JPS59117277A - 受光素子 - Google Patents
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- JPS59117277A JPS59117277A JP57226261A JP22626182A JPS59117277A JP S59117277 A JPS59117277 A JP S59117277A JP 57226261 A JP57226261 A JP 57226261A JP 22626182 A JP22626182 A JP 22626182A JP S59117277 A JPS59117277 A JP S59117277A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は密着形ラインセンサに関するものである。
密着形ラインセンサの基本構造として第1図の如きもの
を既に提案し、出願中である。遮光膜としてCrのごと
き金属膜18を形成した後8102等の透光性絶縁膜1
9によって被覆し、その上に受光素子10を形成してい
る。なお、第1図において7は透光性基板、18は金属
遮光膜、8は配線導体、10はダイオード、9は絶縁膜
、12は透明電極、11は上部電極、13は接着剤、1
4は薄板ガラスである。15は情報面である。この場合
、遮光膜が金属遮光膜であるため、これを介して、配線
導体8は相互に静電的に結合し、s/Nが低下すること
に加え、絶縁膜にピンホールがあると、配線導体が短絡
するという欠点があった。
を既に提案し、出願中である。遮光膜としてCrのごと
き金属膜18を形成した後8102等の透光性絶縁膜1
9によって被覆し、その上に受光素子10を形成してい
る。なお、第1図において7は透光性基板、18は金属
遮光膜、8は配線導体、10はダイオード、9は絶縁膜
、12は透明電極、11は上部電極、13は接着剤、1
4は薄板ガラスである。15は情報面である。この場合
、遮光膜が金属遮光膜であるため、これを介して、配線
導体8は相互に静電的に結合し、s/Nが低下すること
に加え、絶縁膜にピンホールがあると、配線導体が短絡
するという欠点があった。
この欠点は、第2図に示すごとく、遮光膜18をガラス
薄板14上に形成しておけば解決されるが、この場合は
、上部電極11または12と遮光膜の接触を防止するた
めのスペーサ20が必要であり、薄板ガラスの厚さをそ
の分だけ薄くすることが必要となる。紙面15と感光素
子10までの距離は50〜100μmと非常に短いため
、ここで薄板ガラスの厚さをスペーサ分だけ薄くするこ
とは製造技術上好ましくない。
薄板14上に形成しておけば解決されるが、この場合は
、上部電極11または12と遮光膜の接触を防止するた
めのスペーサ20が必要であり、薄板ガラスの厚さをそ
の分だけ薄くすることが必要となる。紙面15と感光素
子10までの距離は50〜100μmと非常に短いため
、ここで薄板ガラスの厚さをスペーサ分だけ薄くするこ
とは製造技術上好ましくない。
なお、第2図において第1図と同一符号は同一物を示す
。
。
本発明は、単純な製造プロセスで形成し得る遮光構造を
有する密着形ラインセンサを提供するものでおる。
有する密着形ラインセンサを提供するものでおる。
遮光膜として光非透過性の高分子樹脂層を採用すれば、
浮遊容量による特性劣化を生ずることはなく、また、短
絡等の事故も生じない。光非透過性の高分子樹脂として
は特に黒色のものが代表例といえる。しかしながら、黒
色の有機物膜を精度良くしかも単純な製作工程で製作す
ることは一般には容易ではない。この点からは感光性樹
脂薄膜をパターン化した後、黒色染料で染色することに
より、薄くて、しかも寸法精度の高い遮光膜を形成する
のが好適である。感光性樹脂として水溶性のものが処理
の取シ扱いが容易である。
浮遊容量による特性劣化を生ずることはなく、また、短
絡等の事故も生じない。光非透過性の高分子樹脂として
は特に黒色のものが代表例といえる。しかしながら、黒
色の有機物膜を精度良くしかも単純な製作工程で製作す
ることは一般には容易ではない。この点からは感光性樹
脂薄膜をパターン化した後、黒色染料で染色することに
