JPS6269673A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6269673A JPS6269673A JP60210602A JP21060285A JPS6269673A JP S6269673 A JPS6269673 A JP S6269673A JP 60210602 A JP60210602 A JP 60210602A JP 21060285 A JP21060285 A JP 21060285A JP S6269673 A JPS6269673 A JP S6269673A
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- polycrystalline silicon
- silicon layer
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- light
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置の構造に関する。
本発明は、透明基板を用いて光を基板側から入射させる
駆動回路内蔵型固体撮像装置において、駆動回路のゲー
ト電極形成と同一工程中に、該ゲート電極材料（例えば
、ポリシリコン）を、光電変換素子周辺部に設は友こと
により、該ゲート電極材料（ポリシリコンが光吸収層と
なり、光電変換素子周辺の金属配線からの入射光の反射
により生じる迷光の受光素子面への入射を防止できる逢
め、雑音の少ない高精細な画像を得られるようにし几も
のである。
駆動回路内蔵型固体撮像装置において、駆動回路のゲー
ト電極形成と同一工程中に、該ゲート電極材料（例えば
、ポリシリコン）を、光電変換素子周辺部に設は友こと
により、該ゲート電極材料（ポリシリコンが光吸収層と
なり、光電変換素子周辺の金属配線からの入射光の反射
により生じる迷光の受光素子面への入射を防止できる逢
め、雑音の少ない高精細な画像を得られるようにし几も
のである。
従来の固体撮像装置にけ、８を基板を用いて形成した電
荷結合素子（ＯＯＤ）の様に基板の素子側から光を入射
するものや１反対に薄膜形成技術により透明基板上に形
成され次固体撮偉装置の中で、光を基板側から入射する
もの（第３図）などがある。
荷結合素子（ＯＯＤ）の様に基板の素子側から光を入射
するものや１反対に薄膜形成技術により透明基板上に形
成され次固体撮偉装置の中で、光を基板側から入射する
もの（第３図）などがある。
後者は、透明基板としてガラス等を用いることができる
九め、縮小光学系を必要としないチップサイズの大舞い
密着型固体撮像装置が形成できる。
九め、縮小光学系を必要としないチップサイズの大舞い
密着型固体撮像装置が形成できる。
さらに、光を基板側から入射させることにより、素子面
上に容易に透明度に依存しないノくツシペーシ四ン膜を
施すこと六１でき高信頼性の固体撮像装置を得ることが
できる。
上に容易に透明度に依存しないノくツシペーシ四ン膜を
施すこと六１でき高信頼性の固体撮像装置を得ることが
できる。
しかし、従来技術での薄膜形成技術による透明基板に形
成した固体撮像装置において、光を基板側から入射する
ように施し几場合、光電変換素子の周辺に入射した光ｈ
′−１ν等の金属配線により反射して、透明基板内で迷
光となり、光電変換素子に入射して、緒音となり画像の
高精細度が低下するという問題点があった。
成した固体撮像装置において、光を基板側から入射する
ように施し几場合、光電変換素子の周辺に入射した光ｈ
′−１ν等の金属配線により反射して、透明基板内で迷
光となり、光電変換素子に入射して、緒音となり画像の
高精細度が低下するという問題点があった。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するためのもので
、その目的とするところは、従来の薄膜トランジスタか
ら成る駆動回路内蔵型固体撮像装置において、同一工程
、同一材料で、固体撮像装置の光電変換素子周辺の金属
配線部等に入射した光の反射を防止するために光電変換
素子周辺に光吸収層を設けるものである。
、その目的とするところは、従来の薄膜トランジスタか
ら成る駆動回路内蔵型固体撮像装置において、同一工程
、同一材料で、固体撮像装置の光電変換素子周辺の金属
配線部等に入射した光の反射を防止するために光電変換
素子周辺に光吸収層を設けるものである。
本発明の透明基板を用いて光を基板側から入射させる駆
動回路内蔵型固体撮像装置において、駆動回路を構成す
