JPH08181821A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光電変換装置の画素信号出力構成で、各信号
配線間のクロストーク量を均一化し、出力画像が高品質
であることを目的とする。 【構成】 少なくとも複数の光センサＳと、前記光セン
サの複数を１ブロックとして順次取り出すスイッチ手段
Ｔと、スイッチ手段によって１ブロックの信号を蓄積す
る蓄積手段ＣＬと、蓄積手段と上記複数の光センサを接
続するマトリクス配線部と、上記蓄積手段に蓄積された
信号を順次取り出す信号読み出し部を有する光電変換装
置において、光センサからの個別信号配線と共通信号配
線との交差部の浮遊容量を配線構造により調整して共通
信号配線に付加される浮遊容量を同一化したことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置、デ
ジタル複写機等の画像読み取り装置に用いられる光電変
換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像読み取り装置に用いられる光
電変換装置には、ＣＣＤ型やＭＯＳ型の光センサーが用
いられ、各画素の小型化とチップ生成技術の向上によ
り、高集積化、高密度化、高精度化、更に高機能化な
ど、光電変換素子そのものの技術進展とともに利用分野
の拡大化が図られ、需要がますます増加しつつある。

【０００３】かかる環境のもとで、従来の画像読み取り
装置に用いられる光電変換装置の一構成例について詳細
に説明する。図４は係る光電変換装置の一構成例となる
回路図である。但しここでは、９個の光センサを有する
光センサアレイの場合を一例として取り上げる。

【０００４】図４において、光センサＳ１１〜Ｓ３３
は、各光電変換素子を模式的に簡略符号で示している
が、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで光センサ
アレイを構成している。光センサＳ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイ
ッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。

【０００５】また光センサＳ１１〜Ｓ３３の各ブロック
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通信号配線１０
１〜１０３の一つに接続されている。詳細に言えば、各
ブロックの第１のスイッチングトランジスタＴ１１，Ｔ
２１，Ｔ３１が共通信号配線１０１に、各ブロックの第
２のスイッチングトランジスタＴ１２，Ｔ２２，Ｔ３２
が共通信号配線１０２に、そして各ブロックの第３のス
イッチングトランジスタＴ１３，Ｔ２３，Ｔ３３が共通
信号配線１０３に、それぞれ接続されている。

【０００６】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ３３
のゲート電極は、ブロック毎に共通接続され、ブロック
毎にシフトレジスタ（ＳＲ）２０１の並列出力端子に接
続されている。したがって、シフトレジスタ２０１のシ
フトタイミングによってスイッチングトランジスタＴ１
１〜Ｔ３３はブロック毎に順次オン状態となる。共通信
号配線１０１〜１０３は、各々スイッチトランジスタＴ
Ｓ１〜ＴＳ３を介して、アンプ２０３に接続されてい
る。シフトレジスタ（ＳＲ）２０２のシフトタイミング
によってスイッチングトランジスタＴＳ１〜ＴＳ３は順
次オン状態となる。

【０００７】また図４において、共通信号配線１０１〜
１０３は、それぞれ負荷コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３を介
して接地され、且つスイッチングトランジスタＲＳ１〜
ＲＳ３を介して接地されている。

【０００８】負荷コンデンサＣＬ１−ＣＬ３の容量は蓄
積コンデンサＣＳ１１〜ＳＣ３３のそれよりも十分大き
くとっておく。スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ
３の各ゲート電極は共通に接続され、端子１０４に接続
されている。すなわち、端子１０４にハイレベルが印加
されることで、スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ
３は同時にオン状態となり共通信号配線１０１〜１０３
及び蓄積コンデンサＣＳ１１〜ＳＣ３３が接地されるこ
とになる。

【０００９】次に、この様な構成を有する光電変換装置
の動作を図５に示す各スイッチングトランジスタのタイ
ミングチャートを用いて説明する。但し、図５では、各
スイッチングトランジスタがオン状態となるタイミング
を示しているが、むろんこのタイミングはシフトレジス
タ２０１，２０２から出力されるハイレベルのタイミン
グでもある。

【００１０】まず光センサＳ１１〜Ｓ３３に光が入射す
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる［図５（ａ）］。

【００１１】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３
がオン状態になることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。

【００１２】続いて、シフトレジスタ２０２から出力さ
れるハイレベルがシフトして、スイッチングトランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が、順次オン状態となる［図５（ｄ）
〜（ｆ）］。

