JPH07161952A

JPH07161952A - 固体撮像装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07161952A
Application number: JP5339214A
Authority: JP
Inventors: Etsuro Shimizu; 悦朗清水
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1993-12-06
Filing date: 1993-12-06
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】高開口率及び低混色性を維持しながら、暗電
流を低減できるようにした、固体撮像装置及びその製造
方法を提供する。【構成】 Si基板36上のSiエピタキシャル層35の表面部
にソース領域24とドレイン領域25及びゲート絶縁膜を介
してポリシリコンからなる第１のゲート電極22を形成
し、次いで水素貯蔵合金を水素雰囲気下でデポジション
して水素供給膜41を形成し、第１のゲート電極22の一部
開口部を残して高融点金属からなる第２のゲート電極23
を形成する。そして絶縁膜37を介して各画素38-1，38-2
に対応してオンチップカラーフィルタ32-1，32-2を設
け、更に平坦化層33を介してオンチップマイクロレンズ
34-1，34-2を、その中心が第１のゲート電極22の開口部
の中心に位置するように配置して固体撮像装置を構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置、特に
ＣＭＤ（Charge Modulation Device：電荷変調素子）受
光素子を光電変換素子として用いた画素からなる固体撮
像装置、及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＭＤ受光素子を光電変換素子として用
いた画素からなる固体撮像装置（以下、ＣＭＤ型固体撮
像装置と略称する）には、多画素化が容易、高速動作が
可能、等の特長があり、例えばテレビジョン学会技報 V
ol. 17，No. 16（1993）には、ハイビジョン対応の２／
３インチ 200万画素素子が報告されるに至っている。

【０００３】ＣＭＤ型固体撮像装置のオンチップカラー
化についての報告はまだ少ないが、ＣＣＤ型固体撮像装
置と同様に、画素上にオンチップカラーフィルタを配置
することにより、容易に実現可能である。オンチップカ
ラー化については、種々の技術的課題があるが、特に解
決が望まれる点は、傾斜入射光に対する混色の問題であ
る。次に、この混色発生のメカニズムについて図８〜図
10を用いて説明する。

【０００４】図８は、オンチップカラーフィルタを形成
した従来のＣＭＤ型固体撮像装置の画素平面図を示し、
図９は、図８のＡ−Ａ′線における断面図を示す。図８
及び図９において、１-1，１-2は水平方向に隣接するＣ
ＭＤ受光素子からなる画素、２はソース領域、３-1，３
-2は各画素１-1，１-2の各ソース領域２を囲むようにポ
リシリコンで形成されたゲート電極であり、そして該ゲ
ート電極３-1，３-2から延長部３-1a ，３-2a をそれぞ
れ交叉するように斜め方向に延長させて、ゲート電極結
合部４を形成している。５は水平方向に配列された画素
列間に沿って前記ゲート電極結合部４上を通るように配
置されている第２Al層で形成されたゲートラインで、該
ゲートライン５には１つのゲートコンタクト６を介して
前記ゲート電極結合部４が接続されている。７はドレイ
ン領域、９は第１Al層で形成されたソースラインで、垂
直方向に配列された各画素の各ソース領域２上を通るよ
うに配置され、各画素のソース領域２とはソースコンタ
クト10により接続されている。11は第１Al層で形成され
たドレインラインで、前記ゲート電極結合部４の配置さ
れていない画素間において垂直方向に配置されており、
ドレイン領域７とはドレインコンタクト12を介して接続
されている。14は第３Al層で形成された遮光領域で、ゲ
ート電極３-1，３-2を取り囲むように配置されている。
15-1，15-2は各画素１-1，１-2上に形成されたオンチッ
プカラーフィルタである。

【０００５】図９において、13は絶縁膜、16はオンチッ
プカラーフィルタ15-1，15-2上に形成されたオーバーコ
ート膜、17は表面部にソース領域２及びドレイン領域７
を形成しているSiエピタキシャル層、18はSi基板、19は
光電変換領域で、ＣＭＤ型固体撮像装置においては、Si
エピタキシャル層17のうち、ゲート電極３-1，３-2の直
下の領域で、この領域19においてのみ光感度がある。こ
のため、以下、ゲート電極３-1，３-2自体で受光領域を
指すこととする。なお、ゲート電極３-1，３-2はSiエピ
タキシャル層17上にゲート酸化膜（SiＯ₂）を介して形
成されている。

