JP3027772B2 - 密着イメ−ジセンサ - Google Patents
密着イメ−ジセンサInfo
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- JP3027772B2 JP3027772B2 JP3029414A JP2941491A JP3027772B2 JP 3027772 B2 JP3027772 B2 JP 3027772B2 JP 3029414 A JP3029414 A JP 3029414A JP 2941491 A JP2941491 A JP 2941491A JP 3027772 B2 JP3027772 B2 JP 3027772B2
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- Japan
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- image sensor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイメ−ジセンサに係り、
特に光応答速度が早く、歩留りのよい製造コストの安価
なイメ−ジセンサに関する。
特に光応答速度が早く、歩留りのよい製造コストの安価
なイメ−ジセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリ装置等における画像読取り
用に用いられる光電変換素子として、各種のイメ−ジセ
ンサが通常用いられている。
用に用いられる光電変換素子として、各種のイメ−ジセ
ンサが通常用いられている。
【０００３】これらのイメ−ジセンサには、アモルファ
スシリコン（α−Ｓｉ）フォトダイオ−ドを用いたＭＯ
Ｓ型イメ−ジセンサやＣＣＤイメ−ジセンサやα−Ｓ
ｉ、ＣｄＳ−Ｓｅを用いたフォトコンダクタ型センサが
ある。
スシリコン（α−Ｓｉ）フォトダイオ−ドを用いたＭＯ
Ｓ型イメ−ジセンサやＣＣＤイメ−ジセンサやα−Ｓ
ｉ、ＣｄＳ−Ｓｅを用いたフォトコンダクタ型センサが
ある。
【０００４】しかし、フォトダイオ−ドを用いたもの
は、発生する光電流が小さいため、読取り回路にコスト
がかかるという問題点がある。
は、発生する光電流が小さいため、読取り回路にコスト
がかかるという問題点がある。
【０００５】そのため通常の読取り速度を有するファク
シミリ等では、α−Ｓｉ、ＣｄＳ−Ｓｅのフォトコンダ
クタタイプのイメ−ジセンサが用いられ、Ｇ４タイプの
ファクシミリなど高速読出し用にはＣＣＤタイプ等高価
なイメ−ジセンサを用いている。
シミリ等では、α−Ｓｉ、ＣｄＳ−Ｓｅのフォトコンダ
クタタイプのイメ−ジセンサが用いられ、Ｇ４タイプの
ファクシミリなど高速読出し用にはＣＣＤタイプ等高価
なイメ−ジセンサを用いている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、フォトコン
ダクタタイプのイメ−ジセンサではキャリアの再注入が
起こり、光応答速度が遅いため読取り速度に問題があ
る。
ダクタタイプのイメ−ジセンサではキャリアの再注入が
起こり、光応答速度が遅いため読取り速度に問題があ
る。
【０００７】従って、本発明の目的は光応答速度が早
く、かつ、製造コストの安いイメ−ジセンサを提供する
ものである。
く、かつ、製造コストの安いイメ−ジセンサを提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、半導体から成るセン
サ材料として有用な鉛クロム酸（Ｐｂ2 ＣｒＯ5 ）を用
い、金属（Ｍ）−絶縁層（Ｉ）−半導体（Ｓ）のＭＩＳ
プレ−ナ型構造の密着イメ−ジセンサとした。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、半導体から成るセン
サ材料として有用な鉛クロム酸（Ｐｂ2 ＣｒＯ5 ）を用
い、金属（Ｍ）−絶縁層（Ｉ）−半導体（Ｓ）のＭＩＳ
プレ−ナ型構造の密着イメ−ジセンサとした。
【０００９】
【作用】これにより安価で歩留まりよく、光応答速度の
早いイメ−ジセンサを形成できることを見出した。
早いイメ−ジセンサを形成できることを見出した。
【００１０】なお、クロム酸鉛の薄膜が、良好な光電変
換特性を示すことは、本発明者のひとりによる先願（特
開昭６２−１４０４７３号公報）で、明らかにされてい
る。
換特性を示すことは、本発明者のひとりによる先願（特
開昭６２−１４０４７３号公報）で、明らかにされてい
る。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図１によって説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例の密着イメ−ジセ
ンサの断面構造図である。
ンサの断面構造図である。
【００１３】図１において、１はガラス基板、２はクロ
ム酸鉛の層で、Ｐｂ5 ＣｒＯ8 、Ｐｂ2 ＣｒＯ5 、Ｐｂ
ＣｒＯ4 の少なくとも一種を含む層であって、例えば0.
5 μｍ〜５μｍの厚さである。３は絶縁層であって、例
えば１００Å〜３０００Åの厚さのＳｉ3 Ｎ4 層から成
る。４、４′は電極であって、例えばアルミニウム電極
である。５は保護膜、６はプラスチック・サ−キット・
ボ−ド（ＰＣＢ）であって、その上に読取り回路用ＩＣ
が搭載されている。７は接続部であって、電極５とＰＣ
Ｂ６上の読取り回路の所定部分とワイヤボンディングに
より接続されている。
ム酸鉛の層で、Ｐｂ5 ＣｒＯ8 、Ｐｂ2 ＣｒＯ5 、Ｐｂ
ＣｒＯ4 の少なくとも一種を含む層であって、例えば0.
