JPH0588552B2 - - Google Patents
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- JPH0588552B2 JPH0588552B2 JP60182952A JP18295285A JPH0588552B2 JP H0588552 B2 JPH0588552 B2 JP H0588552B2 JP 60182952 A JP60182952 A JP 60182952A JP 18295285 A JP18295285 A JP 18295285A JP H0588552 B2 JPH0588552 B2 JP H0588552B2
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- Japan
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- photoelectric conversion
- conversion element
- drive
- substrate
- long side
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Wire Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、フアクシミリやOCRなどに用いら
れ、画像や文字、記号などを電気信号に変換する
ための画像読取センサ基板に係り、特にセンサ出
力特性が均一化されるように構成された画像読取
センサ基板に関するものである。
れ、画像や文字、記号などを電気信号に変換する
ための画像読取センサ基板に係り、特にセンサ出
力特性が均一化されるように構成された画像読取
センサ基板に関するものである。
これまでの画像読取センサには同一基板上に駆
動回路としてのICチツプが搭載されたものが知
られている。特に、センサ用光電変換素子として
アモルフアスシリコン（以下ａ・Siと称す）をラ
イン状に配置し、このａ・Siでの画像情報による
蓄積電荷を直接電圧値として読み取る電圧読取方
式の画像読取センサにおいては、光電変換素子と
駆動IC間での配線長によるクロストークとその
配線長の差による出力信号バラツキが問題となつ
ている。
動回路としてのICチツプが搭載されたものが知
られている。特に、センサ用光電変換素子として
アモルフアスシリコン（以下ａ・Siと称す）をラ
イン状に配置し、このａ・Siでの画像情報による
蓄積電荷を直接電圧値として読み取る電圧読取方
式の画像読取センサにおいては、光電変換素子と
駆動IC間での配線長によるクロストークとその
配線長の差による出力信号バラツキが問題となつ
ている。
ここで、これまでの前記画像読取センサの実装
の一例について第２図により説明すれば以下のよ
うである。
の一例について第２図により説明すれば以下のよ
うである。
即ち、これまでのものはガラス基板１上には光
電変換素子であるａ・Si２が一定ピツチでライン
状に配列されるが、このａ・Si２群に沿つては所
定に駆動用IC３′が配置され、両者は膜プロセス
で形成された配線層４、ワイヤボンデイング５に
より接続されるようになつている。図示の如く駆
動IC３′の入力端子３１はそのICの３辺に沿つて
設けられており、これがためにａ・Si２対応の配
線層４の長さを一定にし得ないというものであ
る。ａ・Si２対応の配線層４はその長さが一定
で、しかも短いことが望ましいわけである。
電変換素子であるａ・Si２が一定ピツチでライン
状に配列されるが、このａ・Si２群に沿つては所
定に駆動用IC３′が配置され、両者は膜プロセス
で形成された配線層４、ワイヤボンデイング５に
より接続されるようになつている。図示の如く駆
動IC３′の入力端子３１はそのICの３辺に沿つて
設けられており、これがためにａ・Si２対応の配
線層４の長さを一定にし得ないというものであ
る。ａ・Si２対応の配線層４はその長さが一定
で、しかも短いことが望ましいわけである。
ところで、第３図は複数の画素より１画素分を
取出しその電気的等価回路を示したものである。
図示の如くａ・Si２各々は電圧Ｅでバイアスさ
れ、その他端は駆動IC３′の入力端子３１に接続
されるようになつている。この状態で駆動IC
３′内でリセツトスイツチSRiを一時的に閉じて
ａ・Si２の等価容量CaおよびICの入力端子容量
Cinをバイアス電圧Ｅにより充電した後、この電
荷を光情報hνによつて光電流iphとして放出せし
めることで情報を蓄積するものである。この情報
は駆動IC３′の等価入力容量Cinに保持され、画
素対応の情報は一定のタイミングで順次画素対応
の走査スイツチSSiを閉じることによつて、電圧
バツフアーAMPiを通して出力端子OUTに読取
信号電圧VOUTとして取り出されるものである。
なお、リセツトスイツチSRiはａ・Siが次の情報
を正確に蓄積すべく容量Ca，Cinでの充電状態を
初期状態におくためのものである。また、電圧バ
ツフアーAMPiの負電源電圧−VEEはバイアス電
圧Ｅと同一となつている。
取出しその電気的等価回路を示したものである。
図示の如くａ・Si２各々は電圧Ｅでバイアスさ
れ、その他端は駆動IC３′の入力端子３１に接続
されるようになつている。この状態で駆動IC
３′内でリセツトスイツチSRiを一時的に閉じて
ａ・Si２の等価容量CaおよびICの入力端子容量
Cinをバイアス電圧Ｅにより充電した後、この電
荷を光情報hνによつて光電流iphとして放出せし
めることで情報を蓄積するものである。この情報
は駆動IC３′の等価入力容量Cinに保持され、画
素対応の情報は一定のタイミングで順次画素対応
の走査スイツチSSiを閉じることによつて、電圧