【０００６】通常、カラーフィルタは画素毎に区切って
形成され、それぞれが特定の画素の受光領域と１対１に
対応する。図９で言えば、画素１-1の受光領域（ゲート
電極）３-1の真上にカラーフィルタ15-1が形成され、画
素１-2の受光領域（ゲート電極）３-2の真上にカラーフ
ィルタ15-2が形成されていることが、これに相当する。
混色は、この１対１の対応関係が崩れることにより生じ
るもので、一般的には、特定の画素の受光領域への入射
光として、その画素上のカラーフィルタを通過して入射
する成分に加え、隣の画素上のカラーフィルタを通過し
て傾斜して入射する成分が混じることにより発生する。

【０００７】次に、図10を用いて、傾斜入射光がどのよ
うにして混色を引き起こすのかについて説明する。な
お、図10に示した断面図は、図９に示した固体撮像装置
の断面図と同一で、同一構成要素には同一符号を付して
示しており、ａは垂直入射光、ｂ，ｃ，ｄは傾斜入射光
を示している。まず、垂直入射光について説明する。図
10における垂直入射光ａは画素１-2の受光領域（ゲート
電極）３-2に入射する光線で、この画素１-2の受光領域
（ゲート電極）３-2に入射する垂直入射光ａは全て画素
１-2のカラーフィルタ15-2を通過した光線のみであるた
め、混色は生じない。なお厳密には、第１Al層で形成さ
れたソースライン９などによって反射された光が、迷光
として隣の画素へ漏れ込む場合もあるが、このような成
分は少ない。

【０００８】これに対し、傾斜入射光の場合には、いく
つかの成分で混色のメカニズムを考えなければならな
い。すなわち傾斜入射光のうち光線ｂは、画素１-2のカ
ラーフィルタ15-2を通過して画素１-2の受光領域（ゲー
ト電極）３-2に入射する成分で、これは混色の発生の原
因とはならない。傾斜入射光ｃは隣の画素１-1のカラー
フィルタ15-1を通過して、画素１-2の受光領域（ゲート
電極）３-2に入射しようとする成分であるが、遮光領域
14がこの入射を阻止している。傾斜入射光ｄは同じく隣
の画素１-1のカラーフィルタ15-1を通過し、遮光領域14
の下を通り抜けて画素１-2の受光領域（ゲート電極）３
-2に入射する成分で、この傾斜入射光ｄは混色の発生の
原因となる成分である。

【０００９】このような混色成分を少なくするには、遮
光領域14を大きくすることがより効果的であるが、この
ように遮光領域14を大きくすると、開口率が小さくな
り、感度を確保する面からは、必ずしも得策でない。し
たがって遮光領域14をSiエピタキシャル層17に近づける
のが、最も効果的である。遮光領域14をSiエピタキシャ
ル層17に近づけることは、Al層からなるソースライン９
やドレインライン11とのショートの危険性を考えると、
かなり困難であるが、このような発想による光もれ対策
は、本件出願人が先に出願した特願平４−１２５４００
号に開示されている。

【００１０】図11は、上記特許出願に開示されているＣ
ＭＤ型固体撮像装置の４画素分の画素平面図である。図
11において、21はゲート領域で、該ゲート領域21は受光
領域として機能するポリシリコンからなる第１のゲート
電極22とゲートラインとして機能する高融点金属からな
る第２のゲート電極23とで構成されている。24はソース
領域、25はドレイン領域、26はソースライン、27はドレ
インライン、28はソースコンタクト、29はドレインコン
タクトを示している。このような画素構造において、第
２のゲート電極23をタングステン等の遮光性の高融点金
属膜を用いて形成すれば、この第２ゲート電極23の形成
領域は遮光領域としても機能し、隣接する画素間が遮光
膜で覆われるというレイアウト上の効果と、該遮光性の
第２のゲート電極23がSiエピタキシャル層に近い距離に
て形成できるという構造上の効果により、混色が改善さ
れる。

【００１１】しかし、図11に示した画素構造そのままの
構成では、受光領域に相当するゲート領域上を高融点金
属遮光膜がある程度覆っているので、開口率を大きくと
れないという問題点がある。すなわち混色の発生を防ぐ
には、ゲート領域を覆いかくすことが望ましく、且つ開
口率を大きくするにはゲート領域を可能な限り露出させ
るのが望ましいという相反することを実現しなければな
らないわけである。

