JPS60171A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS60171A JPS60171A JP59108351A JP10835184A JPS60171A JP S60171 A JPS60171 A JP S60171A JP 59108351 A JP59108351 A JP 59108351A JP 10835184 A JP10835184 A JP 10835184A JP S60171 A JPS60171 A JP S60171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- area
- film
- scanning
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体基板上に走査回路および光電変換膜を集
積化した固体撮像素子に関するものである。
積化した固体撮像素子に関するものである。
固体撮像素子を構成する有力な担手としＣＣＣＤ （Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ、 Ｄｅｖｉｃｅｓ）およ
びＭＯＳ型（ＭＯＳスイッチのソース接合を光ダイオー
ドとして利用する素子）の２種類が考えられてきた。こ
れらの素子はいずれも集積度の高いＭＯＳプロセス技術
を用いて製作できるという利点を有している。しかし乍
ら、感光部が電極の下（ＣＯＤの場合）または走査スイ
ッチおよび信号出力線と同一平面１（ＭＯＳ型の場合）
にあるため、電極やスイッチ部により光の入射がさまた
げら肛る領域が多く、すなわち光損失が大きいという欠
点がある。さらに、感光部と走査部が前述のように同一
平面上にあるため絵素の占有面積が大きくなる、すなわ
ち絵素の集積度を」二げることか出来なくて解像度を上
げることができないという問題点を有している。
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ、 Ｄｅｖｉｃｅｓ）およ
びＭＯＳ型（ＭＯＳスイッチのソース接合を光ダイオー
ドとして利用する素子）の２種類が考えられてきた。こ
れらの素子はいずれも集積度の高いＭＯＳプロセス技術
を用いて製作できるという利点を有している。しかし乍
ら、感光部が電極の下（ＣＯＤの場合）または走査スイ
ッチおよび信号出力線と同一平面１（ＭＯＳ型の場合）
にあるため、電極やスイッチ部により光の入射がさまた
げら肛る領域が多く、すなわち光損失が大きいという欠
点がある。さらに、感光部と走査部が前述のように同一
平面上にあるため絵素の占有面積が大きくなる、すなわ
ち絵素の集積度を」二げることか出来なくて解像度を上
げることができないという問題点を有している。
これら問題点（光感度、解像度）を解決する構造として
、発明者らは走査部の上に感光用の光電変換膜を設ける
二階建構造の固体撮像素子を出願した（特開昭５１−１
０７１５゜ 公開日昭和５１年１月２８日）。
、発明者らは走査部の上に感光用の光電変換膜を設ける
二階建構造の固体撮像素子を出願した（特開昭５１−１
０７１５゜ 公開日昭和５１年１月２８日）。
この二階建固体撮像素子をＭＯ８型素子で構成した場合
を例にとり、素子構造の概略を第１図に示す（ＣＣＤ型
で構成される場合もあり、この場合はＭＯ８電界効果１
〜ランジスタをＣＣＤで置き換え九ばよい）。１は第１
導伝型の半導体基板、２は走査回路（図示せず）あるい
は走査回路の出方によって開閉するスイッチを構成する
ＭＯ８電界効果１〜ランジスタであり、ソース３．ドレ
イン４゜ゲート５から成る６は１絵素の寸法を決める電
極でここではソースに接続されている。７は感光材料と
なる光電変換膜、また８は光電変換膜を駆動する電圧印
加用の透明電極である。また、９は絶縁用の酸化膜であ
る。この図から分るように、半導体基板１と走査回路お
よびスイッチ２を集積化した走査ＩＣ基板１２と７およ
び８から成る光電変換部とが二階建構造になっている。
を例にとり、素子構造の概略を第１図に示す（ＣＣＤ型
で構成される場合もあり、この場合はＭＯ８電界効果１
〜ランジスタをＣＣＤで置き換え九ばよい）。１は第１
導伝型の半導体基板、２は走査回路（図示せず）あるい
は走査回路の出方によって開閉するスイッチを構成する
ＭＯ８電界効果１〜ランジスタであり、ソース３．ドレ
イン４゜ゲート５から成る６は１絵素の寸法を決める電
