｃｒ 。
６−
Ｍ ｏ 、 Ｎ ｉ Ｃｒ 、 Ａ Ｑなどの金属また
は５ｎ０２゜Ｉｎ２Ｏ３などの金属酸化物より形成され
る補助電極６を形成し、その補助電極６を５ｉ０２．Ｓ
ｊＮ。
は５ｎ０２゜Ｉｎ２Ｏ３などの金属酸化物より形成され
る補助電極６を形成し、その補助電極６を５ｉ０２．Ｓ
ｊＮ。
ＡＱ２０３などからなる絶縁層７により被覆して電気的
に絶縁したうえでその上から光導電層２．一対の電極３
，４および保護膜５を前述と同じようにそれぞれ形成す
ることによって構成されている。
に絶縁したうえでその上から光導電層２．一対の電極３
，４および保護膜５を前述と同じようにそれぞれ形成す
ることによって構成されている。
その際、補助電極６は一対の電極３，４の間隙ａに対向
した位置に形成されるようにする。図示の例では補助電
極６は間隙ａの全面にわたって対向しており、かつその
幅Ｗが間隙ａよりも広くなっているが、補助電極６の幅
Ｗを間隙ａと同じにするかまたはそれよりも狭くするよ
うにしてもよい。
した位置に形成されるようにする。図示の例では補助電
極６は間隙ａの全面にわたって対向しており、かつその
幅Ｗが間隙ａよりも広くなっているが、補助電極６の幅
Ｗを間隙ａと同じにするかまたはそれよりも狭くするよ
うにしてもよい。
また同図（ａ）に示すように光センサ素子を同一基板１
上に一次元配列させる場合、各光センサ素子Ｂｌ、Ｂ２
．・・・に対して補助電極６および絶縁層７を共通に設
けるようにする。なお補助電極６は、真空蒸着またはス
パッタリング法などにより成膜されたのち、通常のフォ
トリソグラフ法によりパターニングされることによって
形成される。
上に一次元配列させる場合、各光センサ素子Ｂｌ、Ｂ２
．・・・に対して補助電極６および絶縁層７を共通に設
けるようにする。なお補助電極６は、真空蒸着またはス
パッタリング法などにより成膜されたのち、通常のフォ
トリソグラフ法によりパターニングされることによって
形成される。
４−
また絶縁層７は、グロー放電分解法、低圧熱分解法ある
いは補助電極６によるプラズマ法もしくは陽極酸化法な
どにより成膜されたのち、通常のフォトリソグラフ法に
よりパターニングされることによって形成される。
いは補助電極６によるプラズマ法もしくは陽極酸化法な
どにより成膜されたのち、通常のフォトリソグラフ法に
よりパターニングされることによって形成される。
しかしてこのように構成された本発明による光センサに
あっては、補助電極６を通して光導電層２に適宜バイア
ス電圧を加えてその光応答速度を速めることができるよ
うになる。
あっては、補助電極６を通して光導電層２に適宜バイア
ス電圧を加えてその光応答速度を速めることができるよ
うになる。
すなわち、第２図に示すように、光センサＲｓ ’にお
ける補助電極６に互いに印加電圧Ｅとは逆極性で大きさ
の異なるバイアス電圧Ｅｇｌ、Ｅｇ２（Ｅｇｌ＞Ｅｇ２
）をスイッチＳＷを介して交互に切り換えながら与える
ことができるようにし、光センサＲｓ ’による光情報
の読取り時（光導電層２に光が入射するとき）には補助
電極６にバイアス電圧Ｅｇ２を加え、非読取り時（光導
電層２に光が入射しないとき）には補助電極６にバイア
ス電圧Ｅｇｌを加えるようにする。第３図に、各バイア
ス電圧Ｅｇｌ、Ｅｇ２の印加タイミングを示している。
ける補助電極６に互いに印加電圧Ｅとは逆極性で大きさ
の異なるバイアス電圧Ｅｇｌ、Ｅｇ２（Ｅｇｌ＞Ｅｇ２
）をスイッチＳＷを介して交互に切り換えながら与える
ことができるようにし、光センサＲｓ ’による光情報
の読取り時（光導電層２に光が入射するとき）には補助
電極６にバイアス電圧Ｅｇ２を加え、非読取り時（光導
電層２に光が入射しないとき）には補助電極６にバイア
ス電圧Ｅｇｌを加えるようにする。第３図に、各バイア
ス電圧Ｅｇｌ、Ｅｇ２の印加タイミングを示している。
図中、Ｔｌは光情報の読取り期間を、Ｔ２は非読取り期
間をそれぞれ示している。
間をそれぞれ示している。
したがって、このような各バイアス電圧Ｅｇｌ。
Ｅｇ２の印加制御を行なわせることにより、非読取り時
には光導電層２が急激に逆バイアスされることになって
光導電層２における立下り時間を大幅に短縮させること
ができるようになり、断続する光情報の読取りをなす際
における光導電層２の光応答速度を実質的に速めること
ができるようになる。
には光導電層２が急激に逆バイアスされることになって
光導電層２における立下り時間を大幅に短縮させること
ができるようになり、断続する光情報の読取りをなす際
における光導電層２の光応答速度を実質的に速めること
ができるようになる。
なお、第２図ではバイアス電圧Ｅｇｌ、Ｅｇ２がともに
負極性で、Ｅｇｌ＞Ｅｇ２の関係になるように設定され
ているが、その極性および大小関係は使用する光導電層
２の特性により適宜状められる。
負極性で、Ｅｇｌ＞Ｅｇ２の関係になるように設定され
ているが、その極性および大小関係は使用する光導電層
２の特性により適宜状められる。
−例として、石英ガラスからなる基板１上にＮｉＣｒか
らなる補助電極６を０．１μｍの膜厚をもって形成し、
また５ｉ０２からなる絶縁層７を０゜３μ猟の膜厚をも
って、ａ−８ｔからなる光導電層２を０．８μｍの膜厚
をもって、ＡＱからなる一対の電極３，４を０．８μｍ
の膜厚をもってそれぞれ形成し、保護膜５にＴｒｉを用
いた光センサＲｓ ’の光応答速度を計測してみると、
以下のような結果が得られた。なおここでは、補助電極
６の成膜にあっては真空蒸着法が、また硝酸第２セリウ
ムアンモニウム、過塩素酸および水からなるエッチャン
トが使用され、絶縁層７の成膜にあってはＳｉＨ４ガス
