JPS61280659A - 密着形イメ−ジセンサ− - Google Patents
密着形イメ−ジセンサ−Info
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- JPS61280659A JPS61280659A JP60121490A JP12149085A JPS61280659A JP S61280659 A JPS61280659 A JP S61280659A JP 60121490 A JP60121490 A JP 60121490A JP 12149085 A JP12149085 A JP 12149085A JP S61280659 A JPS61280659 A JP S61280659A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファクシミリ、光学文字認識および複写機等
の光電変換デバイスとして用いられる密着形イメージセ
ンサ−に関するものである。
の光電変換デバイスとして用いられる密着形イメージセ
ンサ−に関するものである。
密着形イメージセンサ−は、ＭＯ３型ＩＣイメージセン
サ−やＣＣＤイメージセンサ−等と比較して、レンズに
よる縮小光学系を用いないためファクシミリ装置等を小
型に実現でき、経済性に優れる。
サ−やＣＣＤイメージセンサ−等と比較して、レンズに
よる縮小光学系を用いないためファクシミリ装置等を小
型に実現でき、経済性に優れる。
この密着形イメージセンサ−の光電変換素子材料として
、可視光領域で光感度が高く、大面積形成が容易なアモ
ルファスシリコン（以下ａ−３ｉと記す）が、最近よく
使われている。
、可視光領域で光感度が高く、大面積形成が容易なアモ
ルファスシリコン（以下ａ−３ｉと記す）が、最近よく
使われている。
このａ−３ｉは、比抵抗が高く、ＣＣＤイメージセンサ
−やＭＯ３型ＩＣイメージセンサ−と同様、電荷蓄積モ
ード動作に適する。この時、通常、その素子構造として
ａ−３ｉを上下電極でサンドイッチした構造が用いられ
る。この様なサンドイッチ構造を採用することにより、
素子の光応答速度もＱ、１ｍ５ｅｃ以下という高速性が
実現でき、サンドイッチ素子構造は高速読み取り装置に
適している。
−やＭＯ３型ＩＣイメージセンサ−と同様、電荷蓄積モ
ード動作に適する。この時、通常、その素子構造として
ａ−３ｉを上下電極でサンドイッチした構造が用いられ
る。この様なサンドイッチ構造を採用することにより、
素子の光応答速度もＱ、１ｍ５ｅｃ以下という高速性が
実現でき、サンドイッチ素子構造は高速読み取り装置に
適している。
第３図および第４図は、従来のサンドイッチ構造の光電
変換素子部の断面および一部切欠き平面をそれぞれ示し
たものである。この光電変換素子部は、例えば、ガラス
等の絶縁性基板３０上に形成された例えばＣｒ等からな
る個別電極３１上にａ−３ｉ光電変換膜３２が、例えば
プラズマＣＶＤ等により形成されている。この上に、例
えばインジウム・錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ （以下ＩＴＯと記す）〕透明電極３３が、ス
パッタリング等により蒸着され、さらに密着形イメージ
センサ−の副走査方向の寸法を決定する例えばＣｒ、Ｔ
ｉ等からなる直線状の開口部３４を持った遮光膜３５．
３６が、ストライプ状に形成されている。この遮光膜３
５゜３６は、共通電極としてのＩＴＯ透明電極３３の抵
抗値を下げ、高速読み取りに適するようにするためにも
用いられている。
変換素子部の断面および一部切欠き平面をそれぞれ示し
たものである。この光電変換素子部は、例えば、ガラス
等の絶縁性基板３０上に形成された例えばＣｒ等からな
る個別電極３１上にａ−３ｉ光電変換膜３２が、例えば
プラズマＣＶＤ等により形成されている。この上に、例
えばインジウム・錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ （以下ＩＴＯと記す）〕透明電極３３が、ス
パッタリング等により蒸着され、さらに密着形イメージ
センサ−の副走査方向の寸法を決定する例えばＣｒ、Ｔ
ｉ等からなる直線状の開口部３４を持った遮光膜３５．
３６が、ストライプ状に形成されている。この遮光膜３