極でここではソースに接続されている。７は感光材料と
なる光電変換膜、また８は光電変換膜を駆動する電圧印
加用の透明電極である。また、９は絶縁用の酸化膜であ
る。この図から分るように、半導体基板１と走査回路お
よびスイッチ２を集積化した走査ＩＣ基板１２と７およ
び８から成る光電変換部とが二階建構造になっている。
したがって。
面積利用率が高く絵素当りの寸法１０が小さくなる。す
なわち解像度が高い。光電変換部が入射光１１に対して
上部にあるため光損失がなく、光感度が高い。さらに、
光電変換膜を選択することにより所望の分光感度を得る
ことができる等、従来の固体撮像素子に較へて極めて優
れた性能を期待することができるものである。
なわち解像度が高い。光電変換部が入射光１１に対して
上部にあるため光損失がなく、光感度が高い。さらに、
光電変換膜を選択することにより所望の分光感度を得る
ことができる等、従来の固体撮像素子に較へて極めて優
れた性能を期待することができるものである。
反面、この二階建素子は透明電極に使用する材料を加工
するエツチング液が存在しない、あるいは、将来、開発
されたとしても、（１）こＪＬらの透明電極材料は耐薬
品性が極めて乏しい（換言ずＪしば化学反応性が強い）
、（■）さらに、本電極の下にある光電変換膜材料も化
学反応性が強いため、エツチング液の中に浸すと、本電
極を通してエツチング液が光電変換膜内部まで浸透する
ことにより光電特性の変化や劣化を生じる等、素子をエ
ツチング液の中に浸すことが難かしいという製作上の問
題があり、事実上二階建撮像素子の実現をはばんでいる
。この種電極材料には撮像用電子管で使われている１ｎ
０２．５ｎ０２ 、また光電変換膜には５ｅ−Ａｓ−Ｔ
ｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＯ，ＧｄＳ等幾多の物質があるが、
撮像用電子管に於てはガラスの面板」二にこれらの材料
を蒸着する工程だけで済み、形状加工（不要な領域の材
料を除去する）という工程は必要としなかった。したが
って、上記の問題は固体素子（二階建固体撮像素子）を
製作する場合特有の難点である。
するエツチング液が存在しない、あるいは、将来、開発
されたとしても、（１）こＪＬらの透明電極材料は耐薬
品性が極めて乏しい（換言ずＪしば化学反応性が強い）
、（■）さらに、本電極の下にある光電変換膜材料も化
学反応性が強いため、エツチング液の中に浸すと、本電
極を通してエツチング液が光電変換膜内部まで浸透する
ことにより光電特性の変化や劣化を生じる等、素子をエ
ツチング液の中に浸すことが難かしいという製作上の問
題があり、事実上二階建撮像素子の実現をはばんでいる
。この種電極材料には撮像用電子管で使われている１ｎ
０２．５ｎ０２ 、また光電変換膜には５ｅ−Ａｓ−Ｔ
ｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＯ，ＧｄＳ等幾多の物質があるが、
撮像用電子管に於てはガラスの面板」二にこれらの材料
を蒸着する工程だけで済み、形状加工（不要な領域の材
料を除去する）という工程は必要としなかった。したが
って、上記の問題は固体素子（二階建固体撮像素子）を
製作する場合特有の難点である。
本発明の目的は上記の問題を解決し、エツチング液に浸
すことなく透明電極を形成し得るようにした固体撮像素
子の構造を提供することにある。
すことなく透明電極を形成し得るようにした固体撮像素
子の構造を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、下地となる走査ＩＣ
基板上の周辺領域に通常と同程度ないしは若干大きいボ
ンディング用電極を予め設けておき、光電仏性膜に覆う
透明導電性膜の一部が前述のボンディング電極の一部に
もオーミック接触するようにしたものである。
基板上の周辺領域に通常と同程度ないしは若干大きいボ
ンディング用電極を予め設けておき、光電仏性膜に覆う
透明導電性膜の一部が前述のボンディング電極の一部に
もオーミック接触するようにしたものである。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第２
図は本発明による二階建固体撮像素子の構造（ａ）およ
び平面構成（ｂ）を示す図である。
図は本発明による二階建固体撮像素子の構造（ａ）およ
び平面構成（ｂ）を示す図である。
ここでは、走査用ＩＣ基板の構成素子としで、ＭＯ８Ｉ
