JPH04250664A - 光センサおよびその製造方法 - Google Patents
光センサおよびその製造方法Info
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- JPH04250664A JPH04250664A JP3007877A JP787791A JPH04250664A JP H04250664 A JPH04250664 A JP H04250664A JP 3007877 A JP3007877 A JP 3007877A JP 787791 A JP787791 A JP 787791A JP H04250664 A JPH04250664 A JP H04250664A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透光性のガラス板に形
成した光学フィルタと薄膜受光素子とを積層した光セン
サの、特性を改善する構成と、その製造方法に関するも
のである。
成した光学フィルタと薄膜受光素子とを積層した光セン
サの、特性を改善する構成と、その製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来は、比較的大型の光学フィルタを用
いる光センサのなかでも、カラーイメージを検出するこ
とができるカラーフィルタをもつ光センサを、透光性ガ
ラス板と薄膜技術で作製するときは、図5に示したよう
に所定の光波長特性の光フィルタを配置した光フィルタ
膜22が形成された厚さ数百μmの透光性ガラス板21
と、該カラーフィルタ22に対応させてアモルファスシ
リコン(a−Si)薄膜フォトダイオード25を形成し
た厚さ数百μmのガラス板24を、透明な接着剤23で
接着していた。
いる光センサのなかでも、カラーイメージを検出するこ
とができるカラーフィルタをもつ光センサを、透光性ガ
ラス板と薄膜技術で作製するときは、図5に示したよう
に所定の光波長特性の光フィルタを配置した光フィルタ
膜22が形成された厚さ数百μmの透光性ガラス板21
と、該カラーフィルタ22に対応させてアモルファスシ
リコン(a−Si)薄膜フォトダイオード25を形成し
た厚さ数百μmのガラス板24を、透明な接着剤23で
接着していた。
【0003】以上のようなガラス板の厚さは、カラーフ
ィルタや薄膜受光素子の作製と、その接着の工程におけ
る機械的な強度を保つのに必要であった。
ィルタや薄膜受光素子の作製と、その接着の工程におけ
る機械的な強度を保つのに必要であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のように
数百μmの厚さのガラス板になると、特に短焦点レンズ
を用いたときに、入射した光Lは、図5に示したような
クロストークの原因となった。
数百μmの厚さのガラス板になると、特に短焦点レンズ
を用いたときに、入射した光Lは、図5に示したような
クロストークの原因となった。
【0005】すなわち、図5のガラス板21に一定の入
射角をもって入射した光は、その界面で屈折し、フィル
タ22bを通過し、薄膜受光素子25aに達する。
射角をもって入射した光は、その界面で屈折し、フィル
タ22bを通過し、薄膜受光素子25aに達する。
【0006】以上は、本来フィルタ22bを通った光は
、対応した素子25bに達する設計であるが、入射角が
大きくなると設計外の素子25に達してクロストークが
発生する。
、対応した素子25bに達する設計であるが、入射角が
大きくなると設計外の素子25に達してクロストークが
発生する。
【0007】以上のようなクロストークの検出誤差を小
さくするのに従来は、図7に示したように、光の入射角
を制限する遮光性ケース32のなかに光センサ34を収
め、一定の空間33をおいて透明板31を設けたり、図
8に示したようにカラーフィルタ42を設けたガラス板
41と受光素子45を設けたガラス板44を接着剤43
で結合した光センサの素子45間の分離スペース46を
拡げる方法が用いられたが、いずれも光センサを厚い形
状にしたり、感度の低下、又は、コストアップになると
いう問題があった。
さくするのに従来は、図7に示したように、光の入射角
を制限する遮光性ケース32のなかに光センサ34を収