５゜３６は、共通電極としてのＩＴＯ透明電極３３の抵
抗値を下げ、高速読み取りに適するようにするためにも
用いられている。
この様な光電変換素子部の各ａ−３ｉ光電変換素子で発
生した光信号電荷を高速で、高率よく高感度に読み取る
ことができる駆動回路として、本願発明者等は次のよう
なＣＣＤ駆動回路を既に提案している（特願昭５９−１
４３０２０号「密着形センサーとその駆動方法」）。こ
のＣＣＤ駆動回路を、第５図に示す。簡単に説明すると
、ＣＣＤシフトレジスタ４１．トランスファーゲート４
２の列およびフローティングゲートアンプ４３から少な
くとも構成された駆動用ＣＣＤ４０の人力端子４４の列
と、ａ−３ｉ光電変換素子４５の個別電極端子４６の列
とがボンディングワイヤー４７で１対１に対応して接続
されている。ａ−３ｉ光電変換素子４５で発生した光信
号電荷が、トランスファーゲート４２を通してＣＣＤシ
フトレジスタ４１に送られた後、転送用クロックΦ１．
Φ２により順次時系列に転送され、フローティングゲー
トアンプ４３を通して出力される。
生した光信号電荷を高速で、高率よく高感度に読み取る
ことができる駆動回路として、本願発明者等は次のよう
なＣＣＤ駆動回路を既に提案している（特願昭５９−１
４３０２０号「密着形センサーとその駆動方法」）。こ
のＣＣＤ駆動回路を、第５図に示す。簡単に説明すると
、ＣＣＤシフトレジスタ４１．トランスファーゲート４
２の列およびフローティングゲートアンプ４３から少な
くとも構成された駆動用ＣＣＤ４０の人力端子４４の列
と、ａ−３ｉ光電変換素子４５の個別電極端子４６の列
とがボンディングワイヤー４７で１対１に対応して接続
されている。ａ−３ｉ光電変換素子４５で発生した光信
号電荷が、トランスファーゲート４２を通してＣＣＤシ
フトレジスタ４１に送られた後、転送用クロックΦ１．
Φ２により順次時系列に転送され、フローティングゲー
トアンプ４３を通して出力される。
ところが、この様なＣＣＤ駆動系においてトランスファ
ーゲート４２から見ると、ａ−３ｉ光電変換素子４５側
の対接地容量ＣｐはＩＣイメージセンサ−と比べて大き
く、その結果光信号電荷量Ｑｓｉｇを対接地容量Ｃｐで
除した入力信号電位Ｖｉｎ＝ Ｑｓｉｇ／ Ｃｐが小さ
くなるため、不完全転送による残像が顕著となる。特に
この様なハイブリッド型のセンサーでは、配線容量等も
含まれるため通常のＩＣイメージセンサ−と比較してこ
の残像が非常に大きくなる。
ーゲート４２から見ると、ａ−３ｉ光電変換素子４５側
の対接地容量ＣｐはＩＣイメージセンサ−と比べて大き
く、その結果光信号電荷量Ｑｓｉｇを対接地容量Ｃｐで
除した入力信号電位Ｖｉｎ＝ Ｑｓｉｇ／ Ｃｐが小さ
くなるため、不完全転送による残像が顕著となる。特に
この様なハイブリッド型のセンサーでは、配線容量等も
含まれるため通常のＩＣイメージセンサ−と比較してこ
の残像が非常に大きくなる。
第３図および第４図に示した光電変換素子部を有する従
来の密着形イメージセンサ−において、前述した対接地
容量Ｃｐは、個別電極３１と透明電極３３との間の素子
開口部容量Ｃｐｌと個別電極３１とこの個別電極に相対
する遮光膜３６との間の配線容量Ｃｐ２の和でほぼ決ま
る。素子開口部面積をＳ＋（第４図に右上りのハツチン
グを施して示す）、個別電極３１と遮光膜３６の重なっ
た部分の面積をＳ２（第４図に右下りのハツチングを施
して示す）、ａ−３ｉ光電変換膜３２の膜厚をＬ ａ
Ｓ １光電変換膜の比誘電率をε１．真空の誘電率を
ε。とじて、Ｃｐ＋＝ ｅＱａ、 ＊ ｓ、／ ａ、
ＣＩ）２＝ εｏ’：ｒ ・Ｓ２／ｄと表わされる。
来の密着形イメージセンサ−において、前述した対接地
容量Ｃｐは、個別電極３１と透明電極３３との間の素子
開口部容量Ｃｐｌと個別電極３１とこの個別電極に相対
する遮光膜３６との間の配線容量Ｃｐ２の和でほぼ決ま
る。素子開口部面積をＳ＋（第４図に右上りのハツチン
グを施して示す）、個別電極３１と遮光膜３６の重なっ
た部分の面積をＳ２（第４図に右下りのハツチングを施
して示す）、ａ−３ｉ光電変換膜３２の膜厚をＬ ａ
Ｓ １光電変換膜の比誘電率をε１．真空の誘電率を
ε。とじて、Ｃｐ＋＝ ｅＱａ、 ＊ ｓ、／ ａ、
ＣＩ）２＝ εｏ’：ｒ ・Ｓ２／ｄと表わされる。
