JPS60147173A - フオトセンサアレ− - Google Patents
フオトセンサアレ−Info
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- JPS60147173A JPS60147173A JP59002579A JP257984A JPS60147173A JP S60147173 A JPS60147173 A JP S60147173A JP 59002579 A JP59002579 A JP 59002579A JP 257984 A JP257984 A JP 257984A JP S60147173 A JPS60147173 A JP S60147173A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はファクシミリ送受信機や文字読取装置等の画像
情報処理用光電変換装置において光信号の取出しのため
に用いられるフォトセンサアレーに関する。
情報処理用光電変換装置において光信号の取出しのため
に用いられるフォトセンサアレーに関する。
従来、たとえばデジタルコピーやファクシミリ等の画像
読取部を構成する光電変換手段として、一般にシリコン
フォトダイオード型の１次元フォトセンサアレーが用い
られていた。しかし、この様なフォトセンサアレーにお
いては、作製し得るシリコン単結晶の大きさに限度があ
るため長大化には限界があった。従って、特に大きな原
稿を読取るためには光学系を用いて原稿面を縮小する仁
とが必要であシ、この光学系のスペースのため装置が必
然的に大型化する傾向にあった。
読取部を構成する光電変換手段として、一般にシリコン
フォトダイオード型の１次元フォトセンサアレーが用い
られていた。しかし、この様なフォトセンサアレーにお
いては、作製し得るシリコン単結晶の大きさに限度があ
るため長大化には限界があった。従って、特に大きな原
稿を読取るためには光学系を用いて原稿面を縮小する仁
とが必要であシ、この光学系のスペースのため装置が必
然的に大型化する傾向にあった。
これに対し、最近では薄膜形成法の発展や結合樹脂と半
導体材料とを混合して塗布する方・法の開発等Ｋ 、ｌ
：って、アモルファス−シリコン（ａ−８１）を用いた
光導電型の７オトセンサが作製できるようになった。こ
のフォトセンサは基板表面上にアモルファスシリコン薄
層を形成することによシ作製されるので、大面積中長尺
のフォトセンサアレーが容易に得られる。
導体材料とを混合して塗布する方・法の開発等Ｋ 、ｌ
：って、アモルファス−シリコン（ａ−８１）を用いた
光導電型の７オトセンサが作製できるようになった。こ
のフォトセンサは基板表面上にアモルファスシリコン薄
層を形成することによシ作製されるので、大面積中長尺
のフォトセンサアレーが容易に得られる。
従来の光導電型フォトセンサアレーの具体例を第１図（
ａ） ｌ （ｂ）及び（ｃ）に示す。第１図（ｍ）は部
分平面概略図であり、第１図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断面
概略図であり第１図（Ｃ）はそのｙ−’ｙ’断面概略図
である。
ａ） ｌ （ｂ）及び（ｃ）に示す。第１図（ｍ）は部
分平面概略図であり、第１図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断面
概略図であり第１図（Ｃ）はそのｙ−’ｙ’断面概略図
である。
図において、１１は基板であり、１２は光重変換部であ
る光導電層であシ、１’、３は共通電極層であり、１４
は個別電極層である。この様な構成のフォトセンサアレ
ーにおいては、第１図（ｂ）に示される如く、基板１１
側から画像情報信号光を照射して読取を行う場合には、
基板１１と反対側から画像情報信号光以外の光が光導電
層１２に入射すると読取電気信号のノイズの原因となっ
た。更に、上記の如キ従来のフォトセンサアレーにおい
ては光導電層１２、共通電極層１３及び個別電極層１４
が電気的に辿蔽されていないために外部から電気的ノイ
ズを捨い易く、このため読取電気信号が画像情報に正確
に対応したものではなくなり、読取の解像力が低下して
しまうという欠点があった。
る光導電層であシ、１’、３は共通電極層であり、１４
