JP2007194359A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の固体撮像素子10は、光電変換部30と、電荷転送電極13を備えた電荷転送部30と、電荷転送部30上に開口14aを有し、光電変換部30を覆う反射防止膜14と、光電変換部30上に開口16aを有し、電荷転送部40を覆う遮光膜16,26と、を備え、電荷転送電極13と遮光膜16との間に形成される絶縁膜27の厚さが少なくとも光電変換部30上において、5nmから20nmの範囲とする、又は、遮光膜26をスパッタリング法により形成されたタングステン膜で形成する。
【選択図】図2
Description
図7に示すように、固体撮像素子は、シリコン半導体基板1と、該シリコン半導体基板1上に形成されたフォトダイオード等の光電変換部2と、該シリコン半導体基板1上にゲート絶縁膜を介して形成された電荷転送電極3と備えている。また、電荷転送電極3が層間絶縁膜4で被覆され、光電変換部2上を覆うように反射防止膜5が被覆され、電荷転送電極3が遮光膜6で覆われている。遮光膜6における、光電変換部2上の部位に遮光膜開口6aが形成され、固体撮像素子に照射された光が図示しないマイクロレンズによって集光されるとともに、遮光膜開口6aを通過し、光電変換部2に受光されることで、電荷信号に変換される(例えば、下記特許文献1参照)。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子の第1実施形態を示す平面図である。図2は、図1のA−A線方向視の断面図である。
図1に示すように、固体撮像素子10は、フォトダイオード等の光電変換部30と、該光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送部40とを備えている。
図3(a)に示すように、先ず、光電変換部30が形成された半導体基板11に、ゲート絶縁膜12を形成する。ゲート絶縁膜12は、半導体基板11の表面に熱酸化膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜とを順に形成した、3層構造を有する。そして、ゲート絶縁膜上に、電荷転送電極13を構成する、第1電極13a及び第2電極13bをそれぞれ形成し、その後、電荷転送電極13を含む、半導体基板11の表面を覆うように、層間絶縁膜15をCVD法によって形成する。
図6は、本実施形態の固体撮像素子の構成を説明する要部断面図である。図6に示すように、本実施形態の固体撮像素子は、半導体基板11上に、ゲート絶縁膜12を介して電荷転送電極13が形成され、該電荷転送電極13及び半導体基板11を覆う絶縁膜15と、電荷転送電極13上に開口14aを有する反射防止膜14が形成されている構成が、上記第1実施形態と共通している。一方で、本実施形態の固体撮像素子は、光電変換部30上の領域に絶縁膜を設けず、反射防止膜14上に、電荷転送部を覆うように遮光膜26を形成している。
11 半導体基板
13 電荷転送電極
14 反射防止膜
16,26 遮光膜
17 層間絶縁膜
27 絶縁膜
30 光電変換部
Claims (4)
- 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と、
前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、
前記電荷転送電極と前記遮光膜との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の厚さが少なくとも光電変換部上において、5nmから20nmの範囲であることを特徴とする固体撮像素子。 - 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、
前記遮光膜が、スパッタリング法により形成されたタングステン膜であり、該遮光膜が前記反射防止膜上に形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上に絶縁膜を5nmから20nmの厚さとなるように形成し、前記電荷転送部を覆うように前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上にスパッタリング法により形成されたタングステン膜である前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295918A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2009295956A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-12-17 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
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JP2000349272A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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2006
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