バツフアーAMPiを通して出力端子OUTに読取
信号電圧VOUTとして取り出されるものである。
なお、リセツトスイツチSRiはａ・Siが次の情報
を正確に蓄積すべく容量Ca，Cinでの充電状態を
初期状態におくためのものである。また、電圧バ
ツフアーAMPiの負電源電圧−VEEはバイアス電
圧Ｅと同一となつている。
さて、読取信号電圧VOUTは光情報が一定時間τs
与えられると、およそ式(1)で与えられるようにな
つている。
与えられると、およそ式(1)で与えられるようにな
つている。
VOUT＝τs・iph／Ca＋Cin …(1)
しかし、実際には各画素間での配線間に線間容
量として容量値CLが存在することから、このよ
うな場合での読取信号電圧VOUTはおよそ式(2)で
与えられる。
量として容量値CLが存在することから、このよ
うな場合での読取信号電圧VOUTはおよそ式(2)で
与えられる。
VOUT＝τs・iph／Ca＋Cin＋CL …(2)
即ち、光電変換素子と駆動ICを結ぶ配線間に
容量が存在する場合は出力値が変化するものであ
り、実際大きな影響を与える。よつて、第２図に
示すような実装では配線長が異なつていることか
ら、各画素の出力値が一定の光情報の下でも変動
するという不具合を生じることになる。
容量が存在する場合は出力値が変化するものであ
り、実際大きな影響を与える。よつて、第２図に
示すような実装では配線長が異なつていることか
ら、各画素の出力値が一定の光情報の下でも変動
するという不具合を生じることになる。
更にこの種のセンサにおいては読取信号に重畳
される雑音が問題となつている。特にａ・Si２を
バイアス電圧Ｅで共通にバイアスするための配線
層６はａ・Si２群に沿ってライン状に読取寸法全
長に沿つて存在することから、配線層６上には雑
音が誘導され易いものとなつている。このため配
線層６は可能な限り低インピーダンスで基板外に
引き出されたうえバイアス電圧Ｅでバイアスされ
ることが望ましい。
される雑音が問題となつている。特にａ・Si２を
バイアス電圧Ｅで共通にバイアスするための配線
層６はａ・Si２群に沿ってライン状に読取寸法全
長に沿つて存在することから、配線層６上には雑
音が誘導され易いものとなつている。このため配
線層６は可能な限り低インピーダンスで基板外に
引き出されたうえバイアス電圧Ｅでバイアスされ
ることが望ましい。
第２図において駆動IC３′間に配線層６が存在
するようにして配線層６が複数基板外に引き出さ
れているのはその理由によるものである。しかし
ながら、第２図に示すようにして単に引き出す場
合には他の信号配線層とクロスすることになり好
ましくない。ａ・Si基板内でのクロスを減少させ
ることは、歩留まりの向上やプロセスの簡素化に
つながるからである。なお、この種センサについ
ての公知文献としては「アモルフアスシリコンイ
メージセンサ」（東芝レビユー39巻第11号（昭和
59年））が挙げられる。
するようにして配線層６が複数基板外に引き出さ
れているのはその理由によるものである。しかし
ながら、第２図に示すようにして単に引き出す場
合には他の信号配線層とクロスすることになり好
ましくない。ａ・Si基板内でのクロスを減少させ
ることは、歩留まりの向上やプロセスの簡素化に
つながるからである。なお、この種センサについ
ての公知文献としては「アモルフアスシリコンイ
メージセンサ」（東芝レビユー39巻第11号（昭和
59年））が挙げられる。
本発明の目的は、クロストーク量、雑音が最小
に抑えられ、しかも均一なセンサ出力が得られる
画像読取センサ基板を供するにある。
に抑えられ、しかも均一なセンサ出力が得られる
画像読取センサ基板を供するにある。
この目的のため本発明は、一方の基板長辺側に
ライン状に、かつ一方の電極が共通電極により接
続されたものとして、等ピツチ間隔で配置された
多数の光電変換素子と、該多数の光電変換素子が
複数ブロツクに分割されたものとして、該ブロツ
ク各々に対応して設けられる、アナログマルチプ
レクサ機能具備の電圧読取方式駆動ICとが表面
上に形成、あるいは実装されるものとして構成し
たものであり、駆動IC各々は、その全体がライ
ン状光電変換素子に沿つてライン状に、かつ該光
電変換素子に近接して配された状態として、しか
も該光電変換素子と対向する長辺側に上記ピツチ
間隔と同一間隔を以て列状に配されてなる入力端
子各々は、対応関係にある光電変換素子と接続配
線長均一にして、しかも該接続配線長が可及的に
短くされた状態として接続されるとともに、共通
電極の複数位置から、他の配線とクロスせしめら
れることなく、駆動IC間境界位置に引き出され
た配線層各々は、一旦近傍の駆動IC内部を介さ
れた後、他方の基板長辺側にバイアス電圧印加用
として引き出されるようにしたものである。
ライン状に、かつ一方の電極が共通電極により接
続されたものとして、等ピツチ間隔で配置された
多数の光電変換素子と、該多数の光電変換素子が
複数ブロツクに分割されたものとして、該ブロツ
ク各々に対応して設けられる、アナログマルチプ
レクサ機能具備の電圧読取方式駆動ICとが表面
上に形成、あるいは実装されるものとして構成し
たものであり、駆動IC各々は、その全体がライ
ン状光電変換素子に沿つてライン状に、かつ該光
電変換素子に近接して配された状態として、しか
も該光電変換素子と対向する長辺側に上記ピツチ
間隔と同一間隔を以て列状に配されてなる入力端
子各々は、対応関係にある光電変換素子と接続配
線長均一にして、しかも該接続配線長が可及的に
短くされた状態として接続されるとともに、共通
電極の複数位置から、他の配線とクロスせしめら
れることなく、駆動IC間境界位置に引き出され
た配線層各々は、一旦近傍の駆動IC内部を介さ
れた後、他方の基板長辺側にバイアス電圧印加用