【００１３】これによって、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０３を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる。［図５（ｇ）］ この動作により、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３の残留電荷
が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３の残留
電荷が完全に放電された時点で、シフトレジスタ２０１
がシフトし、第２の並列端子からハイレベルが出力され
る。これによってスイッチングトランジスタＴ２１〜Ｔ
２３がオン状態になり［図５（ｂ）］、第２のブロック
のコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷
がコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。

【００１４】そして、第一ブロックの場合と同様に、シ
フトレジスタ２０２のシフトにより、スイッチングトラ
ンジスタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光
情報が順次読み出される［図５（ｄ）〜（ｆ）］。第３
ブロックの場合も同様に、転送動作［図５（ｃ）］が行
われ、以下同様に、上記動作がブロックごとに繰り返さ
れる。こうして、この光電変換装置は、読取原稿からの
画像信号を、各光センサー毎に検出し、光キャリアを蓄
積した電荷はそれぞれ時系列的に順次読み出され、アン
プ２０３から出力される。

【００１５】上記光電変換装置に係る従来の光電変換部
の模式的な断面図を図６に示し、またその平面図を図７
に示して、説明する。

【００１６】本例では、水素原子を含有するアモルファ
スシリコン系（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称する。）を用い
て、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ部
３、マトリクス信号配線部４、ゲート駆動配線部５、等
が透光性絶縁基板１０上に同一プロセスにより一体的に
形成されている。

【００１７】透光性絶縁基板１０上には、Ａｌ，Ｃｒ等
の第１の導電体層２４、ＳｉＮ等の第１の絶縁層２５、
ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６、ｎ⁺型ａ
−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタクト層２７、Ａｌ，Ｃｒ
等の第２導電体層２８が形成される。なお、図面上で
は、各階層をそれぞれ同時に成形しているので、概念上
各部分は同一階層で記載している。

【００１８】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。画像読取装置において、原稿
Ｐの画像を読み取る場合に、下部から照明光Ｌが入射さ
れ、上部に配置された原稿Ｐで反射された信号光Ｌ′
は、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導電
率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０，３
１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の遮
光層であり、敵宣の駆動源に接続して、主電極３０（ソ
ース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレイン
電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲート
電極）となるようにしてもよい。又、センサバイアス電
源をＶＳ線として示している。

【００１９】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極３３上に形成された第１の絶縁層２５
と光導電性半導体層２６とオーミックコンタクト層２７
と、上層電極配線３４とから構成される。なお、３５
は、光電変換部１の上層電極配線３１と下層電極配線３
３とオーミックコンタクトをとるためのコンタクトホー
ルである。この蓄積コンデンサ部２の構成はいわゆるＭ
ＩＳコンデンサの構造である。バイアス条件は正負いず
れも用いることができるが、下層電極配線３３を常に負
にバイアスする状態で用いることにより、安定な容量と
周波数特性を得ることができる。

【００２０】本従来例においては、逆に上層電極配線３
４を常に負にバイアスする状態で用いることにより、単
位面積当たり高い容量値を得ている。

【００２１】ＴＦＴ部３は、ゲート電極たる下層電極配
線３６と、ゲート絶縁層をなす第２の絶縁層２５と、半
導体層２６と、オーミックコンタクト層２７と、ソース
電極たる上層電極配線３７と、ドレイン電極たる上層電
極配線３８等から構成される。

【００２２】マトリクス信号配線部４においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２を被う
絶縁層２５、半導体層２６、オーミックコンタクト層２
７、そして個別信号配線と交差する第２の導電層からな
る共通信号配線３９が順次蓄積されている。４０は個別
信号配線２２と共通信号配線３９とオーミックコンタク
ト層をとるためのコンタクトホールである。また、個別
信号配線と接続された共通信号配線を総じて信号配線と
呼ぶ。

【００２３】本来、コンタクトホール４０以降も延長さ
れている個別信号配線２２は必要ないものであるが、本
従来例においては、コンタクトホール以降個別信号配線
を延長させている。これは、図７及び同図中の破線部Ｍ
の拡大図の図８が示すとおり、共通信号配線３９と個別
信号配線２２の交差部の個数及び面積をどの信号配線に
対しても等しくし、交差部で形成される浮遊容量のバラ
ツキを各信号配線共に一定にしようとするものである。
また、図８において、各信号配線の配線幅及び配線間隔
は一定とし、共通信号配線３９と、個別信号配線２２の
交差部の面積Ａ及びＢは、全て一定であるとする。この
構成については、すべての信号配線、すべてのブロック
に一様に施されているものである。