は個別電極層である。この様な構成のフォトセンサアレ
ーにおいては、第１図（ｂ）に示される如く、基板１１
側から画像情報信号光を照射して読取を行う場合には、
基板１１と反対側から画像情報信号光以外の光が光導電
層１２に入射すると読取電気信号のノイズの原因となっ
た。更に、上記の如キ従来のフォトセンサアレーにおい
ては光導電層１２、共通電極層１３及び個別電極層１４
が電気的に辿蔽されていないために外部から電気的ノイ
ズを捨い易く、このため読取電気信号が画像情報に正確
に対応したものではなくなり、読取の解像力が低下して
しまうという欠点があった。
〔本発明の目的〕
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、光導電型フォト
センサアレーにおいて読取電気信号のノイズを低減させ
解像力を向上させることを目的とする。
センサアレーにおいて読取電気信号のノイズを低減させ
解像力を向上させることを目的とする。
以上の如き目的は、光入射側と反対側に不透明導電層を
設けることによシ達成される。
設けることによシ達成される。
以下、図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
第２図（、） 、 （ｂ）及び（ｃ）は本発明によるフ
ォトセンサアレーの第１の実施例を示す図であり、第２
図（ａ）は部分平面概略図であり、第２図（ｂ）はその
Ｘ−で断面概略図であり、第２図（ｃ）はそのＹ −Ｙ
’断面概略図である。図において、２１は基板であシ８
、たとえばガラス等の透明部材からなる。２２は光導電
層であシ、たとえばａ−８１、その他硫化カドミウム（
ＣｄＳ）、カドミウム−テルル（Ｃｄ−Ｔｅ）、アモ
フルファスーセレン（ａ−８ｅ ）まタハアモルファス
ーセレンーテルル（ａ−８ｓ−Ｔ＠）の薄膜まだは厚膜
である。２３は共通電極層であり２４は個別電極層であ
ｐｌこれらはたとえばアルミニウム（Ａｔ）等の導電膜
からなる。２５け絶縁層であり、たとえばポリイミド樹
脂の如き有機質膜からなる。２６は不透明導電層であり
、たとえばクロム（Ｃｒ’）等の遮光性導電膜からなる
。
ォトセンサアレーの第１の実施例を示す図であり、第２
図（ａ）は部分平面概略図であり、第２図（ｂ）はその
Ｘ−で断面概略図であり、第２図（ｃ）はそのＹ −Ｙ
’断面概略図である。図において、２１は基板であシ８
、たとえばガラス等の透明部材からなる。２２は光導電
層であシ、たとえばａ−８１、その他硫化カドミウム（
ＣｄＳ）、カドミウム−テルル（Ｃｄ−Ｔｅ）、アモ
フルファスーセレン（ａ−８ｅ ）まタハアモルファス
ーセレンーテルル（ａ−８ｓ−Ｔ＠）の薄膜まだは厚膜
である。２３は共通電極層であり２４は個別電極層であ
ｐｌこれらはたとえばアルミニウム（Ａｔ）等の導電膜
からなる。２５け絶縁層であり、たとえばポリイミド樹
脂の如き有機質膜からなる。２６は不透明導電層であり
、たとえばクロム（Ｃｒ’）等の遮光性導電膜からなる
。
上記フォトセンサアレーはたとえば次の様にして作製さ
れる。即ち、先ず、グロー放電分解法でガラス基板２１
上にａ−８１を１μの厚゛さに成膜する。辷れにより、
水素またはハロゲン元素を含んだａ−８１からなる光導
電層２２が形成される。次に、真空蒸着法によりＡｔを
全面に０．３μの厚さに成膜し、ポジ型Ａｚ−１３７０
フォトレジスト、リン酸系エツチング液を用いてＡ？タ
ーン加工し、共通電極層２３及び個別電極層２４を形成
する。更にその上にスクリーン印刷によシポリイミド樹
脂を５回重ねて塗り、３５０℃で硬化させて５０μの厚
さの絶縁層２５を形成する。次いで、真空蒸着法によシ
０．２μの厚さにＣｒを成膜し不透明導電層２６を形成
する。尚、絶縁層２５及び不透明導電層２６は共通電極
層２３及び個別電極層２４の取出し部分には形成されて
いない。個別電極層２４の電極幅Ａはたとえば９５μで
あシ、電極長さＢはたとえば５０００μであシ、隣接す
る電極間の間隔幅Ｃはたとえば３０μである。
れる。即ち、先ず、グロー放電分解法でガラス基板２１
上にａ−８１を１μの厚゛さに成膜する。辷れにより、
水素またはハロゲン元素を含んだａ−８１からなる光導
電層２２が形成される。次に、真空蒸着法によりＡｔを
全面に０．３μの厚さに成膜し、ポジ型Ａｚ−１３７０