ｔｘ ０ 、５ Ｔｏｒｒの圧力下で用いた低圧ＣＶＤ
法が、またフッ酸およびフッ化アンモニウムからなるエ
ッチャントが使用され、光導電層２の成膜にあってはＳ
ｉ Ｈ４ガスを１ 丁ｏｒｒの圧力でかつ基板温度３
００℃の条件下で用いたグロー放電分解法が、またフッ
酸、硝酸および酢酸からなるエラチャン１−が使用され
、一対の電極３，４の成膜にあっては真空蒸着法が、ま
たリン酸、硝酸および酢酸からなるエッチャントが使用
されている。
らなる補助電極６を０．１μｍの膜厚をもって形成し、
また５ｉ０２からなる絶縁層７を０゜３μ猟の膜厚をも
って、ａ−８ｔからなる光導電層２を０．８μｍの膜厚
をもって、ＡＱからなる一対の電極３，４を０．８μｍ
の膜厚をもってそれぞれ形成し、保護膜５にＴｒｉを用
いた光センサＲｓ ’の光応答速度を計測してみると、
以下のような結果が得られた。なおここでは、補助電極
６の成膜にあっては真空蒸着法が、また硝酸第２セリウ
ムアンモニウム、過塩素酸および水からなるエッチャン
トが使用され、絶縁層７の成膜にあってはＳｉＨ４ガス
ｔｘ ０ 、５ Ｔｏｒｒの圧力下で用いた低圧ＣＶＤ
法が、またフッ酸およびフッ化アンモニウムからなるエ
ッチャントが使用され、光導電層２の成膜にあってはＳ
ｉ Ｈ４ガスを１ 丁ｏｒｒの圧力でかつ基板温度３
００℃の条件下で用いたグロー放電分解法が、またフッ
酸、硝酸および酢酸からなるエラチャン１−が使用され
、一対の電極３，４の成膜にあっては真空蒸着法が、ま
たリン酸、硝酸および酢酸からなるエッチャントが使用
されている。
まず、補助電極６のバイアス電圧を零にした状態で、緑
色のＬ Ｅ Ｄ ３’６ Ｐを入射させるとともに電圧
Ｅをパルス状に５ ｍ Ｓだけ印加させたときの出力電
圧Ｖｏｕｔの立上り時間（電圧値が０から９０％出力値
に達するまでの所要時間）および立下り７一 時間（電圧値が１００％から１０％に達するまでの所要
時間）を計測したとき、それぞれ２ ｍ Ｓであった。
色のＬ Ｅ Ｄ ３’６ Ｐを入射させるとともに電圧
Ｅをパルス状に５ ｍ Ｓだけ印加させたときの出力電
圧Ｖｏｕｔの立上り時間（電圧値が０から９０％出力値
に達するまでの所要時間）および立下り７一 時間（電圧値が１００％から１０％に達するまでの所要
時間）を計測したとき、それぞれ２ ｍ Ｓであった。
次に、同一の緑色によるＬＥＤ光Ｐの読取り期間Ｔｌ
（＝５ｍＳ）中に補助電極６に一５Ｖのバイアス電圧Ｅ
ｇｌを印加し、３０μｓの非読取り期間Ｔ２中に一１０
Ｖのバイアス電圧Ｅｇ２を印加したとき、立上り時間は
２ｍＳと変化しなかったが、立下り時間は３０μｓと大
幅に速くなり、その非読取り期間Ｔ２中に出力電圧Ｖ
ｏｕｔは定常値の１０％まで低下した。すなわち、実質
的にその立下り時間は無視することができるので。
（＝５ｍＳ）中に補助電極６に一５Ｖのバイアス電圧Ｅ
ｇｌを印加し、３０μｓの非読取り期間Ｔ２中に一１０
Ｖのバイアス電圧Ｅｇ２を印加したとき、立上り時間は
２ｍＳと変化しなかったが、立下り時間は３０μｓと大
幅に速くなり、その非読取り期間Ｔ２中に出力電圧Ｖ
ｏｕｔは定常値の１０％まで低下した。すなわち、実質
的にその立下り時間は無視することができるので。
その先センサＲｓ ’ をファクシミリなどにおける元
画情報の読取りに使用する場合、その読取速度が２倍に
なる。
画情報の読取りに使用する場合、その読取速度が２倍に
なる。
例呈
以上、本発明による光センサにあっては、光導電層の一
面に光が入射する間隙をもって一対の電極が形成される
コプラナータイプのものにおいて、光導電層を挟んで前
記間隙に対向する位置に絶縁体層を介して補助電極を設
け、その補助電極にバ８− イアスミ圧を印加して光導電層の光応答速度を速めるよ
うにしたもので、光導電層の立下り時間を大幅に短縮し
て断続する元画情報の読取りを高速で行なわせることが
できるという優れた利点を有している。
面に光が入射する間隙をもって一対の電極が形成される
コプラナータイプのものにおいて、光導電層を挟んで前
記間隙に対向する位置に絶縁体層を介して補助電極を設
け、その補助電極にバ８− イアスミ圧を印加して光導電層の光応答速度を速めるよ
うにしたもので、光導電層の立下り時間を大幅に短縮し
て断続する元画情報の読取りを高速で行なわせることが
できるという優れた利点を有している。
第１図（ａ）は−次元配列された本発明による光センサ
の一実施例を示す平面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ線に
沿う断面図、第２図は同実施例における光センサにより
光情報を読取るための回路構成の一例を示す電気的結線
図、第３図は同構成例におけるバイアス電圧の印加タイ
ミングを示すタイムチャート、第４図は従来の光センサ
を示す断面図、第５図は従来の光センサにより光情報を
読取るための回路構成を示す電気的結線図である。
の一実施例を示す平面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ線に
沿う断面図、第２図は同実施例における光センサにより
光情報を読取るための回路構成の一例を示す電気的結線
図、第３図は同構成例におけるバイアス電圧の印加タイ
ミングを示すタイムチャート、第４図は従来の光センサ
を示す断面図、第５図は従来の光センサにより光情報を
読取るための回路構成を示す電気的結線図である。
Claims (1)
- 光導電層の一面に光が入射する間隙をもって一対の電極
が形成されるコプラナータイプのものにおいて、光導電
層を挟んで前記間隙に対向する位置に絶縁体層を介して
