DE3500645C2 - Fotosensoranordnung - Google Patents
FotosensoranordnungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Fotosensoranordnung mit
einem Substrat und einer Vielzahl auf dem Substrat angeordne
ten fotoleitfähigen Wandlerelementen; vgl.
"Acta Electronica" 21, (1978), Seiten 55 bis 70.
Die Fig. 1A, 1B und 1C zeigen ein Beispiel für eine derar
tige bekannte fotoleitfähige Fotosensoranordnung. Die Fig. 1A zeigt
eine Teildraufsicht, die Fig. 1B zeigt einen Querschnitt
entlang der Linie X-X′, und die Fig. 1C zeigt einen Quer
schnitt entlang der Linie Y-Y′. In Fig. 1 ist mit 11 ein
Substrat bezeichnet und mit 12 eine fotoleitfähige Schicht,
mit 13 eine gemeinsame
Elektrodenschicht und mit 14 eine Einzelelektroden
schicht. Bei einer derartig aufgebauten Fotosensoranordnung
wird eine Abtastung durchgeführt, indem ein die Bildinformation
darstellendes Lichtsignal von der Seite des Substrates
11 her eingestrahlt wird. Wenn auf die fotoleitfähige Schicht
12 jedoch ein Lichtsignal fällt, das nicht der Bildinformation
entspricht, wird das ausgelesene elektrische Signal ver
fälscht. Darüber hinaus sind bei einer solchen herkömmlichen
Fotosensoranordnung die fotoleitfähige Schicht 12, die ge
meinsame Elektrodenschicht 13, und die Einzelelektrodenschicht
14 elektrisch nicht abgeschirmt, wodurch ein äußeres elektri
sches Feld eine Störung hervorrufen kann. Folglich entspricht
das ausgelesene elektrische Signal nicht genau der Bildinformation,
wodurch die Auflösung der Abtastungen nachteiliger
weise vermindert wird.
Aus SPIE, Vol. 344, Infrared Sensor Technology (1982), Seiten
66 bis 77, ist eine Fotosensoranordnung bekannt, die eine
Vielzahl von in parallelen Spalten angeordneten fotoelektrischen
Wandlerabschnitten, eine entsprechende Vielzahl von sogenannten BCCD-Kanälen zur Auslesung der Anordnung
und eine Isolierschicht aus SiO₂ aufweist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Fotosensoranordnung
zu schaffen, die hinsichtlich der Abschirmung und
Kontaktierung verbessert ist.
Diese Aufgabe wird durch eine Fotosensoranordnung mit den im
Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen auf besonders vorteilhafte
Art und Weise gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand
der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungs
beispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher
erläutert.
Fig. 1A ist eine Teildraufsicht auf einen dem Stand der
Technik entsprechenden Fotosensor;
Fig. 1B und Fig. 1C zeigen Querschnitte entlang der Linien
X-X′ bzw. Y-Y′ der Fig. 1A;
Fig. 2A ist eine Teildraufsicht auf ein Ausfüh
rungsbeispiel der erfindungsgemäßen Fotosensoranordnung;
Fig. 2B und Fig. 2C zeigen Querschnitte entlang der Linien
X-X′ bzw. Y-Y′ der Fig. 2A;
Fig. 2A, 2B und 2C zeigen ein Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Fotosensoranordnung. Fig. 2A ist
eine Teildraufsicht, Fig. 2B ein Querschnitt entlang
der Linie X-X′, und Fig. 2C ein Querschnitt entlang der
Linie Y-Y′. Die Figuren zeigen ein Substrat 41, eine
fotoleitfähige Schicht 42, eine gemeinsame Elektroden
schicht 43, eine Einzelelektrodenschicht 44, eine Isolier
schicht 45 und eine lichtundurchlässige, elektrisch leit
fähige Schicht 46.
