JPH022676A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH022676A JPH022676A JP63148013A JP14801388A JPH022676A JP H022676 A JPH022676 A JP H022676A JP 63148013 A JP63148013 A JP 63148013A JP 14801388 A JP14801388 A JP 14801388A JP H022676 A JPH022676 A JP H022676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- line
- crossed
- wiring parts
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100481704 Arabidopsis thaliana TMK3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（従来技術）
ファクシミリやスキャナなどの画像情報読取り装置とし
てフォトダイオードを複数個並設して構成したフォトダ
イオードアレイから成るイメージセンサが用いられてい
る。
てフォトダイオードを複数個並設して構成したフォトダ
イオードアレイから成るイメージセンサが用いられてい
る。
一方、光電変換材料としてのアモルファスシリコンは、
光電変換特性、製作性、安定性、にすぐれ、高抵抗性を
いかした電荷蓄積モードて動作された場合高い光応答速
度も得られるなどすぐれた性質を有するので、フォトダ
イオードの材料にも用いられている。
光電変換特性、製作性、安定性、にすぐれ、高抵抗性を
いかした電荷蓄積モードて動作された場合高い光応答速
度も得られるなどすぐれた性質を有するので、フォトダ
イオードの材料にも用いられている。
アモルファスシリコンを用いた従来のショットキー形フ
ォトダイオードの構成は、基板上に下部電極を形成し、
次にアモルファスシリコンを形成し、その上に透明導電
層としての酸化インジウム・スズを蒸着させたものであ
る。
ォトダイオードの構成は、基板上に下部電極を形成し、
次にアモルファスシリコンを形成し、その上に透明導電
層としての酸化インジウム・スズを蒸着させたものであ
る。
一方、イメージセンサとして画素数の割に駆動ＩＣの数
と接続線数が少なくてすむ蓄積形のマトリクス駆動方式
のイメージセンサが注目されている。
と接続線数が少なくてすむ蓄積形のマトリクス駆動方式
のイメージセンサが注目されている。
マトリクス駆動方式のイメージセンサは、第２図に示す
ように、通常、フォトダイオードアレイを複数（ｎ）の
ブロックＢＬＫ、、ＢＬＫ２．・・・ＢＬＫｎに分割し
てあり、各ブロックにはｍ個のフォトダイオードか割り
当てられ、画像情報の読取りに当たっては、ｎ個のブロ
ックをトライバ１により順次切換えながら、各ブロック
ごとにｍ個のフォトダイオードに当たって光の光量に応
じてリセット時に流れる過渡電流を光信号として信号処
理回路２により順次読み出すように構成されている。具
体的には、Ａ４サイズの画像情報を８ドツト／ ｍ ｍ
の解像度で読取る場合は、画素数は１７２８個になり、
信号処理回路２のＩＣのスイッチング素子の数にもよる
か、ｍ＝６４、ｎ＝２７またはｍ＝３２、ｎ＝５４など
か採用される。
ように、通常、フォトダイオードアレイを複数（ｎ）の
ブロックＢＬＫ、、ＢＬＫ２．・・・ＢＬＫｎに分割し
てあり、各ブロックにはｍ個のフォトダイオードか割り
当てられ、画像情報の読取りに当たっては、ｎ個のブロ
ックをトライバ１により順次切換えながら、各ブロック
ごとにｍ個のフォトダイオードに当たって光の光量に応
じてリセット時に流れる過渡電流を光信号として信号処
理回路２により順次読み出すように構成されている。具
体的には、Ａ４サイズの画像情報を８ドツト／ ｍ ｍ
の解像度で読取る場合は、画素数は１７２８個になり、
信号処理回路２のＩＣのスイッチング素子の数にもよる
か、ｍ＝６４、ｎ＝２７またはｍ＝３２、ｎ＝５４など
か採用される。
イメージセンサの基板上には、フォトダイオードアレイ
のほかに、フォトダイオードのブロックごとにトライバ
ｌに接続される共通電極線３と、各フォトダイオードか
ら信号処理回路２へのマトリクス配線４とが形成されて
いる。
のほかに、フォトダイオードのブロックごとにトライバ
ｌに接続される共通電極線３と、各フォトダイオードか
ら信号処理回路２へのマトリクス配線４とが形成されて
いる。
そこでいまマトリクス配線４に注目すると、第２図に破
線丸で囲んで示した部分を拡大して示すと第３図のよう
になり、マトリクス配線４は、各フォトダイオードから
伸びる電極線４ ａ 、、４ ａ ｔ＋４ａ＝、・−・
と各ブロックに共通な信号読出し線４ ｂ Ｉ、４ ｂ
２，４ ｂ ３．・・・とから成り、断面構造は第４
図に示すようになる。すなわち、基板ｌＯ上に各フォト
ダイオードから伸びる電極線４ａと、その上に絶縁層５
と、信号読出し線４ｂとが順次積層され、電極線４ａと
信号読出し線４ｂとは第３図に斜線を引いて示す部分て
スルーホール６により電気的に接続されている。
線丸で囲んで示した部分を拡大して示すと第３図のよう
になり、マトリクス配線４は、各フォトダイオードから
伸びる電極線４ ａ 、、４ ａ ｔ＋４ａ＝、・−・
と各ブロックに共通な信号読出し線４ ｂ Ｉ、４ ｂ
２，４ ｂ ３．・・・とから成り、断面構造は第４
図に示すようになる。すなわち、基板ｌＯ上に各フォト
ダイオードから伸びる電極線４ａと、その上に絶縁層５
と、信号読出し線４ｂとが順次積層され、電極線４ａと