【００１２】この問題の解決にはオンチップマイクロレ
ンズ構造を採用すればよいものと考えられる。図12は、
従来のＣＭＤ型固体撮像装置の画素構成において、開口
率を確保しながら混色を防ぐのに最良と考えられるＣＭ
Ｄ画素のレイアウトを示す平面図で、図13は図12のＢ−
Ｂ′線に沿った断面図であり、図11に示した画素構成と
同一又は対応する構成要素には同一符号を付して示して
いる。図12及び図13において、21はドーナツ状のゲート
領域で、22は右下約１／４の面積の部分のみが露出され
たポリシリコンからなる第１のゲート電極であり、この
第１のゲート電極22の露出部のみで光感度がある。な
お、この第１のゲート電極22は後述のSiエピタキシャル
層上にゲート酸化膜を介して形成されている。そして、
この第１のゲート電極22の露出部以外の部分は遮光性の
高融点金属膜で覆われ第２のゲート電極23を形成してお
り、この第２のゲート電極23の領域では光感度はない。
また、31はAl層で形成された遮光領域、32-1，32-2，34
-1，34-2はそれぞれ画素38-1，38-2に対応したオンチッ
プカラーフィルタとオンチップマイクロレンズ、33は平
坦化層、35はSiエピタキシャル層、36はSi基板、37は絶
縁膜、39-1，39-2はそれぞれオンチップマイクロレンズ
34-1，34-2のレンズ中心を示している。

【００１３】このように構成したＣＭＤ画素構造におい
ては、開口率はマイクロレンズ34-1，34-2のパターン面
積で決まるだけ大きくとれる一方、入射光線ｅで示すよ
うに、遮光領域31の下を通り抜ける傾斜光線は、第１の
ゲート電極22の露出部以外の部分及び画素間を覆う遮光
性高融点金属膜で形成された第２のゲート電極23に遮ら
れて、隣接画素の受光領域に入り込まず、混色を有効に
防止することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来最良の構成と
考えられていたＣＭＤ型固体撮像装置は、大きな開口率
と低レベルの混色を同時に実現することが可能なもので
あるが、その一方で暗電流が増大するという問題点があ
る。暗電流を小さくするための一般的な方法は、Si／Si
Ｏ₂界面に水素を供給し、界面に存在するダングリング
ボンドを水素で終端させる方法である。水素の供給に
は、水素雰囲気中にウェハーをさらす方法や、ウェハー
上にAl膜を形成し、このAl膜中に含まれる水素を熱拡散
する方法が用いられるが、いずれの方法も、ウェハー外
部あるいはウェハー上部に水素供給源を設けて、その水
素供給源からSi／SiＯ₂界面へ水素を熱拡散する方法と
なる。

【００１５】図12及び図13に示した最良の構成と考えら
れるＣＭＤ型固体撮像装置の構造上、問題となるのは、
混色防止の役目を果たす遮光性高融点金属膜からなる第
２のゲート電極の存在である。第１のゲート電極の大部
分を覆う第２のゲート電極を形成するこの金属膜は、外
部からの水素の侵入を遮断し、第１のゲート電極直下の
Si／SiＯ₂界面への水素の供給を阻止する。このために
従来の水素供給方法によっては暗電流の低減が実現でき
なくなってしまうという問題点がある。

【００１６】本発明は、従来最良と考えられていた構成
の固体撮像装置における上記問題点を解決するためにな
されたもので、高開口率，低混色性，低暗電流を同時に
実現できるようにした固体撮像装置とその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、半導体基板の表面領域にマトリ
クス状に配設されSi／SiＯ₂界面を有する複数の光電変
換素子と、該光電変換素子の受光部上に該受光部の一部
分を開口するようにパターン化して配設された高融点金
属からなる遮光膜と、前記各光電変換素子の受光部の開
口領域に対応して配設されたオンチップマイクロレンズ
を備えた固体撮像装置において、前記遮光膜と光電変換
素子の間に水素供給膜を設けて構成するものである。

【００１８】このように構成した固体撮像装置において
は、水素供給膜は遮光膜を介さずにSi／SiＯ₂界面側に
位置することになるので、容易にSi／SiＯ₂界面へ水素
を供給することができ、それにより暗電流を低減するこ
とができる。また高融点金属からなる遮光膜は水素供給
膜よりウェハー外部への水素の拡散を抑える機能をもっ
ているので、水素のSi／SiＯ₂界面への供給効果は、従
来のウェハー外部からの供給を行う場合よりも大きい。
更に、遮光膜と光電変換素子の間に水素供給膜を設けて
も、オンチップマイクロレンズの配設に対し何の不都合
も生じないので、従来通りの高開口率及び低混色性は、
そのまま実現可能である。