−ランジスタを使用しているが、ＣＣ： Ｄで構成した
走査用ＩＣ基板であってもよく、本発明の素子構造はい
ずれの走査用ＩＣ基板の場合でも全く同様である。
−ランジスタを使用しているが、ＣＣ： Ｄで構成した
走査用ＩＣ基板であってもよく、本発明の素子構造はい
ずれの走査用ＩＣ基板の場合でも全く同様である。
１２′は半導体基板１′の上に二次元状に配列した絵素
用電極６′の集積まで完ｒした走査用ＩＣ基板である。
用電極６′の集積まで完ｒした走査用ＩＣ基板である。
１３．１４は電極６′の形成と同一工程で製作した。６
′と同パの電極材料（例えばＡＱ）から成る電極端子で
あり、１３は本基板を実装するパッケージとワイヤ（通
常ＡＱ線。
′と同パの電極材料（例えばＡＱ）から成る電極端子で
あり、１３は本基板を実装するパッケージとワイヤ（通
常ＡＱ線。
Ａｕ線が使用される）をボンディングするためのパッド
であり、撮像素子の場合も含め一般のＩＣでは１００Ｘ
１００μ夏ｄ〜１５０Ｘ１５０μボの面積、電極膜厚〜
Ｉμｍを備えている。一方、１４は本発明による透明電
極の一部を」二部に積層するための電極である。７′は
光電変換の役割を果す先導仏性薄膜、８′は先導仏性膜
を駆動する電圧を印加するための透明導電性膜であり、
透明膜８′は先導仏性膜を覆うと同時に電極Ｊ４の上部
にも積層されている。電極１３．１４は同図（ｂ）の平
面レイアウト図に示した記号１３′。
であり、撮像素子の場合も含め一般のＩＣでは１００Ｘ
１００μ夏ｄ〜１５０Ｘ１５０μボの面積、電極膜厚〜
Ｉμｍを備えている。一方、１４は本発明による透明電
極の一部を」二部に積層するための電極である。７′は
光電変換の役割を果す先導仏性薄膜、８′は先導仏性膜
を駆動する電圧を印加するための透明導電性膜であり、
透明膜８′は先導仏性膜を覆うと同時に電極Ｊ４の上部
にも積層されている。電極１３．１４は同図（ｂ）の平
面レイアウト図に示した記号１３′。
１４’で示すように、一般にはトランジスタ等の集積化
されない走査用ＩＣ基板チップ周辺の絶縁酸化膜９′（
同図（ａ））の上に形成される。ここで、１３’−１，
１３’−２，・・・１３’−Ｎはパルス電圧、接地電圧
、直流電圧を印加するあるいは信号を取出すための端子
であり、同図（ａ）の１３は同図（ｂ）においては１３
’ −１に相当している。また、７＃は光導伝性膜が形
成さｈている領域、１５．１６’は光電変換領域の周辺
に配置された水平および垂直の走査回路領域である（同
図（ａ）に示した１６は垂直走査回路領域１６′に相当
している）。光電変換領域７“を覆うように設けた透明
電極領域８“は電極１４′と面積Ｓを有して重なってい
る。さらに、電極１４’は重なり部とは別に１３′と同
様の面積を有したワイヤボンディング用パッド領域１４
″を有している。
されない走査用ＩＣ基板チップ周辺の絶縁酸化膜９′（
同図（ａ））の上に形成される。ここで、１３’−１，
１３’−２，・・・１３’−Ｎはパルス電圧、接地電圧
、直流電圧を印加するあるいは信号を取出すための端子
であり、同図（ａ）の１３は同図（ｂ）においては１３
’ −１に相当している。また、７＃は光導伝性膜が形
成さｈている領域、１５．１６’は光電変換領域の周辺
に配置された水平および垂直の走査回路領域である（同
図（ａ）に示した１６は垂直走査回路領域１６′に相当
している）。光電変換領域７“を覆うように設けた透明
電極領域８“は電極１４′と面積Ｓを有して重なってい
る。さらに、電極１４’は重なり部とは別に１３′と同
様の面積を有したワイヤボンディング用パッド領域１４
″を有している。
ここで、重なり面積Ｓは、第３図の製作工程で示す金属
マスク板と走査用ＩＣ基板チップのアラインメント精度
（合せ精度）に加えて電極１４′と透明電極８″の一部
がオーミックな接触をするに足る寸法を有すＪしばよい
。一般に、合せ精度は数ｌＯ〜ｌＯＯμｍ、オーミック
接触のための面積はｌｏＸＩＯμｍ程度あればよいので
、面積Ｓとしては水平１７、垂直】８方向共に３０−１
００μｍ以上の寸法をとればよいことになる。従って、
電極１４′および１４’を併せた面積は通常使用されて
いるパッド電極の２倍程度であればよく、電極１４ （
１４’ ＋１４“）は走査ｉｃ用基板チップの周辺に十
分配置することが可能である。
マスク板と走査用ＩＣ基板チップのアラインメント精度
（合せ精度）に加えて電極１４′と透明電極８″の一部
がオーミックな接触をするに足る寸法を有すＪしばよい