フォトレジスト、リン酸系エツチング液を用いてＡ？タ
ーン加工し、共通電極層２３及び個別電極層２４を形成
する。更にその上にスクリーン印刷によシポリイミド樹
脂を５回重ねて塗り、３５０℃で硬化させて５０μの厚
さの絶縁層２５を形成する。次いで、真空蒸着法によシ
０．２μの厚さにＣｒを成膜し不透明導電層２６を形成
する。尚、絶縁層２５及び不透明導電層２６は共通電極
層２３及び個別電極層２４の取出し部分には形成されて
いない。個別電極層２４の電極幅Ａはたとえば９５μで
あシ、電極長さＢはたとえば５０００μであシ、隣接す
る電極間の間隔幅Ｃはたとえば３０μである。
本実施例の７オトセンサアレーにおいては、ガラス基板
２１と反対側（即ち、画像情報信号光の入射側と反対の
側）からの光の入射が不透明導電層２６によシ阻止され
、ノイズがなく解像力が向上した。また、不透明導電層
２６を電気的に接地したところ、共通電極層２３及び個
別電極層２４へ流れ込む電気的ノイズが阻止されて解像
力が向上した。
２１と反対側（即ち、画像情報信号光の入射側と反対の
側）からの光の入射が不透明導電層２６によシ阻止され
、ノイズがなく解像力が向上した。また、不透明導電層
２６を電気的に接地したところ、共通電極層２３及び個
別電極層２４へ流れ込む電気的ノイズが阻止されて解像
力が向上した。
本実施例のフォトセンサアレーにおいては、共通電極層
２３及び個別電極層２４と不透明導電層２６とで絶縁層
２５を挾持しているため、これら電極層２３及び２４と
導電層２６との間で電気的容量が生ずる。しかし、ｚリ
イミド樹脂の比誘電率は約３と小さく、膜厚も５０μと
厚いため１本の個別電極層に関し生ずる容量はは＃’ｊ
ｌ、Ｆ 以下であシ、読取電気信号に与える影響は無視
することができる。
２３及び個別電極層２４と不透明導電層２６とで絶縁層
２５を挾持しているため、これら電極層２３及び２４と
導電層２６との間で電気的容量が生ずる。しかし、ｚリ
イミド樹脂の比誘電率は約３と小さく、膜厚も５０μと
厚いため１本の個別電極層に関し生ずる容量はは＃’ｊ
ｌ、Ｆ 以下であシ、読取電気信号に与える影響は無視
することができる。
尚、本実施例のフォトセンサアレーにおいては、絶縁層
２５及び不透明導電層２６はパッシベーション膜として
も機能する。即ち、比較のため絶縁層２５及び不透明導
電層２６を形成しないことを除いて上記実施例と同様に
してフォトセンサアレーを作製した。これら比較例と上
記実施例とについて高温高湿の信頼性試験（温度８５℃
、湿度８５チ、５０００時間）及び温度サイクル試験（
−５０℃←１５０℃、各温度２０分、１００ザイクル）
を行１りたところ、比較例に比べ本発明実施例のフォト
センサアレーの劣化は殆ど無視し得るほど小さかった。
２５及び不透明導電層２６はパッシベーション膜として
も機能する。即ち、比較のため絶縁層２５及び不透明導
電層２６を形成しないことを除いて上記実施例と同様に
してフォトセンサアレーを作製した。これら比較例と上
記実施例とについて高温高湿の信頼性試験（温度８５℃
、湿度８５チ、５０００時間）及び温度サイクル試験（
−５０℃←１５０℃、各温度２０分、１００ザイクル）
を行１りたところ、比較例に比べ本発明実施例のフォト
センサアレーの劣化は殆ど無視し得るほど小さかった。
第３図（８） 、 （ｂ）及び（ｃ）は本発明によるフ
ォトセンサアレーの第２の実施例を示す図であシ、第３
図（、）は部分平面概略図であり、第３図（ｂ）はその
Ｘ−で断面概略図であり、第３図（ｃ）はそのＹ −Ｙ
’断断面路略図ある。図において、３１は基板であシ、
３２は光導電層であり、３３は共通電極層であ）、３４
は個別電極層であシ、３５は絶縁層であり、３６は不透
明導電層である。これらは上記第１の実施例と同様の構
成を有する。但し、本実施例においては不透明導電層３
６は光電変換部である光導電層３２の上方にのみ該導電
層をカバーする如くに形成されている。一方、絶縁層３
５上には個別電−極層３４側の上方に上部電極層３７が
形成されている。上部電極層３７は個別電極層３４の方
向とほぼ直交する様に同様な間隔をおいて形成されてい
る。上部電極層３７は所定の位置で適宜の個別電極層３
４と接続されておシ、該個別電極層３４は上部電極層３
７を介して外部電源に接続される。