5 μｍ〜５μｍの厚さである。３は絶縁層であって、例
えば１００Å〜３０００Åの厚さのＳｉ3 Ｎ4 層から成
る。４、４′は電極であって、例えばアルミニウム電極
である。５は保護膜、６はプラスチック・サ−キット・
ボ−ド（ＰＣＢ）であって、その上に読取り回路用ＩＣ
が搭載されている。７は接続部であって、電極５とＰＣ
Ｂ６上の読取り回路の所定部分とワイヤボンディングに
より接続されている。
【００１４】図１において、半導体層であるクロム酸鉛
層２の電極４、４′間の領域がセンサ部として作用し、
例えばＬＥＤ等の光源から入射した光は、図示省略した
原稿面で反射し、イメ−ジセンサ上に配置されたセルフ
ォックレンズに収れんされてセンサに入射する。この入
射光はクロム酸鉛層２で光電変換され、読出し回路で読
出される。
層２の電極４、４′間の領域がセンサ部として作用し、
例えばＬＥＤ等の光源から入射した光は、図示省略した
原稿面で反射し、イメ−ジセンサ上に配置されたセルフ
ォックレンズに収れんされてセンサに入射する。この入
射光はクロム酸鉛層２で光電変換され、読出し回路で読
出される。
【００１５】本発明で用いたクロム酸鉛層は、電子ビ−
ム蒸着法、スパッタリング法、イオンビ−ム蒸着法等で
比較的容易にガラス基板１上に形成されセンサ部を構成
することができる。
ム蒸着法、スパッタリング法、イオンビ−ム蒸着法等で
比較的容易にガラス基板１上に形成されセンサ部を構成
することができる。
【００１６】また、センサ構造を、ＭＩＳプレ−ナ型構
造にすることにより、キャリアの再注入がないので、フ
ォトコンダクタタイプのセンサの如く、光応答速度が遅
くなることもなく、歩留りよく、安価にイメ−ジセンサ
を形成することができる。
造にすることにより、キャリアの再注入がないので、フ
ォトコンダクタタイプのセンサの如く、光応答速度が遅
くなることもなく、歩留りよく、安価にイメ−ジセンサ
を形成することができる。
【００１７】本発明の実施例の光応答速度は0.1 mses.
以上の早さで、Ｇ４タイプのファクシミリの原稿の読取
りも可能となった。
以上の早さで、Ｇ４タイプのファクシミリの原稿の読取
りも可能となった。
【００１８】また、光応答速度が早くなるのに伴い、読
取り回路もマトリックス多層構造にすることが可能とな
り、ＩＣ数も少なくてすむので、この点でもコストダウ
ンが図れる。
取り回路もマトリックス多層構造にすることが可能とな
り、ＩＣ数も少なくてすむので、この点でもコストダウ
ンが図れる。
【００１９】図２に本発明の実施例のイメ−ジセンサの
光出力を示す。
光出力を示す。
【００２０】図２は光源として波長５２０nmの冷陰極線
管を用い、バイアス２０Ｖの条件で、８本／mmのパタ−
ンの照度に対する電流の大きさの変化の関係を示す。
管を用い、バイアス２０Ｖの条件で、８本／mmのパタ−
ンの照度に対する電流の大きさの変化の関係を示す。
【００２１】図２において、直線Ａは原稿の白領域に対
する電流値を示し、直線Ｂは黒領域に対するものである
が、照度によってわずかに増加する電流値はノイズと解
される。
する電流値を示し、直線Ｂは黒領域に対するものである
が、照度によってわずかに増加する電流値はノイズと解
される。
【００２２】
【発明の効果】本発明の構造にすることにより、光応答
速度の非常に早い密着イメ−ジセンサを歩留りよく安価
に製造することが可能となった。
速度の非常に早い密着イメ−ジセンサを歩留りよく安価
に製造することが可能となった。
【００２３】それに伴い、読出し回路もマトリックス多
層構造にすることが出来、ＩＣの数を少なくしてコスト
ダウンを図ることも可能となった。
層構造にすることが出来、ＩＣの数を少なくしてコスト
ダウンを図ることも可能となった。
【図１】本発明の一実施例の構造説明図である。
【図２】本発明の一実施例のイメ−ジセンサの特性図で
ある。
ある。
１ ガラス基板 ２ クロム酸鉛層 ３ 絶縁物層 ４ 電極 ５ 保護膜 ６ プラスチックサ−キットボ−ド（ＰＣＢ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−150074（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−139968（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−256482（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−140473（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−114096（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/119 H01L 27/14 - 27/148
Claims (1)
- 【請求項１】光センサ部が少なくともクロム酸鉛から構
成されていることを特徴とするＭＩＳプレーナ型構造の
密着イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029414A JP3027772B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 密着イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029414A JP3027772B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 密着イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245486A JPH04245486A (ja) | 1992-09-02 |
| JP3027772B2 true JP3027772B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=12275474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029414A Expired - Fee Related JP3027772B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 密着イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027772B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP3029414A patent/JP3027772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04245486A (ja) | 1992-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000118 |
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