。一般に、合せ精度は数ｌＯ〜ｌＯＯμｍ、オーミック
接触のための面積はｌｏＸＩＯμｍ程度あればよいので
、面積Ｓとしては水平１７、垂直】８方向共に３０−１
００μｍ以上の寸法をとればよいことになる。従って、
電極１４′および１４’を併せた面積は通常使用されて
いるパッド電極の２倍程度であればよく、電極１４ （
１４’ ＋１４“）は走査ｉｃ用基板チップの周辺に十
分配置することが可能である。
第３図に本発明の構造を有する撮像素子の製作工程を示
す。一枚の半導体ウェーハに多数製作した走査用ＩＣを
チップ状に切り出すことにより得られた走査用ＩＣ基板
チップ上に、光電変換領域７“たけ窓のあいたしゃへい
板】９（例えば同図（ｂ）に平面図を示したような金属
製のマスク板１９′）を密着してのせる。次に、この状
態で先導仏性材料を蒸着あるいはスパッタ法により基板
チップ上部に０．５〜数μｍ形成する。ここで。
す。一枚の半導体ウェーハに多数製作した走査用ＩＣを
チップ状に切り出すことにより得られた走査用ＩＣ基板
チップ上に、光電変換領域７“たけ窓のあいたしゃへい
板】９（例えば同図（ｂ）に平面図を示したような金属
製のマスク板１９′）を密着してのせる。次に、この状
態で先導仏性材料を蒸着あるいはスパッタ法により基板
チップ上部に０．５〜数μｍ形成する。ここで。
材料を飛ばす方向を２０で示す。（（ａ））続いて、や
はり光電変換領域７″および領域１／ｌ’ に相当する
部分のみ窓のあいたマスク板２１（同図（ｄ））を、（
ａ）の場合同様基板チップ上に密着し、透明導電性材料
８’ （Ｓｎ０２ 、ＩｎＯ２など）を蒸着あるいはス
パッタ法により光導伝性膜７′の上部および電極１４’
の上部に積層する。本チップをパッケージに取イ］け所
定のパッド電４＠１３および１４″にワイヤボンディン
グ２２を行って本素子の製作を完了する（（ｃ））。
はり光電変換領域７″および領域１／ｌ’ に相当する
部分のみ窓のあいたマスク板２１（同図（ｄ））を、（
ａ）の場合同様基板チップ上に密着し、透明導電性材料
８’ （Ｓｎ０２ 、ＩｎＯ２など）を蒸着あるいはス
パッタ法により光導伝性膜７′の上部および電極１４’
の上部に積層する。本チップをパッケージに取イ］け所
定のパッド電４＠１３および１４″にワイヤボンディン
グ２２を行って本素子の製作を完了する（（ｃ））。
電極１４および透明電極８′り形状１位置は前述の実施
例に限られるものではなく、第４図に示したように種々
の場合を考えることができる。同図（ａ）は電極１４′
が長方形の場合、（１））は正方形の場合である、（ｃ
）は透明電極の１つの側を先導伝性膜より一様に大きく
した場合であり、電極１４′も帯状に形成されている。
例に限られるものではなく、第４図に示したように種々
の場合を考えることができる。同図（ａ）は電極１４′
が長方形の場合、（１））は正方形の場合である、（ｃ
）は透明電極の１つの側を先導伝性膜より一様に大きく
した場合であり、電極１４′も帯状に形成されている。
いずれの場合もポンディングパッド領域（第２図の実施
例における１４“に相当する領域を有している。（ｄ）
は電極１４′が基板チップ周辺の下側に形成さ九た場合
である。また、（ｅ）は透明電極領域の方が先導伝性膜
の領域より小さかった場合であり、この場合には光電変
換領域（すなわち、受光領域）は透明電極領域８’の寸
法によって決められることになる。ここで、領域２３で
示した部分には光電荷が発生するが、これは水平帰線期
間内等に納め映像信号として使用しないようにすればよ
い。
例における１４“に相当する領域を有している。（ｄ）
は電極１４′が基板チップ周辺の下側に形成さ九た場合
である。また、（ｅ）は透明電極領域の方が先導伝性膜
の領域より小さかった場合であり、この場合には光電変
換領域（すなわち、受光領域）は透明電極領域８’の寸
法によって決められることになる。ここで、領域２３で
示した部分には光電荷が発生するが、これは水平帰線期
間内等に納め映像信号として使用しないようにすればよ
い。
発明者らは本発明の構造によって、製作歩留りを著しく
改善することができ、また、透明電極膜に発生するピン
ホール等が減少し目ざわりな白きず、黒きずが少くなっ
たことにより画質も大きく改善することができた。さら
に、先導伝性膜の分光特性等の経時変化も無くなり、素
子の信頼性も著しく向上することを確認した。
改善することができ、また、透明電極膜に発生するピン
ホール等が減少し目ざわりな白きず、黒きずが少くなっ