【００２４】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部５におい
て、基板１０上に第１の導電層２４からなる個別ゲート
配線４１、個別ゲート配線を被う絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７、そして個別ゲート
配線４１と交差する、第２の導電層２８からなる共通ゲ
ート配線４２が順次積層される。

【００２５】以上のように、本従来例の光電変換装置
は、光電変換素子部１、蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ部
３、マトリクス信号配線部４、ゲート駆動配線部５のす
べてが光導電性半導体層および絶縁層、導電体層等の蓄
積構造を有するので、各部は同一プロセスにより同時に
形成される。

【００２６】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３の半導体層表面の保
護安定化のためにＳｉＮ等からなるパッシベーション層
１４、接着剤１３、原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等
を保護するためにマイクロシートガラス等からなる対摩
擦層１１が形成される。

【００２７】パッシベーション層１４と対摩擦層１１と
の間には、透光性導電層からなる静電気対策層１２（導
電層）が形成される。

【００２８】静電気対策層１２は、原稿Ｐと対摩擦層１
１との摩擦により発生する静電気が光電変換素子等に悪
影響を及ぼさないようにするために配置されている。静
電気対策層１２の材料としては、照明光Ｌおよび信号光
Ｌ′を透過させる必要があるため、ＩＴＯ等の酸化物半
導体透明導電膜が用いられる。

【００２９】本従来例では静電気対策層を形成した対摩
耗層を接着剤１３によりパッシベーション層１４の上に
接着し、静電気対策層１２を設置して用いている。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光電変換装置においては、マトリクス信号配線部４
における、共通信号配線部３９と個別信号配線２２との
間に形成される浮遊容量が、マトリクス信号配線部４の
各共通信号配線３９の位置によって容量差が生じる。す
なわち、マトリクス信号配線部４のＴＦＴ部３側の最外
側の共通信号配線３９と個別信号配線２２との間に形成
される浮遊容量と、他の共通信号配線３９と個別信号配
線２２との間に形成される浮遊容量に差が生じる。

【００３１】ここで、図４のあるブロックに注目して各
共通信号配線３９と各個別信号配線２２との間に形成さ
れる浮遊容量についての等価回路図を図９に示し、また
模式的な断面図を図１０に示して、以下説明する。

【００３２】図９及び、図１０において、各共通信号配
線１０１〜１０３と各個別信号配線との間に形成される
浮遊容量には、共通信号配線と個別信号配線の交差部で
生じる浮遊容量ＣＰ１〜ＣＰ６と、マトリクス信号配線
部のＴＦＴ側の最外側の共通信号配線１０１と光電変換
部からの個別電極すなわち、ＴＦＴのドレイン電極たる
上層電極配線との間に形成される浮遊容量ＣＡ２，ＣＡ
３とがある。この浮遊容量ＣＰ１〜ＣＰ６、ＣＡ２，Ｃ
Ａ３は共通信号配線と個別信号配線及び、個別電極とを
含めた、信号配線間で以下の様な関係にある。

【００３３】信号配線１，２間の浮遊容量Ｃ１２は、 Ｃ１２＝ＣＰ１＋ＣＰ３＋ＣＡ２ ……［式１］ 信号配線１，３間の浮遊容量Ｃ１３は、 Ｃ１３＝ＣＰ２＋ＣＰ５＋ＣＡ３ ……［式２］ 信号配線２，３間の浮遊容量Ｃ２３は、 Ｃ２３＝ＣＰ４＋ＣＰ６ ……［式３］ 信号配線１とは、共通信号配線１０１とそれに接続され
る個別信号配線及び、個別電極のことを言う。同様に信
号配線２とは、共通信号配線１０２とそれに接続される
個別信号配線及び、個別電極、信号配線３とは、共通信
号配線１０３とそれに接続される個別信号配線及び、個
別電極のことを言う。