信号読出し線４ｂとは第３図に斜線を引いて示す部分て
スルーホール６により電気的に接続されている。
このようにマトリクス駆動方式を採用すると回路構成が
簡単になり、信号線の数が少なくできるので信号処理回
路２が小型化できる。
簡単になり、信号線の数が少なくできるので信号処理回
路２が小型化できる。
ところで、イメージセンサでは各フォトダイオードから
取り出される光信号（Ｔｌｉ流）を画像情報信号とする
か、この光信号レベルはフォトダイオードに並列に形成
されると考えられるコンデンサのほかに電極線や信号読
出し線などのマトリクス配線４の浮遊容量に大きく影響
されることか知られている。フォトダイオードから出力
される光信号は微弱であるために、光信号を読み取るに
はマトリクス配線４の浮遊容量ができるたけ小さいこと
か望ましい。このことは画素間のクロストーク防止上か
らも好ましい。
取り出される光信号（Ｔｌｉ流）を画像情報信号とする
か、この光信号レベルはフォトダイオードに並列に形成
されると考えられるコンデンサのほかに電極線や信号読
出し線などのマトリクス配線４の浮遊容量に大きく影響
されることか知られている。フォトダイオードから出力
される光信号は微弱であるために、光信号を読み取るに
はマトリクス配線４の浮遊容量ができるたけ小さいこと
か望ましい。このことは画素間のクロストーク防止上か
らも好ましい。
一方、マトリクス配線では第３図に破線丸印で示した場
所において電極線４か絶縁層を介して信号読出し線と交
差しており、このような交差部か多数ある。交差部のう
ち１つでもピンホールなどにより電極線と信号読出し線
とか導通状態になると、そのブロックからの光信号は正
確を欠き画像情報が欠落することになる。
所において電極線４か絶縁層を介して信号読出し線と交
差しており、このような交差部か多数ある。交差部のう
ち１つでもピンホールなどにより電極線と信号読出し線
とか導通状態になると、そのブロックからの光信号は正
確を欠き画像情報が欠落することになる。
（発明の目的および構成）
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、画素の
読取り精度がすぐれ且つ歩留りのよいイメージセンサを
提供することを目的とし、この目的を達成するために、
マトリクス駆動方式のイメージセンサの配線交差部の線
幅を狭くするようにしだものである。
読取り精度がすぐれ且つ歩留りのよいイメージセンサを
提供することを目的とし、この目的を達成するために、
マトリクス駆動方式のイメージセンサの配線交差部の線
幅を狭くするようにしだものである。
（実施例）
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明によるイメージセンサのマトリクス配線
の一実施例を示す０図において第３図と同じ参照数字は
同じ構成部分を示す。
の一実施例を示す０図において第３図と同じ参照数字は
同じ構成部分を示す。
本発明のイメージセンサにおいては、第１図かられかる
ように、電極線４ａ、が信号読出し線４ ｂ ２および
４ｂ、と交差する部分と、電極線４ａ２か信号読出し線
４ｂ３と交差する部分において、電極線４ ａ 、、４
ａ ＊および信号読出し線４ｂ、、４ｂｆｆの線幅を
狭くしである。
ように、電極線４ａ、が信号読出し線４ ｂ ２および
４ｂ、と交差する部分と、電極線４ａ２か信号読出し線
４ｂ３と交差する部分において、電極線４ ａ 、、４
ａ ＊および信号読出し線４ｂ、、４ｂｆｆの線幅を
狭くしである。
一般に、電極線および信号読出し線の線幅は、配線の抵
抗値、ゴミなどによる断線のおそれ、フォトリソグラフ
ィーによる製造上の理由などから制限されるが、その許
容範囲内で線幅を狭くする必要がある。線幅をどの程度
狭くするかすなわち細線化率は配線の材料（Ｃｒ、Ａ文
、Ａｕなと）、浮遊容量の低下率、ピンホールによる短
絡の発生確率などを考慮して決定される。
抗値、ゴミなどによる断線のおそれ、フォトリソグラフ
ィーによる製造上の理由などから制限されるが、その許
容範囲内で線幅を狭くする必要がある。線幅をどの程度
狭くするかすなわち細線化率は配線の材料（Ｃｒ、Ａ文
、Ａｕなと）、浮遊容量の低下率、ピンホールによる短
絡の発生確率などを考慮して決定される。
交差部の細線化は第１図に示すように線幅の両側を削っ
て挟めるほかに、片側を削って挟めてもよいし、その形
状も直線に限らず曲線としてもよい。また、細線化は第
１図のように交差する２本の配線の両方について行って
もよいが、いずれか一方でもよい。
て挟めるほかに、片側を削って挟めてもよいし、その形
状も直線に限らず曲線としてもよい。また、細線化は第
１図のように交差する２本の配線の両方について行って
もよいが、いずれか一方でもよい。
このように配線の交差部を狭くすることにより配線間の
浮遊容量を小さくすることができ、それにより光信号レ
ベルを大きくすることかできる。
浮遊容量を小さくすることができ、それにより光信号レ
ベルを大きくすることかできる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は、マトリクス駆動方式の
イメージセンサにおいて、配線交差部の線幅を狭くした
ので、配線間の浮遊容量か減少し、それにより、（イ）
光信号の周波数成分が高域化するので光信号の立上りが
鋭くなる、（ロ）隣接画素間のクロストークか小さくな
るので画像情報の読取り精度が向上する、（ハ）画像情
報の階調分けが容易になるなどの効果が得られるほかに
、交差部の面積の減少により（ニ）ピンホールによる短
絡現象が低下するためイメージセンサの歩留りか向上す
る。
イメージセンサにおいて、配線交差部の線幅を狭くした
ので、配線間の浮遊容量か減少し、それにより、（イ）