より、薄くて、しかも寸法精度の高い遮光膜を形成する
のが好適である。感光性樹脂として水溶性のものが処理
の取シ扱いが容易である。
以下、本発明を実施例にて詳細を説明する。
実施例1
第3図を用いて説明する。ガラス基板7の全面に基板温
度200CでCr膜を0.2μm真空蒸着する。あるい
はスパッタ蒸着をする。その後、所定の形状にホトエツ
チングプロセスによシ加工し、金属膜8を形成する。エ
ツチング液には硝酸第2セリウムアンモン液を用いる。
度200CでCr膜を0.2μm真空蒸着する。あるい
はスパッタ蒸着をする。その後、所定の形状にホトエツ
チングプロセスによシ加工し、金属膜8を形成する。エ
ツチング液には硝酸第2セリウムアンモン液を用いる。
次に全面にプラズマCVD法によシシリコン膜10を形
成する。シリコン膜10は40nmのn形の非晶質シリ
コン膜、真性のシリコン膜を0.6μmXp形の非晶質
シリコン膜を20nm順次形成されて成る。形成条件は
次の通シである。n形の非晶質シリコン膜はP Haと
5iu4との比が体積比で0.1〜10%であるような
ガスをH2で10チ程度゛に希釈したガスを13MHz
程度の高周波放電で分解し、基板に堆積させるいわゆる
プラズマCVD法で形成する。この時基板温度は150
〜300℃にする。
成する。シリコン膜10は40nmのn形の非晶質シリ
コン膜、真性のシリコン膜を0.6μmXp形の非晶質
シリコン膜を20nm順次形成されて成る。形成条件は
次の通シである。n形の非晶質シリコン膜はP Haと
5iu4との比が体積比で0.1〜10%であるような
ガスをH2で10チ程度゛に希釈したガスを13MHz
程度の高周波放電で分解し、基板に堆積させるいわゆる
プラズマCVD法で形成する。この時基板温度は150
〜300℃にする。
なお、A s H3とS I H4との比が体積比で1
0〜11000ppであるようなガスも同様にn形の半
導体膜を製作できる。真性の半導体膜はS I H4ガ
スをH2で4〜100%程度に希釈したガスによるプラ
ズマCVD法で形成する。p形の非晶質シリコン膜は8
2 Haガスと81H4ガスとの比が体積比で0.1〜
10%でおるようなガスをH2で10−程度に希釈した
ガスを用いてプラズマCVD法で形成する。なお、81
H4の代わりに5jH4と5jF4との混合ガスを使用
しても全く同様に使用できる。また希釈ガスはH2のみ
でな(Arも全く同様に使用できる。所定形状のホトレ
ジストをマスクとしてCF 4ガスを用いたプラズマエ
ッチ10が得られる。次に、全面に7059ガラス9(
コーニング社商品名)をスパッタ蒸着によ91μm以上
形成し、所定のコンタクト穴をホトエツチングプロセス
によυ形成する。エツチング液としてはフッ酸系のエツ
チング液を使用する。
0〜11000ppであるようなガスも同様にn形の半
導体膜を製作できる。真性の半導体膜はS I H4ガ
スをH2で4〜100%程度に希釈したガスによるプラ
ズマCVD法で形成する。p形の非晶質シリコン膜は8
2 Haガスと81H4ガスとの比が体積比で0.1〜
10%でおるようなガスをH2で10−程度に希釈した
ガスを用いてプラズマCVD法で形成する。なお、81
H4の代わりに5jH4と5jF4との混合ガスを使用
しても全く同様に使用できる。また希釈ガスはH2のみ
でな(Arも全く同様に使用できる。所定形状のホトレ
ジストをマスクとしてCF 4ガスを用いたプラズマエ
ッチ10が得られる。次に、全面に7059ガラス9(
コーニング社商品名)をスパッタ蒸着によ91μm以上
形成し、所定のコンタクト穴をホトエツチングプロセス
によυ形成する。エツチング液としてはフッ酸系のエツ
チング液を使用する。
7059ガラスの他にもS ’ O+ 8 ’ 021
ポリイミド樹脂なども全く同様に使用できることは勿論
である。次にI T O(Indium ’l’in
Qxide)をスパッタ蒸着で0.2μm形成し、ホト
エツチングプロセスによシ加工して、透明導電膜12を
形成する。
ポリイミド樹脂なども全く同様に使用できることは勿論
である。次にI T O(Indium ’l’in
Qxide)をスパッタ蒸着で0.2μm形成し、ホト
