JP2007194359A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】絶縁性を確保するとともに暗時白キズの発生を抑制でき、且つ、スミアを改善することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子10は、光電変換部30と、電荷転送電極13を備えた電荷転送部30と、電荷転送部30上に開口14aを有し、光電変換部30を覆う反射防止膜14と、光電変換部30上に開口16aを有し、電荷転送部40を覆う遮光膜16,26と、を備え、電荷転送電極13と遮光膜16との間に形成される絶縁膜27の厚さが少なくとも光電変換部30上において、5nmから20nmの範囲とする、又は、遮光膜26をスパッタリング法により形成されたタングステン膜で形成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に関し、特に、スミアを低減することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法。
図7は、従来の固体撮像素子の構成を示す断面図である。
図7に示すように、固体撮像素子は、シリコン半導体基板1と、該シリコン半導体基板1上に形成されたフォトダイオード等の光電変換部2と、該シリコン半導体基板1上にゲート絶縁膜を介して形成された電荷転送電極3と備えている。また、電荷転送電極3が層間絶縁膜4で被覆され、光電変換部2上を覆うように反射防止膜5が被覆され、電荷転送電極3が遮光膜6で覆われている。遮光膜6における、光電変換部2上の部位に遮光膜開口6aが形成され、固体撮像素子に照射された光が図示しないマイクロレンズによって集光されるとともに、遮光膜開口6aを通過し、光電変換部2に受光されることで、電荷信号に変換される(例えば、下記特許文献1参照)。
ここで、固体撮像素子に入射する光の入射角度は画素領域における各画素部の位置に応じて異なり、画素部の位置によっては斜めに光が入射することによって光の入射角度が小さくなる場合がある。すると、撮像領域の面に対して斜めに入射した光が、シリコン半導体基板1と遮光膜6との間から進入することで、不適正な電荷信号が生成され、画像にスミアが生じてしまう問題があった。このような問題は、シリコン半導体基板1の表面から層間絶縁膜4までの厚さTが厚くなるほど斜めに入射する光が遮光膜6の下部に進入しやすくなる傾向がある。そこで、従来では、シリコン半導体基板1と遮光膜6との間に厚さの薄い層間絶縁膜4を形成することで、光の進入を防止することが図られている。
特開平7−142695号公報
しかし、層間絶縁膜4は、電荷転送電極3と遮光膜6との間で絶縁性を確保する必要があり、単純に薄くするだけでは、限界があった。また、従来、光電変換部2と電荷転送電極3との上方を完全に反射防止膜5で覆い、該反射防止膜5上の層間絶縁膜4を除去することで薄膜化する構成が提案されているが、暗時白キズが増大してしまう問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁性を確保するとともに暗時白キズの発生を抑制でき、且つ、スミアを改善することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、前記電荷転送電極と前記遮光膜との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の厚さが少なくとも光電変換部上において、5nmから20nmの範囲であることを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
また、本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と、前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上に絶縁膜を5nmから20nmの厚さとなるように形成し、前記電荷転送部を覆うように前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法によって達成される。
上記本発明は、反射防止膜上に形成された層間絶縁膜のうち、光電変換部上の部位をエッチングで除去した後、5nmから20nmの厚さの絶縁膜を形成している。このため、本発明の固体撮像素子は、反射防止膜上に形成された層間絶縁膜の上に遮光膜を形成する従来の構造に比べると、絶縁膜の薄くした分だけ半導体基板表面と遮光膜との間隔を小さくすることができる。このため、固体撮像素子に斜めに入射する光が、遮光膜下から進入することを抑制することができ、スミアを低減することができる。また、反射防止膜と遮光膜との間には絶縁膜が形成されているため、暗時白キズの発生を抑制することができる。
本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、前記遮光膜が、スパッタリング法により形成されたタングステン膜であり、該遮光膜が前記反射防止膜上に形成されていることを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
また、本発明の上記目的は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と、前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上にスパッタリング法により形成されたタングステン膜である前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法によって達成される。
上記本発明は、反射防止膜上に形成された層間絶縁膜のうち、光電変換部上の部位をエッチングで除去した後、絶縁膜を形成することなく、層間絶縁膜上に遮光膜として、スパッタリング法により形成されたタングステン膜を形成している。スパッタリング法により遮光膜を形成すれば、反射防止膜上にチタンナイトライドなどの密着性膜を介在させることなく、タングステン膜を形成することができ、界面に水素アニール処理時に発生する水素の通路を確保することができる。そして、反射防止膜上に絶縁膜を形成することなく遮光膜を形成できるため、半導体基板表面と遮光膜との間隔を小さくすることができる。このため、固体撮像素子に斜めに入射する光が、遮光膜下から進入することを抑制することができ、スミアを低減することができる。
本発明によれば、絶縁性を確保するとともに暗時白キズの発生を抑制でき、且つ、スミアを改善することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子の第1実施形態を示す平面図である。図2は、図1のA−A線方向視の断面図である。