として引き出されるようにしたものである。
以下、本発明を第１図により説明する。
第１図は本発明による画像読取センサ基板の構
成例を示したものである。図示の如く駆動IC３
の入力端子３１は駆動IC３の１辺にのみ列状に
設けられていることにより駆動IC３はａ・Si２と
は配線長均一にして、しかもその配線長が可及的
に短くなるべくａ・Si２に沿つて実装されたもの
となつている。これによりクロストークの低減と
センサ出力の均一化が図れるものである。また、
ａ・Si２群を共通に接続している配線層６からの
共通電極端子３２は駆動IC３の入力端子３１群
とほぼ同一の辺に配置され更に対向する辺の側に
駆動IC３内部を介し引出端子３２′に結線された
うえ外部に引き出されるようになつている。とこ
ろで、本例では駆動IC３の入力端子３１群は一
列とされているが、入力端子３１の配置密度は一
般にはａ・Si２群の画素密度より低いことから、
駆動IC３の一辺に千鳥配置することなどが必要
である。また、共通電極端子３２に対向して設け
られている引出端子３２′は、例えば駆動IC３を
カスケード接続して駆動するシフト信号などの入
出力端子３３，３３′とは図示の如く関係で配置
されることにより特性や実装上での効果が大きく
なる。これは全てのａ・Si２に共通に接続されて
いる配線層６がシフト信号などの配線層とクロス
しなくなることから、プロセスの簡素化がはから
れるからである。また、配線層６とこれに同電位
の駆動IC３内配線層３４とを極近傍で接続して
いることから、両配線層に生じた雑音とともに出
力信号が現われ雑音成分の除去が容易となる結
果、耐雑音特性を有することになるからである。
成例を示したものである。図示の如く駆動IC３
の入力端子３１は駆動IC３の１辺にのみ列状に
設けられていることにより駆動IC３はａ・Si２と
は配線長均一にして、しかもその配線長が可及的
に短くなるべくａ・Si２に沿つて実装されたもの
となつている。これによりクロストークの低減と
センサ出力の均一化が図れるものである。また、
ａ・Si２群を共通に接続している配線層６からの
共通電極端子３２は駆動IC３の入力端子３１群
とほぼ同一の辺に配置され更に対向する辺の側に
駆動IC３内部を介し引出端子３２′に結線された
うえ外部に引き出されるようになつている。とこ
ろで、本例では駆動IC３の入力端子３１群は一
列とされているが、入力端子３１の配置密度は一
般にはａ・Si２群の画素密度より低いことから、
駆動IC３の一辺に千鳥配置することなどが必要
である。また、共通電極端子３２に対向して設け
られている引出端子３２′は、例えば駆動IC３を
カスケード接続して駆動するシフト信号などの入
出力端子３３，３３′とは図示の如く関係で配置
されることにより特性や実装上での効果が大きく
なる。これは全てのａ・Si２に共通に接続されて
いる配線層６がシフト信号などの配線層とクロス
しなくなることから、プロセスの簡素化がはから
れるからである。また、配線層６とこれに同電位
の駆動IC３内配線層３４とを極近傍で接続して
いることから、両配線層に生じた雑音とともに出
力信号が現われ雑音成分の除去が容易となる結
果、耐雑音特性を有することになるからである。
以上、詳細に説明したように本発明による場合
は、クロストーク、雑音がともに抑えられた状態
で、センサ出力信号電圧が均一に得られるという
効果がある。
は、クロストーク、雑音がともに抑えられた状態
で、センサ出力信号電圧が均一に得られるという
効果がある。
第１図は、本発明による画像読取センサ基板の
一例での構成を示す図、第２図、第３図は、これ
までの画像読取センサの構成とその電気的等価回
路を示す図である。 １……ガラス基板、２……ａ・Si（光電変換素
子）、３……駆動IC、３１……入力端子、３２…
…共通端子、３２′……引出端子、４，６……配
線層。
一例での構成を示す図、第２図、第３図は、これ
までの画像読取センサの構成とその電気的等価回
路を示す図である。 １……ガラス基板、２……ａ・Si（光電変換素
子）、３……駆動IC、３１……入力端子、３２…
…共通端子、３２′……引出端子、４，６……配
線層。
Claims (1)
- １ 一方の基板長辺側にライン状に、かつ一方の
電極が共通電極により接続されたものとして、等
ピツチ間隔で配置された多数の光電変換素子と、
該多数の光電変換素子が複数ブロツクに分割され
たものとして、該ブロツク各々に対応して設けら
れる、アナログマルチプレクサ機能具備の電圧読
取方式駆動ICと、を表面上に形成、あるいは実
装してなる画像読取センサ基板であつて、駆動
IC各々は、その全体がライン状光電変換素子に
沿つてライン状に、かつ該光電変換素子に近接し
て配された状態として、しかも該光電変換素子と
対向する長辺側に上記ピツチ間隔と同一間隔を以
て列状に配されてなる入力端子各々は、対応関係
にある光電変換素子と接続配線長均一にして、し
かも該接続配線長が可及的に短くされた状態とし
て接続されるとともに、共通電極の複数位置か
ら、他の配線とクロスせしめられることなく、駆
動IC間境界位置に引き出された配線層各々は、
一旦近傍の駆動IC内部を介された後、他方の基
板長辺側にバイアス電圧印加用として引き出され
てなる構成の画像読取センサ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182952A JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182952A JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245061A JPS6245061A (ja) | 1987-02-27 |