エツチングプロセスによシ加工して、透明導電膜12を
形成する。
エツチング液としては硝酸系のエツチング液を使用する
。ITOの代わシに5ilo 2透明導電膜も使用でき
る。この上に、513N4もしくは8102等、もしく
はそれらの積層構造よシなる透明保護層100をCVD
法またはスパッタ法で形成した後、ゼラチン、カゼイン
、グリコ−もしくはポリビニルアルコール等の水溶性高
分子樹脂に重クロム酸アンモンもしくは、アジド化合物
等の感光剤を5チ程度混合した樹脂を0.5〜5μmの
厚さに塗布する。その後、写真法により、露光現像する
ことによシ水溶性高分子樹脂パターン101を形成する
。さらにこれを、黒色染料、例えばスミノールブラック
の水溶液もしくは、メチルブルー、リサミンクリーン、
カヤノールイエローの混合水溶液等に浸漬することによ
り、黒色の有機膜パター/を形成した。さらに、ポリグ
リシジルメタクリレート、酢酸セルロースまだはウレタ
ン等の高分子樹脂膜102を塗布した。
。ITOの代わシに5ilo 2透明導電膜も使用でき
る。この上に、513N4もしくは8102等、もしく
はそれらの積層構造よシなる透明保護層100をCVD
法またはスパッタ法で形成した後、ゼラチン、カゼイン
、グリコ−もしくはポリビニルアルコール等の水溶性高
分子樹脂に重クロム酸アンモンもしくは、アジド化合物
等の感光剤を5チ程度混合した樹脂を0.5〜5μmの
厚さに塗布する。その後、写真法により、露光現像する
ことによシ水溶性高分子樹脂パターン101を形成する
。さらにこれを、黒色染料、例えばスミノールブラック
の水溶液もしくは、メチルブルー、リサミンクリーン、
カヤノールイエローの混合水溶液等に浸漬することによ
り、黒色の有機膜パター/を形成した。さらに、ポリグ
リシジルメタクリレート、酢酸セルロースまだはウレタ
ン等の高分子樹脂膜102を塗布した。
その後、この基板上にエポキシ系接着剤13を塗布し、
厚さ50μm程度の薄板ガラス14を接着し、密着ライ
ンセンサを完成した。
厚さ50μm程度の薄板ガラス14を接着し、密着ライ
ンセンサを完成した。
本センサでは、電極間の浮遊容量の増加は見られず、透
過窓以外からの入射光もほぼ完全に遮光されただめ画像
の鮮鋭度の向上が見られた。
過窓以外からの入射光もほぼ完全に遮光されただめ画像
の鮮鋭度の向上が見られた。
ここで、樹脂層の厚さが015μm以下であると遮光効
果は完全ではなく、5μm以上では、薄板ガラスにゆが
みが生じクラックが発生するため好ましくない。樹脂層
の厚さと透過率の関係を第4図に示す。第4図の斜線部
はクラック発生領域を示している。
果は完全ではなく、5μm以上では、薄板ガラスにゆが
みが生じクラックが発生するため好ましくない。樹脂層
の厚さと透過率の関係を第4図に示す。第4図の斜線部
はクラック発生領域を示している。
また、黒色樹脂パターン上に、直接ガラス板を接着する
と、接着剤により、−染料が変色し好ましくない。接着
剤の影響を防止するだめには、高分子膜の被覆が必要で
ある。この厚さは0.1μm以上10μm以下が望まし
い。薄すぎた場合は、接着剤の影響を完全には防止でき
ず、点状の欠陥を生ずる。厚すぎた場合は、ガラス薄板
の厚さをその分だけ薄くする必要があり、ガラス薄板の
取り扱いが困難となる。
と、接着剤により、−染料が変色し好ましくない。接着
剤の影響を防止するだめには、高分子膜の被覆が必要で
ある。この厚さは0.1μm以上10μm以下が望まし
い。薄すぎた場合は、接着剤の影響を完全には防止でき
ず、点状の欠陥を生ずる。厚すぎた場合は、ガラス薄板
の厚さをその分だけ薄くする必要があり、ガラス薄板の
取り扱いが困難となる。
ここでは、遮光膜を直接センサ上に形成しだがこれを薄
板ガラス上に形成し、センサに接着しても効果は同じで
ある。この場合、遮光膜は絶縁膜であるため、スペーサ
は不要であることは君うまでもないっ 〔発明の効果〕 本発明によれば、遮光膜は、絶縁膜であるため受光素子
の電気的特性を劣化させることなく光学特性を向上させ
ることが出来、かつ製造工程は極めて単純である。
板ガラス上に形成し、センサに接着しても効果は同じで