ォトセンサアレーの第２の実施例を示す図であシ、第３
図（、）は部分平面概略図であり、第３図（ｂ）はその
Ｘ−で断面概略図であり、第３図（ｃ）はそのＹ −Ｙ
’断断面路略図ある。図において、３１は基板であシ、
３２は光導電層であり、３３は共通電極層であ）、３４
は個別電極層であシ、３５は絶縁層であり、３６は不透
明導電層である。これらは上記第１の実施例と同様の構
成を有する。但し、本実施例においては不透明導電層３
６は光電変換部である光導電層３２の上方にのみ該導電
層をカバーする如くに形成されている。一方、絶縁層３
５上には個別電−極層３４側の上方に上部電極層３７が
形成されている。上部電極層３７は個別電極層３４の方
向とほぼ直交する様に同様な間隔をおいて形成されてい
る。上部電極層３７は所定の位置で適宜の個別電極層３
４と接続されておシ、該個別電極層３４は上部電極層３
７を介して外部電源に接続される。
本実施例のフォトセンサアレーにおいては不透明導電層
３６が電気的遮蔽の機能を有する一０第４図は本発明に
よるフォトセンサアレーの第３の実施例を示す部分断面
概略図であ−る。この実施例においては、基板４１上に
先ず共通電極層４３及び個別電極層４４が付与され・そ
の上刃゛ら ２光導電層４２が付与されている点が上記
第１及び第２の実施例と異なる。４５は絶縁層であり、
４６は不透明導電層である。
３６が電気的遮蔽の機能を有する一０第４図は本発明に
よるフォトセンサアレーの第３の実施例を示す部分断面
概略図であ−る。この実施例においては、基板４１上に
先ず共通電極層４３及び個別電極層４４が付与され・そ
の上刃゛ら ２光導電層４２が付与されている点が上記
第１及び第２の実施例と異なる。４５は絶縁層であり、
４６は不透明導電層である。
以上の如き本発明によれば、光電変換部へは画像情報信
号光のみが入射し、且つ該光電変換部のための電極層は
電気的に遮蔽されているので、読取電気信号にはノイズ
が入らず解像力を向上させることができる。
号光のみが入射し、且つ該光電変換部のための電極層は
電気的に遮蔽されているので、読取電気信号にはノイズ
が入らず解像力を向上させることができる。
第１図（−）は従来のフォトセンサアレーの部分平面図
であシ、第１図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれそのＸ−Ｘ
′断面図及びＹ −Ｙ’’面図である。第２図（−）は
本発明のフォトセンサアレーの部分平面図でアリ、第２
図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれそのＸ −Ｘ’’面図及
びＹ−ｒ断面図である。第３図（＝）は本発明の７オト
センサアレーの部分平面図でアシ、第３図（ｂ）及び（
ｃ）はそれぞれそのｘ−ｘ’’面図及びＹ −Ｙ’’面
図である。第４図は本発明フォトセンサアレーの部分断
面図である。 ２１．３１．４１・・・基板、２２，３２．４２・・・
光導電層、２３．３３．４３−・・・共通電極層、２４
゜３４．４４・・・個別電極層、２５，３５．４５・・
・絶縁層、２６，３６．４６・・・不透明導電層、３７
．・・・上部電極。 ｉＩ １ 図（０） ｔｌｉ ｌ 図（ｂ） ！［ｌ ＩＭ（ｃ）化）免 １ｉ２図（０） 箪２図（ｂ） Ｉｉ２図（Ｃ） イち号光。
であシ、第１図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれそのＸ−Ｘ
′断面図及びＹ −Ｙ’’面図である。第２図（−）は
本発明のフォトセンサアレーの部分平面図でアリ、第２
図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれそのＸ −Ｘ’’面図及
びＹ−ｒ断面図である。第３図（＝）は本発明の７オト
センサアレーの部分平面図でアシ、第３図（ｂ）及び（
ｃ）はそれぞれそのｘ−ｘ’’面図及びＹ −Ｙ’’面
図である。第４図は本発明フォトセンサアレーの部分断
面図である。 ２１．３１．４１・・・基板、２２，３２．４２・・・
光導電層、２３．３３．４３−・・・共通電極層、２４
゜３４．４４・・・個別電極層、２５，３５．４５・・
・絶縁層、２６，３６．４６・・・不透明導電層、３７