たことにより画質も大きく改善することができた。さら
に、先導伝性膜の分光特性等の経時変化も無くなり、素
子の信頼性も著しく向上することを確認した。
なお、前述の実施例では走査用ｉｃ基板の構成素子とし
てＭｏ５ｔ−ランジスタを使用したが、前述のようにＣ
ＣＤで構成した場合、さらにＣＩ ＋）（Ｃｈａｒｇｅ
Ｉｎｊｅｃｔ；ｉｏｎ Ｄｅｖｊ、ｃｅｓ）やＢＢＤ
（Ｂｕｃｋｅｔ 、Ｉ３ｒｉｇａｄｅ ＤｅｖｉｃｅＳ
）で′構成した場合【；おいても、本発明の構造は全く
同じ形で適用できることは自明である。
てＭｏ５ｔ−ランジスタを使用したが、前述のようにＣ
ＣＤで構成した場合、さらにＣＩ ＋）（Ｃｈａｒｇｅ
Ｉｎｊｅｃｔ；ｉｏｎ Ｄｅｖｊ、ｃｅｓ）やＢＢＤ
（Ｂｕｃｋｅｔ 、Ｉ３ｒｉｇａｄｅ ＤｅｖｉｃｅＳ
）で′構成した場合【；おいても、本発明の構造は全く
同じ形で適用できることは自明である。
第１図は従来の固体撮像素子の構造の概略を示す図、第
２図は本発明の固体撮像素子の構造および構成を示す図
、第３図は本発明の固体撮像素子の製作工程を示す図、
第４図は本発明の固体撮像素子の別の構成を示す図であ
る。 ７′・・・光導電膜、８′・・・透明電極、１２′・・
・走査ＩＣ基板。 第 １ 図 ↓ ↓ ル〜１１
２図は本発明の固体撮像素子の構造および構成を示す図
、第３図は本発明の固体撮像素子の製作工程を示す図、
第４図は本発明の固体撮像素子の別の構成を示す図であ
る。 ７′・・・光導電膜、８′・・・透明電極、１２′・・
・走査ＩＣ基板。 第 １ 図 ↓ ↓ ル〜１１
Claims (1)
- １、 二次元状に配列したスイッチ、該スイッチを介し
て取出した光電荷を転送する走査素子を共積化した走査
用半導体集積回路基板の上部に該光電荷を発生する先導
性膜および透明電極膜を積層した固体撮像素子において
、該走査素子および該先導伝性膜が形成された領域を除
く該走査用半導体基板の周辺領域に該走査用半導体基板
を構成する電極とは分離した金属性電極膜を形成し、該
透明電極膜の一部を該金属外電ｗＡ膜の上部に積層接触
させることにより該金属性電極を介して該透明電極膜に
所定の電圧を印加することを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108351A JPS60171A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108351A JPS60171A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171A true JPS60171A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14482504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59108351A Pending JPS60171A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60171A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070164A (en) * | 1987-07-02 | 1991-12-03 | Mobil Oil Corporation | Cold sealable cohesive terpolymers |
| EP0996164A2 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-26 | Hewlett-Packard Company | An elevated pin diode active pixel sensor including a unique interconnection structure |
| JP2020010062A (ja) * | 2019-10-02 | 2020-01-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538782A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59108351A patent/JPS60171A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538782A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070164A (en) * | 1987-07-02 | 1991-12-03 | Mobil Oil Corporation | Cold sealable cohesive terpolymers |