光信号の周波数成分が高域化するので光信号の立上りが
鋭くなる、（ロ）隣接画素間のクロストークか小さくな
るので画像情報の読取り精度が向上する、（ハ）画像情
報の階調分けが容易になるなどの効果が得られるほかに
、交差部の面積の減少により（ニ）ピンホールによる短
絡現象が低下するためイメージセンサの歩留りか向上す
る。
第１図は本発明によるイメージセンサのマトリクス配線
の一実施例、第２図はイメージセンサの電気接続を示す
平面図、第３図は従来のマトリクス配線の一部を示す平
面図、第４図は従来のマトリクス配線の断面図である。
の一実施例、第２図はイメージセンサの電気接続を示す
平面図、第３図は従来のマトリクス配線の一部を示す平
面図、第４図は従来のマトリクス配線の断面図である。
Claims (1)
- 基板上に半導体層を挟むように一組の電極が積層され且
つ前記電極から伸びる配線がマトリクス状に交差するよ
うに形成されたマトリクス駆動方式のイメージセンサに
おいて、前記配線どうしの交差部において配線の線幅を
狭くしたことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148013A JPH022676A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148013A JPH022676A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022676A true JPH022676A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15443156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148013A Pending JPH022676A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022676A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219268A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-08-31 | Canon Inc | 半導体装置及びそれを用いた光電変換装置 |
| JPH036833U (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-23 | ||
| JPH07122632A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2012157078A (ja) * | 2006-02-24 | 2012-08-16 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
| JP2017103514A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139961A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Sony Corp | Wiring structure and method therefor |
| JPS60147158A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | Sharp Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62171372A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63148013A patent/JPH022676A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139961A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Sony Corp | Wiring structure and method therefor |
| JPS60147158A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | Sharp Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62171372A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02219268A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-08-31 | Canon Inc | 半導体装置及びそれを用いた光電変換装置 |
| JPH036833U (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-23 | ||
| JPH07122632A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2012157078A (ja) * | 2006-02-24 | 2012-08-16 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
| JP2017103514A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
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