め、一定の空間33をおいて透明板31を設けたり、図
8に示したようにカラーフィルタ42を設けたガラス板
41と受光素子45を設けたガラス板44を接着剤43
で結合した光センサの素子45間の分離スペース46を
拡げる方法が用いられたが、いずれも光センサを厚い形
状にしたり、感度の低下、又は、コストアップになると
いう問題があった。
【0008】本発明は、以上で説明した従来の光センサ
がもつ問題を解消した構成の光センサと、その製造方法
を提供することを目的としている。
がもつ問題を解消した構成の光センサと、その製造方法
を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記で説明した、従来の
ガラス板を接着した構成の光センサの問題を解消する本
発明の光センサは、基板にした透明なガラス板にカラー
フィルタを形成し、次に、薄いガラス板を接着し、接着
した薄いガラス板の表面に受光素子を作製した構成にす
るものである。
ガラス板を接着した構成の光センサの問題を解消する本
発明の光センサは、基板にした透明なガラス板にカラー
フィルタを形成し、次に、薄いガラス板を接着し、接着
した薄いガラス板の表面に受光素子を作製した構成にす
るものである。
【0010】以上のような本発明の作製方法を用いるこ
とにより、カラーフィルタと受光素子の間の透明ガラス
を薄くしても、光センサ製造工程においての必要強度を
保つことができる。
とにより、カラーフィルタと受光素子の間の透明ガラス
を薄くしても、光センサ製造工程においての必要強度を
保つことができる。
【0011】即ち、カラーフィルタと受光素子を作製す
るガラス板を、それぞれ別に処理するときは、2枚のガ
ラス板とも数百μm以上の厚みが必要になるが、基板の
ガラス板にカラーフィルタを形成し、その上にガラス板
を接着した後、薄膜半導体の受光素子を形成した構成に
すれば、接着するガラス板は機械的強度が小さくてもよ
く薄くできるので、カラーフィルタと受光素子の間を短
くできる。
るガラス板を、それぞれ別に処理するときは、2枚のガ
ラス板とも数百μm以上の厚みが必要になるが、基板の
ガラス板にカラーフィルタを形成し、その上にガラス板
を接着した後、薄膜半導体の受光素子を形成した構成に
すれば、接着するガラス板は機械的強度が小さくてもよ
く薄くできるので、カラーフィルタと受光素子の間を短
くできる。
【0012】従って、入射角の大きい光によるクロスト
ークを減少させることができる。
ークを減少させることができる。
【0013】
【作用】以上で説明した作製方法によって作製した構成
における光センサにおいて、接着する薄いガラス板の厚
さを、通常の工程で作製した個々の受光素子の一辺の2
0分の1にしておくことで光の入射角の大きさによるク
ロストークは、実用上問題のない範囲にすることができ
る。
における光センサにおいて、接着する薄いガラス板の厚
さを、通常の工程で作製した個々の受光素子の一辺の2
0分の1にしておくことで光の入射角の大きさによるク
ロストークは、実用上問題のない範囲にすることができ
る。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【0015】図1に、本発明の基本的実施例の一部を拡
大した断面図を示した。
大した断面図を示した。
【0016】図1に於いて、基板になる厚さ0.7mm
のガラス板11は、可視光全域にわたって透明なガラス
で形成されている。
のガラス板11は、可視光全域にわたって透明なガラス
で形成されている。
【0017】ガラス板11には、スクリーン印刷により
エポキシ系樹脂の青、赤及び緑色からなるカラーフィル
タ12が形成される。なお、このカラーフィルタ12の
材料はエポキシ樹脂系に限定されず、ポリイミド,アク
リル等の樹脂材料でもよく、更に透明で屈折率の異なる
層を積層した無機材料などの干渉光フィルタを用いても
よい。
エポキシ系樹脂の青、赤及び緑色からなるカラーフィル
タ12が形成される。なお、このカラーフィルタ12の
材料はエポキシ樹脂系に限定されず、ポリイミド,アク
リル等の樹脂材料でもよく、更に透明で屈折率の異なる
層を積層した無機材料などの干渉光フィルタを用いても
よい。
【0018】更に、カラーフィルタ12の作製方法も、