ある。この場合、遮光膜は絶縁膜であるため、スペーサ
は不要であることは君うまでもないっ 〔発明の効果〕 本発明によれば、遮光膜は、絶縁膜であるため受光素子
の電気的特性を劣化させることなく光学特性を向上させ
ることが出来、かつ製造工程は極めて単純である。
第1図と第2図は受光素子の断面図、第3図は本発明に
よる受光素子の断面図、第4図は遮光膜の特性を示す図
である。 7・・・基板、8・・・下部電極、9・・・絶縁膜、1
0・・・非晶質水素化シリコン半導体ダイオード、11
・・・上部電極、12・・・透明電極、13・・・接着
剤、14・・・薄板ガラス、15・・・紙面、18・・
・金属遮光膜、20・・・スペーサ、100・・・保護
膜、101・・・有機遮光膜、102・・・有機保護膜
。 第1図 舅 ? 図 5 横須賀市武1丁目2356番地日本 電信電話公社横須賀電気通信研 突所内 0発 明 者 太田日佐雄 横須賀市武1丁目2356番地日本 電信電話公社横須賀電気通信研 突所内 ■出 願 人 日本電信電話公社 382−
よる受光素子の断面図、第4図は遮光膜の特性を示す図
である。 7・・・基板、8・・・下部電極、9・・・絶縁膜、1
0・・・非晶質水素化シリコン半導体ダイオード、11
・・・上部電極、12・・・透明電極、13・・・接着
剤、14・・・薄板ガラス、15・・・紙面、18・・
・金属遮光膜、20・・・スペーサ、100・・・保護
膜、101・・・有機遮光膜、102・・・有機保護膜
。 第1図 舅 ? 図 5 横須賀市武1丁目2356番地日本 電信電話公社横須賀電気通信研 突所内 0発 明 者 太田日佐雄 横須賀市武1丁目2356番地日本 電信電話公社横須賀電気通信研 突所内 ■出 願 人 日本電信電話公社 382−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の透光性基板上に光感応性素子が少なくともと
う載され、該透光性基板側よシ光照射し、該透光性基板
を透過し情報面よりの反射光を前記光感応性素子によっ
て検知する受光素子において、前記透光性基板を透過し
ての入射光に対する光透過窓領域および前記光感応性素
子の感光領域を少なくとも除外し且つ前記光感応性素子
の上部領域に光非透過性の高分子樹脂層を形成したこと
を特徴とする受光素子。 2、前記光非透過性の高分子樹脂層は黒色の高分子樹脂
層なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の受
光素子。 36特許請求の範囲第2項記載の受光素子において黒色
の高分子樹脂層は黒色染料により染色された感光性高分
子樹脂層なることを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57226261A JPS59117277A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57226261A JPS59117277A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 受光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59117277A true JPS59117277A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16842424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57226261A Pending JPS59117277A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59117277A (ja) |
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- 1982-12-24 JP JP57226261A patent/JPS59117277A/ja active Pending
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