【００３４】各共通信号配線及び各個別信号配線の配線
幅及び配線間隔が一様である場合、共通信号配線と個別
信号配線の交差部で形成される浮遊容量ＣＰ１〜ＣＰ６
には、 ＣＰ１＝ＣＰ２＝ＣＰ３＝ＣＰ４＝ＣＰ５＝ＣＰ６＝ＣＰ ……［式４］ の関係がある。上式４の関係が成立するため、式１〜３
が示すように、信号配線１と他の信号配線との間に形成
される浮遊容量（Ｃ１２及びＣ１３）は、個別電極間に
形成される浮遊容量ＣＡ２及びＣＡ３の容量分、他の信
号配線が相互間に形成する浮遊容量（Ｃ２３）より大き
くなる。

【００３５】この、ＣＡ２及びＣＡ３の容量が、共通信
号配線と個別信号配線の交差部で生じる浮遊容量ＣＰ１
〜ＣＰ６の容量に対して、十分に小さければ問題ないの
だが、光センサアレイの構成上個別電極の面積の大きさ
及び、共通信号配線１０１との距離からして無視するこ
とができず、結果として、信号配線間の容量差が生じ、
信号配線間のクロストーク量にも差が生まれ、階調読み
のような高品位の画像処理を行った場合、ブロック毎
に、本来の原稿濃度とは異なる画像として現れるという
問題があった。すなわち、図４の共通信号配線１０１〜
１０３に加わる浮遊容量に差異があれば、一時的に蓄積
する転送容量ＣＬ１〜ＣＬ３への電荷量に差異が生じ、
その転送容量ＣＬ１〜ＣＬ３から順次読み出される電荷
量にも差異が生じて、結局アンプ２０３の出力に、いず
れの共通信号配線を通ってきた信号かによって、また共
通信号配線間の容量結合によるクロストークにも差異が
生じて、バラツキのある出力信号が得られるという問題
が生じていた。

【００３６】また、このクロストーク補正を、特開平０
５−１８３６９４に示されるような簡易な補正をしよう
とした場合、一つの信号配線だけクロストーク量が異な
ると補正エラーが生じ、画像品位が著しく低下するとい
う問題があった。

【００３７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決するためになされたもので、基板上に配列され
た複数の共通信号配線と、複数の光センサと前記複数の
共通信号配線とを電気的に接続し、該複数の共通信号配
線と交差するように配線された複数の光センサ出力から
の複数の個別信号配線とを備える光電変換装置におい
て、前記複数の共通信号配線のうち最も外側の共通信号
配線に接続された光センサの個別信号配線が、他の共通
信号配線との交差部で形成する浮遊容量以外に形成する
他の個別電極との浮遊容量を補正するために、前記最も
外側の共通信号配線に接続された個別信号配線と、他の
共通信号配線との交差部の面積を、他の個別信号配線と
共通信号配線との交差部の面積よりも小さくすること
で、最も外側の信号配線と他の信号配線との相互間の浮
遊容量（クロストーク量）を調整することを特徴とす
る。

【００３８】また、本発明の光電変換装置は、複数の光
センサからの信号出力を取り出す複数のスイッチ手段
と、該複数のスイッチ手段からの信号を出力するため
の、複数の個別信号配線と、該複数の個別信号配線とを
電気的に接続し該複数の個別信号配線と交差するように
配置された複数の共通信号配線と、前記複数のスイッチ
手段からの信号出力を前記複数の共通信号配線によっ
て、ｎ個ずつ１ブロックとして順次取り出すスイッチ手
段を有する光電変換装置において、前記複数の共通信号
配線のうち、前記複数の光センサからの信号出力を取り
出す複数のスイッチ手段側に配置された、最も外側の共
通信号配線に接続された個別信号配線が、他の共通信号
配線との交差部で形成される浮遊容量以外に形成する他
の個別電極（＝前記複数のスイッチ手段からの信号配
線）との浮遊容量を補正するために、前記最も外側の共
通信号配線に接続された個別信号配線が接続点（コンタ
クト部）より延長させて他の共通信号配線との交差部を
持つ個別信号配線を持つブロックと、延長させないで他
の共通信号配線との交差部を持たない個別信号配線を持
つブロックを一つの光センサアレイの中に、混在させて
前記最も外側の信号配線と他の信号配線との相互間の浮
遊量（クロストーク量）を調整することを特徴とする。

【００３９】なお、上述のように、コンタクト部とは個
別信号配線渡橋通信号配線との接続点のことをいい、交
差部とは個別信号配線と共通信号配線とのコンタクト部
以外での交差している部分のことをいい、それぞれ明確
に区別される。