．・・・上部電極。 ｉＩ １ 図（０） ｔｌｉ ｌ 図（ｂ） ！［ｌ ＩＭ（ｃ）化）免 １ｉ２図（０） 箪２図（ｂ） Ｉｉ２図（Ｃ） イち号光。
Claims (2)
- （１） 信号光入射側と反対ＩＩＩＩＪＫ光導電層及び
／又は電極層上に絶縁層を介して不透明導電層が形成さ
れていることを特徴とする、フォトセンサアレー 〇 - （２） 不透明導電層が光導電層を覆う様に形成されて
おシ、且つ一方の電極層である個別電極層上には絶縁層
を介して外部電極層が形成されておシ、該外部電極層は
適宜の位置にて適宜の個別電極層に接続されている、第
１項の７オトセンサアレー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002579A JPH0682851B2 (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | フオトセンサアレ− |
| US06/688,356 US4650984A (en) | 1984-01-12 | 1985-01-02 | Photosensor array for treating image information |
| DE3500645A DE3500645C2 (de) | 1984-01-12 | 1985-01-10 | Fotosensoranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002579A JPH0682851B2 (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | フオトセンサアレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147173A true JPS60147173A (ja) | 1985-08-03 |
| JPH0682851B2 JPH0682851B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=11533277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002579A Expired - Lifetime JPH0682851B2 (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | フオトセンサアレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682851B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066583A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115880A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup device in two dimensions |
| JPS5910068A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 光センサアレイ装置 |
-
1984
- 1984-01-12 JP JP59002579A patent/JPH0682851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115880A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup device in two dimensions |
| JPS5910068A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 光センサアレイ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066583A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682851B2 (ja) | 1994-10-19 |
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