この様な素子構造を持つ密着形イメージセンサ−の残像
を抑圧する、つまり対接地容■を小さくするためにａ−
３ｉ光電変換膜３２の膜厚ｄを厚くすると、光応答速度
が遅くなり１．ａ−３ｉ光電変換膜３２の蒸着時間が増
加し、工数増加、コストアップ等の問題が発生し効果的
でない。
を抑圧する、つまり対接地容■を小さくするためにａ−
３ｉ光電変換膜３２の膜厚ｄを厚くすると、光応答速度
が遅くなり１．ａ−３ｉ光電変換膜３２の蒸着時間が増
加し、工数増加、コストアップ等の問題が発生し効果的
でない。
対接地容量を小さくするもう一つの手段として前述の配
線部面積Ｓ２を減らすために、個別電極３１の幅ｌを狭
くすることが考えられるが、これにも限度があり、歩留
り、再現性等を考えると通常のフォトリソグラフィでは
、１０μｍ〜１５μｍ程度までである。従って配線容量
ｃｐ２は、例えば遮光膜３６のストライプの幅りを５ｍ
ｍ、ａ−３１光電変換膜３２の膜厚ｄを約１μｍ１個別
電極３１０輻ｌを１０μｍとすると５ｐＦ以上となる。
線部面積Ｓ２を減らすために、個別電極３１の幅ｌを狭
くすることが考えられるが、これにも限度があり、歩留
り、再現性等を考えると通常のフォトリソグラフィでは
、１０μｍ〜１５μｍ程度までである。従って配線容量
ｃｐ２は、例えば遮光膜３６のストライプの幅りを５ｍ
ｍ、ａ−３１光電変換膜３２の膜厚ｄを約１μｍ１個別
電極３１０輻ｌを１０μｍとすると５ｐＦ以上となる。
ただし素子開口部容量Ｃｐｌは、約０．３ｐＦと配線容
量ＣＩ）２に比べ非常に小さい。この様な大容量で現状
の密着形イメージセンサ−で得られる光信号電荷量に対
して、第５図で説明したＣＣＤ駆動系では、残像が大き
すぎて密着形イメージセンサ−として使用できない。例
えば、上記の例では、副走査方向の信号が明から暗に変
化した直後の暗信号レベルは、光信号レベルの９０％以
上にもなってしまう。
量ＣＩ）２に比べ非常に小さい。この様な大容量で現状
の密着形イメージセンサ−で得られる光信号電荷量に対
して、第５図で説明したＣＣＤ駆動系では、残像が大き
すぎて密着形イメージセンサ−として使用できない。例
えば、上記の例では、副走査方向の信号が明から暗に変
化した直後の暗信号レベルは、光信号レベルの９０％以
上にもなってしまう。
本発明の目的は、上述の欠点を取り除き、配線容量を減
少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメージ
センサ−を提供することにある。
少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメージ
センサ−を提供することにある。
第１の本発明は、絶縁性基板上に、複数の個別電極と、
これら各個別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極
と、この透明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜と
が順次積層されて成る密着形イメージセンサ−において
、前記開口部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属
膜で、前記個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜
が不透明絶縁性樹脂で構成されたことを特徴としている
。
これら各個別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極
と、この透明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜と
が順次積層されて成る密着形イメージセンサ−において
、前記開口部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属
膜で、前記個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜
が不透明絶縁性樹脂で構成されたことを特徴としている
。
第２の本発明は、絶縁性基板上に、複数の個別電極と、
これら各個別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極