Bei dem Ausführungsbeispiel ist die lichtundurchlässige,
elektrisch leitfähige Schicht 46 über der
fotoleitfähigen
Schicht 42 ausgebildet, so daß diese abgeschirmt
wird. Andererseits sind auf der Seite der Einzelelektroden
schicht 44 auf der Isolierschicht 45 Elektrodenschichten
47 ausgebildet. Die oberen Elektrodenschichten 47 sind
in gleichem Abstand zueinander angeordnet, und zwar im
wesentlichen rechtwinklig zur Richtung der Einzelelektro
denschichten 44. Jede Elektrodenschicht 47 ist an einer
vorbestimmten Stelle mit einer geeigneten Einzelelektroden
schicht 44 verbunden, so daß die Einzelelektrodenschichten
44 über die oberen Elektrodenschichten 47 mit einer externen
Leistungsquelle in Verbindung stehen.
Das Substrat 41 besteht aus einem
durchsichtigen Material, wie Glas.
Eine fotoleitfähige Schicht 42 wird von einem Dünnfilm
oder einem Dickfilm gebildet. Dieser besteht z. B. aus
amorphem Silizium (a-Si), Cadmiumsulfid (CdS), Cadmium-
Tellur (Cd-Te), amorphem Selen (a-Se) oder amorphem
Selen-Tellur (a-Se-Te). Eine gemeinsame Elektrodenschicht
43 und eine Einzelelektrodenschicht 44 bestehen aus elektrisch
leitfähigen Schichten, wie einer Aluminium
schicht (Al). Eine Isolierschicht 45
besteht z. B. aus einer organischen Schicht, wie Poly
imidharz. Eine lichtundurchlässige,
elektrisch leitfähige Schicht 46 besteht aus einer licht
abschirmenden, elektrisch leitfähigen Schicht aus Chrom
(Cr), Titan (Ti), Aluminium (Al) und/oder Tantal (Ta),.
Die beschriebene Fotosensoranordnung kann beispielsweise
wie folgt hergestellt werden. Zuerst wird auf einem Glas
substrat 41 mit Hilfe eines Glimmentladungs-Zersetzungs
verfahrens eine 1 µm dicke Schicht aus amorphem Silizium
gebildet. Auf diese Weise entsteht eine fotoleitfähige
Schicht 42 aus amorphem Silizium, die Wasserstoff oder
Halogen enthält. Anschließend wird mit Hilfe eines Vakuum-
Aufdampfungsverfahren eine ungefähr 0,3 µm dicke Aluminiumschicht
über der ganzen Oberfläche der fotoleitfähigen
Schicht 42 gebildet. Als nächstes wird das gewünschte
Muster erzeugt, indem mit Hilfe einer positiven Foto
beschichtung und einer phosphorsauren
Ätzflüssigkeit eine gemeinsame Elektrodenschicht 43 und
eine Einzelelektrodenschicht 44 gebildet wird. Auf die
so entstandene Oberfläche wird mit einem Siebdruckver
fahren fünfmal Polyimidharz aufgebracht, das bei 350°C
nachbehandelt wird und so eine Isolierschicht 45 mit
einer Dicke von 50 µm ergibt. Schließlich wird mit Hilfe
eines Vakuum-Aufdampfungsverfahrens eine ungefähr 0,2 µm
dicke Chromschicht aufgebracht, um eine lichtundurchlässige,
elektrisch leitfähige Schicht 46 zu bilden.
Die Elektrodenbreite
A der Einzelelektrodenschicht 44 beträgt bei
spielsweise 95 µm, ihre Länge B 5000 µm, und der Abstand
zweier benachbarter Elektroden 30 µm.
Bei diesem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Fotosensoranordnung wird von der dem Glassubstrat 41
gegenüberliegenden Seite einfallendes Licht, d. h. Licht,
das von der Seite einfällt, die der Seite gegenüberliegt,
auf die das Lichtsignal der Bildinformation fällt, durch
die lichtundurchlässige, elektrisch leitfähige Schicht
46 abgeschirmt, wodurch keine Störungen auftreten und
die Auflösung verbessert wird. Da die lichtundurchlässige
Schicht 46 elektrisch leitfähig ist, kann man sie erden,
wodurch in der Ansteuerschaltung erzeugte elektrische
Störungen oder auch andere elektrische Störungen von
der gemeinsamen Elektrodenschicht 43 und der Einzelelek
trodenschicht 44 abgeschirmt werden, so daß die Auflösung
weiter verbessert wird.