スクリーン印刷法のみでなく、フォトエッチ法、電蒸法
、染色法、蒸着法等を用いることができる。
スクリーン印刷法のみでなく、フォトエッチ法、電蒸法
、染色法、蒸着法等を用いることができる。
【0019】続いて、以上でカラーフィルタ12を形成
したガラス板11の表面に、厚さが70μmの薄くて透
明なガラス板14を、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の
透明樹脂の接着剤13により接着している。
したガラス板11の表面に、厚さが70μmの薄くて透
明なガラス板14を、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の
透明樹脂の接着剤13により接着している。
【0020】更に続いて、接着したガラス板14の表面
にグロー放電(GD)法で、アモルファスシリコン(a
−Si)フォトダイオード15の受光素子が形成されて
いる。
にグロー放電(GD)法で、アモルファスシリコン(a
−Si)フォトダイオード15の受光素子が形成されて
いる。
【0021】以上で説明した受光素子は、a−Siフォ
トダイオードに限定されずSe,CdS等からなる光導
電型の素子にしてもよい。
トダイオードに限定されずSe,CdS等からなる光導
電型の素子にしてもよい。
【0022】なお、上記のa−Siフォトダイオードの
作製は、まず、薄いガラス板14の表面にスパッタ法、
蒸着法又はスプレー法等によりITO,SnO2又はZ
nO等からなる透明導電材料をスパッタ法、蒸着法、ス
プレー法等で成膜することで、透明電極を形成した。
作製は、まず、薄いガラス板14の表面にスパッタ法、
蒸着法又はスプレー法等によりITO,SnO2又はZ
nO等からなる透明導電材料をスパッタ法、蒸着法、ス
プレー法等で成膜することで、透明電極を形成した。
【0023】続いて、前記GD法、又は、プラズマCV
D法、光CVD法、熱CVD法等により、a−Siのp
層、i層、及びn層を順次積層し、a−Siのp−i−
n構成のフォトダイオード15を形成している。
D法、光CVD法、熱CVD法等により、a−Siのp
層、i層、及びn層を順次積層し、a−Siのp−i−
n構成のフォトダイオード15を形成している。
【0024】以上のa−Siフォトダイオード15には
、裏面電極になるAl,Ni,Ag,Mo等の金属膜の
電極を蒸着、スパッタ、メッキ又はペーストの塗布、焼
結等により形成している。
、裏面電極になるAl,Ni,Ag,Mo等の金属膜の
電極を蒸着、スパッタ、メッキ又はペーストの塗布、焼
結等により形成している。
【0025】最後に、光センサの環境による劣化防止の
ためフォトダイオード15を形成した面を、防湿樹脂1
6によるコーティングを行った。このコーティングは、
通気性のないセラミックなどのパッケージを用いてもよ
い。
ためフォトダイオード15を形成した面を、防湿樹脂1
6によるコーティングを行った。このコーティングは、
通気性のないセラミックなどのパッケージを用いてもよ
い。
【0026】次に、以上で構造とその製造方法とを説明
した光センサにおいて、光信号のクロストークがどの程
度低減されるかを示す。
した光センサにおいて、光信号のクロストークがどの程
度低減されるかを示す。
【0027】光センサの一部を拡大した断面図の、図6
に於いて、光センサに入射する光は、外部の空気と光セ
ンサの表面のガラスとの界面で屈折するが、この屈折は
スネルの法則に従うので、入射角をθ0,屈折角をθ1
とし、空気とガラスの屈折率をそれぞれn0,n1とす
ると、その関係は次の数式(1)で表される。
に於いて、光センサに入射する光は、外部の空気と光セ
ンサの表面のガラスとの界面で屈折するが、この屈折は
スネルの法則に従うので、入射角をθ0,屈折角をθ1
とし、空気とガラスの屈折率をそれぞれn0,n1とす
ると、その関係は次の数式(1)で表される。
【0028】
n0sinθ0=n1sinθ1
…(1)ここで、通常のガラ
スの屈折率が1.45〜1.55であり、エポキシ樹脂
53の屈折率も1.45〜1.55のものが多い。
…(1)ここで、通常のガラ
スの屈折率が1.45〜1.55であり、エポキシ樹脂
53の屈折率も1.45〜1.55のものが多い。