図1に示すように、固体撮像素子10は、フォトダイオード等の光電変換部30と、該光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送部40とを備えている。
固体撮像素子10は、n型のシリコン基板11nと該シリコン基板11n上に形成されたpウェル層11pとから構成される。pウェル層11p内に、半導体基板11の表面にp領域30aが形成され、p領域30aの下に、pn接合を形成するn領域30bが形成される。p領域30aとn領域30bとがフォトダイオードを構成し、光電変換部30として機能する。光電変換部30で生起せしめられた信号電荷は、n領域30bに蓄積される。
光電変換部30の右方には、少し離間してn領域からなる電荷転送チャネル33が形成される。n領域30bと電荷転送チャネル33の間のpウェル層11pに電荷読み出し領域34が形成されている。
電荷転送部40は、複数のフォトダイオード列の各々に対応して半導体基板11の表面部の列方向(図1の左右方向)に延設された複数本の電荷転送チャネル33と、電荷転送チャネル33の上層に形成された電荷転送電極13と、光電変換部30で発生した電荷を電荷転送チャネル33に読み出すための電荷読み出し領域34とを含む。
半導体基板11の表面にはゲート絶縁膜12が形成されている。電荷読み出し領域34と電荷転送チャネル33の上には、ゲート絶縁膜12を介して、電荷転送電極13が形成される。電荷転送電極13は2つの電極で構成され、両者の電極間には電極間絶縁膜が形成されている。
垂直転送チャネル33と光電変換部30との間には、p領域からなるチャネルストップ32が形成されている。垂直転送チャネル33は、チャネルストップ32によって光電変換部30との分離がなされている。
電荷転送電極13の上層には、酸化シリコン膜などで構成された絶縁膜15が形成され、窒化膜などからなる反射防止膜14が形成されている。反射防止膜14は、電荷転送電極13の上部に開口14aを有している。
また、反射防止膜14上には、層間絶縁膜17が形成され、さらに、反射防止膜14上に層間絶縁膜17を介在させつつ、タングステン膜からなる遮光膜16が形成されている。遮光膜16には、光電変換部30上に位置する開口16aが形成されている。
遮光膜16の上層には、BPSG(borophospho silicate glass)からなる平坦化膜(絶縁膜)72と、P−SiNからなる絶縁膜(パッシベーション膜)73と、透明樹脂等からなるフィルタ下平坦化膜74と、が順に形成される。また、フィルタ下平坦化膜74の上方には、カラーフィルタ50とマイクロレンズ60とが設けられる。カラーフィルタ50とマイクロレンズ60との間には、絶縁性の透明樹脂等からなるフィルタ上平坦化膜61が形成される。カラーフィルタ50には、半導体基板11表面の光電変換部のそれぞれの位置に対応するように、赤色フィルタ層、緑色フィルタ層、青色フィルタ層が形成されている。
本実施形態の固体撮像素子10は、光電変換部30で発生した信号電荷がn領域30bに蓄積され、ここに蓄積された信号電荷が、電荷転送チャネル33によって列方向に転送され、転送された信号電荷が図示しない水平電荷転送路(HCCD)によって行方向(図1の上下方向)に転送され、転送された信号電荷に応じた色信号が図示しないアンプから出力されるように構成されている。固体撮像素子10は、半導体基板11上に、光電変換部30と、電荷転送部40と、HCCDと、及びアンプを含む領域である素子領域と、該素子領域の周辺回路(PAD部等)が形成される領域である周辺回路部とを備えた構成である。
本実施形態の固体撮像素子10は、絶縁膜27の厚さが少なくとも光電変換部30上において、5nmから20nmの範囲であることを特徴とする。
次に、本実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を説明する。図3から図5は、第1実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を示す断面図である。
図3(a)に示すように、先ず、光電変換部30が形成された半導体基板11に、ゲート絶縁膜12を形成する。ゲート絶縁膜12は、半導体基板11の表面に熱酸化膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜とを順に形成した、3層構造を有する。そして、ゲート絶縁膜上に、電荷転送電極13を構成する、第1電極13a及び第2電極13bをそれぞれ形成し、その後、電荷転送電極13を含む、半導体基板11の表面を覆うように、層間絶縁膜15をCVD法によって形成する。
図3(b)に示すように、絶縁膜15上を、窒化膜などをCVD法によって被覆することで反射防止膜14を形成する。その後、フォトリソグラフィ工程により、マスクパターンを形成し、反射防止膜14における、電荷転送電極13上の位置に開口14aを形成する。
図3(c)に示すように、反射防止膜14を形成した後、該反射防止膜14の上層に、層間絶縁膜17を形成する。層間絶縁膜17は、反射防止膜14と電荷転送電極13との間に形成した絶縁膜15と同じものを使用することができる。
次に、図4に示すように、層間絶縁膜17における、光電変換部30上の領域(図4中矢印Pで示す部分)を、エッチングにより除去する。エッチングの際には、フォトリソグラフィ工程でパターニング形成することで、電荷転送電極13上にのみ層間絶縁膜17を残す。
図5(a)に示すように、光電変換部30上の層間絶縁膜17を除去した領域Pに、再度、絶縁膜27をCVD法によって塗布する。このとき、光電変換部30上に形成された絶縁膜27の厚さを5nmから20nmとすることが好ましい。
図5(b)に示すように、絶縁膜27を形成した後、電荷転送部を覆うようにタングステン膜からなる遮光膜16をパターニング形成する。
なお、図示しないが、遮光膜16上に、従来と同様の手順に従って、BPSGからなる平坦化膜72と、P−SiNからなる絶縁膜73と、透明樹脂等からなるフィルタ下平坦化膜74と、を順に形成される。また、フィルタ下平坦化膜74の上方に、カラーフィルタ50と、フィルタ上平坦化膜61と、マイクロレンズ60とを順に形成する。
反射防止膜14上に形成された層間絶縁膜17のうち、光電変換部30上の部位をエッチングで除去した後、5nmから20nmの厚さの絶縁膜27を形成している。このため、本発明の固体撮像素子10は、従来における、層間絶縁膜の上に50nmといった厚さの層間絶縁膜を介在させて遮光膜を形成する構造に比べると、絶縁膜の薄くした分だけ半導体基板11表面と遮光膜16との間隔を小さくすることができる。このため、固体撮像素子10に斜めに入射する光が、遮光膜16下から半導体基板11の光電変換部30に進入することを抑制することができ、スミアを低減することができる。また、反射防止膜14と遮光膜16との間には絶縁膜27が形成されている。このため、絶縁膜27によって水素終端処理時に発生する水素の通り道を確保することができ、また、シンター等でSi(シリコン)の終端にH(水素)を結合させることで暗電流を減少させることができ、暗時白キズを防止しつつ、スミアを改善することができる。