Da die Isolierschicht 45 eine zwischen der lichtundurchläs
sigen, elektrisch leitfähigen Schicht 46 und der gemein
samen Elektrodenschicht 43 bzw. der Einzelelektroden
schicht 44 liegende Schicht bildet, wird zwischen den
Elektrodenschichten 43 bzw. 44 und der elektrisch leit
fähige Schicht 46 elektrische Ladung gespeichert. Da
die spezifische Dielektrizitätskonstante von Polyimidharz
den geringen Wert 3 hat und die Schichtdicke 50 µm
beträgt, wird von einer Einzelelektrodenschicht eine
Kapazität von lediglich 1 pF erzeugt, was das
Auslesen des elektrischen Signals kaum beeinflußt.
Die Isolierschicht 45 und die lichtundurchlässige, elek
trisch leitfähige Schicht 46 dienen bei dem beschriebenen
Ausführungsbeispiel auch als Passivierungsschicht. So
wurde z. B. zu Vergleichszwecken eine Fotosensoranordnung
nach dem vorbeschriebenen Verfahren hergestellt, jedoch
ohne eine Isolierschicht 45 und eine lichtundurchlässige,
elektrisch leitfähige Schicht 46 zu bilden. Die auf diese
Weise entstandene Fotosensoranordnung und die erfindungs
gemäße Fotosensoranordnung
wurden sowohl einer Zuverlässigkeits
prüfung bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit (Temperatur
85°C; relative Feuchtigkeit 85%; Dauer 5000 Stunden)
als auch einer Temperaturprüfung im Wechselzyklus unter
zogen (untere Temperatur -50°C, obere Temperatur 150°C;
Zykluszeit 20 Minuten für jede Temperatur; insgesamt
100 Zyklen). Es zeigte sich, daß die Alterung der erfin
dungsgemäßen Fotosensoranordnung im Gegensatz zu der
der Vergleichsanordnung vernachlässigbar gering war.
Die lichtundurchlässige, elektrisch leitfähige Schicht
46 hat eine Licht- und eine elektrische Abschirmungsfunktion.
Die Herstellungsschritte können vereinfacht und die Her
stellungskosten vermindert werden, indem bei der
Fotosensoranordnung die schützende und iso
lierende Schicht für die fotoleitfähige Schicht im Bereich
des fotoelektrischen Wandlers und die isolierende Schicht
zwischen den Elektroden im Bereich der mehrschichtigen
Verdrahtung zusammenhängend und unter Verwendung des
selben Materials hergestellt werden.
Claims (6)
1. Fotosensoranordnung mit
- a) einem Substrat (41)
- b) einer Vielzahl von auf dem Substrat (41) angeord neten fotoleitfähigen Wandlerelementen, wobei jedes Wandler element eine fotoleitfähige Schicht (42) und zwei diese flä chig kontaktierende Elektrodenschichten (43, 44) umfaßt,
- c) einer die Wandlerelemente und die Elektroden schichten (43, 44) teilweise überdeckenden Isolierschicht (45),
- d) einer lichtundurchlässigen leitfähigen struk turierten Schicht auf der Isolierschicht (45), wobei ein Teil (46) der Schicht oberhalb der fotoleitfähigen Wandlerelemente als Abschirmschicht angeordnet ist und der andere Teil (47) oberhalb der Elektrodenschichten (43, 44) als Verdrahtungs schicht angeordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtundurchlässige leitfähige Schicht Chrom, Titan,
Aluminium und/oder Tantal enthält.
3. Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht Polyimidharz
enthält.
4. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Isolierschicht SiO₂ enthält.
5. Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß der oberhalb der Wandlerelemente
angeordnete Teil der lichtundurchlässigen leitfähigen Schicht
auf einem konstanten Potential liegt.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Potential Erdpotential ist.
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