JPS6344759A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

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JPS6344759A
JPS6344759A JP61187841A JP18784186A JPS6344759A JP S6344759 A JPS6344759 A JP S6344759A JP 61187841 A JP61187841 A JP 61187841A JP 18784186 A JP18784186 A JP 18784186A JP S6344759 A JPS6344759 A JP S6344759A
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JP
Japan
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photoelectric conversion
insulating layer
conversion device
electrodes
maintain
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JP61187841A
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English (en)
Inventor
Toshihiro Saiga
敏宏 雑賀
Katsunori Hatanaka
勝則 畑中
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光電変換装置に関し、特にファクシミリ、イメ
ージリーダ、ディジタル複写機および電子黒板等の画像
の読取りに用いられる光電変換装置に関する。
［従来の技術］ 近年、ファクシミリ、イメージリーダ等の小型、高性能
化のために、光電変換装置として、等倍光学系をもつ長
尺ラインセンサーの開発が行われている。従来、この種
のラインセンサーは一列のアレイ状に配置された各光電
変換素子に対して、それぞれスイッチ素子等で構成され
た信号処理用のＩＣ（集積回路）を接続して構成してい
る。
しかしながら、その光電変換素子の個数はファクシミリ
Ｇ３規格に準すると層サイズで１７２８個も必要となり
、多数、の信号処理用のＩＣが必要となる。このため、
実装工数も増え、製造コスト、並びに信顆性で満足なも
のは得られていない。一方、信号処理用のＩＣの個数を
減らし、かつ実装工数を減らす構成としては従来からマ
トリクス配線による構成が採用されている。
第４図にマトリクス配線された光電変換装置のブロック
図を示す。第４図において、１は光電変換素子部、２は
走査部、３は信号処理部、４はマトリクス配線部である
。また第５図に従来のマトリクス配線部の平面図を、第
６図（ａ）　、　（ｂ）　に第５図のＡ−Ａ’　および
Ｂ−Ｂ’　断面図をそれぞれ模式的に示す。
第６図において６０１は基板、δ０２〜６０５は個別電
極、６０６は絶縁層、６０７〜δ０９は共通線、６１０
は個別電極と共通線とのオーミックコンタクトをとるた
めのスルーホールである。
このようにマトリクス配線された光電変換装置では、信
号処理部３の信号処理回路の数がマトリクスの出力線数
だけでよいので、信号処理部を小型化でき、光電変換装
置の低コスト化が可能となるという利点を有する。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような従来のマトリクス配線の光電
変換装置においては、以下に示すような問題点があった
。
光電変換素子の微弱な出力をマトリクス配線を経由して
読出すので、光電変換素子の出力個別電極とマトリクス
の共通線との絶縁交差部において形成される浮遊容量を
十分に小さくしないと、各出力信号間でクロストークが
生じる。このことは、層間絶縁材料の遷択およびマトリ
クスの寸法設計に対し、厳しい制約事項となる。
また、マトリクス共通線は長尺方向に配線されているの
で、たとえばＡ４サイズ幅のラインセンサーでは２１０
　ｍ＋ｎの長さになる。このため、各共通線間の線間容
量を十分に小さくしないと、各出力信号間でクロストー
クが生じる。このことは、マトリクス部の大型化につな
がる。
さらに、光電変換素子の出力個別電極のピッチは、たと
えば８本／■の解像度をもっ光電変換装置では１２５　
μｍと狭くなる。このためこの個別電極間の線間容量も
十分に小さくしないと出力信号間でクロストークが生じ
る。
したがって、本発明の目的は上述の従来の欠点を除去し
、光電変換装置において各出力信号間のクロストークが
生じない小型のマトリクス配線を具備した光電変換装置
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は一次元状に配列された複数個の光電変換素子と
、各々、複数個の光電変換素子の各出力個別電極の少な
くとも２つを共通に接続する複数の共通線と、出力個別
電極と共通線との交差部に電位を一定に保つように設け
られた導電体層と、個別電極間および共通線間に電位を
一定に保つように設けられた配線とを具える。
［作　用］ 本発明によれば、光電変換素子の出力個別電極と共通線
との交差部に電位を一定に保つことのできる導電体層を