【0029】以上と、エポキシ樹脂のカラーフィルタの
厚みが極めて薄いことから光センサ内の屈折率はn1と
しても誤差はないので、以下n1一定として計算する。
厚みが極めて薄いことから光センサ内の屈折率はn1と
しても誤差はないので、以下n1一定として計算する。
【0030】次に、カラーフィルタ52と、受光素子5
5との間のガラス板54の厚さをdとし、表面ガラス板
51とガラス板54の間の接着剤の樹脂53の厚さをd
′とすると、入射角θ0で入射した光Lが、カラーフィ
ルタ52から受光素子55に達するときガラス板54の
平行方向にずれるが、その距離をrとするとつぎの数式
(2)で示される。
5との間のガラス板54の厚さをdとし、表面ガラス板
51とガラス板54の間の接着剤の樹脂53の厚さをd
′とすると、入射角θ0で入射した光Lが、カラーフィ
ルタ52から受光素子55に達するときガラス板54の
平行方向にずれるが、その距離をrとするとつぎの数式
(2)で示される。
【0031】
r=(d+d′)tanθ1
…(2)ここでθ1は数式1に用
いたものである。
…(2)ここでθ1は数式1に用
いたものである。
【0032】数式(2)に於いて、カラーフィルタ52
の厚さは2〜3μmで、接着剤53の厚さもほぼ同じ厚
さであるから、ガラス板54の厚さdを70μmとすれ
ば、dとd′の和はほぼdに等しいとして概算できる。
の厚さは2〜3μmで、接着剤53の厚さもほぼ同じ厚
さであるから、ガラス板54の厚さdを70μmとすれ
ば、dとd′の和はほぼdに等しいとして概算できる。
【0033】従ってrが最大になるのは、θ0が90°
に近ずいたときのr′であり、ここではθ0を90°に
限りなく近ずけた極限として求める。また、空気の屈折
率は1とすると、r′は次の数式(3)で表わされる。
に近ずいたときのr′であり、ここではθ0を90°に
限りなく近ずけた極限として求める。また、空気の屈折
率は1とすると、r′は次の数式(3)で表わされる。
【0034】
r′=dtanθ1′
…(3)ここでsinθ′
=1/n1 本実施例のガラスの屈折率を1.53とすると、tan
θ1′が0.86になるからr′は70μmに0.86
を掛けた約60μmになる。
…(3)ここでsinθ′
=1/n1 本実施例のガラスの屈折率を1.53とすると、tan
θ1′が0.86になるからr′は70μmに0.86
を掛けた約60μmになる。
【0035】以上の計算から、本発明で用いる受光素子
の一辺の長さを2〜3mmとし、接着する薄いガラス板
の厚さをその20分の1以下になる100μmより薄く
しておけば、光の入射角に起因する光のクロストーク誤
差は3〜5%以下になることが分る。
の一辺の長さを2〜3mmとし、接着する薄いガラス板
の厚さをその20分の1以下になる100μmより薄く
しておけば、光の入射角に起因する光のクロストーク誤
差は3〜5%以下になることが分る。
【0036】以上の計算値を実際に作製される光センサ
と対照させると、本実施例の大きさの光センサでは、カ
ラーフィルタの印刷・半導体薄膜のパターニングの精度
から受光素子の間には70〜80μm程度の間隙が設け
られるので、薄いガラス板の厚さを100μm以下にし
ておけば光センサにおけるクロストークによる誤差は無
視できる程度になる。
と対照させると、本実施例の大きさの光センサでは、カ
ラーフィルタの印刷・半導体薄膜のパターニングの精度
から受光素子の間には70〜80μm程度の間隙が設け
られるので、薄いガラス板の厚さを100μm以下にし
ておけば光センサにおけるクロストークによる誤差は無
視できる程度になる。
【0037】次に、以上で説明した青,赤及び緑7のフ
ィルタを配置したカラーフィルタと、その各フィルタに
対応させた受光素子を設けた光センサの前面の全入射角
から均等な光を照射したとき各色フィルタに対応する受
光素子に照射される光の分光反応の特性と、その間の薄
いガラス板の厚さの関係を示したのが図4と図9である
。 図4は、本発明による薄いガラス板の厚さを70
μmにしたときの分光反応特性であり、カラーフィルタ
の特性から光のクロストークは殆ど問題のないレベルで
あることが分る。
ィルタを配置したカラーフィルタと、その各フィルタに
対応させた受光素子を設けた光センサの前面の全入射角