【００１９】また上記構成の固体撮像装置の製造方法
は、水素貯蔵合金を水素雰囲気下で光電変換素子を形成
した半導体基板上にデポジションし水素供給膜を形成す
る工程を含むもので、これにより水素供給膜を容易に形
成することができ、高開口率及び低混色性を保持しなが
ら暗電流を低減することの可能な固体撮像装置を容易に
製造することができる。

【００２０】

【実施例】次に実施例について説明する。図１は、本発
明に係る固体撮像装置の第１実施例の画素平面を示す図
で、また図２は、図１のＣ−Ｃ′線に沿った断面を示す
図であり、図12及び図13に示した従来考えられていた構
成のＣＭＤ型固体撮像装置と同一又は対応する構成要素
には同一符号を付して、その説明を省略する。この第１
実施例が図12及び図13に示したＣＭＤ型固体撮像装置と
異なる点は、第１のゲート電極22と遮光性高融点金属膜
からなる第２のゲート電極23の間に水素供給膜41を配設
した点と、該第１のゲート電極22と第２のゲート電極23
間をコンタクト42を介して接触させた点である。

【００２１】このように水素供給膜41を配設することに
より、先に「課題を解決する手段及び作用」の項で説明
したとおり、遮光性高融点金属膜からなる第２のゲート
電極23によって拡散を遮られることなく、水素供給膜41
より第１のゲート電極22直下のSi／SiＯ₂界面へ水素が
供給され、これにより暗電流を低減できる。また、第２
のゲート電極23は遮光性の高融点金属膜で構成されてい
るため、傾斜入射光ｆで示すように、従来通りの混色抑
止能力をもっている。

【００２２】この第１実施例において、第１のゲート電
極22の形成材料としてはポリシリコン、第２のゲート電
極23の形成材料としてはタングステン、水素供給膜41と
してはプラズマ窒化膜やチタンに代表される水素貯蔵合
金が適当である。水素貯蔵合金を水素供給膜として用い
る場合、その水素貯蔵合金を第１のゲート電極22の形成
後に全面に亘って水素雰囲気下でデポジションするか、
あるいはデポジション後に水素雰囲気下で熱処理を行っ
て、その水素貯蔵合金中に水素を多量に含ませる工程で
水素供給膜を形成することができる。なお、第１のゲー
ト電極22と第２のゲート電極23とを電気的に接触させる
コンタクト42は、水素供給膜が導電性材料で形成される
場合は、設ける必要がない。

【００２３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。前記第１実施例においては、第２のゲート電極は遮
光機能の他にゲート配線としての機能を備えている。こ
のために、第２のゲート電極は第１のゲート電極との間
にコンタクトを介して電気的接触を形成させているわけ
であるが、このコンタクトを形成するにはスペース的な
制限が大きく、微細パターン技術を必要としていた。こ
のため、設計サイドからはこのコンタクトを無くすか、
あるいはよりパターン精度の緩くなる構造が要求され
る。また、画素数が非常に多い用途においては、ゲート
ライン容量の低減が要求される。本発明の第２実施例
は、これらの要求に応えるためのもので、第２のゲート
電極には遮光機能だけをもたせ、別個に画素間にAlより
なるゲートラインを設けるように構成したものである。

【００２４】図３は、本発明の第２実施例のＣＭＤ型固
体撮像装置の画素平面を示す図で、図４は、図３のＤ−
Ｄ′線に沿った断面を示す図である。両図において、51
はドーナツ状のゲート電極であり、図８に示した従来例
の画素構成と同様に、隣り合った２画素で１つのゲート
電極結合部52を形成し、ゲートコンタクト53を介して、
第２Al層で形成されたゲートライン54に接続されるよう
になっている。55は高融点金属で形成された遮光層であ
り、ドーナツ状のゲート電極51の右下の開口部56とゲー
ト電極結合部52を除いて、ゲート電極51を覆うように形
成されている。57はソース領域で、第１Al層で形成され
たソースライン58とソースコンタクト59を介して接続さ
れている。60はドレイン領域で、第１Al層で形成された
ドレインライン61とドレインコンタクト62を介して接続
されている。63は第３Al層からなる遮光領域、64-1，64
-2，65-1，65-2は、それぞれ画素66-1，66-2に対応して
配置したオンチップカラーフィルタとオンチップマイク
ロレンズである。67-1，67-2はオンチップマイクロレン
ズ65-1，65-2の焦点位置を示す。68は水素供給膜、69は
絶縁膜、70は平坦化層、71はSiエピタキシャル層、72は
Si基板を示す。