【００４０】

【作用】前述したように、最も外側の共通信号配線に接
続された個別信号配線の接続点（コンタクト部）より延
長させた部分の個別信号配線と、他の共通信号配線との
交差部の面積を調整したり、上記個別信号配線のコンタ
クト部より延長させて、他の共通信号配線との交差部を
持つ個別信号配線を持つブロックと、延長させないで他
の共通信号配線との交差部を持たない個別信号配線を持
つブロックを、一つの光センサアレイの中に混在させる
ことで、各信号配線相互間の浮遊容量（クロストーク
量）を調整することで、各信号配線相互間の容量差（ク
ロストーク量差）を容易に補正することができる。

【００４１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 （１）第１の実施例 図１は、本発明の光電変換装置に係る一実施例のマトリ
クス信号配線部の模式的な平面図である。また、同図
は、上記に説明した図８に対応するもので、あるブロッ
クのマトリクス配線部のみの模式的な平面図となってい
るが、その構成については、どのブロックに対しても同
様に施され、その他の構成については、図８の従来例と
同一とする。また、図８の従来例と同一もしくは相当す
る構成部材については同一符号を付し、詳細な説明を省
略する。なお、その断面図は前述した図６の構成と同じ
なので、断面構造については、図６を用いて説明する。

【００４２】また、本実施例の動作に関しては、従来例
の図４，図５を用いて説明した動作と同様なので説明を
省略する。

【００４３】図１に示すように、ＴＦＴ部側の最外側の
共通信号配線５０１に接続される個別信号配線４０１
が、コンタクト部６０１より配線を延長して、他の共通
信号配線と交差部を形成している。その交差部の面積Ａ
は、交差部における個別信号配線４０１の配線幅を細く
することで、その他の交差部の面積Ｂよりも小さくなっ
ている。交差部の面積を小さくすることで、個別信号配
線と共通信号配線の交差部で形成する浮遊容量を小さく
し、強いては、個別電極と共通信号配線５０１との間に
形成される浮遊容量を含めた、信号配線相互間の浮遊容
量差を等しくするものである。

【００４４】図９のように、３個（＝３ビット）で１ブ
ロックを構成している場合について説明する。

【００４５】同図における、各信号配線間の浮遊容量の
関係は、式１〜３が成立する。また、個別電極の面積、
共通信号配線からの距離が一様だとすると、 ＣＡ２＝ＣＡ３＝ＣＡ ……［式５］ 上式５の関係が成り立つ。また、最外側の共通信号配線
１０１に接続される個別信号配線が、他の共通信号配線
の交差部で形成する浮遊容量ＣＰ１及びＣＰ２を除い
た、交差部で形成される浮遊容量ＣＰ３〜ＣＰ６は、各
共通信号配線１０１〜１０３及び、各個別信号配線の配
線幅及び配線間隔が一様であるため、 ＣＰ３＝ＣＰ４＝ＣＰ５＝ＣＰ６＝ＣＱ ……［式６］ 上式６の関係が成立する。式５及び式６より、各信号配
線間の浮遊容量式１〜３は、 Ｃ１２＝ＣＰ１＋ＣＱ＋ＣＡ ……［式７］ Ｃ１３＝ＣＰ２＋ＣＱ＋ＣＡ ……［式８］ Ｃ２３＝２×ＣＱ ……［式９］ が成立する。本実施例においては、ＣＰ１及びＣＰ２
は、ＣＱと比較して小さくしている。その、小さくした
ことによる浮遊容量の差分をＣＲとすると、上式７，式
８は、 Ｃ１２＝２×ＣＱ−ＣＲ＋ＣＡ ……［式１０］ Ｃ１３＝２×ＣＱ−ＣＲ＋ＣＡ ……［式１１］ が成立する。上式１０，式１１において、ＣＲを個別電
極と共通信号配線１０１との間に形成される浮遊容量Ｃ
Ａと等しくすることにより、上式１０，１１は、式９と
等しくなる。

【００４６】ＣＲ＝ＣＡとなるように、最外側の共通信
号配線１０１に接続される個別信号配線と、他の共通信
号配線の交差部の面積を調整することで、信号配線相互
間の浮遊容量を等しくすることが出来る。