から均等な光を照射したとき各色フィルタに対応する受
光素子に照射される光の分光反応の特性と、その間の薄
いガラス板の厚さの関係を示したのが図4と図9である
。 図4は、本発明による薄いガラス板の厚さを70
μmにしたときの分光反応特性であり、カラーフィルタ
の特性から光のクロストークは殆ど問題のないレベルで
あることが分る。
【0038】図4に比較して図9に示したのは薄いガラ
スの厚さを約1mmにしているが、この光センサでは各
色フィルタに対応した受光素子の分光反応特性のすそが
、広く全波長領域に拡っていて、無視できない光のクロ
ストークが生じていることがわかる。
スの厚さを約1mmにしているが、この光センサでは各
色フィルタに対応した受光素子の分光反応特性のすそが
、広く全波長領域に拡っていて、無視できない光のクロ
ストークが生じていることがわかる。
【0039】図2に、光信号の増幅デバイス86と、光
センサの受光素子とを同一ガラス板上に形成した構成の
断面図を示した。
センサの受光素子とを同一ガラス板上に形成した構成の
断面図を示した。
【0040】図2は、表面のガラス板81と薄いガラス
板84の間にカラーフィルタと接着剤の層83が形成さ
れ、ガラス板84の裏面にカラーフィルタと対応させて
受光素子85が設けられ、該受光素子85に隣接して、
同一ガラス板84上に増幅デバイス86が形成されてい
る。
板84の間にカラーフィルタと接着剤の層83が形成さ
れ、ガラス板84の裏面にカラーフィルタと対応させて
受光素子85が設けられ、該受光素子85に隣接して、
同一ガラス板84上に増幅デバイス86が形成されてい
る。
【0041】以上の構成において、受光素子85には信
号になる光Lを入射させる必要があり、増幅デバイス8
6への外部光入射は、光によるキャリア発生がノイズの
原因になるので、増幅デバイス86を設けた部分のガラ
ス板81,84の間に遮光膜82を作製している。
号になる光Lを入射させる必要があり、増幅デバイス8
6への外部光入射は、光によるキャリア発生がノイズの
原因になるので、増幅デバイス86を設けた部分のガラ
ス板81,84の間に遮光膜82を作製している。
【0042】以上の実施例の光センサは、本発明による
ガラス板を薄くすることで光のクロストークを低減し、
かつ、受光素子85に隣接して増幅デバイス86が設け
られているので、クロストークとノイズの少ない信号を
得ることができる。
ガラス板を薄くすることで光のクロストークを低減し、
かつ、受光素子85に隣接して増幅デバイス86が設け
られているので、クロストークとノイズの少ない信号を
得ることができる。
【0043】次の図3に示したのは、図2の構成の一例
を詳細化して示した断面図である。図3では、受光側の
ガラス板91の受光素子Sに対応する部分にカラーフィ
ルタを形成し、増幅デバイスTに対応させ黒色エポキシ
樹脂の遮光膜92が形成され、透明な接着剤で薄いガラ
ス板94が接着されている。
を詳細化して示した断面図である。図3では、受光側の
ガラス板91の受光素子Sに対応する部分にカラーフィ
ルタを形成し、増幅デバイスTに対応させ黒色エポキシ
樹脂の遮光膜92が形成され、透明な接着剤で薄いガラ
ス板94が接着されている。
【0044】接着されたガラス板94の一面には、受光
素子Sが、p−i−n構造のa−Siフォトダイオード
で形成され、増幅デバイスTはa−SiTFTで作製さ
れている。
素子Sが、p−i−n構造のa−Siフォトダイオード
で形成され、増幅デバイスTはa−SiTFTで作製さ
れている。
【0045】以上の受光素子Sと増幅デバイスTの詳細
な構成は、次のようになっている。先ず、フォトダイオ
ードの受光素子Sは、ガラス板94に透明電極95を形
成後、プラズマCVDにより、a−Siのp層96、i
層97、n層を順次積層して形成し、その上に蒸着によ
るAlの金属電極が作製されている。
な構成は、次のようになっている。先ず、フォトダイオ
ードの受光素子Sは、ガラス板94に透明電極95を形
成後、プラズマCVDにより、a−Siのp層96、i
層97、n層を順次積層して形成し、その上に蒸着によ
るAlの金属電極が作製されている。
【0046】増幅デバイスTは、プラズマCVDで形成
したi層100の上に、同じプラズマCVDによりドレ