設けることによって個別電極と共通線の絶縁交差部で形
成される浮遊容量をなくし、さらに個別電極間および共
通線間に電位を一定に保つことのできる配線を設けるこ
とによって各電極間および各線間に容量が生じないよう
にする。
［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
第１図は本発明一実施例のマトリクス配線部の平面図を
、第２図（ａ）　、　（ｂ）に第１図のＡ−Ａ　’　お
よびＢ−８’断面図をそれぞれ模式的に示す。光電変換
素子部、走査部および信号処理部は第４図と同様である
ので図示省略する。
第２図において、２０１は基板、２０２〜２０５は基板
２０１上に設けた留別電極、２０６は個別電極２０２〜
２０５を被う第１の絶縁層、２１１は第１の絶縁層２０
６上に設けられ、電位を一定に保つことができるような
電源等（図示せず）に接続した導電体層、２０７は導電
体層２１１上に設けられた第２の絶縁層、２０８〜２１
０は第２の絶縁層２０７上に設けられた共通線、２１２
は個別電極と共通線とのオーミックコンタクトをとるた
めのスルーホール、２１３〜２１５は個別電極間に設け
られた線間配線、２１６〜２１８は共通線間に設けられ
た線間配線である。
これら線間配線２１３〜２１５　、２１５〜２１８は電
位を一定に保つことができるような電源等に接続する。
第３図はかかる本発明実施例におけるマトリクス配線部
の製造法の一例を示す。
まず第３図（ａ）　に示すように、絶縁基板２０１の上
に、例えばアルミニウム（八１）の個別電極２０２〜２
０５および線間配線２１３〜２１５を形成する。
次に第３図（ｂ）　に示すように、例えば５ｉｎ２゜Ｓ
ｉＮ：Ｈ等の無機物またはポリイミド等の有機樹脂から
なる第１の絶縁層２０６を形成する。
次に第３図　（Ｃ）に示すように、例えばｌの導電体層
２１１を形成しくオーミックコンタクト部分を除く）、
さらにその上に同図（ｄ）　に示すように、例えば５ｔ
（ｈ、　ＳｉＮ：Ｈ、またはポリイミド等からなる第２
の絶縁層２０７を形成する。次に第３図（ｅ）に示すよ
うに、第１の絶縁層２０６と第２の絶縁層２０７とにお
けるオーミックコンタクト部に該当する部分をエツチン
グ除去し、スルーホール２１２を形成する。
最後に第３図（ｆ）　に示すように、第２の絶縁層２０
７上に例えばＡｌ１の共通線２０８および同図には示さ
れていないが線間配線２１６〜２１８を形成し、これに
よりスルーホール２１２を介して個別電極と共通線との
オーミックコンタクトをとり、目的をマトリクス接続を
得る。
なお、第１および第２の絶縁層として、例えば５ｉ０２
／　ＳｉＮ：ｔｌといった積層構成や無機物／有機樹脂
といった積層構成を用いることもできる。
以上のように、個別電極と共通線との絶縁交差部に電位
を一定に保てる導電体層を設けることによって、個別電
極と共通線との間に浮遊容量が形成されず、さらに個別
電極間および共通線間に電位を一定に保てる配線をそれ
ぞれ設けることによって、個別電極間および共通線間に
は線間容量が形成されず、従って各線間が容量的に結合
されることがなくなる。そのため各出力信号の間にクロ
ストークが生じることを防ぐことができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば出力信号間にクロ
ストークが生じない、小型のマトリクス配線部分をもつ
光電変換装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例におけるマトリクス配線部の
平面図、 第２図（ａ）　、　（ｂ）は第１図Ａ−Ａ’　、Ｂ−Ｂ
’切断線に沿う断面図、 第３図（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかるマトリクス配線
部の製法の一例を示す工程図、 第４図はマトリクス配線された光電変換装置のブロック
図、 第５図は従来のマトリクス配線部の平面図、第６図（ａ
）　、　（ｂ）は第５図であるＡ−Ａ’　、Ｂ−８’切
断線に沿う断面図である。 １・・・光電変換素子部、 ２・・・走査部、 ３・・・信号処理部、 ４・・・マトリクス配線部、 ２０２〜２０５・・・個別電極、 ２０６・・・第１の絶縁層、 ２０７・・・第２の絶縁層、 ２０８〜２１０・・・共通線、 ２１１・・・導電体層、 ２１２・・・スルーホール、 ２１３〜２１８・・・線間配線。 く（ 区 昧 へ　　　　　　　　　　　　因 沫　　　　　　　　　昧 ■） 報 区　　　　　　　　　区 Ｃｃ 昧　　　　　　　　　味

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一次元状に配列された複数個の光電変換素子と、 各々、該複数個の光電変換素子の各出力個別電極の少な
    くとも２つを共通に接続する複数の共通線と、 前記出力個別電極と前記共通線との交差部に電位を一定
    に保つように設けられた導電体層と、前記個別電極間お
    よび共通線間に電位を一定に保つように設けられた配線
    とを具えたことを特徴とする光電変換装置。
JP61187841A 1986-08-12 1986-08-12 光電変換装置 Pending JPS6344759A (ja)

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