| EP0996164A2 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-26 | Hewlett-Packard Company | An elevated pin diode active pixel sensor including a unique interconnection structure |
| EP0996164A3 (en) * | 1998-10-19 | 2000-05-24 | Hewlett-Packard Company | An elevated pin diode active pixel sensor including a unique interconnection structure |
| JP2020010062A (ja) * | 2019-10-02 | 2020-01-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1573185A (en) | Solid state colour imaging devices | |
| CN110137190A (zh) | 光电转换设备和装置 | |
| CN107195648B (zh) | 一种低噪声高灵敏度全局像素单元结构及其形成方法 | |
| US20060192883A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPH0120592B2 (ja) | ||
| US4554478A (en) | Photoelectric conversion element | |
| JP2903812B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60171A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5817784A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2002303676A (ja) | 放射線検出素子および放射線検出素子の製造方法 | |
| JPS5928065B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR100886973B1 (ko) | 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조 방법 | |
| WO2004047177A1 (ja) | 半導体集積装置及びその製造方法 | |
| JPS6258550B2 (ja) | ||
| JPH07161952A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US10615198B1 (en) | Isolation structures in film-based image sensors | |
| JPS57115880A (en) | Thin film image pickup device in two dimensions | |
| KR840001604B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| JPS6320384B2 (ja) | ||
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH07114275B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR840002185B1 (ko) | 광전변환소자 | |
| JPS5870685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60210869A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0590551A (ja) | 固体撮像装置 |