イン101と、ソース102を形成し、続いて、同じC
VDによるSiO又はSiN等の絶縁膜103を形成し
ている。
したi層100の上に、同じプラズマCVDによりドレ
イン101と、ソース102を形成し、続いて、同じC
VDによるSiO又はSiN等の絶縁膜103を形成し
ている。
【0047】次に、フォトダイオードの金属電極99に
接続したゲート電極99を作製して、増幅デバイスTに
なるTFTを形成している。
接続したゲート電極99を作製して、増幅デバイスTに
なるTFTを形成している。
【0048】受光素子Sの透明電極は、増幅デバイスT
のソース102と電気的に接続されている。
のソース102と電気的に接続されている。
【0049】以上のような電気的接続により、受光素子
Sのフォトダイオードで発生した入射光に対応する電圧
は金属電極99を通してTFTのゲートに印加され、T
FTで増幅されて、図示しないドレイン電極から出力さ
れる。この構成では微弱なフォトダイオードの出力は、
隣接したTFTに入力され増幅されるので、ノイズを低
減させ良好な光センサ動作をさせることになる。
Sのフォトダイオードで発生した入射光に対応する電圧
は金属電極99を通してTFTのゲートに印加され、T
FTで増幅されて、図示しないドレイン電極から出力さ
れる。この構成では微弱なフォトダイオードの出力は、
隣接したTFTに入力され増幅されるので、ノイズを低
減させ良好な光センサ動作をさせることになる。
【0050】続いて、増幅デバイスTの受光部側に設け
られた遮光膜92について説明する。この遮光膜は、図
2における膜82と同じ作用をするもので、外部からi
型のa−Si層100に入射した光で光電流が形成され
ると、この電流はノイズ成分になる。従って、本発明の
実施例で設けた遮光膜92により、外部からの光入射を
防ぎ、ノイズ電流を低減させて光センサ全体のS/N比
を向上させ、感度を改善するものである。
られた遮光膜92について説明する。この遮光膜は、図
2における膜82と同じ作用をするもので、外部からi
型のa−Si層100に入射した光で光電流が形成され
ると、この電流はノイズ成分になる。従って、本発明の
実施例で設けた遮光膜92により、外部からの光入射を
防ぎ、ノイズ電流を低減させて光センサ全体のS/N比
を向上させ、感度を改善するものである。
【0051】以上は、本発明の光センサを、実施例によ
って説明したが、本発明は実施例によって限定されるも
のでなく、例えば受光素子Sも、実施例のa−Siフォ
トダイオードのみに限定されず、a−Siの光導電型受
光素子でもよく、更には、CdSやCdSe等の化合物
半導体を用いた受光素子にしてもよい。使用する増幅デ
バイスも多結晶SiによるTFT、又は、バイポーラト
ランジスタ等異なる構成の増幅素子を用いても良い。
って説明したが、本発明は実施例によって限定されるも
のでなく、例えば受光素子Sも、実施例のa−Siフォ
トダイオードのみに限定されず、a−Siの光導電型受
光素子でもよく、更には、CdSやCdSe等の化合物
半導体を用いた受光素子にしてもよい。使用する増幅デ
バイスも多結晶SiによるTFT、又は、バイポーラト
ランジスタ等異なる構成の増幅素子を用いても良い。
【0052】以上の他に、遮光膜もエポキシ樹脂などの
樹脂以外の、セラミックや金属からなるものを用いるな
ど光センサの使用目的・作製条件等に応じて選択するこ
とができる。
樹脂以外の、セラミックや金属からなるものを用いるな
ど光センサの使用目的・作製条件等に応じて選択するこ
とができる。
【0053】
【発明の効果】本発明による、カラーフィルタを形成し
たガラス板と、該カラーフィルタに対応させた受光素子
を形成したガラス板を接着剤で接着した光センサにおい
て、カラーフィルタと受光素子の間のガラス板を薄くし
てクロストークを低減させた光センサは、従来の光セン
サとほぼ同じ工程で作製でき、しかも、出力信号のS/
N比を改善できるので、多くの分野でのカラー光センサ
に使用することができる。
たガラス板と、該カラーフィルタに対応させた受光素子
を形成したガラス板を接着剤で接着した光センサにおい
て、カラーフィルタと受光素子の間のガラス板を薄くし
てクロストークを低減させた光センサは、従来の光セン
サとほぼ同じ工程で作製でき、しかも、出力信号のS/