るゲート電接の形成と共に、同−１穆で、光を吸収する
該ゲート電極材料を、光電変換素子周辺に設けたことを
特徴とする。
動回路内蔵型固体撮像装置において、駆動回路を構成す
るゲート電接の形成と共に、同−１穆で、光を吸収する
該ゲート電極材料を、光電変換素子周辺に設けたことを
特徴とする。
本発明の作用を述べれば、光電変換素子周辺にゲート電
極と共に同一工程で光の吸収層となるゲート電極材料を
設は比から光電変換素子周辺の金属配線部から入射光の
反射により生じる受光素子面への迷光の入射を防止でき
るため、高精細な画像を得ることができる。
極と共に同一工程で光の吸収層となるゲート電極材料を
設は比から光電変換素子周辺の金属配線部から入射光の
反射により生じる受光素子面への迷光の入射を防止でき
るため、高精細な画像を得ることができる。
以下、本発明について実施例に基イいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の固体撮像装置の構造図であり、薄膜
トランジスタ３から成る駆動回路と非晶質半導体層から
成る光電変換素子２で構成されている。
トランジスタ３から成る駆動回路と非晶質半導体層から
成る光電変換素子２で構成されている。
第２図は５本発明の実施例を工程順に示す図である。こ
こで、基板側から光を入射させるため透明基板として、
石英基板１を用いる。
こで、基板側から光を入射させるため透明基板として、
石英基板１を用いる。
まず第２図（ＩＬ）の如（１石英基板２１上に気相成長
法たよりポリシリコン２２ （１０００〜２０００λ）
を島状に形成し、熱酸化により、ゲート酸化＄２５を形
成する。さらに、気相成長法によりゲート電極となるポ
リシリコン２４ （３０００〜ａｏｏｏＸ）を形成する
。ここで、ゲート電極以外ＫＭポリシリコンを、金属配
線下となる部分に適当に電気的に分離するように形成す
る。これにより、ポリシリコン層は、光吸収層として作
用する。また、トランジスタのソース・ドレイン部２６
を形成するためにイオン注入２５を行な）。
法たよりポリシリコン２２ （１０００〜２０００λ）
を島状に形成し、熱酸化により、ゲート酸化＄２５を形
成する。さらに、気相成長法によりゲート電極となるポ
リシリコン２４ （３０００〜ａｏｏｏＸ）を形成する
。ここで、ゲート電極以外ＫＭポリシリコンを、金属配
線下となる部分に適当に電気的に分離するように形成す
る。これにより、ポリシリコン層は、光吸収層として作
用する。また、トランジスタのソース・ドレイン部２６
を形成するためにイオン注入２５を行な）。
次に、第２図（ｂ）の如く、層間絶縁膜２７を形成する
。これにより、前述の光吸収層となるポリシリコンは、
完全に′電気的に分離される。さらに、共進１［極とな
る透明導電膜２８（工Ｔｏ）を形成し光電変換素子２９
どなる非晶質半導体を形成する。
。これにより、前述の光吸収層となるポリシリコンは、
完全に′電気的に分離される。さらに、共進１［極とな
る透明導電膜２８（工Ｔｏ）を形成し光電変換素子２９
どなる非晶質半導体を形成する。
さらに、第２図（Ｃ）の如く、コンタクトホールを形成
し、金属配線３Ｑ（Ａｔ配線）を形成することにより、
固体撮像装置が形成される。
し、金属配線３Ｑ（Ａｔ配線）を形成することにより、
固体撮像装置が形成される。
以上述べ次様に、光吸収層となりえるゲート電極の形成
により、同一工程で該デー１１材料を光電変換素子周辺
忙光吸収層として設けたから基板側から光電変換素子面
に光を入射させる場合光電変換素子周辺の金属配線部か
らの光の反射により生じる光電変換素子への迷光を防止
でき、緘音の少ない高精細な光情報を得ることがで炒る
という効果を有する。
により、同一工程で該デー１１材料を光電変換素子周辺
忙光吸収層として設けたから基板側から光電変換素子面
に光を入射させる場合光電変換素子周辺の金属配線部か
らの光の反射により生じる光電変換素子への迷光を防止
でき、緘音の少ない高精細な光情報を得ることがで炒る
という効果を有する。
特に、光電変換素子周辺に大面積となるａ等のポンディ
ング端子を設けたり共通電極となる透明導電膜の配線抵
抗を下げるために、透明導電膜−ヒに金属配線（ｈｔ）
を形成することもできるという効果を有する。
ング端子を設けたり共通電極となる透明導電膜の配線抵
抗を下げるために、透明導電膜−ヒに金属配線（ｈｔ）
を形成することもできるという効果を有する。
第１図は１本発明の一実施例を示す固体撮像装置の構造
図。 第２図（ロ））〜（ｃｌは１本発明の固体撮像装置の工