と、この透明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜と
が順次積層されて成る密着形イメージセンサ−において
、前記開口部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属
膜で、前記個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜
が、前記開口部の一辺を形成する金属膜とこの金属膜の
少なくとも一部を覆う不透明絶縁性樹脂とで構成された
ことを特徴としている。
これら各個別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極
と、この透明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜と
が順次積層されて成る密着形イメージセンサ−において
、前記開口部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属
膜で、前記個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜
が、前記開口部の一辺を形成する金属膜とこの金属膜の
少なくとも一部を覆う不透明絶縁性樹脂とで構成された
ことを特徴としている。
以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
第１図は、第１の本発明による一実施例を示す断面図で
ある。この密着形イメージセンサ−は、例えばガラス等
よりなる透明の絶縁性基板１０上に例えばＣｒ等よりな
る金属膜を蒸着等により形成し９通常のフォトリソグラ
フィにより例えば８本／ｍｍの個別電極１１を設ける。
ある。この密着形イメージセンサ−は、例えばガラス等
よりなる透明の絶縁性基板１０上に例えばＣｒ等よりな
る金属膜を蒸着等により形成し９通常のフォトリソグラ
フィにより例えば８本／ｍｍの個別電極１１を設ける。
この上に、ａ−３１光電変換膜１２を例えばプラズマＣ
ＶＤ等により帯状に設け、さらにその上に例えばスパッ
タ等によりＩＴＯ等の透明電極１３を帯状に設ける。次
に、この透明電極１３の長手方向の片側部分、この片側
部分に連続するａ−３ｉ光電変換膜１２およびこのａ−
３ｉ光電変換膜に連続するガラス基板１０上に、遮光性
がありまた共通電極としても使用できる例えばＣｒ等よ
りなる遮光膜１４を蒸着等により形成する。最後に、透
明電極１３の前記片側部分とは反対側の片側部分、この
片側部分に連続するａ−３ｌ光電変換膜１２およびこの
ａ−３ｉ光電変換膜に連続するガラス基板１０１個別電
極１１上に、不透明絶縁性樹脂、例えばＡＺ系フォトレ
ジスト等の感光性樹脂を形成する。この樹脂の膜厚を例
えば２〜３μｍ程度にしておけば、密着形イメージセン
サー等でよく使用される黄緑光に対しては、充分遮光性
を有する樹脂遮光膜１５とすることができる。
ＶＤ等により帯状に設け、さらにその上に例えばスパッ
タ等によりＩＴＯ等の透明電極１３を帯状に設ける。次
に、この透明電極１３の長手方向の片側部分、この片側
部分に連続するａ−３ｉ光電変換膜１２およびこのａ−
３ｉ光電変換膜に連続するガラス基板１０上に、遮光性
がありまた共通電極としても使用できる例えばＣｒ等よ
りなる遮光膜１４を蒸着等により形成する。最後に、透
明電極１３の前記片側部分とは反対側の片側部分、この
片側部分に連続するａ−３ｌ光電変換膜１２およびこの
ａ−３ｉ光電変換膜に連続するガラス基板１０１個別電
極１１上に、不透明絶縁性樹脂、例えばＡＺ系フォトレ
ジスト等の感光性樹脂を形成する。この樹脂の膜厚を例
えば２〜３μｍ程度にしておけば、密着形イメージセン
サー等でよく使用される黄緑光に対しては、充分遮光性
を有する樹脂遮光膜１５とすることができる。
このような２種の相対する遮光膜１４と１５とで挟まれ
た直線状の透明電極１３の露出部が開口部１６となる。
た直線状の透明電極１３の露出部が開口部１６となる。
以上のような素子構造を持つ密着形イメージセンサ−に
よれば、個別電極１１と相対する遮光膜１５は絶縁性樹
脂であるので、前述した配線容量ＣＩ）２は発生しない
。従って、第５図のようなＣＣＤ駆動系においてトラン