N比を改善できるので、多くの分野でのカラー光センサ
に使用することができる。
【図1】光センサの構造を示す断面図である。
【図2】受光素子と増幅デバイスからなる光センサの断
面図である。
面図である。
【図3】フォトダイオードとTFTからなる光センサの
断面図である。
断面図である。
【図4】本発明のカラー光センサの効果を示す分光反応
特性図である。
特性図である。
【図5】従来例の光センサの構造を示す断面図である。
【図6】光センサの入射光の経路の説明図である。
【図7】従来例の遮光性ケースをもつ光センサの断面図
である。
である。
【図8】従来例の受光素子間を広くした光センサの断面
図である。
図である。
【図9】従来例の光センサの分光反応特性図である。
11 表面ガラス板
12 カラーフィルタ
13 透明接着剤
14 薄いガラス板
15 a−Siフォトダイオード
16 コーティング樹脂
82 遮光膜
85 受光素子
86 増幅デバイス
Claims (4)
- 【請求項1】 可視光の全域に透光性をもつガラス板
の一面に所定の光学フィルタ、又は、該光学フィルタと
遮光膜が設けられ、該ガラス基板面上に接着された前記
ガラス板と同じ光学的特性の薄いガラス板表面に、前記
光学フィルタに対応した薄膜受光素子が設けられている
ことを特徴とする光センサ。 - 【請求項2】 前記薄いガラス板の厚さが、受光素子
の一辺の20分の1以下であることを特徴とする請求項
1記載の光センサ。 - 【請求項3】 前記ガラス板に設けた光学的フィルタ
が赤色、青色、及び緑色光のそれぞれを透過するフィル
タを所定の形状で分布させたカラーフィルタであり、前
記薄膜受光素子が前記カラーフィルタに対応させて形成
されたアモルファスシリコン薄膜受光素子であることを
特徴とする請求項1記載の光センサ。 - 【請求項4】 カラーフィルタを設けた光センサの製
造において、可視光の全域に透光性をもつガラス板の表
面にカラーフィルタを作製する工程と、該ガラス板の表
面に前記ガラス板と同じ光学的特性の薄いガラス板を接
着する工程と、該接着した薄いガラス板の表面に所定の
薄膜受光素子を作製する工程からなることを特徴とする
光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3007877A JPH04250664A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3007877A JPH04250664A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04250664A true JPH04250664A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=11677844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3007877A Pending JPH04250664A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04250664A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011141976A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016178321A (ja) * | 2010-06-18 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007877A patent/JPH04250664A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011141976A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016178321A (ja) * | 2010-06-18 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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