程図。 第３図は、従来の固体撮像装置の構造図。 １．３１・・・・・・透明基板 ２．２９．５９・・・・・・光電変換素子３・・・・・
・薄膜トランジスタ ４・・・・・・光吸収層 ５．４１・・・・・・入射光 ２１ ・・・・・・石英基板 ２２．５２・・・・・・ポリシリコン ２３．３３・・・・・・ゲート酸化膜 ２４．３４・・・・・・ゲート電極（ポリシリコン）２
５・・・・・・イオン注入 ２６．５６・・・・・・ソース会ドレイン部２７．５７
・・・・・・層間絶縁膜 ２８．３８・・・・・・透明導電膜 ５０．４０・・・・・・金属配線（Ａｔ）４２・・・・
・・迷光 以 上 ■為環儀果１．．籏覆亘 第１図 ↓↓１ｊ 第２区（α） ｌ仏１１東ｉａｔ、工＠邑 第２図（ｂ〕 第２図（Ｃ’） 汝３−傷必キｕ（１，准五昌 第３図
図。 第２図（ロ））〜（ｃｌは１本発明の固体撮像装置の工
程図。 第３図は、従来の固体撮像装置の構造図。 １．３１・・・・・・透明基板 ２．２９．５９・・・・・・光電変換素子３・・・・・
・薄膜トランジスタ ４・・・・・・光吸収層 ５．４１・・・・・・入射光 ２１ ・・・・・・石英基板 ２２．５２・・・・・・ポリシリコン ２３．３３・・・・・・ゲート酸化膜 ２４．３４・・・・・・ゲート電極（ポリシリコン）２
５・・・・・・イオン注入 ２６．５６・・・・・・ソース会ドレイン部２７．５７
・・・・・・層間絶縁膜 ２８．３８・・・・・・透明導電膜 ５０．４０・・・・・・金属配線（Ａｔ）４２・・・・
・・迷光 以 上 ■為環儀果１．．籏覆亘 第１図 ↓↓１ｊ 第２区（α） ｌ仏１１東ｉａｔ、工＠邑 第２図（ｂ〕 第２図（Ｃ’） 汝３−傷必キｕ（１，准五昌 第３図
Claims (2)
- （１）透明基板を用いて光を基板側から入射させる駆動
回路内蔵型固体撮像装置において、駆動回路のゲート電
極の形成と同一工程で、該ゲート電極材料を、光電変換
素子周辺に設けたことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記ゲート電極材料として、光を吸収するポリシ
リコン（３０００Å〜８０００Å）を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210602A JPS6269673A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210602A JPS6269673A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269673A true JPS6269673A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16592042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210602A Pending JPS6269673A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535972A1 (de) * | 1994-09-28 | 1996-04-11 | Aisin Seiki | Druckluftsteuerungsvorrichtung |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210602A patent/JPS6269673A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535972A1 (de) * | 1994-09-28 | 1996-04-11 | Aisin Seiki | Druckluftsteuerungsvorrichtung |
| US5600953A (en) * | 1994-09-28 | 1997-02-11 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Compressed air control apparatus |
| DE19535972C2 (de) * | 1994-09-28 | 1997-12-11 | Aisin Seiki | Druckluftsteuerungsvorrichtung für einen Kompressor |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
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