【００２５】このように構成された第２実施例において
は、ゲートライン54をAlで形成しているので、第１実施
例よりも高速動作が可能となり、また、ゲート電極51の
真上でのコンタクトの微細パターニングが不要となる効
果が加わる。

【００２６】次に本発明の第３実施例について説明す
る。図５は、第３実施例のＣＭＤ型固体撮像装置の画素
平面を示す図で、図６は、図５のＥ−Ｅ′線に沿った断
面を示す図であり、図３及び図４に示した第２実施例と
同一又は対応する構成要素には同一符号を付して示して
いる。本実施例は、高融点金属遮光層55と水素供給膜68
をゲート電極51と同一の幅で形成している点に特徴があ
り、画素毎の光電変換特性のバラツキが第２実施例より
小さくなる製造法で実現できる構成としたものである。

【００２７】本実施例において、ゲート電極，水素供給
膜，高融点金属遮光層が同一の幅で形成されているの
は、ゲート電極，水素供給膜，高融点金属遮光層を形成
する３つの膜をこの順番に連続してデポジションした後
に、ゲート電極パターン状のマスクを高融点金属遮光膜
上に形成し、そのゲート電極パターンマスクに従って前
記ゲート電極，水素供給膜，高融点金属遮光層を構成す
る３つの膜を一括してエッチングするという、いわゆる
セルフアラインの手順を採って形成したためである。実
際には、この一括エッチング工程の後、高融点金属遮光
層のうち、開口領域とゲート電極の結合部をエッチング
するという工程が引き続けて行われるわけであるが、こ
のようなセルフアラインエッチングを採用することによ
り、高融点金属遮光層とゲート電極間あるいは高融点金
属遮光層とSiエピタキシャル層間の重なり合いが画素間
で揃い、これにより寄生容量が揃うため、画素毎の光電
変換特性バラツキを小さくできるという効果が得られ
る。また、高融点金属遮光層がゲート電極よりはみ出さ
ないので、ソースコンタクトあるいはドレインコンタク
トと高融点金属遮光層の間の設計マージンが大きく取れ
るというメリットも得られる。

【００２８】上記図３〜図６に示した第２実施例及び第
３実施例において、水素供給膜が電気的に絶縁性の膜で
形成されている場合には、高融点金属遮光層が電位的に
フローティング状態となる。固体撮像装置の特性上は、
この高融点金属遮光層の電位は固定されているのが望ま
しい。図７は、この問題に対する画素構造のレイアウト
による解決策の一例を示す図で、図５に示された本発明
の第２実施例における高融点金属遮光層のレイアウトを
変更し、その変更部であるゲート結合部のみを抽出して
示す図である。図において、51はゲート電極、52はゲー
ト電極結合部、53はゲートコンタクト、54はゲートライ
ン、55は高融点金属遮光層、58はソースライン、を示し
ており、このレイアウト変更の特徴は、高融点金属遮光
層55及びゲート電極51の両方に対して１つのゲートコン
タクト53でゲートライン54を接続している点にある。こ
のように構成することにより、高融点金属遮光層55がゲ
ートライン54の電位に固定されることになる。

【００２９】

【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、遮光膜と光電変換素子の間に水素供給
膜を設けているので、Si／SiＯ₂界面への水素の供給が
容易に行われ、高開口率及び低混色性を維持しながら暗
電流を低減することが可能となる。また本発明の製造方
法によれば、水素供給膜を設けた固体撮像装置を容易に
製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のＣＭＤ型固体撮像装置の
画素部分を示す平面図である。