| JPH0588552B2 true JPH0588552B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=16127217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182952A Granted JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245061A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9056193B2 (en) | 2008-01-29 | 2015-06-16 | Edge Systems Llc | Apparatus and method for treating the skin |
| US9468464B2 (en) | 1999-08-26 | 2016-10-18 | Axia Medsciences, Llc | Methods for treating the skin using vacuum |
| US9474886B2 (en) | 2005-12-30 | 2016-10-25 | Edge Systems Llc | Removable tips for skin treatment systems |
| US9486615B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-11-08 | Edge Systems Llc | Microdermabrasion apparatus and method |
| US9498610B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Edge Systems Llc | Devices and methods for treating the skin using a rollerball or a wicking member |
| US9566088B2 (en) | 2006-03-29 | 2017-02-14 | Edge Systems Llc | Devices, systems and methods for treating the skin |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0515849A3 (en) * | 1991-04-27 | 1993-05-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Image sensor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168379A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Toshiba Corp | 画像読取り装置 |
| JPS5963869A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS59143465A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60182952A patent/JPS6245061A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9468464B2 (en) | 1999-08-26 | 2016-10-18 | Axia Medsciences, Llc | Methods for treating the skin using vacuum |
| US9474886B2 (en) | 2005-12-30 | 2016-10-25 | Edge Systems Llc | Removable tips for skin treatment systems |
| US9550052B2 (en) | 2005-12-30 | 2017-01-24 | Edge Systems Llc | Console system for the treatment of skin |
| US9566088B2 (en) | 2006-03-29 | 2017-02-14 | Edge Systems Llc | Devices, systems and methods for treating the skin |
| US9486615B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-11-08 | Edge Systems Llc | Microdermabrasion apparatus and method |
| US9056193B2 (en) | 2008-01-29 | 2015-06-16 | Edge Systems Llc | Apparatus and method for treating the skin |
| US9498610B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Edge Systems Llc | Devices and methods for treating the skin using a rollerball or a wicking member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245061A (ja) | 1987-02-27 |
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