次に、本発明にかかる固体撮像素子の第2実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態において、すでに説明した部材などと同等な構成・作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。
図6は、本実施形態の固体撮像素子の構成を説明する要部断面図である。図6に示すように、本実施形態の固体撮像素子は、半導体基板11上に、ゲート絶縁膜12を介して電荷転送電極13が形成され、該電荷転送電極13及び半導体基板11を覆う絶縁膜15と、電荷転送電極13上に開口14aを有する反射防止膜14が形成されている構成が、上記第1実施形態と共通している。一方で、本実施形態の固体撮像素子は、光電変換部30上の領域に絶縁膜を設けず、反射防止膜14上に、電荷転送部を覆うように遮光膜26を形成している。
本実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順としては、図3に示すように、上記第1実施形態と同様の手順に従い、半導体基板11上に電荷転送電極13と、絶縁膜15とを形成し、また、反射防止膜14と層間絶縁膜17とを順に形成することができる。さらに、図4に示す工程と同様に、層間絶縁膜17における、光電変換部30上の領域Pを除去する。
次に、電荷転送電極13を含む電荷転送部を覆うように、反射防止膜14上にスパッタリング法によりタングステン膜からなる遮光膜26をパターニング形成する。スパッタリング法によれば、反射防止膜(例えば、窒化シリコン膜)上にチタンナイトライド(TiN)などの密着性膜を介在させることなく、タングステン膜を形成することができ、水素アニール処理時に発生する水素の通路をその表面に確保することができる。このため、遮光膜26を反射防止膜14上に直接形成することができ、遮光膜26と反射防止膜14との間に絶縁膜を介在させない構成とすることができる。
本実施形態の構成によれば、半導体基板11の表面と遮光膜26との間隔を上記第1実施形態に比べてより一層小さくすることができる。このため、固体撮像素子に斜めに入射する光が、遮光膜26下から進入することをより確実に抑制することができ、スミアを低減することができる。
第1実施形態の固体撮像素子を示す平面図である。 図1のA−A線方向視の断面図である。 第1実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を示す断面図である。 第1実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を示す断面図である。 第1実施形態の固体撮像素子の製造方法の手順を示す断面図である。 第2実施形態の固体撮像素子の構成を説明する要部断面図である。 従来の固体撮像素子の構成を示す断面図である。
符号の説明
10 固体撮像素子
11 半導体基板
13 電荷転送電極
14 反射防止膜
16,26 遮光膜
17 層間絶縁膜
27 絶縁膜
30 光電変換部

Claims (4)

  1. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
    前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と、
    前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、
    前記電荷転送電極と前記遮光膜との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の厚さが少なくとも光電変換部上において、5nmから20nmの範囲であることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
    前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
    前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子であって、
    前記遮光膜が、スパッタリング法により形成されたタングステン膜であり、該遮光膜が前記反射防止膜上に形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
  3. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
    前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
    前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上に絶縁膜を5nmから20nmの厚さとなるように形成し、前記電荷転送部を覆うように前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  4. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
    前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜と
    前記光電変換部上に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜と、を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換部が形成された基板上に前記電荷転送電極を形成し、該電荷転送電極を層間絶縁膜で被覆し、前記電荷転送部上に開口を有し、前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成し、前記光電変換部及び前記電荷転送部上に更に前記層間絶縁膜を形成し、前記光電変換部上の該層間絶縁膜をエッチングで除去し、その後、前記光電変換部上にスパッタリング法により形成されたタングステン膜である前記遮光膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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