【図２】図１のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。

【図３】本発明の第２実施例のＣＭＤ型固体撮像装置の
画素部分を示す平面図である。

【図４】図３のＤ−Ｄ′線に沿った断面図である。

【図５】本発明の第３実施例のＣＭＤ型固体撮像装置の
画素部分を示す平面図である。

【図６】図５のＥ−Ｅ′線に沿った断面図である。

【図７】図３における遮光層パターンのレイアウトを変
更した変形例の一部を示す平面図である。

【図８】オンチップカラーフィルタを設けた従来のＣＭ
Ｄ型固体撮像装置の画素部分を示す平面図である。

【図９】図８のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。

【図10】混色のメカニズムを説明するための図９に基づ
く説明図である。

【図11】混色を改善した従来のＣＭＤ型固体撮像装置の
画素部分を示す平面図である。

【図12】従来考えられたマイクロレンズを備えたＣＭＤ
型固体撮像装置の画素部分を示す平面図である。

【図13】図12のＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。

【符号の説明】

21 ゲート領域 22 第１のゲート電極 23 第２のゲート電極 24 ソース領域 25 ドレイン領域 26 ソースライン 27 ドレインライン 28 ソースコンタクト 29 ドレインコンタクト 31 遮光領域 32-1，32-2 オンチップカラーフィルタ 33 平坦化層 34-1，34-2 オンチップマイクロレンズ 35 Siエピタキシャル層 36 Si基板 37 絶縁膜 38-1，38-2 画素 39-1，39-2 マイクロレンズのレンズ中心 41 水素供給膜 42 コンタクト 51 ゲート電極 52 ゲート電極結合部 53 ゲートコンタクト 54 ゲートライン 55 遮光層 56 開口部 57 ソース領域 58 ソースライン 59 ソースコンタクト 60 ドレイン領域 61 ドレインライン 62 ドレインコンタクト 63 遮光領域 64-1，64-2 オンチップカラーフィルタ 65-1，65-2 オンチップマイクロレンズ 66-1，66-2 画素 67-1，67-2 マイクロレンズの焦点位置 68 水素供給膜 69 絶縁膜 70 平坦化層 71 Siエピタキシャル層 72 Si基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の表面領域にマトリクス状に
配設されSi／SiＯ₂界面を有する複数の光電変換素子
と、該光電変換素子の受光部上に該受光部の一部分を開
口するようにパターン化して配設された高融点金属から
なる遮光膜と、前記各光電変換素子の受光部の開口領域
に対応して配設されたオンチップマイクロレンズを備え
た固体撮像装置において、前記遮光膜と光電変換素子の
間に水素供給膜を設けたことを特徴とする固体撮像装
置。
【請求項２】前記水素供給膜は、プラズマ窒化膜で構
成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
装置。
【請求項３】前記水素供給膜は、水素を含有する水素
貯蔵合金で構成されていることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像装置。
【請求項４】前記光電変換素子は、ＣＭＤ受光素子で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の固体撮像装置。
【請求項５】前記ＣＭＤ受光素子のゲート電極上に水
素供給膜を設けると共に、該水素供給膜上にゲート電極
の一部分を開口するように高融点金属遮光膜を設け、前
記ゲート電極と水素供給膜と高融点金属遮光膜とを、前
記ゲート電極の開口領域とゲート電極の結合部を除き、
同一寸法に形成していることを特徴とする請求項４記載
の固体撮像装置。
【請求項６】半導体基板の表面領域にマトリクス状に
配設されSi／SiＯ₂界面を有する複数の光電変換素子
と、該光電変換素子の受光部上に該受光部の一部分を開
口するようにパターン化して配設された高融点金属から
なる遮光膜と、前記各光電変換素子の受光部の開口領域
に対応して配設されたオンチップマイクロレンズと、前
記遮光膜と光電変換素子の間に配設した水素供給膜とを
備えた固体撮像装置の製造方法において、水素貯蔵合金
を水素雰囲気下で表面領域に光電変換素子を形成した半
導体基板上にデポジションし水素供給膜を形成する工程
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】半導体基板の表面領域にマトリクス状に
配設されSi／SiＯ₂界面を有する複数の光電変換素子
と、該光電変換素子の受光部上に該受光部の一部分を開
口するようにパターン化して配設された高融点金属から
なる遮光膜と、前記各光電変換素子の受光部の開口領域
に対応して配設されたオンチップマイクロレンズと、前
記遮光膜と光電変換素子の間に配設した水素供給膜とを
備えた固体撮像装置の製造方法において、水素貯蔵合金
を表面に光電変換素子を形成した半導体基板上にデポジ
ションする工程と、その工程の後に前記半導体基板を水
素雰囲気下で熱処理し水素供給膜を形成する工程を含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。