補助電極を設け、その補助電極にバイアス電圧を印加し
て光導電層の光応答速度を速めるようにしたことを特徴
とする光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094155A JPS60239072A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094155A JPS60239072A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239072A true JPS60239072A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14102484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094155A Pending JPS60239072A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239072A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145866A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 |
| FR2600460A1 (fr) * | 1986-06-20 | 1987-12-24 | Canon Kk | Procede de commande d'un photodetecteur |
| JPS6392154A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| EP0267591A2 (en) * | 1986-11-11 | 1988-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| JPS6484672A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Photoelectric conversion device |
| EP0371485A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensor driving method with high-speed voltage response |
| US5097304A (en) * | 1986-10-07 | 1992-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with voltage biases |
| US5128532A (en) * | 1986-10-07 | 1992-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device having a conductive layer formed below a light receiving window |
| US5308996A (en) * | 1986-09-25 | 1994-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | TFT device |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094155A patent/JPS60239072A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145866A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 |
| FR2600460A1 (fr) * | 1986-06-20 | 1987-12-24 | Canon Kk | Procede de commande d'un photodetecteur |
| JPS631055A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Canon Inc | 光センサの駆動方法及び画像入力装置 |
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| EP0267591A2 (en) * | 1986-11-11 | 1988-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| EP0576040A1 (en) * | 1986-11-11 | 1993-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| JPS6484672A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Photoelectric conversion device |
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| US5136389A (en) * | 1988-11-29 | 1992-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensor driving method with high-speed voltage response |
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