【００４７】図１において、交差部Ａの面積を調整し
て、交差部Ａで形成する浮遊容量を、個別電極すなわち
ＴＦＴ部のドレイン電極たる上層電極配線と、最外側の
共通信号配線５０１との間で形成される浮遊容量分だ
け、他の交差部Ｂで形成される浮遊容量よりも小さくす
ることで、信号配線相互間の浮遊容量を等しくすること
ができる。 （２）第２の実施例 図２は、本発明の光電変換装置に係る第２の実施例の光
電変換部の模式的な平面図である。なお、その断面図は
前述した図６の構成と同じなので、断面構造について
は、図６を用いて説明する。

【００４８】図２において、図６の従来例と同一もしく
は相当する構成部材については同一符号を付し、詳細な
説明を省略する。また、本実施例の動作に関しては、従
来例の図４，図５を用いて説明した動作と同様なので説
明を省略する。

【００４９】図２に示すように、第ｎブロックにおいて
は、マトリクス信号配線部４のＴＦＴ部３側の最外側の
共通信号配線５０１に接続される個別信号配線４０１が
コンタクト部６０１より配線を延長させないで、他の共
通信号配線との交差部を形成していない。他の共通信号
配線との交差部を形成しないことで、共通信号配線５０
１と他の共通信号配線の浮遊容量を形成していない。

【００５０】逆に、第ｎ＋１ブロックにおいては、従来
例のように、共通信号配線５０１に接続される個別信号
配線４０１がコンタクト部６０１より配線を延長して、
他の共通信号配線との交差部を形成している。

【００５１】図３または図９のように、３個（＝３ビッ
ト）で１ブロックを構成し、Ｎブロックで一つの光セン
サアレイを構成している場合について説明する。

【００５２】第ｎブロックのような共通信号配線５０１
に接続される個別信号配線４０１がコンタクト部６０１
より配線を延長させないで、他の共通信号配線との交差
部を形成していないブロックをＰブロック（図３の構
成）、第ｎ−１ブロックのような、共通信号配線５０１
に接続される個別信号配線４０１がコンタクト部６０１
より配線を延長させて、他の共通信号配線との交差部を
形成しているブロックをＱブロック（図９の構成）とし
た場合、図９における信号配線間の浮遊容量の関係は、
式１〜３が成立する。図３における信号配線間の浮遊容
量の関係は、ＣＰ１及びＣＰ２が形成されないことによ
り、 Ｃ１２′＝ＣＰ３＋ＣＡ２ ……［式１２］ Ｃ１３′＝ＣＰ５＋ＣＡ３ ……［式１３］ 上式１２，１３が成立する。また、個別電極の面積、共
通信号配線からの距離が一様だとすると、式５が成り立
ち、各共通信号配線及び各個別信号配線の配線幅及び配
線間隔が一様であるとすると、式４が成り立つため、各
信号配線間の浮遊容量式１〜３及び式１２，１３は、 Ｃ１２＝Ｃ１３＝２×ＣＰ＋ＣＡ ……［式１４］ Ｃ１２′＝Ｃ１３′＝ＣＰ＋ＣＡ ……［式１５］ Ｃ２３＝２×ＣＰ ［式１６］ が成立する。一つのセンサアレイの中で、各信号配線間
の容量を均一にするための、Ｐ及びＱブロックの構成比
率は、ＮブロックのうちＱブロックで構成されるブロッ
クの数をＭ個とした場合、 Ｃ２３×Ｎ＝Ｃ１２×Ｍ＋Ｃ１２′×（Ｎ−Ｍ） ２×ＣＰ×Ｎ ＝（２×ＣＰ＋ＣＡ）×Ｍ＋（ＣＰ＋ＣＡ）×（Ｎ−Ｍ）…［式１７ ］ 上式１７が成立するような構成比で、一つの光センサア
レイを構成することで、最外側の信号配線と他の信号配
線間に形成される浮遊容量差を補正することができる。
すなわち、図３に示すＰブロックと図９に示すＱブロッ
クとの組み合わせを式１７に示すブロック数とすれば、
差異のある共通信号配線の浮遊容量を同一にすることが
可能であり、そうすれば、クロストークの差異が無くな
って、読取画像信号のクロストーク補正回路が簡単な回
路構成で達成でき、回路処理が簡単になる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、マトリクス信号配
線の複数の共通信号配線のうち、光センサ信号出力側の
最も外側の共通信号配線に接続された個別信号配線のコ
ンタクト部より延長させた部分の個別信号配線と、他の
共通信号配線との交差部の面積を調整したり、上記個別
信号配線のコンタクト部より延長させて、他の共通信号
配線との交差部を持つ個別信号配線を持つブロックと、
延長させないで他の共通信号配線との交差部を持たない
個別信号配線を持つブロックを、一つの光センサアレイ
の中に混在させることで、各信号配線相互間の浮遊容量
（クロストーク量）を調整することにより、各信号配線
間のクロストーク量を均一化でき、この信号出力を用い
て再生した画像が高品質である光電変換装置を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換装置に係る一実施例のマトリ
クス配線部の模式的な平面図である。