スファゲートから見たａ−３１光電変換素子側の対接地
容量Ｃｐは、透明電極１３との間の容量である素子開口
部容量ｃｐ１となり、前述した様に約０．３ｐＦと非常
に小さくできる。この結果、ＣＣＤＣＤシフトレジスフ
入力信号電位Ｖｉｎを大きくとることができ、不完全転
送による残像を低減し、さらにバイアス電荷を印加する
残像抑圧方式との併用により、残像がほとんど無い高性
能な密着形イメージセンサ−が得られる。例えば、Ａ４
判、１６素子／ｍｍ密着形イメージセンサ−において、
０．５ｍ５ｅｃ／ライン以下の高速動作も可能となる。
よれば、個別電極１１と相対する遮光膜１５は絶縁性樹
脂であるので、前述した配線容量ＣＩ）２は発生しない
。従って、第５図のようなＣＣＤ駆動系においてトラン
スファゲートから見たａ−３１光電変換素子側の対接地
容量Ｃｐは、透明電極１３との間の容量である素子開口
部容量ｃｐ１となり、前述した様に約０．３ｐＦと非常
に小さくできる。この結果、ＣＣＤＣＤシフトレジスフ
入力信号電位Ｖｉｎを大きくとることができ、不完全転
送による残像を低減し、さらにバイアス電荷を印加する
残像抑圧方式との併用により、残像がほとんど無い高性
能な密着形イメージセンサ−が得られる。例えば、Ａ４
判、１６素子／ｍｍ密着形イメージセンサ−において、
０．５ｍ５ｅｃ／ライン以下の高速動作も可能となる。
しかも、このような高速下で、従来のＩＣイメージセン
サ−と同等あるいはそれ以上の高ＳＮ比が達成できる。
サ−と同等あるいはそれ以上の高ＳＮ比が達成できる。
第２図は、第２の本発明による一実施例の断面図である
。ガラス基板２０上の個別電極２１、ａ−３１光電変換
膜２２、透明電極２３および金属遮光膜２４までの構造
は、第１図の実施例で延べたものと同様である。この実
施例の場合、金属遮光膜２４が設けられている透明電極
２３の片側部分とは反対側の片側部分に、個別電極２１
と相対する長さｔが１ｍｍ程度あるいはそれ以下の短い
、例えばＣｒ等よりなる金属遮光膜２５を蒸着等により
形成する。このような相対する金属遮光膜２４と２５と
で挟まれた直線状の透明電極２３の露出部が開口部２６
となる。
。ガラス基板２０上の個別電極２１、ａ−３１光電変換
膜２２、透明電極２３および金属遮光膜２４までの構造
は、第１図の実施例で延べたものと同様である。この実
施例の場合、金属遮光膜２４が設けられている透明電極
２３の片側部分とは反対側の片側部分に、個別電極２１
と相対する長さｔが１ｍｍ程度あるいはそれ以下の短い
、例えばＣｒ等よりなる金属遮光膜２５を蒸着等により
形成する。このような相対する金属遮光膜２４と２５と
で挟まれた直線状の透明電極２３の露出部が開口部２６
となる。
次に、金属遮光膜２５、この金属遮光膜に連続するａ−
３ｉ光電変換膜２２およびこのａ−３ｉ光電変換膜に連
続するガラス基板２０２個別電極２１上に不透明絶縁性
樹脂を形成し樹脂遮光膜２７とする。
３ｉ光電変換膜２２およびこのａ−３ｉ光電変換膜に連
続するガラス基板２０２個別電極２１上に不透明絶縁性
樹脂を形成し樹脂遮光膜２７とする。
この場合、開口部２６は両側の金属遮光膜２４と２５と
で決定されているため、金属遮光膜２５上には少なくと
もその一部上に不透明絶縁性樹脂が被覆されればよく、
例えばシリコーン系あるいはエポキシ系樹脂をフォトリ
ソグラフ等によらず、簡便にしかも厚くアモルファスシ
リコン光電変換膜２２上に形成でき、完壁に遮光するこ
とができる。
で決定されているため、金属遮光膜２５上には少なくと
もその一部上に不透明絶縁性樹脂が被覆されればよく、
例えばシリコーン系あるいはエポキシ系樹脂をフォトリ
ソグラフ等によらず、簡便にしかも厚くアモルファスシ
リコン光電変換膜２２上に形成でき、完壁に遮光するこ
とができる。
以上のような素子構造を持つ密着形イメージセンサ−に
よれば、対接地容量Ｃｐは、金属遮光膜２５のために若
干配線容量Ｃｐ２を含む事になるが、それでも個別電極
２１と相対する金属遮光膜２５の長さが短いため、約１
ｐＦ程度に留めることができる。従って、第１図の実施
例と同様な残像抑圧効果が得られる。また、本実施例で
は前述したように遮光膜２７の樹脂形成が精度をそれ程
必要としないので、スクリーン印刷等の非常に簡便な塗
布手段で可能となり、工数削減を図ることができる。
よれば、対接地容量Ｃｐは、金属遮光膜２５のために若
干配線容量Ｃｐ２を含む事になるが、それでも個別電極
２１と相対する金属遮光膜２５の長さが短いため、約１
ｐＦ程度に留めることができる。従って、第１図の実施
例と同様な残像抑圧効果が得られる。また、本実施例で
は前述したように遮光膜２７の樹脂形成が精度をそれ程
必要としないので、スクリーン印刷等の非常に簡便な塗
布手段で可能となり、工数削減を図ることができる。
さらに、遮光膜２７の膜厚も厚くできるため完全な遮光
性が確保できると共に、赤色光あるいは白色光等の光源
の遮光膜としても使用できる。
性が確保できると共に、赤色光あるいは白色光等の光源
の遮光膜としても使用できる。
以上、詳述した様に本発明によれば、個別電極と相対す
る部分が絶縁性の樹脂遮光膜を有するように構成するこ
とにより、アモルファスシリコン光電変換素子部の対接
地容量を軽減でき、ＣＣＤシフトレジスタによる読み取
りで問題となっていた残像を極力小さくすることができ
、さらには、バイアス電荷注入による残像抑圧方式等と
併用する事によりＡ４判、１６素子／ｍｍでＱ、５ｍ５
ｅｃ／ライン以下の高速動作時でも４０ｄＢ以上の高Ｓ
Ｎ比の密着形イメージセンサ−が実現可能となった。
る部分が絶縁性の樹脂遮光膜を有するように構成するこ
とにより、アモルファスシリコン光電変換素子部の対接
地容量を軽減でき、ＣＣＤシフトレジスタによる読み取
りで問題となっていた残像を極力小さくすることができ
、さらには、バイアス電荷注入による残像抑圧方式等と
併用する事によりＡ４判、１６素子／ｍｍでＱ、５ｍ５
ｅｃ／ライン以下の高速動作時でも４０ｄＢ以上の高Ｓ
Ｎ比の密着形イメージセンサ−が実現可能となった。
第１図は、第１の本発明の一実施例を示す断面図、
第２図は、第２の本発明の一実施例を示す断面図、
第３図および第４図は、従来の密着形イメージセンサ−
の光電変換部を示す断面図および一部切欠き平面図、 第５図は、密着形イメージセンサ−の駆動回路図である
。 １０、２０ ・・・・・・・・・ガラス基板１１．２
１ ・・・・・・・・・個別電極１２、２２．４５・
・・・・・・・・アモルファスシリコン光電変換膜 １３、２３ ・・・・・・・・・透明電極１４、２４
．２５・・・・・・・・・金属遮光膜１５、２７ ・
・・・・・・・・樹脂遮光膜１６、２６ ・・・・・
・・・・開口部４１ ・・・・・・・・・ＣＣＤ
シフトレジスタ４２ ・・・・・・・・・トラン
スファゲート４３ ・・・・・・・・・フローテ
ィングゲートアンプ
の光電変換部を示す断面図および一部切欠き平面図、 第５図は、密着形イメージセンサ−の駆動回路図である
。 １０、２０ ・・・・・・・・・ガラス基板１１．２
１ ・・・・・・・・・個別電極１２、２２．４５・
・・・・・・・・アモルファスシリコン光電変換膜 １３、２３ ・・・・・・・・・透明電極１４、２４
．２５・・・・・・・・・金属遮光膜１５、２７ ・
・・・・・・・・樹脂遮光膜１６、２６ ・・・・・
・・・・開口部４１ ・・・・・・・・・ＣＣＤ
シフトレジスタ４２ ・・・・・・・・・トラン
スファゲート４３ ・・・・・・・・・フローテ
ィングゲートアンプ
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上に、複数の個別電極と、これら各個
別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極と、この透
明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜とが順次積層
されて成る密着形イメージセンサーにおいて、前記開口
部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属膜で、前記
個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜が不透明絶
縁性樹脂で構成されたことを特徴とする密着形イメージ
センサー。 - （２）絶縁性基板上に、複数の個別電極と、これら各個
別電極の一部を覆う光電変換膜と、透明電極と、この透
明電極上に直線状の開口部を有する遮光膜とが順次積層
されて成る密着形イメージセンサーにおいて、前記開口
部を境にして一方の片側部分の遮光膜が金属膜で、前記
個別電極と相対する他方の片側部分の遮光膜が、前記開
口部の一辺を形成する金属膜とこの金属膜の少なくとも
一部を覆う不透明絶縁性樹脂とで構成されたことを特徴
とする密着形イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121490A JPS61280659A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着形イメ−ジセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121490A JPS61280659A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着形イメ−ジセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61280659A true JPS61280659A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14812452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60121490A Pending JPS61280659A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着形イメ−ジセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61280659A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956680A (en) * | 1986-12-22 | 1990-09-11 | Seiko Instruments Inc. | Thin film transistor |
| US6618087B1 (en) | 1997-12-11 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image device |
| WO2015159512A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 受光デバイス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117277A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60121490A patent/JPS61280659A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117277A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956680A (en) * | 1986-12-22 | 1990-09-11 | Seiko Instruments Inc. | Thin film transistor |
| US6618087B1 (en) | 1997-12-11 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image device |
| WO2015159512A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 受光デバイス |
| JPWO2015159512A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2017-04-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 受光デバイス |
| US10090350B2 (en) | 2014-04-18 | 2018-10-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light receiving device |
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