【図２】本発明の光電変換装置に係る一実施例の光電変
換部の模式的な平面図である。

【図３】本発明の容量の説明をするための等価回路図で
ある。

【図４】本発明及び従来例の光電変換装置の等価回路図
である。

【図５】本発明及び従来例の光電変換装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。

【図６】本発明及び従来例の光電変換装置に係る光電変
換部の模式的な断面図である。

【図７】従来例の光電変換装置に係る光電変換部の模式
的な平面図である。

【図８】従来の図６中の破線部Ｍの模式的な拡大図であ
る。

【図９】本発明及び従来例の容量の説明をするための等
価回路図である。

【図１０】本発明及び従来例の容量の説明をするための
模式的な断面図である。

【符号の説明】

１ 光電変換素子部 ２ 蓄積コンデンサ部 ３ ＴＦＴ部 ４ マトリクス信号配線部 ５ ゲート駆動配線部 １０ 透光性絶縁基板 １１ 耐摩擦層 １２ 静電気対策層 １３ 接着剤 １４ パッシベーション層 ２２、２４ 第１の導電層 ２５ 第１の絶縁層 ２６ 光導電性半導体層 ２７ オーミックコンタクト層 ２８ 第２の導電体層 ３２ 遮光層 ３９ 共通信号配線 ４０ コンタクトホール １０１，１０２，１０３，５０１ 共通信号配線 ４０１ 個別信号配線 ６０１ コンタクト部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも複数の光センサと、前記光セ
   ンサの出力信号を一定数ずつ１ブロックとして順次取り
   出すスイッチ手段と、前記スイッチ手段によって取り出
   された１ブロックの信号を蓄積する蓄積手段と、前記蓄
   積手段と上記複数の光センサを接続するマトリクス配線
   部と、上記蓄積手段に蓄積された１ブロック分の信号を
   順次取り出す信号読み出し部を有する光電変換装置にお
   いて、 前記光センサからの個別信号配線が、前記マトリクス配
   線部の共通信号配線との接続点（コンタクト部）より延
   長して他の共通信号配線と交差部を形成しているマトリ
   クス配線について、前記マトリクス配線部の前記光セン
   サの最外側の前記共通信号配線に接続される前記コンタ
   クト部より延長された部分の前記個別信号配線と他の共
   通信号配線間の容量を調整して形成することを特徴とす
   る光電変換装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光電変換装置におい
   て、前記マトリクス配線部の最外側の共通信号配線に接
   続される前記個別信号配線の延長された部分と他の共通
   信号配線との交差部の面積と、前記マトリクス配線部の
   最外側の共通信号配線を除いた共通信号配線に接続され
   る前記個別信号配線と共通信号配線との交差部の面積を
   異ならせたことを特徴とする光電変換装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の光電変換装置におい
   て、前記マトリクス配線部の最外側の共通信号に接続さ
   れる前記光センサからの個別信号配線が、前記コンタク
   ト部より延長されて他の共通信号配線と交差部を持つブ
   ロックと、延長しないで他の共通信号配線と交差部を持
   たないブロックとを、一つの光センサアレイの中に混在
   させたことを特徴とする光電変換装置。
4. 【請求項４】 少なくとも複数の光センサと、前記光セ
   ンサの複数個を１ブロックとして順次取り出すスイッチ
   手段と、前記スイッチ手段によって前記光センサの信号
   を順次蓄積する蓄積手段と、前記複数の光センサの個別
   信号配線と前記蓄積手段に接続する共通信号配線とを接
   続するマトリクス配線部と、前記蓄積手段に蓄積された
   信号を順次取り出す信号読み出し部とを有する光電変換
   装置において、 前記マトリクス配線部のうち最外側の共通信号配線と前
   記複数の光センサの個別信号配線との交差部の面積と、
   他の共通信号配線と前記個別信号配線との交差部の面積
   を異ならせたことを特徴とする光電変換装置。